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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布開始量產(chǎn)三維閃存芯片

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布開始量產(chǎn)三維閃存芯片

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2017-05-09 15:10:042528

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2019-01-28 17:18:5517621

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2016-03-02 15:12:00

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labview三維曲面,三維成像的切片圖怎樣弄,效果效果如下。

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項(xiàng)目需要調(diào)研一下無(wú)人機(jī)三維建模的信息無(wú)人機(jī)三維建模核心技術(shù)是三維重建,或者說基于圖片的建模(Image-Based Modeling)。項(xiàng)目需要是建立園區(qū)的三維模型,其他應(yīng)用上可以用于古街道、文物
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智能芯片三維內(nèi)存解析

三維內(nèi)存對(duì)人們生產(chǎn)生活方面的貢獻(xiàn)智能芯片三維內(nèi)存
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電流互感器的三維模型需滿足哪些要求?電壓互感器的三維模型需滿足哪些要求?電容器的三維模型需滿足哪些要求?
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起點(diǎn),經(jīng)過點(diǎn),終點(diǎn),點(diǎn)xyz,畫三維圓弧。

大家好!已知,起點(diǎn),經(jīng)過點(diǎn),終點(diǎn),點(diǎn)xyz,畫三維圓弧。在三維圖片框里面畫。該如何實(shí)現(xiàn)?甚至三維點(diǎn),直線,圓弧,圓。都可以畫。
2024-07-17 21:33:42

宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片

宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片 星近日宣布開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)星公司
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三維芯片組件的定義及其應(yīng)用 一、前言 ---- 三維芯片組件(簡(jiǎn)稱3D-MCM)是在二芯片組件(即2D-MCM,通常指的MCM均系二)技術(shù)基礎(chǔ)上
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蘋果計(jì)劃從長(zhǎng)江存儲(chǔ)采購(gòu)其NAND芯片,長(zhǎng)江存儲(chǔ)迎來(lái)重大收獲

北京時(shí)間2月14日晚間消息,據(jù)報(bào)道,蘋果公司(以下簡(jiǎn)稱“蘋果”)正與中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司談判,希望采購(gòu)其NAND閃存芯片用于iPhone。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)

NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片,國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:004167

面向新型三維閃存的嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)優(yōu)化方法研究

三維閃存作為主流存儲(chǔ)介質(zhì),廣泛運(yùn)用于企業(yè)級(jí)高性能計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)。但是由于訪問輔助存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)原語(yǔ)沒有發(fā)生改變,存儲(chǔ)原語(yǔ)強(qiáng)迫三維閃存這類存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)方式必須和磁盤這一類的塊設(shè)備保持相同的存儲(chǔ)
2018-01-31 15:04:010

首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn),填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白

位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝,這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn),從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:002457

蘋果與長(zhǎng)江存儲(chǔ)談判閃存芯片的目的到底是什么

據(jù)媒體報(bào)道,蘋果公司已開始和中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司談判,計(jì)劃向?qū)Ψ讲少?gòu)NAND閃存芯片,用于iPhone。一旦雙方能夠就此達(dá)成協(xié)議,將意味著iPhone將首次采用來(lái)自中國(guó)廠商的閃存芯片。雖然
2018-02-24 16:58:577446

長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層三維NAND閃存芯片量產(chǎn)提上日程 光谷是希望之地

按照計(jì)劃,今年四季度,設(shè)備有望點(diǎn)亮投產(chǎn)。紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全透露,今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品,是去年成功研發(fā)的中國(guó)首顆32層三維NAND閃存芯片,就在4月9日,這顆耗資10億美元
2018-04-23 11:20:003770

長(zhǎng)江儲(chǔ)存量產(chǎn)NAND Flash芯片 打響中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的第一槍

日前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)以“芯存長(zhǎng)江,智儲(chǔ)未來(lái)”為主題,慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后,就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片,打響中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:008746

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將首次公布3D NAND閃存技術(shù),實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)宣布,將首次參加8月份在美舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)。
2018-07-30 17:57:274776

長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層三維NAND閃存芯片與今年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

在位于武漢東湖高新區(qū)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(國(guó)家存儲(chǔ)器基地),紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露,中國(guó)首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:146351

星首款搭載QLC閃存SSD宣布量產(chǎn),最高達(dá)到4TB的容量

很顯然從今年開始,廠商們都開始將目光轉(zhuǎn)向了QLC閃存,之前Intel就已經(jīng)推出了首款搭載QLC閃存的SSD,而現(xiàn)在星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC閃存的SSD,這些SSD從1TB起步,共有1TB、2TB和4TB種規(guī)格。
2018-08-07 17:00:031358

中國(guó)存儲(chǔ)發(fā)力 韓企受到威脅

在被視為半導(dǎo)體起源地的美國(guó)硅谷舉行的半導(dǎo)體大會(huì)上,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(YMTC)宣布,將從明年開始向市場(chǎng)供應(yīng)32層三維NAND閃存(以下簡(jiǎn)稱NAND),并公開了自主三維NAND量產(chǎn)技術(shù)。
2018-08-12 10:11:183584

長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在2019年全速量產(chǎn) 2020年會(huì)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司

NAND閃存芯片星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話語(yǔ)權(quán),甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒可能,想獲得突破還得靠國(guó)產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2018-11-23 08:45:2812700

宣布開始量產(chǎn)芯片1TB容量的UFS存儲(chǔ)產(chǎn)品 讀取速度最高1000MB/s

天字一號(hào)閃存企業(yè)星電子今天(1月30日)宣布開始量產(chǎn)芯片1TB容量的UFS存儲(chǔ)產(chǎn)品,主力用于智能手機(jī)。
2019-02-11 11:33:414435

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片 閃存市場(chǎng)將迎來(lái)一波沖擊

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在第三季度量產(chǎn)64層3D閃存

據(jù)Digitimes報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)將于年底前投入64層3D閃存量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)季度啟動(dòng),目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:443189

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將推出Xtacking2.0閃存技術(shù) 與DRAMDDR4的I/O速度相當(dāng)

目前NAND閃存主要掌握在星、東芝、美光、西數(shù)等公司中,國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專攻NAND閃存,小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存,但對(duì)市場(chǎng)影響有限,今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966

長(zhǎng)江存儲(chǔ)8月將推出Xtacking 2.0技術(shù)

在5月15日的GSA Memory+論壇的下半場(chǎng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官湯強(qiáng)做了題為《三維閃存技術(shù)發(fā)展的展望》的主題演講,并透露將在今年8月正式推出Xtacking 2.0技術(shù)。
2019-05-17 11:47:132081

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層堆棧3D閃存亮相,年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)官網(wǎng)資料,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)國(guó)產(chǎn)高性能第閃存

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:452263

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片首次公開亮相

據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147

我國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3DNAND閃存芯片量產(chǎn) 將大幅縮短與國(guó)際先進(jìn)水平的差距

近日,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片量產(chǎn),將大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:194095

中國(guó)首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場(chǎng)影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144

中國(guó)量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)帶來(lái)什么影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的新技術(shù)宣布著國(guó)產(chǎn)第閃存的到來(lái)

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001949

中國(guó)首款64層三維閃存芯片發(fā)布 中國(guó)邁出打破美日韓壟斷的關(guān)鍵一步

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日宣布,已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存(3DNAND),容量為256Gb,以滿足固態(tài)硬盤(SSD)嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用的需求,這也是中國(guó)首款64
2019-10-08 09:19:531383

中國(guó)首款64層的3DNAND閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的中國(guó)首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181727

明年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上,終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道,今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243767

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存量產(chǎn),核心任務(wù)是推動(dòng)產(chǎn)能提升

楊道虹表示,目前及今后的一段時(shí)間內(nèi),長(zhǎng)江存儲(chǔ)核心任務(wù)是推動(dòng)產(chǎn)能爬坡提升,將盡早達(dá)成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬(wàn)片并按期建成30萬(wàn)片/月產(chǎn)能,提升國(guó)家存儲(chǔ)器基地的規(guī)模效應(yīng),帶動(dòng)全省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2020-01-15 09:31:293090

長(zhǎng)江存儲(chǔ)月產(chǎn)能達(dá)成10萬(wàn)片,64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)消息報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效,自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-15 14:11:143818

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存量產(chǎn) 預(yù)計(jì)會(huì)有更多的儲(chǔ)存產(chǎn)品用上國(guó)產(chǎn)芯片

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效,自主開發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 10:27:211908

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 意圖打破全球壟斷局面

1 月 16 日訊,據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 副董事長(zhǎng)楊道虹表示,2019 年,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:021539

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過96層直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作

1月16日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開市場(chǎng)合作伙伴年會(huì),并在會(huì)前披露了閃存技術(shù)方面的一些新情報(bào)。
2020-01-17 08:48:222693

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存存儲(chǔ)密度全球第一

今天,長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì),紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái),其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品?,F(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存存儲(chǔ)密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 10:26:083652

長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存128層堆疊產(chǎn)品里先進(jìn)水平還差多遠(yuǎn)?

據(jù)介紹,長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構(gòu),已經(jīng)可以保證可靠性問題。就在日前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)采用Xtacking技術(shù)的64層3D閃存產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并正擴(kuò)充產(chǎn)能,將盡早達(dá)成10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模,并按期建成30萬(wàn)片月產(chǎn)能。
2020-01-17 11:29:175331

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品推出

1月16號(hào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì),紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái),其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品?,F(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存存儲(chǔ)密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 14:43:554287

星電子宣布開始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存 相較上一代寫速提升200%

今日,星電子宣布開始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存,可用于手機(jī)、平板等。
2020-03-17 11:45:262694

星啟動(dòng)中國(guó)西安新閃存工廠 并將開始量產(chǎn)閃存晶圓

盡管新冠疫情仍存在影響,星 (Samsung) 已按計(jì)劃啟動(dòng)了其位于中國(guó)西安的新閃存工廠,開始量產(chǎn)閃存晶圓。
2020-03-25 11:43:563552

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布將跳過96層堆疊閃存技術(shù)直接投入128層閃存研發(fā)和量產(chǎn)

今年初,長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過如今業(yè)界常見的96層堆疊閃存技術(shù),直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:211265

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層閃存今年投入技術(shù)研發(fā)和實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

在今年,全球閃存廠商都在集體奔向100+層,例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨,并計(jì)劃在年底推出196層內(nèi)存,星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破了百層。近期,國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔表示,將跳過96層,直接投入128層閃存的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)。
2020-04-11 16:47:514000

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出 128 層 QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

2020年4月13日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款
2020-04-13 09:29:416830

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求

4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格
2020-04-13 14:25:114118

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首推128層QLC閃存,單顆容量可達(dá)1.33Tb

4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491750

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612

群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過了96層

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:225527

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014518

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首發(fā)128層QLC閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421991

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:162690

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038

長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式推出國(guó)產(chǎn)首個(gè)129層 3D NAND閃存

在“2020北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨IC World學(xué)術(shù)會(huì)議”上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧發(fā)表了《新形勢(shì)下中國(guó)芯片制造突圍的新路徑》的主題演講,主要就在三維集成上如何找到突圍之路,他指出,集成電路由二三維發(fā)展是必行趨勢(shì)。這可能不是一條唯一的路徑,但確是一條需要強(qiáng)烈探索的路徑。
2020-11-20 10:20:012685

長(zhǎng)江存儲(chǔ)證實(shí)華為Mate40用上國(guó)產(chǎn)閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年9月份國(guó)內(nèi)第一個(gè)宣布量產(chǎn)64層堆棧3D閃存,一提到國(guó)產(chǎn)閃存,很多人都說沒看見,實(shí)際上已經(jīng)有多款產(chǎn)品用上了國(guó)產(chǎn)閃存,華為Mate40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存。 日前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-11-20 18:15:273578

長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快在2021年中旬試產(chǎn)首批192層閃存,國(guó)產(chǎn)閃存產(chǎn)能年底可占全球7%

2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開始量產(chǎn)之后,2020年他們又帶來(lái)了128層閃存,2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。 日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱,中國(guó)閃存廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速擴(kuò)張閃存產(chǎn)能,計(jì)劃在2021
2021-01-12 14:37:427344

長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存產(chǎn)能翻倍?謠言!

昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍,達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產(chǎn),不過長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 10:21:382726

DRAM面臨庫(kù)存積壓,長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布致態(tài)TiPlus5000 SSD

長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天推出了新款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000,該產(chǎn)品采用基于晶棧 2.0(Xtacking2.0)架構(gòu)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)三維閃存芯片。
2022-04-11 11:28:107789

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存芯片,加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

2022年4月19日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦
2022-04-19 11:08:462880

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UC023閃存芯片 專為5G時(shí)代打造

  昨日消息,國(guó)內(nèi)專注于3D NAND閃存存儲(chǔ)器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:522797

傳蘋果暫停長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存芯片計(jì)劃

即便長(zhǎng)江存儲(chǔ)的這些芯片產(chǎn)品已經(jīng)通過認(rèn)證,但在新 iPhone 開始量產(chǎn)時(shí),這些 NAND Flash 并沒有跟著進(jìn)入產(chǎn)線中。
2022-10-20 15:01:272046

詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)

在20nm 工藝節(jié)點(diǎn)之后,傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲(chǔ)器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)容量,NAND集成工藝開始三維堆疊方向發(fā)展。在三維NAND
2023-02-03 09:16:5717470

對(duì)比韓企存儲(chǔ)技術(shù),長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展如何

據(jù)外媒報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī),同年11月開始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:252395

泰來(lái)三維激光掃描服務(wù) 三維掃描古建筑案例分享

泰來(lái)三維掃描服務(wù)_大空間三維掃描服務(wù)_三維掃描寺廟_三維掃描古建筑解決方案,泰來(lái)三維應(yīng)邀對(duì)花盆村戲臺(tái)及關(guān)帝廟進(jìn)行三維數(shù)字化掃描并創(chuàng)建各建筑的正射影像。
2023-03-31 10:19:552949

智慧城市_實(shí)景三維|物業(yè)樓三維掃描案例分享_泰來(lái)三維

三維激光掃描技術(shù)是近年來(lái)發(fā)展的新型測(cè)量方法,通過三維掃描獲取大量全面點(diǎn)云數(shù)據(jù),形成三維立體模型,實(shí)現(xiàn)快速掌握被測(cè)目標(biāo)信息。
2023-05-16 13:56:571782

長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層閃存揭秘

長(zhǎng)江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米,在兩種閃存類型中都無(wú)出其右者。
2023-11-02 11:11:463853

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光!

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書中稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:041658

泰來(lái)三維|文物三維掃描,文物三維模型怎樣制作

文物三維掃描,文物三維模型怎樣制作:我們都知道文物是不可再生的,要繼續(xù)保存?zhèn)鞒?,需要文?b class="flag-6" style="color: red">三維數(shù)字化保護(hù),所以三維數(shù)字化文物保護(hù)是非常重要的一個(gè)技術(shù)手段。 那么文物三維掃描,文物三維模型是怎樣
2024-03-12 11:10:231442

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

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