9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512858 
3D NAND Flash。中國已吹響進軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:232091 通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
集微網(wǎng)消息，9月19日，2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）在深圳舉行，長江存儲總經(jīng)理楊士寧博士以“創(chuàng)新Xtacking?架構(gòu)：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長江存儲Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢和長江存儲3D NAND新進展。
2018-09-20 10:22:075992 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 采購。日經(jīng)新聞引述兩名知情人士消息稱，蘋果將把這些芯片用于新款 iPhone 以及特別是其他在中國國內(nèi)市場銷售的產(chǎn)品。 蘋果與長江存儲科技皆未立即回應(yīng)置評請求。 長江存儲32層3D NAND Flash獲得了突破性進展 2016年3月，總投資約1600億元人民幣的國家存儲器基地在武漢啟動。四個月
2018-02-16 17:44:085972 對相關(guān)業(yè)務(wù)進行了重新聚焦：壓縮了NAND部分產(chǎn)品線。 紫光存儲方面表示，未來隨著長江存儲3D NAND穩(wěn)步量產(chǎn)，相關(guān)業(yè)務(wù)將逐步轉(zhuǎn)移到長江存儲；同時，還將增強DRAM部分產(chǎn)品線。 去年9月2日，紫光集團旗下長江存儲宣布，已開始量產(chǎn)中國首款
2020-03-19 09:18:226283 ，重量輕，強度高，定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質(zhì)3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案，讓記憶承載夢想。 長江存儲宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據(jù)悉，長江存儲將在未來推出致鈦品牌的SSD產(chǎn)品。根據(jù)官方發(fā)布的海報來看，這款產(chǎn)品應(yīng)該是一款采用M.2接口的SSD硬盤。它
2020-08-28 18:24:143933 “全球十大突破性技術(shù)”分別是給所有人的人工智能、對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、人造胚胎、基因占卜、傳感城市、巴別魚耳塞、完美的網(wǎng)絡(luò)隱私、材料的量子飛躍、實用型3D金屬打印機以及零碳排放天然氣發(fā)電。1. 給所有人的人
2018-03-27 16:07:53
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
S800的愛司凱科技股份有限公司，就走在了行業(yè)前列。多年來，愛司凱科技股份有限公司致力于開發(fā)用于工業(yè)級生產(chǎn)的大型3D打印機，采用3DP的方式將工業(yè)生產(chǎn)中制摸工藝及效率大大提升，生產(chǎn)周期從幾個月縮短到
2018-08-11 11:25:58
AD7981是什么？AD7981有什么特性？AD7981有哪些應(yīng)用實例？AD7981是如何在極端溫度下實現(xiàn)突破性能和可靠性的？
2021-05-17 07:17:52
? 3D-IC 平臺，這是業(yè)界首個綜合性、高容量的3D-IC 平臺，將三維 3D 設(shè)計規(guī)劃、實施和系統(tǒng)分析集成在一個統(tǒng)一的座艙中。 Integrity 3D-IC 平臺是 Cadence 的第三代 3D
2021-10-14 11:19:57
密度，制造商開發(fā)了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術(shù)，該技術(shù)將Z平面中的存儲單元堆疊在同一晶圓上。
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3D NAND, 即立體堆疊技術(shù)，如果把2D NAND看成平房，那么3D
2024-12-17 17:34:06
，在本次峰會上介紹了其突破性的技術(shù)-Xtacking，長江存儲CEO楊士寧先生表示，長江存儲創(chuàng)新Xtacking在容量、性能、周期上具有突出的表現(xiàn)。長江存儲3D技術(shù)從9層開始，到32層，再到64層試片
2018-09-20 17:57:05
本文介紹的三個應(yīng)用案例展示了業(yè)界上先進的機器視覺軟件和及其圖像預處理技術(shù)如何促使2D和3D視覺檢測的性能成倍提升。
2021-02-22 06:56:21
在半導體技術(shù)中，與數(shù)字技術(shù)隨著摩爾定律延續(xù)神奇般快速更新迭代不同，模擬技術(shù)的進步顯得緩慢，其中電源半導體技術(shù)尤其波瀾不驚，在十年前開關(guān)電源就已經(jīng)達到90+%的效率下，似乎關(guān)鍵指標難以有大的突破，永遠離不開的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲，少有見到一些突破性的新技術(shù)面市。
2019-07-16 06:06:05
128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。據(jù)悉，長江存儲的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進入
2020-03-19 14:04:57
FreeRTOS對性能有多大提升？比如做Robomasters這種機器人比賽，使用FreeRTOS，對性能有多大提升
2020-06-19 09:00:47
作為全球最為著名的技術(shù)榜單之一，《麻省理工科技評論》全球十大突破性技術(shù)具備極大的全球影響力和權(quán)威性，至今已經(jīng)舉辦了18年。每年上榜的技術(shù)突破，有的已經(jīng)在現(xiàn)實中得以應(yīng)用，有...
2021-07-05 07:25:43
來源： 數(shù)字化企業(yè)作為全球最為著名的技術(shù)榜單之一，《麻省理工科技評論》全球十大突破性技術(shù)具備極大的全球影響力和權(quán)威性，至今已經(jīng)舉辦了18年。每年上榜的技術(shù)突破，有的已經(jīng)在...
2021-07-05 07:35:37
卓然為全球2D和3D電視市場進一步提升突破性幀速率轉(zhuǎn)換器技術(shù)
第二代SupraFRC® 301處理器顯著提升視頻顯示質(zhì)量美國卓然公司（納
2010-11-17 15:04:04765 美國A4Vision（簡稱A4）全球第一個推出了突破性的3D（三維）人臉生物識別技術(shù)和產(chǎn)品,在業(yè)界創(chuàng)造了領(lǐng)導地位。人的臉部并不是平坦的，因此3D人臉識別技術(shù)的算法比2D(二維)的算法有更高
2011-03-24 15:04:36
201 應(yīng)用案例-顛覆性創(chuàng)新金屬3D打印技術(shù)助力Moto2突破極限
2016-12-28 10:41:470 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 4月11日，長江存儲以芯存長江，智儲未來為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房實現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機臺設(shè)備而準備，預計很快就可以實現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302 的平面閃存，3D存儲器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且相對2D NAND來說，國際大廠在3D存儲器布局方面走得并不遠。
2018-06-20 17:17:495087 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤，加強擴大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237 長江存儲科技公司表示，盡管仍采用3D分層，但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:164029 8月8日消息 根據(jù)長江儲存的官方消息，長江存儲科技有限責任公司今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking，該技術(shù)將有望大幅提升NAND I／O速度到3．0Gbps，與DRAM DDR4的I／O速度相當。
2018-08-09 15:45:361899 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 北京時間2018年8月7日，長江存儲官網(wǎng)的一篇新聞稿表示其公開發(fā)布了一條其突破性技術(shù)——Xtacking。
2018-08-11 10:50:2813133 紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露，這之前存儲一直都是三星的強項。
2018-08-13 16:08:274029 日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講，我們之前也做過簡單的報道，這次他們的介紹更加詳細，我們可以一窺長江存儲的3D NAND閃存現(xiàn)在到底進行到那一步了。
2018-08-15 10:50:166345 “芯”、“云”系列成果，全面展示了其創(chuàng)新的產(chǎn)品和領(lǐng)先的解決方案。紫光旗下長江存儲的全新3D NAND架構(gòu)Xtacking?技術(shù)，賦能行業(yè)的云及AI解決方案等，都給大會嘉賓留下了深刻印象。
2018-08-24 14:42:002154 Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代，帶動消費性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級，加上長江存儲發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking，試圖超車追趕國際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:267373 ，這樣一來3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了，比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2，而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達到1.87Gb/mm2，48層堆棧的則可
2018-10-08 15:52:39780 對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長江存儲執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報記者專訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年，長江存儲將持續(xù)增加研發(fā)投入。
2018-10-09 10:57:323783 醫(yī)療領(lǐng)域與科技發(fā)展一直密切相關(guān)，3D打印開啟了生命通道的另一扇大門，對于智慧醫(yī)療領(lǐng)域更是起到了突破性的發(fā)展。那么在醫(yī)療健康領(lǐng)域，3D打印又發(fā)生了哪些事件呢？
2019-03-08 08:39:171816 國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 紫光集團旗下的長江存儲YMTC是國內(nèi)三大存儲芯片陣營中主修NAND閃存的公司，也是目前進度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會
2019-04-18 16:18:522545 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會積極擴張。
2019-05-16 10:18:143966 長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281753 根據(jù)官網(wǎng)資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725 單元，這樣有利于選擇更先進的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:021788 Xtacking是長江存儲在去年FMS（閃存技術(shù)峰會）首次公開的3D NAND架構(gòu)，榮獲當年“Best of Show”獎項。其獨特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 有關(guān)國產(chǎn)閃存技術(shù)的發(fā)展與突破，相信很多人都在翹首期待，希望我們能夠擁有自己的先進閃存產(chǎn)品，而當長江存儲成功發(fā)展出來3D NAND存儲Xtacking架構(gòu)技術(shù)的時候，我們知道，真正的國產(chǎn)存儲即將出現(xiàn)了！
2019-10-31 11:37:071248 長江存儲打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808 根據(jù)國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495929 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 今日（4月13日），長江存儲重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場SSD等終端產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 09:23:091347 2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:523480 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 長江存儲科技有限責任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標志著國產(chǎn)存儲廠商向世界最先進技術(shù)水準又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:225527 9月9日下午，致鈦科技正式宣布，9月10日14時將舉行線上發(fā)布會，屆時會正式推出致鈦品牌的SSD新品，使用的是長江存儲自己生產(chǎn)的3D閃存。
2020-09-10 10:02:331227 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠將內(nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講，詳細介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內(nèi)的半導體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 長江存儲基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費級固態(tài)品牌致鈦存儲于日前正式與我們見面，并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問題就是關(guān)于致鈦存儲的技術(shù)，而就在近日，長江存儲通過
2020-11-24 09:56:484526 作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者，長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進，引發(fā)普遍關(guān)注，尤其是獨創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu)，最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠將內(nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 層3D NAND；長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進入176層的存儲廠商。不得不說，存儲之戰(zhàn)沒有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 日前，有媒體報道稱，消息人士透露，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓，并準備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片，不過為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量，該計劃有可能會被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875 此前4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。這標志著國內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進入國際先進水平。
2021-01-17 10:19:203430 長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 據(jù)外媒報道，長江存儲去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機，同年11月開始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:252395 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
長江存儲已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊，存儲密度15.47Gb每平方毫米，而且傳輸速度高達2400MT/s，妥妥的世界第一，結(jié)果被美國一直禁令給攔住了，死死限制在128層，但我們肯定不會坐以待斃。
2023-07-20 09:44:313337 
據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標是能夠長時間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:511090 在起訴書中，長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導者，并得到了行業(yè)和第三方機構(gòu)的廣泛認可。長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量，推動了多種電子設(shè)備的創(chuàng)新。
2023-11-13 16:03:051470 長江存儲在以上起訴書中稱，長江存儲不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論：長江存儲是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導者，超過了美光。
2023-11-13 16:53:041658 
長江存儲與美光芯片戰(zhàn)升級。3D NAND閃存制造商長江存儲，已于9日在美國加州北區(qū)地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告，指控美光侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關(guān)的美國專利。
2023-11-13 17:24:511517 世界上首個CMOS over CMOS的3D循序集成(3DSI)，具有先進的金屬線層級，這使得具有中間體BEOL的3DSI更接近商業(yè)化。 這一突破在論文“3D Sequential
2023-12-28 16:14:081427 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
隨著科技的飛速發(fā)展，三維掃描和3D打印技術(shù)已經(jīng)逐漸滲透到醫(yī)療領(lǐng)域的各個環(huán)節(jié)，為臨床診斷、治療和醫(yī)學研究帶來了前所未有的便利。特別是在法醫(yī)學領(lǐng)域，三維掃描和3D打印技術(shù)的應(yīng)用更是為頭骨重建、身份鑒定等
2024-04-19 10:26:111185 
在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 2030年實現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲企業(yè)競相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長，對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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