存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
1、汽車SoC嵌入式存儲(chǔ)器的優(yōu)化診斷汽車片上系統(tǒng)(SoC)中的嵌入式存儲(chǔ)器通常占據(jù)了很大的芯片面積。因此，它們的缺陷會(huì)嚴(yán)重影響任何自動(dòng)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的生產(chǎn)產(chǎn)量。伴隨著技術(shù)提升階段和批量生產(chǎn)期間的統(tǒng)計(jì)過程
2022-09-07 15:08:41
早有計(jì)劃。 2017年，三星與NXP達(dá)成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計(jì)劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲(chǔ)器，而
2019-06-26 07:11:05
的載體。因此各種IC卡的應(yīng)用特 點(diǎn)主要體現(xiàn)在IC卡
存儲(chǔ)器的類型，
存儲(chǔ)器容量的大小和卡片電路的附加控制功能等幾個(gè)方面。 在IC卡中使用的
存儲(chǔ)器類型主要分為兩大類：易失性
存儲(chǔ)器和
非易失性存儲(chǔ)器?！ ∫资?/div>
2020-12-25 14:50:34
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展， 存儲(chǔ)器的種類日益繁多，每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序，為了提高存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試效率，一種多功能存儲(chǔ)器芯片
2019-07-26 06:53:39
我們?cè)赟TM32F401CBY6上使用osxAcousticEC庫(kù)。對(duì)于只有一個(gè)MCU，我們可以使用OSX LicenseWizard獲取許可證，此功能正常。但是我們要批量生產(chǎn)，你能告訴我如何批量
2019-07-29 12:29:40
u-boot 自動(dòng)啟動(dòng)延遲 = -2 OK（在 imx8mm_evk.k 中） 但我不想 u-boot 寫入串行，我怎樣才能用 yocto 永久實(shí)現(xiàn)這個(gè)？2 - 靜默內(nèi)核如何使用 quiet args（始終使用 Yocto）和永久（用于批量生產(chǎn)）設(shè)置 bootargs。
2023-04-20 06:31:26
存儲(chǔ)器的基本測(cè)試技術(shù)有哪些？數(shù)字芯片測(cè)試的基本測(cè)試技術(shù)有哪些？
2021-05-13 06:36:41
目錄前言一、例程參考及講解1.1 Loader_Src.c文件1.2 Dev_Inf.c文件二、程序修改三、實(shí)測(cè)參考前言在單片機(jī)的實(shí)際應(yīng)用中，通常會(huì)搭載一些片外FLASH芯片，用于存儲(chǔ)系統(tǒng)的一些
2021-08-18 06:39:39
，并且它還表示在BTXXTALYSTRAP0SP0和BTXXTALYSTRAPHL1上的1的值使得CYW20706／07能夠讀取來自非易失性存儲(chǔ)器。問題：你能幫助我理解如何將XTAL頻率信息存儲(chǔ)到
2018-11-15 15:55:17
我需要把一個(gè)數(shù)組保存到非易失性存儲(chǔ)器中，這樣我就可以通過電源周期來維護(hù)數(shù)據(jù)。我已經(jīng)看到EEPROM模塊，并考慮使用這一點(diǎn)，但我不確定這個(gè)模塊的操作。我試圖做到以下幾點(diǎn)：我想保存到非易失性存儲(chǔ)器陣列
2019-07-24 13:39:00
如題，市場(chǎng)上大批量生產(chǎn)遙控汽車用的是什么芯片？
2013-07-10 21:29:26
常用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類RAM存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類易失性存儲(chǔ)器： 掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲(chǔ)器：掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失讀寫速度較慢機(jī)械硬盤RAM存儲(chǔ)器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
您好，我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM（非易失性存儲(chǔ)器）。我已經(jīng)設(shè)法寫和讀，但是現(xiàn)在我面臨的問題是，我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲(chǔ)器的最后一頁(yè)是NVM的一頁(yè)。謝謝，問候，
2019-09-18 10:31:51
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
請(qǐng)問ADE7763，在批量生產(chǎn)的時(shí)候如何校準(zhǔn)？
2023-12-27 07:41:51
。RAM類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好，可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
。RAM類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好，可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
用于HDI批量生產(chǎn)的LDI技術(shù)
簡(jiǎn)介
毫無疑問，早期激光直接成像（LDI）技術(shù)的采用者通常是那些需要快速精確制樣的周期快、原型樣機(jī)（Prototype）或大容量生產(chǎn)商。
2009-04-08 18:05:38
4373 面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28636 三星稱將開始批量生產(chǎn)3D LED和LCD電視面板
據(jù)報(bào)道，韓國(guó)三星電子28日表示，將開始批量生產(chǎn)3DLED和LCD電視面板。三星電
2010-01-28 09:25:31486 非易失性存儲(chǔ)器的可配置性
隨著消費(fèi)者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對(duì)修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡(jiǎn)便性要求越來越高
2010-05-12 09:56:06843 
本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲(chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。
鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)
鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:591942 
3月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片。
2011-03-25 10:45:30870 Synopsys, Inc.宣布：即日起推出面向多種180納米工藝技術(shù)的DesignWare? AEON?非易失性存儲(chǔ)器(NVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。
2011-06-29 09:04:28983 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975 汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ?，如高?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確?？煽?、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。
2018-04-29 11:02:007701 
）平臺(tái)的嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。雙方合作所提供的技術(shù)解決方案將格芯22FDX eMRAM優(yōu)異的可靠性與多樣性與eVaderis的超低耗電IP結(jié)合，適合包括電池供電的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品、消費(fèi)及工業(yè)用微處理器、車用控制器等各種應(yīng)用。 eVaderis的 MCU 設(shè)計(jì)充分利用了 22FDX 平臺(tái)高效的
2018-03-02 15:29:01133 中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱中微)正式發(fā)布了第一代電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo nanova，用于大批量生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片和邏輯芯片的前道工序。該設(shè)備采用了中微具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的電感耦合
2018-04-18 05:49:002085 加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）在10日宣布，旗下的22FDX制程已經(jīng)進(jìn)行了50多個(gè)設(shè)計(jì)訂單，合約總金額突破了20億美元。以這樣的合約金額來計(jì)算，因?yàn)?017年格芯全年的總營(yíng)收落在61.76億美元。因此，這么一個(gè)成熟技術(shù)制程能有如此規(guī)模的營(yíng)收，算是發(fā)展相當(dāng)成功。
2018-07-11 16:51:001913 對(duì)于需要大幅降低功耗和芯片尺寸的客戶來說，相較于傳統(tǒng)的CMOS體硅工藝，22FDX可提供業(yè)界較低的運(yùn)行電壓，僅需0.4V即可實(shí)現(xiàn)高達(dá)500MHz的頻率。
2018-07-19 15:55:00857 關(guān)鍵詞：22FDX , AI芯片 , FD-SOI 近日，云天勵(lì)飛以及瑞芯微電子宣布，它們采用格芯22FDX技術(shù)自主研發(fā)設(shè)計(jì)的AI芯片成功流片。2018年7月，格芯宣布其22FDX技術(shù)憑借優(yōu)良性
2018-11-05 16:31:02250 非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0010224 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:4117003 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:008357 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:58964 格芯的戰(zhàn)略是為快速增長(zhǎng)市場(chǎng)中的客戶提供高度差異化、高附加值的解決方案，而踐行這一承諾的實(shí)際成果就是我們的22nmFD-SOI（22FDX）嵌入式MRAM非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)。多家物聯(lián)網(wǎng)大客戶已經(jīng)進(jìn)入這項(xiàng)技術(shù)的試驗(yàn)性生產(chǎn)階段。
2019-09-04 15:25:087635 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 為了使新型存儲(chǔ)器達(dá)到大批量生產(chǎn)，工業(yè)必須提供新的工藝控制解決方案。這些系統(tǒng)應(yīng)該測(cè)量原始沉積的薄膜，操作迅速，不會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器造成額外傷害。
2019-12-31 16:10:43740 
據(jù)外媒報(bào)道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282405 格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平臺(tái)上的嵌入式磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（eMRAM）已正式投入生產(chǎn)。同時(shí)格芯正與多家客戶共同合作，計(jì)劃于2020年實(shí)現(xiàn)多重下線生產(chǎn)
2020-03-04 17:27:352218 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺(tái)，新型存儲(chǔ)器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:37713 Silicon Labs（亦稱芯科科技）日前發(fā)布特別優(yōu)化的藍(lán)牙單芯片解決方案－EFR32BG22（BG22），支持藍(lán)牙5.2、Bluetooth? Low Energy、藍(lán)牙網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò)和1米以下測(cè)向精度，適用于物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)。
2020-03-25 17:07:184078 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:16847 
GlobalFoundries（格羅方德半導(dǎo)體有限公司）今年2月份宣布已在其22FDX平臺(tái)上為物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用交付了首個(gè)可投入生產(chǎn)的eMRAM。并表示其先進(jìn)的eMRAM為低功耗，非易失性代碼和數(shù)
2020-07-16 14:54:43499 ，應(yīng)用領(lǐng)域包括CPU、GPU、通信和AI等。更進(jìn)一步，臺(tái)積電的5納米也已經(jīng)批量生產(chǎn)，4納米也在推進(jìn)中?！芭_(tái)積電采取小步快走的研發(fā)模式，不斷降低芯片制程?！绷_鎮(zhèn)球表示。
2020-08-26 14:52:333549 經(jīng)常有人將MRAM稱作是非易失性存儲(chǔ)器（NVRAM）未來的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，MRAM存儲(chǔ)芯片是可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲(chǔ)芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:431266 SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲(chǔ)提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時(shí)，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。 表1非易失性存儲(chǔ)器比較
2020-10-23 14:36:121516 
非易失性存儲(chǔ)器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊(cè)分享。
2021-04-14 10:20:48
6 非易失性存儲(chǔ)器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊(cè)分享。
2021-04-14 10:30:0915 非易失性存儲(chǔ)器S25FL512S手冊(cè)免費(fèi)下載。
2021-06-10 09:46:242 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-22 10:00:540 DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器，也就是大家常說的內(nèi)存。今天，我們?cè)賮砜纯窗雽?dǎo)體存儲(chǔ)的另一個(gè)重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲(chǔ)器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等）。
2022-10-13 09:24:131348 GlobalFoundries 22FDX平臺(tái)是物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能移動(dòng)和汽車市場(chǎng)的熱門之選。GlobalFoundries的認(rèn)證可確保Ansys工具提供業(yè)界領(lǐng)先的預(yù)測(cè)準(zhǔn)確性，以幫助驗(yàn)證超低功耗、高速和射頻（RF）設(shè)計(jì)的功能正確。
2022-12-12 15:35:15340 MCU批量生產(chǎn)下載程序的幾種常見方法
2023-10-24 17:22:46834 
，作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司，發(fā)布了其最新的技術(shù)成果——22FDX?平臺(tái)。這個(gè)平臺(tái)以其卓越的性能和適應(yīng)性，正在成為人工智能（AI）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等新興技術(shù)的關(guān)鍵推動(dòng)力。 ? GlobalFoun
2023-11-15 14:53:38794 
從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，PCB小批量生產(chǎn)解密
2023-12-20 11:15:47349 KT6368A雙模藍(lán)牙芯片批量生產(chǎn)使用主機(jī)芯片測(cè)試很方便
KT6368A批量生產(chǎn)怎么辦？不可能用手機(jī)一個(gè)一個(gè)的去連吧，太慢了
別慌，這個(gè)問題，我們?cè)缇涂紤]清楚了，答案如下，分為兩個(gè)方法：
2024-01-11 12:01:00147 
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