比特位的技術），實現(xiàn)了具有極大存儲容量的硅芯片。 目前，最先進的3D NAND閃存可在單個硅片上容納高達1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術與64層堆棧和QLC（四層單元）技術相結合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:151919 SK海力士本周宣布，他們已經開始基于其128層3D NAND閃存采樣產品，該產品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:231561 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512858 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 集微網消息，9月19日，2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）在深圳舉行，長江存儲總經理楊士寧博士以“創(chuàng)新Xtacking?架構：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長江存儲Xtacking?架構的技術優(yōu)勢和長江存儲3D NAND新進展。
2018-09-20 10:22:075992 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:293528 2018年底長江存儲實現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產。它注定將開創(chuàng)中國存儲芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:5517621 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154889 作為業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551874 ，重量輕，強度高，定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質3D NAND閃存產品及解決方案，讓記憶承載夢想。 長江存儲宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據(jù)悉，長江存儲將在未來推出致鈦品牌的SSD產品。根據(jù)官方發(fā)布的海報來看，這款產品應該是一款采用M.2接口的SSD硬盤。它
2020-08-28 18:24:143933 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。各大廠商的3D閃存技術并不一樣，所以堆棧
2021-02-20 10:02:323312 電子發(fā)燒友網報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應用于消費電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術將外圍電路連接到存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。據(jù)悉，長江存儲的64層3D NAND閃存產品將在2020年進入
2020-03-19 14:04:57
，在本次峰會上介紹了其突破性的技術-Xtacking，長江存儲CEO楊士寧先生表示，長江存儲創(chuàng)新Xtacking在容量、性能、周期上具有突出的表現(xiàn)。長江存儲3D技術從9層開始，到32層，再到64層試片
2018-09-20 17:57:05
據(jù)報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 NAND閃存芯片是智能手機、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎，也是僅次于DRAM內存的第二大存儲芯片，國內的存儲芯片幾乎100%依賴進口。好在國產NAND閃存目前已經露出了曙光，紫光集團旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:004167 4月11日，長江存儲以芯存長江，智儲未來為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產設備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房實現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進行廠內潔凈室裝修和空調、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機臺設備而準備，預計很快就可以實現(xiàn) 3D NAND 量產。
2018-04-15 10:08:0010302 作為3D NAND閃存產業(yè)的新晉者，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077 長江存儲科技公司表示，盡管仍采用3D分層，但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:164029 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術——XtackingTM。據(jù)悉，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預計明年完成生產線建置、2020年量產，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發(fā)布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 日本PC Watch網站日前刊發(fā)了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講，我們之前也做過簡單的報道，這次他們的介紹更加詳細，我們可以一窺長江存儲的3D NAND閃存現(xiàn)在到底進行到那一步了。
2018-08-15 10:50:166345 32-48層，廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數(shù)的堆棧技術。四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色在主要的NAND廠商中，三星最早量產了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND閃存量產上要落后三星
2018-10-08 15:52:39780 11月15日， 國產知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411 國產存儲芯片再下一城，日前有產業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 紫光集團旗下的長江存儲YMTC是國內三大存儲芯片陣營中主修NAND閃存的公司，也是目前進度最好的，去年小規(guī)模生產了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會
2019-04-18 16:18:522545 據(jù)Digitimes報道，長江存儲（YMTC）將于年底前投入64層3D閃存的量產工作。其中風險試產預計三季度啟動，目前良率已經實現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:443189 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產64層堆棧的3D閃存，產能將會積極擴張。
2019-05-16 10:18:143966 長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進一步規(guī)劃在2019年8月開始生產新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281753 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術官、技術研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:003069 根據(jù)官網資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產品，廣泛應用于移動設備、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子產品等領域。
2019-08-29 14:28:002725 SK海力士宣布，該公司已經在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產。
2019-06-28 14:35:206119 長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現(xiàn)量產的閃存產品，擁有同代產品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲
2019-09-03 10:07:021788 紫光旗下的長江存儲邁出了國產閃存的重要一步，已經開始量產64層堆棧的3D閃存，基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術，核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:452263 Xtacking是長江存儲在去年FMS（閃存技術峰會）首次公開的3D NAND架構，榮獲當年“Best of Show”獎項。其獨特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經開始批量生產采用專有Xtacking架構的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 近日，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產品將應用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用。這是中國首次實現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產，將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術差距。
2019-09-17 11:45:194095 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 紫光旗下的長江存儲邁出了國產閃存的重要一步，已經開始量產64層堆棧的3D閃存，基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術，核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001949 今年一季度，紫光旗下的長江存儲（YMTC）開始投產 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140 國產存儲芯片終于“抬起了頭”。
在被美日韓掌控的存儲芯片市場上，終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。據(jù)報道，今年一季度，紫光旗下的長江存儲（YMTC）開始投產 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243767 有關國產閃存技術的發(fā)展與突破，相信很多人都在翹首期待，希望我們能夠擁有自己的先進閃存產品，而當長江存儲成功發(fā)展出來3D NAND存儲Xtacking架構技術的時候，我們知道，真正的國產存儲即將出現(xiàn)了！
2019-10-31 11:37:071248 長江存儲打破全球3D NAND技術壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經歷多年的研發(fā)，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808 據(jù)介紹，長江存儲研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構，已經可以保證可靠性問題。就在日前，長江存儲確認采用Xtacking技術的64層3D閃存產品已經實現(xiàn)量產，并正擴充產能，將盡早達成10萬片晶圓的月產能規(guī)模，并按期建成30萬片月產能。
2020-01-17 11:29:175331 根據(jù)國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495929 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 今年初，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示，長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層堆疊閃存技術，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產工作。
2020-04-08 16:38:211265 在今年，全球閃存廠商都在集體奔向100+層，例如SK海力士的128層已經穩(wěn)定出貨，并計劃在年底推出196層內存，三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經突破了百層。近期，國內長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，將跳過96層，直接投入128層閃存的技術研發(fā)和量產。
2020-04-11 16:47:514000 今日（4月13日），長江存儲重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場SSD等終端產品上通過驗證。
2020-04-13 09:23:091347 128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC
2020-04-13 09:29:416830 的3DNAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量①。此次同時發(fā)布的還有128層512GbTLC（3bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。
2020-04-13 14:25:114118 2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:523480 4月13日，紫光集團旗下的長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491750 據(jù)媒體報道指國產存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片，這是當前國際存儲芯片企業(yè)正在投產的NAND flash技術，意味著中國的存儲芯片技術已達到國際領先水平。
2020-04-14 08:55:4514823 長江儲存在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產品研發(fā)成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:063603 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個世界第一。國產閃存突飛猛進，三星等公司也沒閑著，三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:091627 長江存儲科技有限責任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標志著國產存儲廠商向世界最先進技術水準又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:225527 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-05-12 09:54:014518 長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功。同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），用以滿足不同應用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 最近關于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過于武漢長江存儲成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項技術世界領先，最快年底量產。
2020-07-30 11:40:1021165 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現(xiàn)閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 NAND 應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級技術研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關演講，詳細介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內的半導體產品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 大咖來答疑欄目給出了相關技術答復，讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。 背景介紹： 長江存儲于2014年，開始3D NAND flash的研發(fā)，技術團隊從最初開始研發(fā)相關技術到現(xiàn)在已經有六年的時間，并在，2016年注冊公司，短短的時間內就做到了從閃存顆粒，到X
2020-11-24 09:56:484526 作為國產存儲行業(yè)的佼佼者，長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領域的突飛猛進，引發(fā)普遍關注，尤其是獨創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構，最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270 NAND應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 層3D NAND；長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進入176層的存儲廠商。不得不說，存儲之戰(zhàn)沒有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 日前，有媒體報道稱，消息人士透露，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產量提高一倍至10萬片晶圓，并準備最早將于2021年年中試產第一批192層3D NAND閃存芯片，不過為確保量產芯片質量，該計劃有可能會被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875 此前4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。這標志著國內3D NAND領域正式進入國際先進水平。
2021-01-17 10:19:203430 2020年4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日，長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團展臺上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729 昨日消息，國內專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路企業(yè)長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:522797 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286 據(jù)外媒報道，長江存儲去年7月生產了232層3D NAND閃存樣機，同年11月開始投入量產。
2023-02-28 10:51:252395 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 長江存儲已經將3D NAND閃存做到了232層堆疊，存儲密度15.47Gb每平方毫米，而且傳輸速度高達2400MT/s，妥妥的世界第一，結果被美國一直禁令給攔住了，死死限制在128層，但我們肯定不會坐以待斃。
2023-07-20 09:44:313337 
訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:511090 在起訴書中，長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術的領導者，并得到了行業(yè)和第三方機構的廣泛認可。長江存儲的技術創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產量，推動了多種電子設備的創(chuàng)新。
2023-11-13 16:03:051470 長江存儲在以上起訴書中稱，長江存儲不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論：長江存儲是3D NAND閃存領域的領導者，超過了美光。
2023-11-13 16:53:041658 
長江存儲與美光芯片戰(zhàn)升級。3D NAND閃存制造商長江存儲，已于9日在美國加州北區(qū)地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告，指控美光侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利。
2023-11-13 17:24:511517 在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 2030年實現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經成為各大存儲企業(yè)競相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長，對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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