4月11日，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)記者了解到，設(shè)備搬入、調(diào)試將耗費(fèi)3個(gè)月左右的時(shí)間，然后開始小規(guī)模試產(chǎn)，如順利，今年四季度，中國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片有望在光谷實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

去年9月，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目（一期）一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房提前一個(gè)月實(shí)現(xiàn)封頂；如今，又提前20天實(shí)現(xiàn)了芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)搬入。紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)介紹，生產(chǎn)機(jī)臺(tái)搬入對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的要求很高，必須放在無(wú)塵室中并且提供相應(yīng)的保障支持。因此，機(jī)臺(tái)搬入說(shuō)明廠房?jī)?nèi)部的潔凈室、電氣設(shè)備等內(nèi)部裝修已經(jīng)陸續(xù)完成，這比廠房封頂?shù)募夹g(shù)含量更高，難度更大。

9個(gè)月建設(shè)工廠，7個(gè)月實(shí)現(xiàn)機(jī)臺(tái)搬入，建設(shè)節(jié)點(diǎn)不斷提前。國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目上，一度達(dá)到同時(shí)有6000人施工的規(guī)模，晝夜奮戰(zhàn)。生產(chǎn)機(jī)臺(tái)搬入是重要節(jié)點(diǎn)，據(jù)了解，當(dāng)天搬入的設(shè)備只是第一臺(tái)，隨后要陸續(xù)從世界各地搬入各類高精密的芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)進(jìn)行調(diào)試，數(shù)量達(dá)2000多臺(tái)。設(shè)備調(diào)試完成后，才可以規(guī)模量化生產(chǎn)芯片。

按照計(jì)劃，今年四季度，設(shè)備有望點(diǎn)亮投產(chǎn)。紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全透露，今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品，是去年成功研發(fā)的中國(guó)首顆32層三維NAND閃存芯片，就在4月9日，這顆耗資10億美元、由1000人團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年自主研發(fā)的芯片，獲得中國(guó)電子信息博覽會(huì)（CITE2018）金獎(jiǎng)。這是我國(guó)在制造工藝上最接近國(guó)際高端水平的主流芯片，將有望使中國(guó)進(jìn)入全球存儲(chǔ)芯片第一梯隊(duì)，有力提升“中國(guó)芯”在國(guó)際市場(chǎng)的地位。

“但這僅是剛剛開始?！备邌⑷邮茉L問(wèn)時(shí)措辭謹(jǐn)慎。他介紹，32層三維NAND閃存芯片量產(chǎn)后，不會(huì)上很高的產(chǎn)量，“更主要的是完成完全自主技術(shù)積累，若技術(shù)不夠好，不會(huì)硬沖產(chǎn)量”。

目前，全球存儲(chǔ)器芯片技術(shù)主要掌握在韓、日、美等國(guó)企業(yè)手中，屬于相對(duì)壟斷市場(chǎng)。去年6月，三星宣布64層NAND閃存開始大規(guī)模量產(chǎn)。這些技術(shù)和產(chǎn)品，將推動(dòng)以TB為單位的固態(tài)盤以及128GB以上的手機(jī)閃存迅速普及。

有數(shù)據(jù)顯示，2017年全球閃存芯片銷量超過(guò)500億美元，同比增加45%，預(yù)計(jì)2020年銷量超過(guò)1000億美元。中國(guó)市場(chǎng)進(jìn)口超過(guò)半數(shù)，中國(guó)企業(yè)自主生產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片基本上是空白。隨著需求量的激增，近3年來(lái)，全球存儲(chǔ)芯片的價(jià)格不斷上漲。

“板凳要坐十年冷。”趙偉國(guó)說(shuō)，未來(lái)的道路還很艱難漫長(zhǎng)，要堅(jiān)定信心、保持定力，“我們希望5年站穩(wěn)腳跟，別人沒(méi)法把我們打出去，但真正的成功需要10年時(shí)間”。

高啟全接受媒體采訪時(shí)也有類似表述，“前五年追趕技術(shù)，后五年增加產(chǎn)量”。他說(shuō)，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)完成了32層三維NAND閃存芯片的自主研發(fā)，也將投入量產(chǎn)，但產(chǎn)量和成本還不足以影響市場(chǎng)?！昂蟀l(fā)優(yōu)勢(shì)是不會(huì)走太多冤枉路，速度更快一點(diǎn)，但別人也在跑，追上去仍要花力氣、花時(shí)間”，高啟全說(shuō)，64層閃存產(chǎn)品研發(fā)也在迅速進(jìn)行，力爭(zhēng)2019年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能爬坡量產(chǎn)，這樣，就能把與全球領(lǐng)先大廠的差距縮短在2年以內(nèi)，“希望用5年左右接近世界先進(jìn)水平”。