解決方案，以及與潛在客戶的商議，將取消對(duì)成熟工藝技術(shù)（180nm/130nm）的原項(xiàng)目一期投資。同時(shí)，將修訂項(xiàng)目時(shí)間表，以更好地調(diào)整產(chǎn)能，滿足基于中國(guó)的對(duì)差異化產(chǎn)品的需求包括格芯業(yè)界領(lǐng)先的22FDX技術(shù)。 憑借逾20億美元的設(shè)計(jì)中標(biāo)收入以及50多
2018-10-26 10:27:22
1725 系列產(chǎn)品。該IP自推出以來(lái)，受到業(yè)內(nèi)客戶歡迎，目前在180nm?BCD和90nm?BCD工藝上，已被多家汽車芯片設(shè)計(jì)企業(yè)所采用。 ? 使用全新SuperMTP?商標(biāo)的IP產(chǎn)品，既保留了原本擦寫次數(shù)多，存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)、無(wú)需增加額外光罩成本并兼容傳統(tǒng)CMOS工藝或BCD、HV等特色工藝的優(yōu)勢(shì)，
2022-05-05 11:55:361950 
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:216033 
美商應(yīng)材公司（Applied Materials）因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和云端運(yùn)算所需的新存儲(chǔ)器技術(shù)，日前宣布推出創(chuàng)新、用于大量制造的解決方案，有利于加快產(chǎn)業(yè)采納新存儲(chǔ)器技術(shù)的速度。
2019-07-12 16:51:204830 X-FAB專有的XSTI嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（NVM）IP測(cè)試接口也已包括在內(nèi)，以達(dá)成對(duì)存儲(chǔ)器的完全串行接駁。
2021-04-15 10:58:563099 最新的HBM2E+存儲(chǔ)器功能的小芯片（chiplet）類型設(shè)計(jì)。隨著目前正在進(jìn)行的7nm和12nm的工藝制程驗(yàn)證，SiFive正在將高性能DRAM功能從現(xiàn)有的16nm工藝擴(kuò)展到前沿技術(shù)?？偨Y(jié)今天，對(duì)新型
2020-08-13 15:14:50
紫外線)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：電可擦除可編程ROM)。以上是大家在各種教材上看到的存儲(chǔ)器的分類。問(wèn)題是，ROM明明叫只讀存儲(chǔ)器
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
擦除，擦除后又可重新寫入新的程序?！ ?、可電改寫只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）： EEPROM可用電的方法寫入和清除其內(nèi)容，其編程電壓和清除電壓均與微機(jī)CPU的5V工作電壓相同，不需另加電壓。它既有
2017-12-21 17:10:53
，擦除后又可重新寫入新的程序?！ ?、可電改寫只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）： EEPROM可用電的方法寫入和清除其內(nèi)容，其編程電壓和清除電壓均與微機(jī)CPU的5V工作電壓相同，不需另加電壓。它既有
2017-10-24 14:31:49
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
本篇文章介紹的是非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算。
2020-12-31 06:11:04
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
和用于讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器是一種存儲(chǔ)器，可以在字節(jié)級(jí)別讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
非易失性存儲(chǔ)器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
2012-08-20 12:54:28
庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
電壓即可進(jìn)行電可擦除和重復(fù)編程,成本低及密度大,因而廣泛用于嵌入式系統(tǒng)中。與RAM 不同的是,Flash存儲(chǔ)器除了具有一些典型的存儲(chǔ)器故障類型外,還會(huì)出現(xiàn)一些其它的故障類型，例如 NOR類型的Flash
2020-11-16 14:33:15
我有一臺(tái) TC375，正在開發(fā)工作室進(jìn)行編程。 我的軟件有一個(gè)控制系統(tǒng)，它使用一組我可以調(diào)整的參數(shù)。 這些參數(shù)設(shè)置為全局變量。 一旦我對(duì)它們進(jìn)行了調(diào)整，控制器復(fù)位后就無(wú)法保持它們的值。 是否有辦法使用閃存編程示例，用新值更新 Pflash 或 Dflash 中的地址，使其存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中？
2024-05-31 06:40:33
閱讀哦。 一、存儲(chǔ)器卡 存儲(chǔ)器卡（Memory Card）是一種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒(méi)有任何的加密保護(hù)措施 ，對(duì)于卡片上的數(shù)據(jù)可以任意改寫
2020-12-25 14:50:34
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
如何在啟動(dòng)軟件時(shí)將信息存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中，以便在 COLD PORST 之后恢復(fù)？
2024-05-21 07:55:53
有一些不確定性，產(chǎn)生的尾位會(huì)對(duì)精確讀取造成影響。嵌入式閃存是可擴(kuò)展的，并且可用于眾代工廠的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)通常情況下，嵌入式閃存比領(lǐng)先技術(shù)節(jié)點(diǎn)晚兩代，因?yàn)槠渲饕?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲(chǔ)器解決方案需求推動(dòng)，而諸如
2020-08-14 09:31:37
的同等閃存存儲(chǔ)器更小（具體取決于設(shè)計(jì)要求）。 同時(shí)，我們期待這一交叉點(diǎn)能在 1T-1C 操作和未來(lái)工藝技術(shù)的簡(jiǎn)化過(guò)程中得到改進(jìn)。 3.此外，TI 目前尚未將汽車應(yīng)用作為其嵌入式 FRAM 產(chǎn)品的目標(biāo)
2018-08-20 09:11:18
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來(lái)檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
，中心原子保持不動(dòng)，存儲(chǔ)器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫壞。鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上，并置
2011-11-19 11:53:09
，中心原子保持不動(dòng)，存儲(chǔ)器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫壞。鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上，并置
2011-11-21 10:49:57
已被知名汽車芯片廠商采用。銳成芯微的嵌入式存儲(chǔ)IP，經(jīng)過(guò)十多年的技術(shù)積累和迭代，已發(fā)展了包括MTP，OTP，eFlash等眾多產(chǎn)品線，不僅在BCD工藝平臺(tái)，也適用于更多邏輯工藝平臺(tái)。銳成芯微持續(xù)通過(guò)
2023-03-03 16:42:42
40nm等工藝節(jié)點(diǎn)推出藍(lán)牙IP解決方案，并已進(jìn)入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍(lán)牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺(tái)更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲(chǔ)IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專業(yè)及時(shí)的技術(shù)支持，銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
瑞薩推出三重內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器TCAM
瑞薩科技公司宣布推出能夠?yàn)槁酚?b class="flag-6" style="color: red">器和開關(guān)等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備實(shí)現(xiàn)高速包處理的高性能TCAM（三重CAM）*1 系列產(chǎn)品，及TCA
2009-12-24 16:59:17658 面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28840 新思科技與中芯國(guó)際合作推出用于中芯65納米低漏電工藝技術(shù)的、獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY
通過(guò)芯片驗(yàn)證的DesignWare PHY IP
2010-05-20 17:39:09898 德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130
2010-07-13 10:03:26825 
本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲(chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。
鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)
鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:592835 
Synopsys, Inc.宣布：即日起推出面向多種180納米工藝技術(shù)的DesignWare? AEON?非易失性存儲(chǔ)器(NVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。
2011-06-29 09:04:281352 “非易失性存儲(chǔ)器”作為新一代國(guó)際公認(rèn)存儲(chǔ)技術(shù)，越來(lái)越受到世界各國(guó)高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲(chǔ)器國(guó)際研討會(huì)上獲悉，上海在這一領(lǐng)域的研究已躋身國(guó)際先進(jìn)
2011-11-08 09:16:591093 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器，為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開創(chuàng)了全新的機(jī)遇.
2012-02-07 09:00:551596 新思科技有限公司（Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS）日前宣布：即日起推出其用于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）28納米高性能（HP）和移動(dòng)高性能（HPM）工藝技術(shù)的
2012-02-22 14:04:271187 FinFET制程的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)（DRM）第0.5版的認(rèn)證，同時(shí)從即刻起可以提供一套TSMC 16-nm可互通制程設(shè)計(jì)套件（iPDK）。憑借其對(duì)iPDK標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)大的支持，Synopsys的Laker定制解決方案為用戶提供了從180-nm到16-nm的多種TSMC工藝技術(shù)的全面對(duì)接。
2013-09-23 14:45:301376 艾邁斯半導(dǎo)體晶圓代工事業(yè)部總經(jīng)理Markus Wuchse表示：“在我們的奧地利工廠中啟用aC18技術(shù)對(duì)我們來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)里程碑?；谖覀?cè)?50nm制程中的成功實(shí)踐，新款hitkit設(shè)計(jì)套件使艾邁斯半導(dǎo)體可以為晶圓代工客戶快速提供基于180nm制程的復(fù)雜的模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品原型以及高質(zhì)量的量產(chǎn)產(chǎn)品。”
2016-07-21 08:51:552707 艾邁斯半導(dǎo)體世界領(lǐng)先的MPW服務(wù)提供180nm和0.35μm兩個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的制程，包括最近推出的180nm的CMOS （“aC18”）工藝MPW服務(wù)。
2016-10-24 15:56:241317 汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來(lái)越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ埽绺呒?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂(lè)系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。
2018-04-29 11:02:009047 
閃存程序存儲(chǔ)器是可存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼的非易失性存儲(chǔ)器。除指令外，它還可用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-03-21 14:35:09
0 Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn)： Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)，已成功用于客戶的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對(duì)
2018-05-17 06:59:005638 閃存程序存儲(chǔ)器（Program Flash Memory，PFM）是可存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼的非易失性存儲(chǔ)器。除指令外，它還可用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。8位PIC?單片機(jī)的PFM大小最高可擴(kuò)展至128 K字，具體取決于所選器件。
2018-06-14 10:27:0011 Synopsys Synopsys近日宣布， Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝技術(shù)認(rèn)證，可用于客戶先期設(shè)計(jì)。通過(guò)與TSMC的早期密切協(xié)作，IC CompilerII
2018-06-01 09:35:004915 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全IP。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計(jì)規(guī)則，滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:217323 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:232041 ”）共同合作，集成USB3.0物理層設(shè)計(jì)（PHY）與控制器 （Controller）并應(yīng)用于中芯國(guó)際40nm和55nm的工藝技術(shù)，推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:567748 非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0012754 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說(shuō)明。主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0077 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:4118301 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:009495 Kilopass Technology，Inc。宣布其XPM技術(shù)現(xiàn)在可用于ASIC和SoC，使用標(biāo)準(zhǔn)邏輯CMOS 90納米硅工藝，以及目前使用0.18，0.15和0.13微米工藝的產(chǎn)品。
2019-10-06 14:38:003466 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591577 X-FAB針對(duì)可攜式模擬應(yīng)用提供180nm優(yōu)化的工藝。XP018工藝的多樣選擇以降低芯片的成本。這些選項(xiàng)是成本敏感的消費(fèi)性應(yīng)用與需要180nm技術(shù)、模擬集成的理想選擇。
2019-12-26 15:29:451309 據(jù)外媒報(bào)道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282970 據(jù)外媒報(bào)道稱，美國(guó)半導(dǎo)體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27725 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺(tái)，新型存儲(chǔ)器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:371159 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:161487 
MB85R2001是一種富士通FRAM芯片，由262，144字8位非易失性存儲(chǔ)單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù)，而無(wú)需使用SRAM所需的備用
2020-06-28 16:04:161246 工藝，用于取代部分傳統(tǒng)的嵌入式快閃存儲(chǔ)器eFlash技術(shù)，而在嵌入式技術(shù)上，趨勢(shì)已快速成熟中。但用于獨(dú)立型存儲(chǔ)器上，目前還有性能、成本的問(wèn)題待克服。 MRAM為磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，架構(gòu)是在晶體管中的存儲(chǔ)單元就在后端互聯(lián)，甚至不占用硅的面積
2020-06-30 16:21:581550 經(jīng)常有人將MRAM稱作是非易失性存儲(chǔ)器（NVRAM）未來(lái)的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，MRAM存儲(chǔ)芯片是可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲(chǔ)芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:431948 SRAM為數(shù)據(jù)訪問(wèn)和存儲(chǔ)提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時(shí)，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。 表1非易失性存儲(chǔ)器比較
2020-10-23 14:36:122146 
MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下來(lái)的十年中，兩種新興的非易失性存儲(chǔ)器類型（相變存儲(chǔ)器和磁RAM）將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位。
2020-11-24 15:29:163440 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2020-12-09 08:00:000 Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器，其快速是相對(duì)于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:014410 領(lǐng)先的移動(dòng)和汽車SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺(tái)積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社
2021-01-21 10:18:233344 AN-579：使用帶非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器
2021-04-25 20:34:3712 AD5232非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位器評(píng)估板用戶手冊(cè)
2021-05-17 13:58:377 FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:531358 
AD5231：非易失性存儲(chǔ)器，1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-05-18 17:02:055 FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521561 FM25V02A是使用高級(jí)鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲(chǔ)器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時(shí)間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器造成的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性的問(wèn)題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術(shù)相關(guān)支持。
2021-07-27 15:23:083324 所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指RAM，而RAM分為動(dòng)態(tài)RAM（
2021-11-26 19:36:0437 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它使用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的特性，具有寫入速度更快、讀/寫
2022-03-02 17:18:361778 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-22 10:00:540 DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器，也就是大家常說(shuō)的內(nèi)存。今天，我們?cè)賮?lái)看看半導(dǎo)體存儲(chǔ)的另一個(gè)重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲(chǔ)器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等）。
2022-10-13 09:24:132886 首個(gè)非易失性存儲(chǔ)器是PROM（可編程只讀存儲(chǔ)器），以及與之密切相關(guān)的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出，并于1971年由英特爾進(jìn)一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:571645 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 16:04:350 需要在設(shè)計(jì)和開發(fā)過(guò)程中遵循一些最佳實(shí)踐。本文將詳細(xì)介紹如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器類型： MCU的NVM通常有多種類型可供選擇，例如閃存（Flash）、EEPROM（電
可擦除可
編程只讀存儲(chǔ)器）和FRAM（非易失性RAM）。根據(jù)需要，選擇適當(dāng)?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:492624 。它廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。 EEPROM的基本概念 1.1 EEPROM的定義 EEPROM是一種非易失性存儲(chǔ)器，它具有電可擦寫、可編程和只讀的特性。與傳統(tǒng)的PROM
2024-08-05 16:53:596375 EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，可以在不移除芯片的情況下進(jìn)行
2024-08-05 16:59:071444 EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它在斷電后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于其可
2024-08-05 18:05:362709 非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)固件、操作系統(tǒng)和其他重要數(shù)據(jù)。 存儲(chǔ)方式： RAM存儲(chǔ)器使用動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）或靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 ROM存儲(chǔ)器使用各種類型的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，如PROM
2024-08-06 09:17:482545 不可更改。這與可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器（Erasable Programmable Read-Only Memory，簡(jiǎn)稱EPROM）和閃存（Flash Memory）等其他類型的非易失性存儲(chǔ)器不同，后者可以
2024-08-06 09:25:281724 非易失性存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory, NVM）是指即使在電源關(guān)閉或失去外部電源的情況下，仍能保持存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器。這類存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)保存方面具有重要的應(yīng)用價(jià)值，特別是在需要長(zhǎng)時(shí)間保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的場(chǎng)合。
2024-09-10 14:44:453518 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用SD Flash為TMS320C28x器件編程外部非易失性存儲(chǔ)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-10-15 11:48:560 近日，安森美（onsemi，納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON）宣布推出Treo平臺(tái)，這是一個(gè)采用先進(jìn)的65nm節(jié)點(diǎn)的BCD（Bipolar–CMOS-DMOS）工藝技術(shù)構(gòu)建的模擬和混合信號(hào)平臺(tái)。該平臺(tái)為安森美
2024-11-12 11:03:211375 ? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），其特點(diǎn)是在沒(méi)有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲(chǔ)器的類型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲(chǔ)器
2025-02-13 12:42:142471 
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