富士通半導(dǎo)體將推出配備FRAM的RFID標(biāo)簽IC“FerVID Family”的新產(chǎn)品——配備9KB FRAM的HF頻段RFID標(biāo)簽IC“MB89R112”。該產(chǎn)品可構(gòu)成符合ISO/IEC15693標(biāo)準(zhǔn)的近旁型無(wú)源RFID，存儲(chǔ)器容量為HF頻段
2012-07-02 10:33:33
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香港商富士通半導(dǎo)體有限公司臺(tái)灣分公司宣佈推出新款V系列晶片MB85RC256V。富士通半導(dǎo)體目前的V系列FRAM產(chǎn)品涵蓋4KB、16KB、 64KB、256KB容量，MB85RC256V是首款可在2.7V-5.5V電壓範(fàn)圍內(nèi)運(yùn)作的
2012-10-18 14:40:251580 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:236719 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產(chǎn)品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲(chǔ)器，是富士通半導(dǎo)體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產(chǎn)品將于2013年3月起開(kāi)始提供新品樣片。
2013-03-25 16:09:371375 聯(lián)想合并日本富士通在即，富士通總裁Tatsuya Tanaka日前在接受媒體采訪時(shí)表示，希望在明年3月31日之前與聯(lián)想簽署PC業(yè)務(wù)合并協(xié)議，未來(lái)富士通將會(huì)專注于企業(yè)IT服務(wù)。
2016-12-15 10:44:10764 《華爾街日?qǐng)?bào)》前不久的一篇文章指出，近年來(lái)智能手機(jī)、PC、平板電腦等設(shè)備的進(jìn)化并沒(méi)有以往那么快速，不過(guò)它們正以新的方式推進(jìn)創(chuàng)新，硬件廠商更多針對(duì)特定任務(wù)采用定制芯片。沒(méi)錯(cuò)，技術(shù)的多樣性正在為各種應(yīng)用帶來(lái)類似 “定制化”的更優(yōu)化設(shè)計(jì)選項(xiàng)。
2017-07-18 14:42:032063 各種系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器讀寫速度、可重復(fù)讀寫次數(shù)、讀寫功耗、安全性以及對(duì)供電的要求都各不相同，存儲(chǔ)技術(shù)正在走向細(xì)分……
2017-09-04 14:50:2812744 “FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）用于數(shù)據(jù)記錄；NRAM（碳納米管存儲(chǔ)）用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲(chǔ)存， 還可替代NOR Flash；ReRAM（電阻式記憶體）可替代大容量EEPROM?！痹谠敿?xì)介紹富士通三大存儲(chǔ)技術(shù)
2018-05-04 14:26:2411539 
其延長(zhǎng)的寫周期耐久性和數(shù)據(jù)保留時(shí)間，FRAM技術(shù)可幫助設(shè)計(jì)人員滿足使用可用FRAM IC和基于FRAM的MCU的十年，低功耗NVM操作的要求，這些MCU來(lái)自賽普拉斯半導(dǎo)體，富士通半導(dǎo)體，ROHM Semiconductor等制造商和德州儀器。
2019-03-18 08:08:003864 
富士通推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體（Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.）合作開(kāi)發(fā)。
2019-08-08 11:17:221800 在研究FRAM的過(guò)程中，富士通發(fā)現(xiàn)FRAM的物理頻譜特性具有無(wú)規(guī)律、難以被模仿的特性，因此可替代傳統(tǒng)的加密算法，利用FRAM的工作噪聲信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)設(shè)備之間的驗(yàn)證。
2020-01-03 14:27:131283 FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
富士通MB95F698，用什么仿真器，哪里可以買到。
2021-08-20 22:11:06
富士通FRAM存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？富士通FRAM存儲(chǔ)器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 01:39 編輯
富士通Cortex-M3 Easy Kit開(kāi)發(fā)板暖暖初春，富士通Cortex-M3 Easy Kit開(kāi)發(fā)板伴著春的腳步與我
2012-03-19 20:35:40
富士通先進(jìn)的汽車網(wǎng)絡(luò)技術(shù) 1.Introduction about Fujitsu Microelectronics2.Fujitsu focus on Automotive
2009-11-26 12:16:05
，中國(guó)市場(chǎng)作為亞太地區(qū)乃至全球主力，其重要性不言而喻。在近日開(kāi)幕的中國(guó)汽車工程學(xué)會(huì)年會(huì)（SAECCE2017）上，全球汽車產(chǎn)業(yè)玩家的參展熱情就可見(jiàn)一斑。富士通作為汽車電子技術(shù)的重要推動(dòng)者，重裝展出
2019-07-22 06:12:45
本帖最后由 qzq378271387 于 2012-7-31 21:34 編輯
富士通：基于ARM Cortex M3的產(chǎn)品和技術(shù)介紹
2012-07-31 21:32:15
應(yīng)用領(lǐng)域的存儲(chǔ)技術(shù)。在1980年代首個(gè)試驗(yàn)成功的FRAM電路問(wèn)世，其通用功能就被認(rèn)為可以取代DRAM、SRAM和EEPROM等常規(guī)存儲(chǔ)器，從早期Ramtron、Celis半導(dǎo)體、Hynix
2020-10-30 06:42:47
` 本帖最后由 qin_elecfans 于 2017-4-17 14:18 編輯
富士通FRAM技術(shù)文檔、視頻下載及有獎(jiǎng)小測(cè)驗(yàn)一、活動(dòng)頁(yè)面：http://www.brongaenegriffin.com
2017-04-11 16:05:00
本帖最后由 chxiangdan 于 2017-10-10 15:41 編輯
親愛(ài)的電子發(fā)燒友小伙伴們！富士通將舉辦在線研討會(huì)，介紹全新FRAM（鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器）解決方案，該器件可在高達(dá)攝氏
2017-08-18 17:56:43
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
。 (富士通半導(dǎo)體提供)隨著使框架的非揮發(fā)性、晶體極化的使用提供了基于電荷存儲(chǔ)技術(shù)的許多優(yōu)點(diǎn)（見(jiàn)表1）。因?yàn)樗苊饬烁?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)的潛在的降解效果，FRAM存儲(chǔ)器和其保存數(shù)據(jù)的功率損耗的面能力的壽命幾乎是無(wú)限
2016-02-25 16:25:49
之前在論壇里面發(fā)帖問(wèn)了關(guān)于如何延長(zhǎng)EEPROM壽命的問(wèn)題，后面經(jīng)大神推薦選擇了用FRAM來(lái)替代。前兩天在某公司申請(qǐng)的FRAM樣片到了，今天就拿來(lái)做測(cè)試。我原本的測(cè)試方案就是跟以前測(cè)試EEPROM一樣
2013-09-03 10:52:35
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲(chǔ)技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢(shì)的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
32Mb 的陣列。 ?FRAM 是一種真正的 NVRAM 技術(shù)，可替代高速緩存 SRAM、DRAM、閃存/ EEPROM ?支持 1.5V 電壓面向低功耗應(yīng)用 FRAM 的確為客戶帶來(lái)無(wú)與倫比的靈活性和優(yōu)勢(shì)
2018-08-20 09:11:18
`最近學(xué)習(xí)RFID搜集了不少資料，發(fā)出來(lái)供有興趣了解物聯(lián)網(wǎng)RFID相關(guān)應(yīng)用的朋友們學(xué)習(xí)，也希望拋磚引玉啊，大家都上傳手上的寶貝吧，一起打造個(gè)RFID技術(shù)學(xué)習(xí)的分享站。資料中有幾個(gè)是與富士通FRAM
2013-10-24 15:16:41
最近抽空參加了2013富士通半導(dǎo)體的MCU/FRAM鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)研討會(huì)，演講的是一個(gè)華裔日本人，趕腳講的還是比較中肯滴，他說(shuō)：“由于FRAM產(chǎn)品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引腳SOP封裝
2013-07-15 10:19:16
）。 富士通的FRAM里使用了PZT（鋯鈦酸鉛）的鐵電物質(zhì)，其結(jié)晶結(jié)構(gòu)如下圖所示。 圖1鐵電存儲(chǔ)器的結(jié)晶結(jié)構(gòu) 方格中的Zr （鋯）或Ti （鈦）離子有兩個(gè)穩(wěn)定點(diǎn)，其性質(zhì)是在外部電場(chǎng)作用下會(huì)改
2020-05-07 15:56:37
（FACOM100）后開(kāi)始跨足信息產(chǎn)業(yè)。其間隨著個(gè)人化信息處理技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)多媒體技術(shù)、業(yè)務(wù)集約在因特網(wǎng)潮流的興起，富士通以不斷創(chuàng)新的高科技形象享譽(yù)日本和全球?，F(xiàn)在，富士通已經(jīng)發(fā)展成為橫跨半導(dǎo)體電子器件、計(jì)算機(jī)通訊平臺(tái)
2014-05-21 10:54:53
`魅族MX3宣稱采用富士通四通道ISP，有人知道是用哪款I(lǐng)SP么？查看拆機(jī)報(bào)道，似乎都沒(méi)有正面芯片照和型號(hào)，是采用富士通第六代的MilbeautMobile ISP MBG046嗎？下面是MX3的攝像頭模塊拆機(jī)圖。`
2013-09-23 16:18:11
富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點(diǎn):? 抗金屬，可在金屬環(huán)境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數(shù)據(jù)寫入：可提高數(shù)據(jù)寫入時(shí)的效率。? 穩(wěn)定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
富士通召回3款筆記本電池
12月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，富士通周一宣布，由于存在火災(zāi)隱患，現(xiàn)決定召回部分型號(hào)筆記本的電池
2009-12-15 08:28:41690 富士通推出3個(gè)系列18款內(nèi)置閃存、可低壓下工作的8位MCU
富士通微電子(上海)有限公司近日宣布推出3個(gè)系列共18款內(nèi)置閃存、可在低壓條件下工作的高性能8位微控制器(屬于
2010-04-22 10:43:221079 
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 μm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個(gè)型號(hào)，并從即日起開(kāi)始為客戶提供樣片。
2011-07-20 09:04:262071 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司近日宣布推出其基于0.18μm技術(shù)的全新系列FRAM產(chǎn)品家族。該系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 兩個(gè)型號(hào)，均支持I2C接口且可在5V電壓下工作，即日起即可供貨。
2012-02-08 09:11:441235 
富士通FM3產(chǎn)品介紹FM3在變頻家電的應(yīng)用 FM3-富士通180度變頻空調(diào)方案簡(jiǎn)介及特性
2012-07-23 14:20:56
47 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
2015-07-08 15:03:571992 上海，2016年3月1日–富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，成功開(kāi)發(fā)具有4 Mbit記憶容量的、帶有高速Q(mào)SPI接口的全新FRAM（鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存）產(chǎn)品MB85RQ4ML，此產(chǎn)品在同類競(jìng)品中擁有最高密度和最快傳輸速度，并開(kāi)始以樣品量供貨。
2016-03-01 11:20:584792 
上海，2016年4月15日–富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出具業(yè)界最低運(yùn)行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。
2016-04-15 10:01:221172 據(jù)富士通展臺(tái)工程師介紹，從要抗宇宙輻射的衛(wèi)星裝置，到頗接地氣的無(wú)電池舒適智能家居設(shè)備，已處處可見(jiàn)這種先進(jìn)非易失性嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)的身影。除FRAM外，在本次展會(huì)上富士通還展示了繼電器Relay、設(shè)計(jì)可追溯管理工具SQTRACER等領(lǐng)先技術(shù)。
2016-09-05 11:20:291627 上海， 2016-11-08——富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲(chǔ)器）（注1）產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體（注2）合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
2017-03-24 18:03:201912 在新材料創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)上，富士通電子作為領(lǐng)導(dǎo)廠商一直在努力追求最極致的存儲(chǔ)性能，從FRAM到ReRAM以及NRAM。請(qǐng)隨小編一起回顧，我們?cè)谧非髽O致存儲(chǔ)技術(shù)的道路上的那些最新極致成就吧！
2017-03-24 18:35:521524 
ReRAM被業(yè)界認(rèn)為其出現(xiàn)將引發(fā)移動(dòng)、消費(fèi)電子和聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的一系列創(chuàng)新！過(guò)去幾年，業(yè)界相關(guān)ReRAM的技術(shù)報(bào)道層出不窮，而產(chǎn)品卻并不多見(jiàn)。前不久松下半導(dǎo)體與富士通合作開(kāi)發(fā)出了業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM。這項(xiàng)被業(yè)界廣泛樂(lè)觀期待的技術(shù)，親們都了解嗎？ReRAM已經(jīng)來(lái)臨，我們一起迎接存儲(chǔ)的新時(shí)代吧！
2017-03-24 18:43:011589 富士通電子元器件（上海）有限公司推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲(chǔ)器）（注1）產(chǎn)品 MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體（注2）合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
2017-03-24 18:48:431609 富士通半導(dǎo)體內(nèi)嵌FRAM的RFID產(chǎn)品相比其單體FRAM產(chǎn)品是比較新的，而市場(chǎng)上常用的RFID產(chǎn)品嵌入的是EEPROM。與內(nèi)嵌EEPROM的RFID產(chǎn)品相比，內(nèi)嵌FRAM的RFID讀寫速度快很多，并且其抗輻射性比EEPROM高出不止一個(gè)數(shù)量級(jí)。
2017-03-28 17:56:151306 
本視頻主要內(nèi)容：介紹了富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品特性：低功耗，快速讀寫，高讀寫次數(shù)和防輻射特性。
2017-03-29 11:34:271530 上海，2017年6月5日 –富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出全新FRAM（鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器）解決方案---MB85RS128TY和MB85RS256TY，此為該全新產(chǎn)品系列的首推器件。這
2017-06-05 16:43:171432 文檔中內(nèi)容包含了基于富士通的汽車總線技術(shù)的應(yīng)用，系統(tǒng)原理及介紹。
2017-09-08 16:00:116 FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？
2017-09-17 16:34:2210191 
，到頗接地氣的無(wú)電池舒適智能家居設(shè)備，已處處可見(jiàn)這種先進(jìn)非易失性嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)的身影。除FRAM外，在本次展會(huì)上富士通還展示了繼電器Relay、設(shè)計(jì)可追溯管理工具SQTRACER等領(lǐng)先技術(shù)。 圖1：深圳電子展富士通展臺(tái)。 最具潛力的FRAM應(yīng)用
2017-10-15 12:11:312 在存儲(chǔ)器的競(jìng)爭(zhēng)格局中，除了FRAM，不得不提的另外兩個(gè)產(chǎn)品是ReRAM和NRAM。簡(jiǎn)略地講，FRAM 用于數(shù)據(jù)記錄；ReRAM可替代大容量EEPROM；NRAM 用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲(chǔ)存，還可替代NOR Flash。
2018-04-25 16:35:429096 
前不久，富士通半導(dǎo)體有限公司系統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)部FRAM RFID高級(jí)工程師羅建在2018第十四屆RFID世界應(yīng)用創(chuàng)新大會(huì)上指出，基于FRAM RFID的創(chuàng)新無(wú)源解決方案讓產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)自給能源，更加環(huán)保，更易于防水加工制造生產(chǎn)，有著廣闊的應(yīng)用前景。
2018-08-27 16:32:535563 FRAM的非易失性對(duì)于當(dāng)時(shí)業(yè)界可以說(shuō)是顛覆性的，存儲(chǔ)器的非易失性指在沒(méi)有上電的狀態(tài)下依然可以保存所存儲(chǔ)信息的特性，這意味著電路中無(wú)須加入后備電池，仍可在偶發(fā)斷電時(shí)保存重要數(shù)據(jù)，因此一經(jīng)推出即備受關(guān)注。而當(dāng)談及FRAM，往往無(wú)法避開(kāi)這一家半導(dǎo)體廠商，它就是——富士通半導(dǎo)體。
2019-02-21 11:32:395482 的非易失性存儲(chǔ)器。富士通和松下合作開(kāi)發(fā)了ReRAM，松下負(fù)責(zé)制造，目前第一代產(chǎn)品產(chǎn)品已出來(lái)，像在歐洲主要用于助聽(tīng)器中。ReRAM類似于EEPROM規(guī)格，但ReRAM內(nèi)存容量更大，將達(dá)到32Mbit，未來(lái)會(huì)有1．2V
2019-02-27 11:51:53235 富士通FRAM已經(jīng)能夠滿足智能表計(jì)應(yīng)用的各類需求，但富士通已投入開(kāi)發(fā)與試產(chǎn)下一代高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品——NRAM。
2019-07-23 10:42:334434 
富士通電子在過(guò)去約20年量產(chǎn)各種FRAM非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫耐久性、高速寫入速度及超低功耗。近幾年來(lái)，這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于可穿戴裝置、工業(yè)機(jī)器人與無(wú)人機(jī)。
2019-11-01 08:38:313176 富士通是一家通過(guò)不斷創(chuàng)新全球化信息通信技術(shù)的公司。眾多的標(biāo)志性成果和產(chǎn)品里程碑將富士通塑造成為現(xiàn)在這樣一家在ICT領(lǐng)域領(lǐng)先的公司。富士通為廣大用戶開(kāi)發(fā)了眾多的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。還開(kāi)發(fā)出業(yè)界中具有超小型封裝
2020-04-08 13:43:401145 都須保留在存儲(chǔ)器中，這就要求存儲(chǔ)器具有高可靠性及快速寫入的性能。 富士通的FRAM被廣泛應(yīng)用于電力儀表、辦公設(shè)備及產(chǎn)業(yè)設(shè)備市場(chǎng)。目前提供的FRAM高溫端最大工作保證溫度為85℃，但為了適應(yīng)車載設(shè)備市場(chǎng)的要求，富士通公司
2020-04-15 16:58:581111 富士通半導(dǎo)體利用FRAM的高速寫入，高讀寫耐久性（多次讀寫次數(shù)）特長(zhǎng)， 提供RFID用LSI以及應(yīng)用于電子設(shè)備的FRAM內(nèi)置驗(yàn)證IC產(chǎn)品。富士通提供使用無(wú)限接口的FRAM內(nèi)置RFID用LSI。富士通
2020-05-21 14:01:031211 汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷史上最大幅度的轉(zhuǎn)型。通過(guò)全新FRAM解決方案，得以支持創(chuàng)新公司將創(chuàng)意轉(zhuǎn)化為實(shí)際產(chǎn)品。富士通推出的FRAM解決方案MB85RS128TY和MB85RS256TY，這兩款器件可在高達(dá)攝氏
2020-06-02 14:00:091510 MB85R2001是一種富士通FRAM芯片，由262，144字8位非易失性存儲(chǔ)單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù)，而無(wú)需使用SRAM所需的備用
2020-06-28 16:04:161246 FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-07-03 10:27:44684 
易失性內(nèi)存是苛刻環(huán)境下具備高可靠性的汽車和工業(yè)應(yīng)用的理想之選。 富士通去年發(fā)布的2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業(yè)設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用，而MB85RS4MTY將其容量提高至4M bit，滿足用戶對(duì)更高容量的需求，配有SPI接口，工作電壓為1.8V至3.6V。 富士通電子
2020-07-30 14:22:20882 FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:482340 （Chandler）設(shè)有制造工廠。everspin代理宇芯電子可提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持服務(wù)。 Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM
2021-04-26 14:25:21923 
富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)
2021-04-08 15:42:021621 
。 富士通FRAM主要具備三大優(yōu)勢(shì)：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲(chǔ)器無(wú)法比擬的。比如FRAM寫入次數(shù)壽命高達(dá)10萬(wàn)億次，而EEPROM僅有百萬(wàn)次（10^6）。富士通FRAM寫入數(shù)據(jù)可在150ns內(nèi)完成，速度約為EEPROM的1/30，000。寫入一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗
2021-05-04 10:17:002823 
不進(jìn)行擦除或重寫，數(shù)據(jù)就不會(huì)改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲(chǔ)器。 富士通FRAM技術(shù)和工作原理 FRAM是運(yùn)用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)又可以像RAM一樣操作。 ?當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，
2021-05-04 10:16:001119 
與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)相比，FRAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出眾、口碑良好。富士通 FRAM量產(chǎn)20年以來(lái)，出貨量更是超過(guò)了41億顆！咱們富士通這么多
2021-04-24 10:56:48862 FRAM是如何崛起的呢？ 以銷量數(shù)據(jù)而論，FRAM一路走來(lái)已然大獲成功：截止2016年富士通全球FRAM存儲(chǔ)器累計(jì)銷量已超過(guò)33億片，其中面向世界電表客戶累計(jì)交貨4000萬(wàn)片，FRAM在威勝集團(tuán)、海興電力、林洋能源、Itron、西門子等業(yè)界主流的電表供應(yīng)商中的應(yīng)用滲透率非常高
2021-04-26 14:31:281037 富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM， 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開(kāi)始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器，FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:161154 
FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，其的特點(diǎn)是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在 如EEPROM的最大寫入次數(shù)的問(wèn)題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM
2021-04-30 17:10:171698 經(jīng)過(guò)智能電表市場(chǎng)的長(zhǎng)期驗(yàn)證，富士通FRAM產(chǎn)品在不斷優(yōu)化性能與降低成本的同時(shí)也逐步轉(zhuǎn)向更廣泛的智能表計(jì)市場(chǎng)。富士通FRAM在近幾年也逐漸打入全球智能水和氣表的主流供應(yīng)鏈，成為準(zhǔn)確記錄和存儲(chǔ)智能水和氣
2021-05-08 15:41:37806 
開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡(jiǎn)單介紹一下為何可以說(shuō)FRAM車規(guī)級(jí)是滿足汽車電子可靠性和無(wú)延遲要求的優(yōu)先存儲(chǔ)器選擇。 為什么這么說(shuō)？這就要從FRAM的產(chǎn)品特性開(kāi)始說(shuō)起。FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，
2021-05-11 17:17:091148 
需考慮挑選合適的存儲(chǔ)產(chǎn)品予以應(yīng)對(duì)。富士通FRAM在需要準(zhǔn)確記錄和存儲(chǔ)智能電表重要數(shù)據(jù)的應(yīng)用中、發(fā)揮著關(guān)鍵作用。 例如電表使用的重要數(shù)據(jù)，需要在非常短的間隔（1-3次/秒）里保存在存儲(chǔ)器，并確保掉電情況下數(shù)據(jù)依然完整。
2021-05-11 17:18:08862 
，只要不進(jìn)行擦除或重寫，數(shù)據(jù)就不會(huì)改變。FRAM 是一種與 Flash 相同的非易失性存儲(chǔ)器。 經(jīng)過(guò)市場(chǎng)的長(zhǎng)期廣泛驗(yàn)證以及技術(shù)的不斷突破，富士通 FRAM 產(chǎn)品已成功應(yīng)用于智能卡及 IC 卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等工業(yè)領(lǐng)域，醫(yī)療設(shè)備及醫(yī)
2021-05-24 15:31:082467 
不進(jìn)行擦除或重寫，數(shù)據(jù)就不會(huì)改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲(chǔ)器。 經(jīng)過(guò)市場(chǎng)的長(zhǎng)期廣泛驗(yàn)證以及技術(shù)的不斷突破，富士通FRAM產(chǎn)品已成功應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等工業(yè)領(lǐng)域，醫(yī)療設(shè)備及醫(yī)療RFID標(biāo)
2021-06-08 16:51:17770 富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器，其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:413841 
富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲(chǔ)器，性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:462230 
的數(shù)據(jù)傳輸速率。 MB85RQ4ML具有高速運(yùn)行和非易失性的特點(diǎn)，非常適合用于需要快速數(shù)據(jù)重寫的工業(yè)計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，如可編程邏輯控制器（PLC）和路由器。代理商英尚微支持樣品測(cè)試及技術(shù)支持。 富士通半導(dǎo)體20多年來(lái)量產(chǎn)的FRAM產(chǎn)品與EEPROM和閃存相比，具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的
2021-07-26 18:05:541028 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091676 操作和更低的功耗。加賀富儀艾電子旗下代理品富士通半導(dǎo)體的FRAM器件從開(kāi)始交付給工業(yè)市場(chǎng)已超過(guò)21年。因此，富士通FRAM是具有成熟量產(chǎn)制造經(jīng)驗(yàn)的高性能和高度可靠的存儲(chǔ)器。 這么優(yōu)質(zhì)的存儲(chǔ)器都用在了哪里呢？今天小編就為大家梳理一下FRAM的應(yīng)該領(lǐng)域。 物聯(lián)
2021-10-28 10:26:563639 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲(chǔ)芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:171147 FRAM 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗
2022-01-10 15:50:315157 器是一款非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有寫入速度快、讀/寫耐久性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 ? 近日富士通半導(dǎo)體推出配備Quad SPI接口的8Mbit?FRAM?MB85RQ8MLX，其
2022-02-17 15:33:242252 
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021789 ReRAM 代工工藝由臺(tái)積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持，ReRAM 由瑞薩（通過(guò)收購(gòu) Adesto）、富士通、Microchip 和索尼作為獨(dú)立產(chǎn)品生產(chǎn)，而新唐則在微控制器中生產(chǎn)。
2023-02-23 12:26:592271 點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 富士通株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“富士通”）與微軟公司（以下簡(jiǎn)稱“微軟”）宣布簽署為期五年的戰(zhàn)略合作協(xié)議，進(jìn)一步擴(kuò)大雙方現(xiàn)有合作。該協(xié)議將涉及兩家公司的投資，以推動(dòng)富士通
2023-06-05 19:45:011070 點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 富士通近日發(fā)布了《2023富士通全球可持續(xù)轉(zhuǎn)型調(diào)查報(bào)告》。該報(bào)告對(duì)來(lái)自全球9個(gè)國(guó)家的1,800名企業(yè)高管及決策者進(jìn)行了調(diào)查， 闡述了可持續(xù)轉(zhuǎn)型(SX)的現(xiàn)狀以及
2023-07-12 17:10:01952 
MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無(wú)線射頻識(shí)別芯片
2023-11-09 13:59:012363 主論壇——中國(guó)高新技術(shù)論壇，并發(fā)表了題為《技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)可持續(xù)未來(lái)》的主題演講，分享了富士通在新興技術(shù)領(lǐng)域的最新成果，以及利用技術(shù)創(chuàng)新打造更加可持續(xù)未來(lái)的愿景。 富士通（中國(guó)）信息系統(tǒng)有限公司CEO? 汪波先生 伴隨數(shù)字技術(shù)的快速發(fā)
2023-11-20 17:10:031135 
富士通近日發(fā)布了《富士通技術(shù)與服務(wù)愿景2024（Fujitsu Technology and Service Vision 2024，簡(jiǎn)稱FT&SV 2024）》，闡述了對(duì)未來(lái)商業(yè)和社會(huì)的愿景。
2024-05-29 17:07:361295 
? 今年10月，富士通發(fā)布了 《富士通綜合報(bào)告（Fujitsu Integrated Report 2024）》 。這份報(bào)告詳細(xì)介紹了有關(guān)富士通的業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)情況，以及創(chuàng)新的價(jià)值創(chuàng)造舉措，旨在與所有
2024-12-11 17:31:081942 
富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為L(zhǎng)ED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案，支持納秒級(jí)寫入與10^12次擦寫，解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)器延遲高、壽命短問(wèn)題，適用于智能交通、戶外廣告等嚴(yán)苛環(huán)境，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)與可靠性。
2025-09-11 09:45:00481 
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業(yè)級(jí)FRAM，150ns極速寫入、1萬(wàn)億次擦寫、-40℃~+85℃寬溫，I2C接口低功耗，SOP-8小封裝，為PLC、電表、編碼器等邊緣節(jié)點(diǎn)提供高可靠非易失存儲(chǔ)。
2025-10-10 09:45:00319 
富士通16Kbit FRAM憑借微秒級(jí)寫入速度與10萬(wàn)億次擦寫壽命，為圖傳模塊提供高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其SPI接口與工業(yè)級(jí)溫度范圍（-40℃~85℃）完美適配無(wú)人機(jī)、安防監(jiān)控等場(chǎng)景的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄需求。
2025-11-18 09:48:00324 
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