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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲(chǔ)器

SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲(chǔ)器

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2023-10-25 18:25:244378

HBM上車?HBM2E被用于自動(dòng)駕駛汽車

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)日前,韓媒報(bào)道SK海力士副總裁Kang Wook-sung透露,SK海力士HBM2E正用于Waymo自動(dòng)駕駛汽車,并強(qiáng)調(diào)SK海力士是Waymo自動(dòng)駕駛汽車這項(xiàng)先進(jìn)內(nèi)存
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SK海力士斥資31億美元新建半導(dǎo)體制造工廠

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2018-10-12 16:17:005500

為滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求 SK海力士宣布將建新存儲(chǔ)器晶圓廠

SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠,滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設(shè)計(jì)外部的建設(shè),2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。
2018-12-03 08:52:561817

SK海力士2019年第2季凈利較2018年同期大跌88%

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2019-07-26 16:56:103275

SK 海力士推出新NAND Flash 產(chǎn)品

目前,兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經(jīng)公布了新NAND Flash 產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中,三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外,SK
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英特爾重返存儲(chǔ)器市場(chǎng)推出新一代存儲(chǔ)器半導(dǎo)體

全球第一的非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)英特爾在韓國(guó)推出新一代存儲(chǔ)器半導(dǎo)體,外界解讀,英特爾選在存儲(chǔ)器半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)發(fā)表新產(chǎn)品,是在向全球前兩大存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士宣戰(zhàn)。
2019-09-27 17:20:141177

SK海力士推出新型DRAM 號(hào)稱創(chuàng)下業(yè)內(nèi)單芯最大密度記錄

SK 海力士公司宣布,其已成功開(kāi)發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),創(chuàng)下了業(yè)內(nèi)單芯最大密度的紀(jì)錄。與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比,其產(chǎn)能提升約 27%,因其無(wú)需昂貴的極紫外(EUV)光刻加持,因此更具成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
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日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲(chǔ)芯片。
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三星新發(fā)布HBM2E存儲(chǔ)芯片,其代號(hào)Flashbolt

三星近日發(fā)布了代號(hào)為“Flashbolt”的HBM2E存儲(chǔ)芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個(gè)封裝可實(shí)現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645

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最近,JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)正式公布了HBM技術(shù)第三版存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)HBM2E,針腳帶寬、總?cè)萘坷^續(xù)大幅提升。對(duì)于一些大企業(yè),集成這些技術(shù)可以說(shuō)不費(fèi)吹灰之力,但不是誰(shuí)都有這個(gè)實(shí)力。
2020-03-08 19:43:564565

HBM2e顯存到底有什么優(yōu)勢(shì)

相比GDDR顯存,HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先,前不久JEDEC又推出HBM2e規(guī)范,三星搶先推出容量可達(dá)96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:319503

SK海力士存儲(chǔ)器半導(dǎo)體銷售額增長(zhǎng) 內(nèi)存卻下降

據(jù)韓國(guó)先驅(qū)報(bào)報(bào)道,SK 海力士周一表示,該公司去年的非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體銷售額增長(zhǎng)了1.5倍,而內(nèi)存產(chǎn)品的銷售額則同比下降33%。
2020-03-31 15:16:523157

SK海力士正式宣布年底前量產(chǎn)并提供業(yè)界頻率達(dá)到8400MHz的DDR5存儲(chǔ)器

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2020-04-07 14:34:271210

SK海力士推出128層1Tb TLC 4D NAND SSD高容量存儲(chǔ)解決方案

4月8日消息,近日,SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111,是針對(duì)讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士是一家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商,其產(chǎn)品組合中包括 DRAM,NAND 閃存和控制,以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:194475

SK海力士量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’ 人工智能迎來(lái)新春天

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海力士成功量產(chǎn)HBM2E存儲(chǔ),適用于新一代AI系統(tǒng)的存儲(chǔ)器解決方案

7月2日消息,據(jù)外媒報(bào)道,SK 海力士宣布,其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開(kāi)發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。
2020-07-03 14:48:333275

SK Hynix宣布HBM2E標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器已投入量產(chǎn)

幾個(gè)月前,SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)的公司,就此加入存儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)行列?,F(xiàn)在,公司宣布它們改進(jìn)的高速高密度存儲(chǔ)已投入量產(chǎn),能提供高達(dá)3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達(dá)
2020-09-10 14:39:012830

SK海力士出資600億收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)!

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,SK海力士宣布出資600億收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)! SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的消息,SK海力士在官網(wǎng)上表示,兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
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近日,SK海力士宣布將在中國(guó)大連新建閃存工廠,該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲(chǔ)器制造項(xiàng)目的一部分,將被用于生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購(gòu)Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:534080

SK海力士將向英偉達(dá)系統(tǒng)供應(yīng)HBM3

SK海力士在業(yè)界率先開(kāi)發(fā)出最新高帶寬存儲(chǔ)器HBM, High Bandwidth Memory)產(chǎn)品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在DRAM市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219

ChatGPT帶旺HBM存儲(chǔ)

據(jù)韓媒報(bào)道,自今年年初以來(lái),三星電子和SK海力士的高帶寬存儲(chǔ)器HBM)訂單激增。盡管HBM具有優(yōu)異的性能,但其應(yīng)用比一般DRAM少。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">HBM的平均售價(jià)(ASP)至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:446124

HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬(wàn)億韓元積極擴(kuò)產(chǎn)

據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計(jì)劃到明年年底為止投資2萬(wàn)億韓元以上,將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計(jì)劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),成功開(kāi)發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開(kāi)始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對(duì)ai的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的獨(dú)一無(wú)二的地位。”
2023-08-21 09:21:491808

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示,HBM3EHBM3的擴(kuò)展版本)的成功開(kāi)發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平,SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無(wú)與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:411676

SK海力士正擴(kuò)充韓國(guó)晶圓級(jí)封裝部門人才

隨著ai產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng),hbm需求劇增,sk海力士不得不增加人力和生產(chǎn)。hbm存儲(chǔ)器是將多個(gè)dram芯片垂直堆疊起來(lái),因此封裝技術(shù)的防熱性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:551039

SK海力士資本支出大增,HBM是重點(diǎn)

SK海力士明年計(jì)劃的設(shè)施投資為10萬(wàn)億韓元(76.2億美元),超出了市場(chǎng)預(yù)期。證券界最初預(yù)測(cè)“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬(wàn)億至7萬(wàn)億韓元”。鑒于經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn),觀察人士預(yù)計(jì)嚴(yán)格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲(chǔ)半導(dǎo)體價(jià)格大幅下跌,SK海力士預(yù)計(jì)今年赤字將超過(guò)8萬(wàn)億韓元。
2023-11-22 17:28:051540

SK海力士在CES 2024展示未來(lái)AI基礎(chǔ)設(shè)施關(guān)鍵技術(shù)

尤其值得關(guān)注的是,HBM3E系目前最具頂級(jí)性能的存儲(chǔ)器,由SK海力士于去年8月成功研發(fā)。公司預(yù)計(jì)自今明兩年起實(shí)現(xiàn)此類產(chǎn)品的大量生產(chǎn),并向廣泛的AI科技企業(yè)供應(yīng)。
2024-01-03 09:36:311126

SK海力士將在CES2024向全世界展示AI存儲(chǔ)器領(lǐng)導(dǎo)力

2024年1月3日,SK海力士宣布,公司將參加于1月9日至12日在美國(guó)拉斯維加斯舉行的世界最大規(guī)模電子、IT展會(huì)“國(guó)際消費(fèi)電子產(chǎn)品展覽會(huì)(CES 2024)”,屆時(shí)展示未來(lái)AI基礎(chǔ)設(shè)施中最為關(guān)鍵的超高性能存儲(chǔ)器技術(shù)實(shí)力。
2024-01-04 17:12:151445

傳英偉達(dá)與SK海力士協(xié)調(diào)2025年HBM供應(yīng)

據(jù)可靠消息來(lái)源透露,英偉達(dá)與SK海力士已開(kāi)始就2025年第一季度的高帶寬存儲(chǔ)器HBM)供應(yīng)量進(jìn)行協(xié)調(diào)。這一合作的背后,是雙方對(duì)未來(lái)技術(shù)趨勢(shì)的共同預(yù)見(jiàn)和市場(chǎng)需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:431497

SK海力士擬在美國(guó)建廠生產(chǎn)HBM芯片

韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士計(jì)劃在美國(guó)印第安納州投資興建一座先進(jìn)封裝工廠,專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片。這一舉措旨在與英偉達(dá)(NVIDIA)的AI GPU進(jìn)行深度整合,共同推動(dòng)美國(guó)本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946

鎧俠向SK海力士提議在日產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器,推動(dòng)合作達(dá)成

去年,鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置,其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過(guò)大。為打破僵局爭(zhēng)取 SK 海力士的支持,鎧俠提出借助其實(shí)施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠,提供額外產(chǎn)能供 SK 海力士擴(kuò)大 3D NAND 存儲(chǔ)器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59980

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲(chǔ)器,領(lǐng)先三星

在嚴(yán)格的9個(gè)開(kāi)發(fā)階段后,當(dāng)前流程全部完成,步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項(xiàng)目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志,這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計(jì)劃3月獲取英偉達(dá)對(duì)終品質(zhì)量的認(rèn)可,同步啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:051429

SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲(chǔ)器

在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E)的開(kāi)發(fā)工作,并成功通過(guò)了Nvidia長(zhǎng)達(dá)半年的性能評(píng)估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開(kāi)始量產(chǎn)這款革命性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,并計(jì)劃在下個(gè)月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739

SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對(duì)此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場(chǎng)對(duì) HBM 存儲(chǔ)的巨大需求,現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量,以期更好地滿足市場(chǎng)需求,保護(hù)其市場(chǎng)占有率。
2024-02-23 14:12:001306

SK海力士預(yù)計(jì)3月量產(chǎn)HBM3E,供貨英偉達(dá)

近日,全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的開(kāi)發(fā),并且已經(jīng)通過(guò)了英偉達(dá)
2024-02-25 11:22:211656

SK海力士擴(kuò)大對(duì)芯片投資

SK海力士正積極應(yīng)對(duì)AI開(kāi)發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)日益增長(zhǎng)的需求,為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開(kāi)發(fā)的李康旭副社長(zhǎng)明確指出,公司正在韓國(guó)投入超過(guò)10億美元,以擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441798

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

同日,SK海力士宣布啟動(dòng) HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開(kāi)始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過(guò)了七個(gè)月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項(xiàng)數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時(shí)內(nèi)處理多達(dá)約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn),將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲(chǔ)器HBM3E

HBM3E推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844

剛剛!SK海力士出局!

來(lái)源:集成電路前沿,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 3月25日消息,據(jù)報(bào)道,由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問(wèn)題,英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存,將由三星獨(dú)家供貨,SK海力士出局! 據(jù)了解,HBM需要
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士聯(lián)手臺(tái)積電推出HBM4,引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示,憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲(chǔ)器發(fā)展的領(lǐng)先地位,以及與臺(tái)積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ),該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過(guò)整合IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠及存儲(chǔ)器廠的技術(shù)資源,SK海力士將進(jìn)一步提升存儲(chǔ)器產(chǎn)品性能,實(shí)現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041153

SK海力士與臺(tái)積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)

HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開(kāi)始,該公司將轉(zhuǎn)用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071374

SK海力士將采用臺(tái)積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理通信的控制功能。SK海力士近期與臺(tái)積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年

SK海力士宣布,計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預(yù)計(jì)HBM4內(nèi)存要等到2026年才會(huì)問(wèn)世。
2024-05-06 15:10:211338

SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績(jī)主要?dú)w功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927

SK海力士推出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了一項(xiàng)革命性的技術(shù)突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動(dòng)端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計(jì)2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場(chǎng)需求,SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程,預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978

三星電子與SK海力士預(yù)測(cè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求強(qiáng)烈,HBM產(chǎn)能售罄

全球知名存儲(chǔ)芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判,今年DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器HBM)價(jià)格將持續(xù)攀升,受益于市場(chǎng)對(duì)于高端芯片,尤其是人工智能相關(guān)芯片的強(qiáng)大需求。
2024-05-15 09:23:52983

SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲(chǔ)器

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層,而SK海力士原本計(jì)劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開(kāi)始采用“混合鍵合”技術(shù)以實(shí)現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:351030

SK海力士HBM4E存儲(chǔ)器提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上,由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士計(jì)劃從2026年開(kāi)始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

SK海力士與臺(tái)積電攜手量產(chǎn)下一代HBM

近日,SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作,計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項(xiàng)合作中,臺(tái)積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確?;A(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負(fù)責(zé)晶圓測(cè)試和HBM的堆疊工作,確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055

SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達(dá)80%

早在今年3月份,韓國(guó)媒體DealSite報(bào)道中指出,全球HBM存儲(chǔ)器的平均良率約為65%。據(jù)此來(lái)看,SK海力士在近期對(duì)HBM3E存儲(chǔ)器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079

SK海力士HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%,達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率

據(jù)報(bào)道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888

SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開(kāi)發(fā)HBM4E存儲(chǔ)設(shè)備,意欲打造集計(jì)算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)于一身的新型HBM產(chǎn)品,進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出,SK海力士HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2宣布HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士調(diào)整HBM供應(yīng)計(jì)劃以響應(yīng)AI熱潮

韓國(guó)SK海力士公司周四透露,該公司正在重新調(diào)整明年的高容量存儲(chǔ)器HBM)芯片供應(yīng)計(jì)劃。這一調(diào)整源于客戶為抓住人工智能(AI)熱潮而提前發(fā)布產(chǎn)品計(jì)劃的趨勢(shì)。
2024-06-03 09:35:46944

美光HBM市場(chǎng)雄心勃勃,SK海力士加速應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)

雄心勃勃的宣言無(wú)疑給當(dāng)前HBM市場(chǎng)的兩大主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手——SK海力士和三星帶來(lái)了不小的競(jìng)爭(zhēng)壓力,尤其是SK海力士,作為韓國(guó)DRAM行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),正嚴(yán)陣以待,積極調(diào)整策略以應(yīng)對(duì)美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:591061

SK海力士豪擲748億美元加碼存儲(chǔ)器芯片投資,聚焦HBM技術(shù)引領(lǐng)AI未來(lái)

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與人工智能(AI)技術(shù)日新月異的今天,SK海力士以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和雄厚的資金實(shí)力,再次成為業(yè)界的焦點(diǎn)。據(jù)最新報(bào)道,SK海力士計(jì)劃在2028年前投資高達(dá)103兆韓元(約合748億美元),用于存儲(chǔ)器芯片的生產(chǎn)與研發(fā),這一舉措無(wú)疑是對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)前景的堅(jiān)定押注。
2024-07-04 10:00:511084

三星電子與SK海力士加大DRAM與HBM產(chǎn)能,應(yīng)對(duì)AI熱潮下的存儲(chǔ)需求

在全球人工智能(AI)技術(shù)持續(xù)升溫的背景下,韓國(guó)兩大存儲(chǔ)芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調(diào)整生產(chǎn)策略,以應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)且多樣化的存儲(chǔ)需求。據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道,這兩家公司正分別在其位于平澤和無(wú)錫
2024-07-08 12:54:091248

SK海力士探索無(wú)焊劑鍵合技術(shù),引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正積極探索前沿技術(shù),以推動(dòng)高帶寬內(nèi)存(HBM)的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息,SK海力士正著手評(píng)估將無(wú)助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產(chǎn)品的生產(chǎn)中,這一舉措標(biāo)志著公司在追求更高性能、更小尺寸內(nèi)存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889

SK海力士攜手臺(tái)積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺(tái)積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來(lái)構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的持續(xù)深耕,也預(yù)示著HBM內(nèi)存技術(shù)即將邁入一個(gè)全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:531328

SK海力士即將亮相FMS 2024,展示AI存儲(chǔ)器技術(shù)新突破

SK海力士即將在8月6日至8日于美國(guó)圣克拉拉舉辦的全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器峰會(huì)FMS 2024上大放異彩,向全球業(yè)界展示其在存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展與對(duì)人工智能(AI)未來(lái)的深邃洞察。此次參展,SK海力士不僅將全面呈現(xiàn)其存儲(chǔ)器產(chǎn)品的技術(shù)革新,更將焦點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)了下一代AI存儲(chǔ)器技術(shù)的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391110

SK海力士HBM營(yíng)收暴漲250%

韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士近日發(fā)布了其截至2024年6月30日的2024財(cái)年第二季度財(cái)務(wù)報(bào)告,這份報(bào)告展現(xiàn)出了公司在復(fù)雜市場(chǎng)環(huán)境下的強(qiáng)勁韌性與增長(zhǎng)潛力。盡管全球股市,尤其是美股科技板塊遭遇劇烈波動(dòng),導(dǎo)致SK海力士的股價(jià)應(yīng)聲下跌8.87%,但其財(cái)務(wù)表現(xiàn)卻創(chuàng)下了多項(xiàng)歷史新高,成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。
2024-08-05 11:25:151313

標(biāo)普上調(diào)SK海力士評(píng)級(jí)至BBB,看好其HBM領(lǐng)域主導(dǎo)地位

近日,國(guó)際知名評(píng)級(jí)機(jī)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)普爾全球評(píng)級(jí)(S&P Global Ratings)宣布了一項(xiàng)重要決策,將SK海力士的長(zhǎng)期發(fā)行人信用及發(fā)行評(píng)級(jí)從BBB-提升至BBB,并維持穩(wěn)定的評(píng)級(jí)展望。此次上調(diào)評(píng)級(jí),主要基于SK海力士在高性能內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的顯著“主導(dǎo)地位”以及全球內(nèi)存市場(chǎng)的積極復(fù)蘇趨勢(shì)。
2024-08-08 09:48:321042

SK海力士攜手Waymo提供第三代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM2E)技術(shù)

據(jù)最新消息,SK海力士正攜手Waymo,為其標(biāo)志性的自動(dòng)駕駛汽車項(xiàng)目“谷歌汽車”提供前沿的第三代高帶寬存儲(chǔ)器HBM2E)技術(shù)。這一合作預(yù)示著隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的日益普及,HBM不僅將在人工智能(AI)服務(wù)領(lǐng)域大放異彩,更將逐漸滲透至汽車芯片市場(chǎng),成為未來(lái)五年的熱門選擇。
2024-08-15 14:54:392040

SK海力士下半年擴(kuò)招加碼,鞏固AI半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍地位

全球半導(dǎo)體巨頭SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大人才招募計(jì)劃,旨在通過(guò)下半年的大規(guī)模新員工及資深行業(yè)人才招聘活動(dòng),進(jìn)一步強(qiáng)化其在高帶寬存儲(chǔ)器HBM)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,并積極擁抱人工智能(AI)半導(dǎo)體市場(chǎng)的迅猛增長(zhǎng)浪潮。
2024-09-03 16:08:091785

SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存

自豪地宣布,SK 海力士當(dāng)前市場(chǎng)上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E,已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位,而更進(jìn)一步的是,公司即將在本月底邁入一個(gè)新的里程碑,正式啟動(dòng)12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士
2024-09-05 16:31:361645

SK海力士CXL方案成功融入Linux系統(tǒng)

 韓國(guó)首爾,2024年9月23日訊 —— SK海力士今日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,其自主研發(fā)的異構(gòu)存儲(chǔ)器軟件開(kāi)發(fā)套件(Heterogeneous Memory S/W Development Kit
2024-09-23 14:23:441328

SK海力士開(kāi)始先進(jìn)人工智能芯片生產(chǎn)

SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄,為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。
2024-09-26 14:24:41878

SK海力士引領(lǐng)未來(lái):全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲(chǔ)技術(shù)格局

今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅將HBM存儲(chǔ)器的最大容量推升至史無(wú)前例的36GB新高度,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311987

SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產(chǎn)

SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破,公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn),這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB,更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達(dá)到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171176

SK海力士HBM生產(chǎn)效率驚人,或引領(lǐng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)格局轉(zhuǎn)變

在9月25日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉會(huì)議中心舉行的一場(chǎng)半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)上,SK海力士發(fā)布的一項(xiàng)關(guān)于其高帶寬內(nèi)存(HBM)的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關(guān)注。這一數(shù)據(jù)揭示了SK海力士HBM生產(chǎn)效率上的巨大優(yōu)勢(shì)。
2024-10-08 16:19:321679

韓華精密機(jī)械向SK海力士提供HBM設(shè)備

 韓華精密機(jī)械公司正式宣告,已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲(chǔ)器HBM)生產(chǎn)中的核心設(shè)備——TC鍵合測(cè)試設(shè)備。   針對(duì)10月16日部分媒體所報(bào)道的“韓華精密機(jī)械與SK海力士HBM TC鍵
2024-10-18 15:51:081445

英偉達(dá)加速推進(jìn)HBM4需求,SK海力士存儲(chǔ)巨頭競(jìng)爭(zhēng)加劇

韓國(guó)大型財(cái)團(tuán)SK集團(tuán)的董事長(zhǎng)崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲(chǔ)芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個(gè)月推出下一代高帶寬存儲(chǔ)產(chǎn)品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707

英偉達(dá)向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求

4。 HBM4作為高帶寬內(nèi)存的最新一代產(chǎn)品,具有出色的數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲(chǔ)能力,對(duì)于提升計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的整體性能具有重要意義。因此,英偉達(dá)作為全球領(lǐng)先的圖形處理(GPU)制造商,對(duì)于HBM4的需求自然不言而喻。 對(duì)于SK海力士而言,黃仁勛的這一要求無(wú)
2024-11-05 10:52:481202

英偉達(dá)加速Rubin平臺(tái)AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲(chǔ)器

日,英偉達(dá)(NVIDIA)的主要高帶寬存儲(chǔ)器HBM)供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源透露,英偉達(dá)執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛已要求SK海力士提前六個(gè)月交付用于英偉達(dá)下一代AI芯片平臺(tái)Rubin的HBM4存儲(chǔ)芯片。這一消息意味著英偉達(dá)下一代AI芯片平臺(tái)的問(wèn)世時(shí)間將提前半年。
2024-11-05 14:22:092108

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品

近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略,聚焦高端存儲(chǔ)技術(shù)

限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲(chǔ)器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點(diǎn)發(fā)展高端存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對(duì)外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達(dá)到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277

SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會(huì)上,韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189

SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品

在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動(dòng)中,SK hynix(SK海力士)透露了一項(xiàng)令人矚目的新產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)悉,該公司正在積極開(kāi)發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品,這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB,將為用戶帶來(lái)前所未有的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
2024-11-14 18:20:201364

SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備

堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 SK海力士的這一舉措,無(wú)疑將在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中掀起波瀾。16Hi HBM3E內(nèi)存作為業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)產(chǎn)品,其量產(chǎn)將有望推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。通過(guò)加速量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,SK海力士不僅展現(xiàn)了其在技術(shù)創(chuàng)新方面的實(shí)力,也彰顯了其對(duì)于市場(chǎng)需求變化
2024-12-26 14:46:241050

SK海力士計(jì)劃減產(chǎn)NAND Flash存儲(chǔ)器以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)下滑

產(chǎn)品價(jià)格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計(jì)劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計(jì)劃將上半年NAND Flash存儲(chǔ)器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無(wú)疑將對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報(bào)告,SK海力士在NAND Flash存儲(chǔ)器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551096

SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感部門 轉(zhuǎn)向AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域

3 月 6 日消息,綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報(bào)道,SK 海力士今日在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其 CIS(CMOS 圖像傳感)部門, 該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至 AI 存儲(chǔ)器領(lǐng)域 。SK
2025-03-06 18:26:161080

SK海力士強(qiáng)化HBM業(yè)務(wù)實(shí)力的戰(zhàn)略規(guī)劃

隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲(chǔ)器(以下簡(jiǎn)稱HBM)實(shí)現(xiàn)了顯著的增長(zhǎng),為SK海力士在去年實(shí)創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績(jī)做出了不可或缺的重要貢獻(xiàn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,SK海力士的成長(zhǎng)不僅體現(xiàn)在銷售額的大幅提升上,更彰顯了其在引領(lǐng)AI時(shí)代技術(shù)變革方面所發(fā)揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59993

SK海力士如何成為面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)領(lǐng)跑者

近年來(lái),SK海力士屢獲創(chuàng)新成果,這些成就皆得益于“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神(One Team Spirit)”。無(wú)論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績(jī)、開(kāi)發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品,還是躍升成為全球頂級(jí)面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商,這些
2025-05-23 13:54:361015

SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無(wú)疑發(fā)揮了決定性作用。無(wú)論是率先開(kāi)發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

SK海力士宣布量產(chǎn)HBM4芯片,引領(lǐng)AI存儲(chǔ)新變革

在人工智能(AI)技術(shù)迅猛發(fā)展的當(dāng)下,數(shù)據(jù)處理與存儲(chǔ)能力成為制約其進(jìn)一步飛躍的關(guān)鍵因素。2025 年 9 月 12 日,韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭 SK 海力士宣布,已成功完成面向 AI 的超高性能存儲(chǔ)器新產(chǎn)品
2025-09-16 17:31:141381

英偉達(dá)、微軟、亞馬遜等排隊(duì)求購(gòu)SK海力士HBM芯片,這些國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠迎機(jī)遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲(chǔ)器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2HBM2e以及HBM3。HBM3EHBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695

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