SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:55
6386 4D NAND，基于先進(jìn)的制程工藝，將無(wú)形的給其他SSD品牌廠競(jìng)爭(zhēng)壓力。 SK海力士發(fā)言人表示：SK海力士的新SSD是為尋求運(yùn)行多媒體和要求苛刻的PC游戲等終端應(yīng)用客戶提供高性能首選解決方案。在CES
2019-12-30 15:57:394178 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前，我們還無(wú)法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢(shì)，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問(wèn)題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手能否也拿出同樣具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品？
2016-09-12 13:40:252173 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 SK 海力士最先進(jìn) 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn)，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 09:06:351594 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 根據(jù)南韓媒體 《Business Korea》 報(bào)道，南韓存儲(chǔ)器大廠 SK 海力士旗下為積極爭(zhēng)取未來(lái)中國(guó)境內(nèi)的晶圓代工需求，在近期 SK 海力士收購(gòu)英特爾的 NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)之后
2020-11-11 10:12:403651 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng)，推出了162層3D閃存。各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣，所以堆棧
2021-02-20 10:02:323312 極紫外（EUV）光刻技術(shù)將DRAM技術(shù)擴(kuò)展到10nm以下，以及將內(nèi)存和邏輯芯片整合到同一個(gè)設(shè)備中，以應(yīng)對(duì)不斷增加的工作負(fù)載。 SK海力士首席執(zhí)行官李錫熙說(shuō)：“我們正在改進(jìn)DRAM和NAND各個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展所需的材料和設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，并逐步解決可靠性問(wèn)題。如果以此為基礎(chǔ)
2021-03-29 14:38:437477 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來(lái)到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008534 DRAM產(chǎn)能再大，也難以滿足全球龐大的市場(chǎng)需求。因此，應(yīng)該是技術(shù)層面的原因。技術(shù)才是高科技產(chǎn)業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。3D Flash目前技術(shù)在96層，但是技術(shù)路標(biāo)的能見度已至512層－3D Flash做為
2018-10-12 14:46:09
SK海力士雖然并未有擴(kuò)產(chǎn)消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術(shù)取得顯著進(jìn)展。其中，美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn)，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，SK
2022-01-26 08:35:58
。關(guān)鍵在于DRAM的需求比NAND緊俏。但因NAND并非寡占狀態(tài)，三星必須積極投資，而SK海力士也必須力爭(zhēng)上游。所以各廠的投資都很積極，并往3D多層化的方向進(jìn)展。NAND同樣必須以良率在市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng)，加以十分
2018-12-24 14:28:00
循環(huán)設(shè)計(jì)的電荷陷阱單元相比，鎧俠首創(chuàng)的這種半圓形 3D 浮柵單元結(jié)構(gòu)，具有更大的編程 / 擦除窗口和斜率，且單元尺寸做到了更小。而SK海力士方面，則在去年6月宣布了其關(guān)于4D NAND的進(jìn)展。據(jù)相關(guān)
2020-03-19 14:04:57
2012年4月5日，中國(guó)上海 –Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）與SK海力士公司近日宣布結(jié)成戰(zhàn)略同盟，并針對(duì)嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)布4x、3x、2x節(jié)點(diǎn)Spansion SLC NAND產(chǎn)品?；陔p方合作開發(fā)
2012-04-06 09:05:391094 SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111317 
2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 ，同時(shí)恐激化各家原廠展開96
層3D NAND技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，然而
市場(chǎng)更多的是關(guān)心
NAND Flash價(jià)格走向?qū)⑷绾巍?/div>
2018-08-22 16:25:462599 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過(guò)從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來(lái)鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:043820 市場(chǎng)。SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數(shù)從36層起步，不過(guò)真正量產(chǎn)的是48層堆棧的3D NAND閃存，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。?Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39780 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲(chǔ)器因?yàn)楣I(yè)4.0應(yīng)用而快速成長(zhǎng)，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士能否憑借新產(chǎn)品在競(jìng)爭(zhēng)力相對(duì)弱勢(shì)的NAND閃存市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟并爭(zhēng)取NAND閃存市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)，倍加受人關(guān)注。SK海力士在全球D-RAM市場(chǎng)僅次于三星電子排名第二，但在NAND閃存市場(chǎng)卻以大約10
2018-11-09 15:49:515400 SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠，滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開始設(shè)計(jì)外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元（18.4億美金）。
2018-12-03 08:52:561817 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 繼2015年Samsung推出32層堆層的3D V-NAND之后，2016年市場(chǎng)便很熱鬧，除了SK Hynix推出了36層的3D NAND V2、Micron/Intel也推出了32層的3D NAND，而Toshiba/ SanDisk甚至進(jìn)一步推出了48層的產(chǎn)品。
2019-01-28 11:21:2712546 SK海力士今年第一季財(cái)報(bào)和當(dāng)初預(yù)期相同，受存儲(chǔ)器行情影響，營(yíng)收和營(yíng)益驟減，對(duì)此SK海力士準(zhǔn)備以強(qiáng)化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線應(yīng)對(duì)市場(chǎng)，預(yù)計(jì)今年NAND晶圓投入量將比去年減少10％以上。
2019-04-26 17:40:414060 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對(duì)比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281753 SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過(guò)去了八個(gè)月。
2019-06-27 15:23:283820 SK海力士宣布，該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個(gè)月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 SK海力士宣布已向主要SSD（固態(tài)硬盤）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品，并開發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器，計(jì)劃擴(kuò)大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產(chǎn)品。
2019-07-25 15:08:544098 .據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，韓國(guó)內(nèi)存大廠SK海力士今日表明，為了應(yīng)對(duì)日本對(duì)韓國(guó)部分關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的出口管制，該公司在2019年NAND型閃存產(chǎn)量將比2018年時(shí)減產(chǎn)15％。
2019-07-26 15:39:413080 由于 3D NAND 存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)了供過(guò)于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價(jià)格。
2019-07-30 14:29:393096 7月11日，業(yè)內(nèi)傳出消息稱，SK海力士計(jì)劃收購(gòu)Intel位于中國(guó)大連的Fab 68存儲(chǔ)工廠及3D NAND業(yè)務(wù)。對(duì)此傳聞，英特爾向芯智訊進(jìn)行了回應(yīng)。
2019-08-06 15:16:014741 海力士則是宣布成功開發(fā)出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。不過(guò)，雖然兩家廠商競(jìng)相推出NAND Flash 的新產(chǎn)品，但是堆疊技術(shù)的發(fā)展至今仍未到達(dá)極限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤，不過(guò)并沒(méi)有公布新品SSD的名稱，有限的信息為支持NVMe協(xié)議，采用72層堆棧的3D TLC閃存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可達(dá)8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 根據(jù)消息報(bào)道，韓國(guó)全球半導(dǎo)體制造商SK海力士將在2020年國(guó)際消費(fèi)電子展（CES）上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe NVMe固態(tài)硬盤，采用SK海力士的128層4D NAND閃存。
2019-12-30 15:27:124487 在最近舉辦的CES 2020展會(huì)上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點(diǎn)采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:553583 2 月 13 日訊，SK 海力士宣布，已經(jīng)與 Xperi Corp 旗下子公司 Invensas 簽訂新的專利與技術(shù)授權(quán)協(xié)議，獲得了后者 DBI Ultra2.5D/3D 互連技術(shù)的授權(quán)。
2020-02-15 16:39:071283 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111，是針對(duì)讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士是一家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:194475 存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達(dá)512Gb（64GB）。 ? 據(jù)，SK海力士透露，該閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)
2020-12-14 15:55:321786 據(jù)路透社當(dāng)?shù)貢r(shí)間19日?qǐng)?bào)道援引知情人士稱，英特爾正準(zhǔn)備將NAND芯片業(yè)務(wù)，以近100億美元的價(jià)格，出售給SK海力士。若交易達(dá)成，將使得SK海力士超越日本Kioxia，成為NAND內(nèi)存市場(chǎng)的全球第二大廠商，并進(jìn)一步縮小與行業(yè)領(lǐng)頭羊三星之間的差距。
2020-10-20 14:10:142309 SK海力士于今(20)日宣布將以90億美元收購(gòu)Intel的NAND內(nèi)存與儲(chǔ)存事業(yè)，以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓國(guó)公司有史以來(lái)最大規(guī)模的海外收購(gòu)交易，超過(guò)三星
2020-10-21 17:26:322248 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，SK海力士宣布出資600億收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)！ SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的消息，SK海力士在官網(wǎng)上表示，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:152718 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震，英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價(jià)格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:321877 據(jù)報(bào)道，第三季度財(cái)報(bào)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期的SK海力士計(jì)劃在五年內(nèi)將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強(qiáng)調(diào)，決心通過(guò)從英特爾手中收購(gòu)NAND業(yè)務(wù)，在NAND市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位。
2020-11-05 12:17:422079 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 據(jù)了解，SK海力士半導(dǎo)體有限公司是全球第二大內(nèi)存制造商，公司主要生產(chǎn)以D-RAM和NAND為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品，自1983年建立以來(lái)，公司不斷發(fā)展創(chuàng)新，在2015年全球500強(qiáng)排名中,SK集團(tuán)排名第57位，同時(shí)在2015世界半導(dǎo)體行業(yè)中排名第3位
2020-12-07 09:16:163194 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:272200 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:233708 據(jù)報(bào)道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后，SK hynix是第二家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 層3D NAND；長(zhǎng)江存儲(chǔ)于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來(lái)到2020年末，美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲(chǔ)廠商。不得不說(shuō)，存儲(chǔ)之戰(zhàn)沒(méi)有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 去年底Intel宣布將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)以600億元的價(jià)格賣給了SK海力士公司，但是傲騰硬盤業(yè)務(wù)沒(méi)賣，基于3D Xpoint技術(shù)的傲騰是Intel的王牌。
2021-02-04 10:27:272085 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng)，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582714 新一代3D NAND技術(shù)已迎來(lái)新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 近日，SK海力士宣布將在中國(guó)大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲(chǔ)器制造項(xiàng)目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購(gòu)Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:534080 SK海力士在美國(guó)圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:4915867 美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND?；蛟S更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業(yè)學(xué)習(xí)為目前正在開發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國(guó)品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)者。__
2022-12-05 17:07:381876 4月26日新聞，DigiTimes援引韓國(guó)媒體報(bào)道稱，SK海力士正在推遲其位于中國(guó)大連的第二個(gè)3D NAND工廠的完工。據(jù)悉，這一決議是為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求萎縮以及美國(guó)限制向中國(guó)出口先進(jìn)晶圓廠工具。 但
2023-05-05 15:22:002870 
sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎(chǔ)，開發(fā)了智能手機(jī)和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產(chǎn)品，并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過(guò)176層、238層的產(chǎn)品，在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競(jìng)爭(zhēng)力。
2023-06-08 10:31:532449 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:471993 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 去年，鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置，其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過(guò)大。為打破僵局爭(zhēng)取 SK 海力士的支持，鎧俠提出借助其實(shí)施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠，提供額外產(chǎn)能供 SK 海力士擴(kuò)大 3D NAND 存儲(chǔ)器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59980 來(lái)源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據(jù)報(bào)道，由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問(wèn)題，英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存，將由三星獨(dú)家供貨，SK海力士出局！ 據(jù)了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 SK 海力士正在與東京電子（TEL）展開緊密合作，通過(guò)發(fā)送測(cè)試晶圓來(lái)評(píng)估后者的低溫蝕刻設(shè)備。這一舉措旨在為未來(lái)的NAND閃存生產(chǎn)導(dǎo)入新技術(shù)。在當(dāng)前，增加堆疊層數(shù)已經(jīng)成為提高3D NAND閃存顆粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:241034 今日，SK海力士公司宣布了一項(xiàng)革命性的技術(shù)突破，他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)（On-Device）AI應(yīng)用的全新移動(dòng)端NAND閃存解決方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175 ）提交了一份關(guān)于3D DRAM（三維動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的詳細(xì)研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領(lǐng)域取得的顯著進(jìn)展，更向世界展示了其在這一未來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)上的堅(jiān)定決心與卓越實(shí)力。
2024-06-24 15:35:291746 在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實(shí)力與創(chuàng)新能力。近日，在美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一突破性的進(jìn)展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:221473 在半導(dǎo)體行業(yè)日益激烈的競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士再次展現(xiàn)其前瞻布局與技術(shù)創(chuàng)新的決心。近日，有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測(cè)試外包服務(wù)（OSAT）大廠Amkor就硅中介層（Si Interposer
2024-07-18 09:42:511223 韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報(bào)道，該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并預(yù)計(jì)于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅(jiān)實(shí)步伐，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:111743 自豪地宣布，SK 海力士當(dāng)前市場(chǎng)上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進(jìn)一步的是，公司即將在本月底邁入一個(gè)新的里程碑，正式啟動(dòng)12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段，批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄，為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?；a(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲(chǔ)器的最大容量推升至史無(wú)前例的36GB新高度，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311987 SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達(dá)到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171176 和卓越的研發(fā)能力，已經(jīng)提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一舉措不僅展現(xiàn)了SK海力士的技術(shù)實(shí)力，更凸顯了其對(duì)市場(chǎng)趨
2024-11-05 15:01:201231 限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線，如人工智能用存儲(chǔ)器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點(diǎn)發(fā)展高端存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日，該公司對(duì)外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品，該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達(dá)到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日舉行的SK AI峰會(huì)上，韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 SK海力士的這一舉措，無(wú)疑將在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中掀起波瀾。16Hi HBM3E內(nèi)存作為業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)產(chǎn)品，其量產(chǎn)將有望推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。通過(guò)加速量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，SK海力士不僅展現(xiàn)了其在技術(shù)創(chuàng)新方面的實(shí)力，也彰顯了其對(duì)于市場(chǎng)需求變化
2024-12-26 14:46:241050 產(chǎn)品價(jià)格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計(jì)劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉，SK海力士計(jì)劃將上半年NAND Flash存儲(chǔ)器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無(wú)疑將對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報(bào)告，SK海力士在NAND Flash存儲(chǔ)器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551096 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡(jiǎn)稱NAND
2025-07-10 11:37:591509 2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)競(jìng)相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長(zhǎng)，對(duì)對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論