。 IC Insights最新資料顯示，隨著Flash市場需求增加，各存儲器業(yè)者為擴(kuò)大或升級3D NAND生產(chǎn)線，紛紛增加Flash資本支出，使得2017與2018年全球該項(xiàng)支出分別年增92%與16%，達(dá)276億與319億美元，均高于各當(dāng)年半導(dǎo)體業(yè)者在DRAM與晶圓代工上的資本支出。 而隨著主要存儲
2019-01-23 09:24:56
1391 市場研究機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告指出，記憶體廠商與晶圓代工業(yè)者是目前12寸晶圓產(chǎn)能的最大貢獻(xiàn)者。根據(jù)統(tǒng)計(jì)，前六大 12寸晶圓產(chǎn)能供應(yīng)商在 2012年囊括了整體產(chǎn)能的74.4%；而IC
2013-02-22 09:06:271441 報(bào)導(dǎo)，存儲器三強(qiáng)三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲器削價(jià)競爭結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:421577 2016年大陸以晶圓代工為主軸的集成電路制造業(yè)的產(chǎn)值年增率將可望達(dá)到16.5%，雖然成長力道低于2015年26.5%的水準(zhǔn)，但依舊高于全球平均表現(xiàn)。
2016-05-03 10:51:311095 龐大的財(cái)務(wù)與技術(shù)障礙繼續(xù)困擾18吋（450mm）晶圓發(fā)展，IC制造商紛紛將原本充滿雄心壯志的18吋晶圓相關(guān)計(jì)劃延后，轉(zhuǎn)向將12吋與8吋晶圓生產(chǎn)效益最大化──市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights 的最新報(bào)告顯示，全球晶圓產(chǎn)能到2020年都將延續(xù)以12吋晶圓稱霸的態(tài)勢。
2016-10-13 16:21:081929 
大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151867 為了提高芯片自給率，中國中央及地方政府持續(xù)進(jìn)行大手筆投資，并將重點(diǎn)放在內(nèi)存與晶圓代工兩大領(lǐng)域。此外，由于中國芯片需求量驚人，許多外資企業(yè)為就近爭取商機(jī)，亦持續(xù)在當(dāng)?shù)嘏d建新的芯片產(chǎn)能。在這兩大因素驅(qū)動下，到2019年時(shí)，中國的晶圓產(chǎn)能將有機(jī)會占全球晶圓產(chǎn)能的18%以上。
2017-01-19 08:01:461795 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:365076 
近段時(shí)間，各大晶圓廠紛紛曬出自己的傲人財(cái)報(bào)，下游需求旺盛，晶圓產(chǎn)能緊張，讓臺積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)三大代工廠將8寸晶圓線代工價(jià)格紛紛調(diào)高10%-20%。而8寸晶圓的主要需求端為功率器件、電源管理IC、影像傳感器、指紋識別芯片和顯示驅(qū)動IC等，MOSFET正是其中之一。
2020-08-26 06:24:007800 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌，存儲器封測廠受到客戶要求降價(jià)，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價(jià)5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271445 
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2013-03-05 16:43:04
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2012-08-20 18:23:31
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
存儲器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲器分配地址的過程稱為存儲器映射，如果再分配一個(gè)地址就叫重映射存儲器映射ARM 將這 4GB 的存儲器空間，平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲器市場的漲價(jià)只不過是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
目錄【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
。法人預(yù)估硅晶圓廠第一季獲利優(yōu)于去年第四季，第二季獲利將持續(xù)攀升?！ “雽?dǎo)體硅晶圓庫存在去年第四季初觸底，去年底拉貨動能回溫，第一季雖然出現(xiàn)新冠肺炎疫情而造成硅晶圓廠部份營運(yùn)據(jù)點(diǎn)被迫停工，但3月以來已
2020-06-30 09:56:29
` 硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
的芯片。由于單個(gè)芯片尺寸增大而造成的更多邊緣浪費(fèi)會由采用更大直徑晶圓所彌補(bǔ)。推動半導(dǎo)體工業(yè)向更大直徑晶圓發(fā)展的動力之一就是為了減少邊緣芯片所占的面積。（5）晶圓的晶面（Wafer Crystal
2020-02-18 13:21:38
AI 時(shí)代的計(jì)算應(yīng)用，了解它們?nèi)绾卧谖磥硭{(lán)圖中推動創(chuàng)新
2021-01-19 07:48:18
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
IoT是怎樣推動傳感器創(chuàng)新的？求解
2021-05-21 07:15:43
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
[強(qiáng)力推薦]Java入門速成視頻教程 太平洋電腦網(wǎng)上發(fā)布的最新Java入門速成視頻教程，整體視頻全真錄制，看完之后感覺相當(dāng)不錯(cuò)。就當(dāng)是新年
2010-02-06 14:42:57
爾必達(dá)（Elpida）陣營的新增產(chǎn)能是否順利去化，將牽動DRAM價(jià)格走勢，是重要的觀察指標(biāo)。他說，爾必達(dá)陣營制程技術(shù)推進(jìn)至63奈米，7月產(chǎn)出將大量增加，加上美光陣營的南科、華亞科也導(dǎo)入50奈米，下半年
2010-05-10 10:51:03
的設(shè)計(jì)人員被要求將測試模式引入存儲陣列。測試的設(shè)計(jì)人員在探索如何將測試流程更加簡化而有效，例如在芯片參數(shù)評估合格后使用簡化的測試程序，另外也可以隔行測試晶圓上的芯片，或者同時(shí)進(jìn)行多個(gè)芯片的測試。`
2011-12-01 13:54:00
的的奇夢達(dá)(Qimonda)。2006第二季全球10大DRAM廠商排名 以成長性而言，由于第二季全球新增產(chǎn)能集中于***地區(qū)廠商力晶與茂德，因此與力晶合作的日本爾必達(dá)，與茂德合作的韓國海力士，上述策略性
2008-05-26 14:43:30
的專業(yè)工藝，包括：0.18um邏輯、混合信號、模擬、高電壓、嵌入式存儲器和其他工藝。世界先進(jìn)目前擁有兩座八吋晶圓廠，平均每月約產(chǎn)出110,000片晶圓。 Top7 Dongbu，收入4.95億美元，同比
2011-12-01 13:50:12
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
面對半導(dǎo)體硅晶圓市場供給日益吃緊，大廠都紛紛開始大動作出手搶貨了。前段時(shí)間存儲器大廠韓國三星亦到中國***地區(qū)擴(kuò)充12寸硅晶圓產(chǎn)能，都希望能包下環(huán)球硅晶圓的部分生產(chǎn)線。難道只因半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶
2017-06-14 11:34:20
推動電源管理變革的5個(gè)趨勢
2021-03-11 07:50:56
是什么推動著高精度模擬芯片設(shè)計(jì)？如何利用專用晶圓加工工藝實(shí)現(xiàn)高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
新型LCD驅(qū)動器是如何推動移動電視發(fā)展的？
2021-06-08 06:31:55
?過去存儲器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時(shí)代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
，功耗和成本之間的平衡.在另一些情況下，根據(jù)基本存儲器的特性進(jìn)行分割成為一個(gè)合理辦法。例如，將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)一位可變性存儲器而不是將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)塊可變性存儲器，帶寬分割在高水平上，主要有3個(gè)
2018-05-17 09:45:35
，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，做在一個(gè)微小面積上，以完成某一特定邏輯功能，達(dá)成預(yù)先設(shè)定好的電路功能要求的電路系統(tǒng)。硅是由沙子所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999
2011-12-02 14:30:44
為什么要選擇藍(lán)牙？藍(lán)牙將致力于推動哪些領(lǐng)域的連接？
2021-05-13 06:31:57
而言，鐵電存儲器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:031028 
晶圓雙雄產(chǎn)能計(jì)劃增長 恐致產(chǎn)能過剩
最近臺灣兩家主要的半導(dǎo)體代工商臺積電和聯(lián)電公司均宣布今年將進(jìn)一步拓展其12英寸晶圓的產(chǎn)能，兩家廠商并宣布將提升今年
2010-02-08 09:47:51843 
存儲器及代工推動2010年投資增長
按華爾街的一位分析師預(yù)計(jì)，2010年半導(dǎo)體固定資產(chǎn)投資在存儲器和代工的再次推動下可達(dá)335億美元，比09年增加50%。
由于09
2010-01-09 10:45:58435 
美國高通公司（NASDAQ： QCOM）今日宣布，其子公司高通創(chuàng)銳訊將以高通VIVE? 802.11ac （11ac） Wi-Fi 解決方案系列大力推動802.11ac。高通創(chuàng)銳訊已經(jīng)獲得移動通訊
2013-06-05 16:00:091047 NAND Flash固態(tài)硬盤（SSD）襲卷了過去10年的儲存技術(shù)產(chǎn)業(yè)，而非揮發(fā)性存儲器（NVM）消除了DRAM與儲存硬盤間的差異，勢必掀起一波更大的革命。由微軟（Microsoft）與英特爾（Intel）所組成的Wintel聯(lián)盟，即將卷土重來，成為這波革命背后最主要的推手。
2016-12-15 10:13:161117 策略進(jìn)行了講解。 首先，Micron 公司 CEO Mark Durcan 講解了 DRAM 和 NAND 存儲器的市場趨勢。他說，未來幾年 DRAM 出貨量增長速度將減緩。如圖 1 所示，2015
2017-10-20 16:08:26
49 紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:412714 。據(jù)悉，臺積電8英寸晶圓產(chǎn)能短期內(nèi)已無法滿足客戶需求；此外，臺積電將于下半年導(dǎo)入蘋果處理器訂單，這將占據(jù)絕大多數(shù)臺積電先進(jìn)制程產(chǎn)能。
2018-05-30 11:12:001155 根據(jù)韓國媒體的報(bào)導(dǎo)，韓國存儲器大廠三星已經(jīng)確認(rèn)，將會在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲器的產(chǎn)能。 之前，韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864 存儲器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003740 存儲器大廠美光科技全球制造資深副總裁艾倫（Wayne Allan）昨（24）日指出，企業(yè)級線上交易、自駕車、云端大數(shù)據(jù)、網(wǎng)通、行動裝置、物聯(lián)網(wǎng)等六大領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲器需求強(qiáng)勁，但供給端增幅有限，今年存儲器市況仍會健康穩(wěn)健，其中 DRAM價(jià)格可持穩(wěn)到年底。
2018-07-09 07:40:00811 晶圓代工廠世界先進(jìn)受惠面板驅(qū)動IC、電源管理芯片及指紋識別IC等客戶投片量大增，現(xiàn)階段產(chǎn)能持續(xù)供不應(yīng)求，業(yè)界傳出8英寸晶圓代工平均售價(jià)（ASP）上調(diào)5%至10%，并開始篩選訂單，優(yōu)先生產(chǎn)高毛利產(chǎn)品，助攻世界本季營收再寫新高之余，毛利率同步看俏。
2018-07-19 15:11:004873 DRAM技術(shù)上取得的進(jìn)步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng)，以及跨多種不同運(yùn)算平臺和應(yīng)用的越來越多的不同要求，包括服務(wù)器、工作站、海量存儲系統(tǒng)、超級計(jì)算機(jī)、臺式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲器技術(shù)
2020-05-21 07:52:007926 
根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項(xiàng)目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936 由于各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車”，NAND Flash快閃存儲器和DRAM價(jià)格已經(jīng)持續(xù)走低，終結(jié)了持續(xù)兩年的市場供應(yīng)緊俏狀況。
2018-10-27 08:59:144267 就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上，也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國另一家
2018-10-29 17:03:244026 7月16號，中國DRAM代表廠商合肥長鑫召開存儲器項(xiàng)目首次投片總結(jié)大會，在會上傳出消息，合肥長鑫即將進(jìn)行8GB LPDDR4的投片，成為中國第一家邁向高端存儲投片階段的存儲器廠商。中國市場的存儲器
2018-11-29 16:51:0518310 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2018-12-25 14:39:563714 隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4916884 由 DRAM 存儲廠轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠的力晶，日前發(fā)生自備變電站設(shè)備異常事件，連帶導(dǎo)致臺灣新竹四大晶圓廠臺積電、聯(lián)電、旺宏、世界先進(jìn)突發(fā)壓降，力晶旗下晶圓廠已經(jīng)在 5 月 2 日凌晨恢復(fù)供電，但供應(yīng)鏈指出，要 100% 恢復(fù)生產(chǎn)要到 5 月 3 日早上，影響產(chǎn)能待估計(jì)。
2019-05-05 10:40:103437 隨著人工智能（AI）的深度學(xué)習(xí)及機(jī)器學(xué)習(xí)、高效能運(yùn)算（HPC）、物聯(lián)網(wǎng)裝置的普及，巨量資料組成密集且復(fù)雜，除了在處理器上提供運(yùn)算效能，也需要?jiǎng)?chuàng)新的存儲器技術(shù)方能有效率處理資料。包括磁阻式
2019-07-29 16:38:053877 近年來隨著國家集成電路規(guī)劃的持續(xù)推進(jìn)，各地紛紛上馬晶圓制造項(xiàng)目，在大量項(xiàng)目不斷落地的同時(shí)，對“中國晶圓制造產(chǎn)能過剩”的擔(dān)憂言論也開始出現(xiàn)，中國的晶圓制造產(chǎn)能是否會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩？或者在進(jìn)行國產(chǎn)替代的大背景下該如何擴(kuò)充晶圓制造產(chǎn)能？從產(chǎn)業(yè)和市場的趨勢去看，或許可以得到一些答案。
2019-07-31 15:36:543940 
過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 近日，IC Insights發(fā)布了2020-2024年全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告。
2019-12-25 11:25:153566 楊道虹表示，目前及今后的一段時(shí)間內(nèi)，長江存儲核心任務(wù)是推動產(chǎn)能爬坡提升，將盡早達(dá)成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬片并按期建成30萬片/月產(chǎn)能，提升國家存儲器基地的規(guī)模效應(yīng)，帶動全省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2020-01-15 09:31:293090 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進(jìn)行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:161487 
。Ultra C VI旨在對動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）和3D NAND閃存晶圓進(jìn)行高產(chǎn)能清洗，以實(shí)現(xiàn)縮短存儲產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。這款新產(chǎn)品以盛美成熟的多腔體技術(shù)為基礎(chǔ)，進(jìn)一步擴(kuò)展了清洗設(shè)備產(chǎn)品線
2020-06-29 14:52:514831 在8寸晶圓產(chǎn)能方面，臺廠聯(lián)電、臺積電、世界先進(jìn)是8寸晶圓產(chǎn)能的主力，其中，聯(lián)電產(chǎn)能占據(jù)整體8寸晶圓產(chǎn)能的50%以上。
2021-01-11 11:53:262024 產(chǎn)能緊缺問題將持續(xù)至明年年中。而昨日臺灣晶圓代工大廠力積電董事長黃崇仁在接受采訪時(shí)則表示，全球晶圓代工產(chǎn)能不足將持續(xù)到2022年之后，目前已經(jīng)有客戶出現(xiàn)了恐慌的情緒。
2020-12-02 16:28:184729 產(chǎn)能緊缺從晶圓代工傳導(dǎo)至封測、設(shè)計(jì)、晶圓、再到模組供應(yīng)商、下游終端廠商等，捎帶著6英寸和12英寸晶圓，一路缺貨到明年。
2020-12-24 17:02:224600 晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求，訂單能見度直達(dá)明年第二季底，除了龍頭大廠臺積電表明不漲價(jià)，包括聯(lián)電、世界先進(jìn)等已針對第四季8吋晶圓代工急單及新增訂單調(diào)漲價(jià)格。由于美國發(fā)布中芯禁令后，8吋晶圓代工產(chǎn)能缺口持續(xù)
2020-12-28 11:18:232655 
隨機(jī)存儲存儲器，可讀可寫，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲器和動態(tài)隨機(jī)存儲器，理解上靜動態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:065292 近期晶圓代工產(chǎn)能吃緊的狀況堪稱「前所未見」，也出現(xiàn)產(chǎn)能競標(biāo)的方式搶產(chǎn)能，顯示賣方市場態(tài)勢延續(xù)，臺積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積電等擁有產(chǎn)能的晶圓代工廠具有絕對優(yōu)勢。
2021-04-13 15:21:372805 當(dāng)下，全球市場對晶圓代工產(chǎn)能需求的迫切程度達(dá)到了歷史最高點(diǎn)，在此背景下，不只是傳統(tǒng)晶圓代工廠，一些IDM大廠也相繼擴(kuò)大投資，如英特爾宣布將重點(diǎn)投入晶圓代工業(yè)務(wù)，SK海力士也宣布將擴(kuò)大投入晶圓代工
2021-05-24 10:45:272569 作者 ｜ 中遠(yuǎn)亞電子 2021年的半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)鍵詞之一就是“缺芯”，而芯片之所以緊缺的根本原因在于晶圓產(chǎn)能供應(yīng)不足，產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于市場的需求，從而導(dǎo)致了“芯片荒”的現(xiàn)象。因此，缺芯的本質(zhì)是晶圓的短缺
2022-01-13 16:26:321425 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年可望持續(xù)成長，晶圓代工產(chǎn)能供應(yīng)仍將吃緊，晶片產(chǎn)品在去年價(jià)格高漲后，今年要進(jìn)一步漲價(jià)難度升高，IC設(shè)計(jì)廠毛利率面臨的壓力恐將因而增加。IC設(shè)計(jì)廠近年深受晶圓代工產(chǎn)能嚴(yán)重不足所苦，紛紛開拓新供應(yīng)商或采用新制程技術(shù)，今年掌握的晶圓代工產(chǎn)能普遍較去年增加。
2022-03-09 14:07:38638 據(jù)Knometa Research發(fā)布的《2022年全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告》顯示，去年全球晶圓月產(chǎn)能達(dá)到了2143萬片，排名前五的晶圓大廠平均每月的產(chǎn)量達(dá)到了1220萬片，相比2020年增長了10%，占據(jù)了2021年晶圓總月產(chǎn)量的57%。
2022-04-12 17:33:202609 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進(jìn)的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:5712490 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:391354 
據(jù)統(tǒng)計(jì)，在2017 年，8英寸晶圓代工主力華虹半導(dǎo)體的8英寸晶圓產(chǎn)能為168K/月，中芯國際的產(chǎn)能為234K/月，占總產(chǎn)能的比例超過40%。
2023-03-06 14:25:271117 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲在其中的信息會丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:035687 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:023358 展望 2024 年，全球半導(dǎo)體市場將蓬勃發(fā)展，預(yù)計(jì)增長 13.1%，估值將達(dá)到 5880 億美元。預(yù)計(jì)這一增長將主要由存儲器領(lǐng)域推動，到 2024 年，該領(lǐng)域的產(chǎn)值將飆升至約 1,300 億美元，比上一年增長 40% 以上。
2023-12-01 09:46:571365 
過程的效率、降低成本，已經(jīng)成為了每一個(gè)企業(yè)都面臨的挑戰(zhàn)。在這個(gè)背景下，SAP作為一家全球領(lǐng)先的企業(yè)管理軟件提供商，為半導(dǎo)體晶圓制造商提供了全面的解決方案，助力推動新時(shí)代科技創(chuàng)新。
2023-12-22 13:01:311034 
變化不僅重塑了半導(dǎo)體行業(yè)的市場格局，也推動了晶圓代工廠產(chǎn)能利用率的顯著提升。根據(jù)行業(yè)觀察，自今年第二季度開始，晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)出現(xiàn)了明顯的回升。不少廠商已接
2024-06-19 11:15:111020 
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡潔而高效，主要由一個(gè)晶體管（MOSFET）和一個(gè)電容組成，這一組合使得DRAM能夠在保持成本效益的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)存取。
2024-09-10 14:42:493256 DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動態(tài)隨機(jī)存儲器，是一種半導(dǎo)體存儲器，用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲。它由許多存儲單元組成，每個(gè)存儲單元可以存儲一位或多位數(shù)據(jù)。DRAM的主要特點(diǎn)是集成度高、成本低，但讀寫速度相對較慢，并且需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)。
2024-10-12 17:06:114113 近年來，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展帶動了全球晶圓代工產(chǎn)能的穩(wěn)步增長。隨著AI、HPC、IoT等新興應(yīng)用領(lǐng)域的迅速崛起，對芯片性能及產(chǎn)能提出了更高要求，進(jìn)一步推動了晶圓代工的技術(shù)革新與產(chǎn)能擴(kuò)張
2024-10-22 11:38:042922 據(jù)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research稱，受云端AI加速器需求旺盛推動，2025年全球?qū)oWoS及類似封裝產(chǎn)能的需求或將增長113%。主要供應(yīng)商臺積電、日月光科技控股（包括矽品精密工業(yè)
2024-11-01 16:57:541187 AVS 無線校準(zhǔn)測量晶圓系統(tǒng)就像給晶圓運(yùn)輸過程裝上了"全天候監(jiān)護(hù)儀"，推動先進(jìn)邏輯芯片制造、存儲器生產(chǎn)及化合物半導(dǎo)體加工等關(guān)鍵制程的智能化質(zhì)量管控，既保障價(jià)值百萬的晶圓安全，又能讓價(jià)值數(shù)千萬的設(shè)備發(fā)揮最大效能，實(shí)現(xiàn)降本增效。
2025-04-24 14:57:49866 
在存儲芯片（DRAM/NAND）制造中，晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個(gè)芯片（Die）的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、晶圓日益變?。ㄓ绕鋵τ诟呷萘?DNAND），傳統(tǒng)劃片工藝帶來
2025-08-08 15:38:061028 
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