平面技術(shù)，自19世紀(jì)以來(lái)一直在使用。 旺宏并未透露其3D NAND的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，但由于該公司通常為除顫器，無(wú)人機(jī)，
2019-12-14 09:51:29
5966 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào)，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
隨著3D閃存技術(shù)的發(fā)展，容量超過1 TB的閃存解決方案得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，對(duì)于數(shù)據(jù)可靠性的要求也變得越來(lái)越復(fù)雜。
2020-12-11 13:50:561206 3G核心網(wǎng)網(wǎng)元是什么？為什么要提高3G核心網(wǎng)高的可靠性設(shè)計(jì)？3G核心網(wǎng)高可靠性設(shè)計(jì)方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求?！ ”疚膶ｉT探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示
2018-10-17 16:55:21
可靠性是什么？充實(shí)一下這方面的知識(shí) 產(chǎn)品、系統(tǒng)在規(guī)定的條件下，規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，完成規(guī)定功能的能力稱為可靠性。 這里的產(chǎn)品可以泛指任何系統(tǒng)、設(shè)備和元器件。產(chǎn)品可靠性定義的要素是三個(gè)“規(guī)定”：“規(guī)定
2015-08-04 11:04:27
原材料入廠到形成最終產(chǎn)品出廠的整個(gè)制造過程的可靠性保證管理。這是保證實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵。通過制定有關(guān)的質(zhì)量控制和可靠性管理，最大限度地排除和控制各種不可靠因素，最大限度地保證實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的固有可靠性
2009-05-24 16:49:57
當(dāng)組件上板后進(jìn)行一系列的可靠性驗(yàn)證，可靠性驗(yàn)證過程中產(chǎn)品失效時(shí)，透過板階整合失效分析能快速將失效接口找出，宜特協(xié)助客戶厘清真因后能快速改版重新驗(yàn)證來(lái)達(dá)到產(chǎn)品通過驗(yàn)證并如期上市。 透過板階整合失效分析
2018-08-28 16:32:38
AD7981是什么？AD7981有什么特性？AD7981有哪些應(yīng)用實(shí)例？AD7981是如何在極端溫度下實(shí)現(xiàn)突破性能和可靠性的？
2021-05-17 07:17:52
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）似乎沒把應(yīng)用條件納入到開關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
strcpy()函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)該如何去實(shí)現(xiàn)呢？TCP協(xié)議如何保證可靠性呢？
2021-12-24 06:10:04
專業(yè)學(xué)術(shù)組織——可靠性技術(shù)組。1950年12月，美國(guó)成立了“電子設(shè)備可靠性專門委員會(huì)”，軍方、武器制造公司及學(xué)術(shù)界開始介入可靠性研究，到1952年3月便提出了具有深遠(yuǎn)影響的建議；研究成果首先應(yīng)用于航天
2020-07-03 11:09:11
` 本帖最后由 山文豐 于 2020-7-3 11:20 編輯
PCB可靠性是指“裸板”能夠滿足后續(xù)PCBA裝配的生產(chǎn)條件，并在特定的工作環(huán)境和操作條件下，在一定的時(shí)期內(nèi)，可以保持正常運(yùn)行功能
2020-07-03 11:18:02
基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的可靠性測(cè)試方法企業(yè)設(shè)計(jì)的可靠性測(cè)試方法
2021-03-08 07:55:20
；可靠性測(cè)試記錄。 (2)最大的系統(tǒng)集成最大的系統(tǒng)集成可以最大限度簡(jiǎn)化系統(tǒng)構(gòu)成，有助于減少系統(tǒng)硬件失誤概率。最大的系統(tǒng)集成應(yīng)具備：依靠器件解決的思想；單片機(jī)選擇實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的最大包容；0EM 的支持。 2．
2021-01-11 09:34:49
可靠性設(shè)計(jì)是單片機(jī)應(yīng)甩系統(tǒng)設(shè)計(jì)必不可少的設(shè)計(jì)內(nèi)容。本文從現(xiàn)代電子系統(tǒng)的可靠性出發(fā)，詳細(xì)論述了單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性特點(diǎn)。提出了芯片選擇、電源設(shè)計(jì)、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復(fù)等集合硬件系統(tǒng)
2021-02-05 07:57:48
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
為了FPGA保證設(shè)計(jì)可靠性, 需要重點(diǎn)關(guān)注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
本文擬從印制板下游用戶安裝后質(zhì)量、直接用戶調(diào)試質(zhì)量和產(chǎn)品使用質(zhì)量三方面研究印制板的可靠性，從而表征出印制板加工質(zhì)量的優(yōu)劣并提供生產(chǎn)高可靠性印制板的基本途徑。
2021-04-21 06:38:19
`請(qǐng)問如何提高PCB設(shè)計(jì)焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
PMU的原理是什么？如何提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
。因此，硬件可靠性設(shè)計(jì)在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計(jì)，更要考慮整個(gè)控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)。
2021-01-25 07:13:16
隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
0、引言電子產(chǎn)品的可靠性預(yù)計(jì)一直是困擾各個(gè)無(wú)線通信公司的難題之一，目前比較通用的可靠性預(yù)計(jì)方法是由貝爾實(shí)驗(yàn)室在2001年推出的Bellcore-SR332方法。該方法的不足之處在于它僅根據(jù)產(chǎn)品
2019-06-19 08:24:45
，以綠色（默認(rèn)顏色）來(lái)顯示大于最小厚度的所有面。同時(shí)，浩辰3D可基于最大懸垂角度，計(jì)算驗(yàn)證3D打印時(shí)所需的支撐區(qū)域（面），并以高亮色區(qū)分顯示大于、小于最大懸垂角度的區(qū)域（面）。此外，通過浩辰3D的打印
2021-05-27 19:05:15
影響電源可靠性的因素。1、電壓應(yīng)力電源電壓應(yīng)力是保證電源可靠性的一個(gè)重要指標(biāo)。在電源中有許多器件都有規(guī)定最大耐壓值，比如：場(chǎng)效應(yīng)管的Vds和Vgs、二極管的反向耐壓、IC的最大VCC電壓以及輸入輸出電容
2016-06-08 15:51:22
影響電源可靠性的因素?！ ?、電壓應(yīng)力 電源電壓應(yīng)力是保證電源可靠性的一個(gè)重要指標(biāo)。在電源中有許多器件都有規(guī)定最大耐壓值，比如：場(chǎng)效應(yīng)管的Vds和Vgs、二極管的反向耐壓、IC的最大VCC電壓以及
2018-10-09 10:49:22
時(shí)，pfc電路可能會(huì)很快實(shí)現(xiàn)保護(hù)，從而造成損壞，測(cè)試一次電源模塊在瞬態(tài)情況下的穩(wěn)定運(yùn)行能力以評(píng)估可靠性。 測(cè)試方法：a、額定電壓輸入，用雙蹤示波器測(cè)試輸入電壓波形合過壓保護(hù)信號(hào)，輸入電壓從限功率點(diǎn)加5v跳
2022-05-24 17:24:24
，他才是罪魁禍?zhǔn)?，如果管研發(fā)的老總參與決策而沒提出反對(duì)意見，他簡(jiǎn)直就是最大的罪人，畢竟銷售的高管決策不懂技術(shù)還是可以原諒的，技術(shù)副總的錯(cuò)誤則是無(wú)能。產(chǎn)品可靠性是“規(guī)定的時(shí)間、規(guī)定的條件下，完成規(guī)定功能
2016-11-14 19:59:32
而沒提出反對(duì)意見，他簡(jiǎn)直就是最大的罪人，畢竟銷售的高管決策不懂技術(shù)還是可以原諒的，技術(shù)副總的錯(cuò)誤則是無(wú)能?！ ‘a(chǎn)品可靠性是“規(guī)定的時(shí)間、規(guī)定的條件下，完成規(guī)定功能的能力”。讀者一定細(xì)細(xì)品味這個(gè)定義
2018-02-27 09:58:15
我想問一下高速電路設(shè)計(jì)，是不是只要做好電源完整性分析和信號(hào)完整性分析，就可以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定了。要想達(dá)到高的可靠性，要做好哪些工作啊？在網(wǎng)上找了好久，也沒有找到關(guān)于硬件可靠性的書籍。有經(jīng)驗(yàn)的望給點(diǎn)提示。
2015-10-23 14:47:17
自上而下穿過圓柱孔，形成統(tǒng)一的 3D 電荷擷取閃存 (CTF) 單元實(shí)現(xiàn)的。東芝方面，東芝的BiCS閃存是Bit Cost Scaling，強(qiáng)調(diào)的就是隨NAND規(guī)模而降低成本，號(hào)稱在所有3D NAND
2020-03-19 14:04:57
剛剛接觸PCBA可靠性，感覺和IC可靠性差異蠻大，也沒有找到相應(yīng)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。請(qǐng)問大佬們?cè)谧鯬CBA可靠性時(shí)是怎么做的，測(cè)試條件是根據(jù)什么設(shè)定？
2023-02-15 10:21:14
急求幫助 硬件設(shè)計(jì)說明中的可靠性設(shè)計(jì)包含哪些？現(xiàn)在需要整理項(xiàng)目的一些文檔，關(guān)于可靠性設(shè)計(jì)要提供哪些文檔一頭霧水，求前輩指點(diǎn)一下！不勝感激！
2020-04-08 03:04:58
高可靠性的線路板具有什么特點(diǎn)？
2021-04-25 08:16:53
IE8三大可靠性新功能解析
微軟IE項(xiàng)目經(jīng)理Andy Zeigler今天通過官方博客探討了新版IE8的三個(gè)可靠性新功能：松散耦合式IE(LCIE)、自動(dòng)崩潰恢復(fù)、
2008-08-02 09:09:12748 
3月11日消息，美國(guó)3D打印廠商MarkerBot上周在SXSW上展示了3D掃描儀原型產(chǎn)品。據(jù)介紹，公司正研發(fā)一款桌面3D掃描儀Digitizer，可方便用戶將現(xiàn)實(shí)世界物品轉(zhuǎn)換成可打印數(shù)據(jù)3D模型。
2013-03-11 10:00:495896 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。在一個(gè)新的研究報(bào)告中指出，這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 超級(jí)CSP——讓倒裝芯片獲得最大可靠性一種晶圓片級(jí)封裝
2017-09-14 11:31:37
22 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 基于 3D NAND 的 microSD卡將有望再次改變視頻監(jiān)控行業(yè)的格局，推動(dòng)所有參與者實(shí)現(xiàn)新一輪發(fā)展。
2018-01-13 11:15:455138 
關(guān)于四級(jí)單元閃存糾錯(cuò)問題的潛在解決方法。 與此前的平面NAND相比， 3D NAND 技術(shù)的運(yùn)用將使得錯(cuò)誤檢查代碼更易于實(shí)現(xiàn)，這也進(jìn)一步確定了容量提升的四級(jí)單元技術(shù)的可行性。 錯(cuò)誤檢查代碼（ECC
2018-01-25 22:30:39596 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái)，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日?qǐng)?bào)道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 無(wú)論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?，?guó)際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對(duì)2D NAND來(lái)說，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:495087 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237 作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱：長(zhǎng)江存儲(chǔ)）昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 在價(jià)格和競(jìng)爭(zhēng)壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競(jìng)爭(zhēng)下一代技術(shù)。
2018-08-27 16:27:189528 ，這樣一來(lái)3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了，比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2，而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達(dá)到1.87Gb/mm2，48層堆棧的則可
2018-10-08 15:52:39780 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng)，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294 2019新年伊始，紫光“官宣”旗下紫光宏茂微電子成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。
2019-01-11 09:56:315732 在3D NAND Flash大行其道的21世紀(jì)，當(dāng)Intel和美光在2015年首次介紹3D Xpoint的時(shí)候，市場(chǎng)掀起了軒然大波。據(jù)當(dāng)時(shí)的介紹，3D Xpoint會(huì)比NAND Flash快1000倍，且壽命也會(huì)比其長(zhǎng)1000倍。
2019-01-19 09:41:381340 UFS2.1 兼容的托管型 NAND 存儲(chǔ)解決方案采用高性價(jià)比的 64 層 3D TLC NAND 架構(gòu)，可提供超快速啟動(dòng)和汽車級(jí)可靠性。
2019-08-19 01:10:003580 3D NAND的出現(xiàn)也是因?yàn)?D NAND無(wú)法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步，厚度開始不斷降低，但
2019-11-14 15:52:181166 根據(jù)消息報(bào)道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會(huì)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 NAND 應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:444306 NAND應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 3D TLC NAND 代表了存儲(chǔ)介質(zhì)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，提供了更低的每比特成本和更小的占用空間。然而，為了使市場(chǎng)擴(kuò)展到嵌入式行業(yè)，該技術(shù)需要提供一套可持續(xù)的、可擴(kuò)展的比特糾錯(cuò)解決方案。
2022-06-10 07:41:002309 
通過實(shí)施上述 LPDC ECC 序列，在 NAND 控制器上終止強(qiáng)大的 RAID 功能，UDInfo相信，未來(lái)基于 3D TLC NAND 的設(shè)備可以保證 SSD 質(zhì)量和數(shù)據(jù)完整性。
2022-08-17 11:54:142743 
存儲(chǔ)單元中，電荷的存儲(chǔ)層可以是浮柵或氮化硅電荷俘獲層(Charge-Trapping Layer, CTL)。三維CTL垂直溝道型NAND 閃存(3D NAND 或 V-NAND)基于無(wú)結(jié)型 (Junctionless， JL)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT)，具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:5717470 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 可制造性設(shè)計(jì) (Design for Manufacturabiity， DFM)、可靠性設(shè)計(jì) (Designfor Reliability， DFR)與可測(cè)試性設(shè)計(jì) (Design
2023-05-18 10:55:545214 
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 就像PCB中的高縱橫比通孔和小直徑通孔一樣，半導(dǎo)體封裝中的3D互連也面臨著與3D晶片堆棧的熱力學(xué)行為相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2023-07-21 10:42:442469 
MIMO采用多進(jìn)多出的天線，來(lái)實(shí)現(xiàn)可靠性和有效性的提升。公網(wǎng)采用MIMO用來(lái)提升通信容量——有效性，專網(wǎng)通信用MIMO來(lái)提升系統(tǒng)的可靠性。
2023-10-15 11:48:261942 
SDNAND可靠性驗(yàn)證測(cè)試的重要性SDNAND可靠性驗(yàn)證測(cè)試至關(guān)重要。通過檢驗(yàn)數(shù)據(jù)完整性、設(shè)備壽命、性能穩(wěn)定性，確保產(chǎn)品符合標(biāo)準(zhǔn)，可提高產(chǎn)品的可信度、提高品牌聲譽(yù)，減少維修成本，確保
2023-12-14 14:29:341615 
來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯 3D IC（三維集成電路）代表著異質(zhì)先進(jìn)封裝技術(shù)向三維空間的擴(kuò)展，在設(shè)計(jì)和可制造性方面面臨著與二維先進(jìn)封裝類似的挑戰(zhàn)以及更多的復(fù)雜性。雖然3D IC尚未普及，但芯片組標(biāo)準(zhǔn)化
2023-12-19 17:41:311234 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
在3D NAND的制造過程中，一般會(huì)有3個(gè)工序會(huì)用到干法蝕刻，即：臺(tái)階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。
2024-04-01 10:26:552343 
，在 3D 集成封裝中得到廣泛應(yīng)用 。總厚度偏差（TTV）作為衡量玻璃晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其數(shù)值大小直接影響 3D 集成封裝的可靠性 。深入評(píng)估玻璃晶圓 TTV 厚
2025-10-14 15:24:56317 
2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)競(jìng)相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長(zhǎng)，對(duì)對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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