如今的存儲技術(shù)不像顯示器那樣更迭的十分快，但是這些存儲技術(shù)對于智能手機的流暢體驗至關(guān)重要，在這里我們將內(nèi)存和外存統(tǒng)稱為存儲技術(shù)，這里的存儲技術(shù)是推動高質(zhì)量圖像和視頻以及超高清游戲和機器學(xué)習(xí)的關(guān)鍵?，F(xiàn)階段內(nèi)存的帶寬和容量比以往任何時候都重要。

幸運的是，新的存儲技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)了。這里新的存儲技術(shù)包括LPDDR5 RAM、UFS 3.0以及SD Express存儲卡。這些新的技術(shù)標準比他們的前一代更加迅速，接下來我們將逐一簡述這三個全新的存儲技術(shù)。

RAM作為計算機的重要組成部分在智能手機中也同等重要，現(xiàn)階段智能手機對于內(nèi)存的帶寬要求非常高，因為手機中的CPU、GPU以及AI引擎都在使用同一個內(nèi)存共享池，通常來講，現(xiàn)階段限制游戲以及高分辨率視頻渲染的往往是內(nèi)存和存儲速度。

相對于LPDDR4，全新的LPDDR5大幅度的提高的讀寫速度。LPDDR5的讀寫速度預(yù)計將達到6400Mbps，這是LPDDR4的兩倍，雖然后來重新修訂的LPDDR4和4X的速度能達到4266Mbps，但是仍不及LPDDR5。

根據(jù)集成電路設(shè)計公司Synopsys的說法，LPDDR5引入了全新的WCK時鐘的雙差分時鐘系統(tǒng)，差分時鐘能提高頻率，這樣就無需增加引腳數(shù)量就能實現(xiàn)內(nèi)存頻率的提升。WCK時鐘允許兩個不同的工作點。除了WCK時鐘外，LPDDR5還支持ECC功能，這樣就能允許從傳輸錯誤或者存儲電荷丟失中恢復(fù)數(shù)據(jù)。

除了在性能的提升外，LPDDR5在功率上有明顯的下降，這也對移動設(shè)備有了更好的支持。LPDDR5還支持深度睡眠模式，在空閑狀態(tài)時，LPDDR5電流可以下降40%。除了深度睡眠模式，LPDDR5還支持重復(fù)數(shù)據(jù)模式，這個模式能以低功耗進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取等操作。高性能的同時有效地降低了功率。

不過，現(xiàn)階段并沒有廠商生產(chǎn)出第一款LPDDR5內(nèi)存芯片，此前三星稱正在推進LPDDR5商業(yè)化的進度，并有傳聞稱三星的LPDDR5內(nèi)存芯片將在今年下半年開始生產(chǎn)。這樣看來，我們最快能用上LPDDR5的手機還要等到明年。

隨著技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)階段高速的存儲單元和高速的RAM同等重要，特別是想要讀取超高分辨率的視頻或者加載AR和VR高質(zhì)量的資源時，高速的存儲單元顯得尤為重要。如今UFS正在取代eMMC，成為智能手機中存儲單元的不二之選。JDEC此前已經(jīng)發(fā)布了下一代存儲規(guī)范UFS 3.0。相比于UFS 2.0，UFS 3.0在性能和功耗上都有許多改進。

UFS 3.0相對于UFS 2.0在速度上提高了一倍，UFS 3.0速度最高可以達到23.2Gbps。不過實際速度可能會低于理論值。根據(jù)規(guī)范，UFS 3.0兼容的設(shè)備需要支持HS-G4（11.6Gbps）和HS-G3（5.8Gbps），也就是說，理論上UFS 3.0速度遠高于UFS 2.0。

除了性能上的提升外，UFS 3.0的工作電壓也發(fā)生了變化。目前，規(guī)范中規(guī)定了三種工作電壓分別是1.2V，1.8V和2.5V/3.3V，關(guān)于3.3V的問題，這是因為在2.5V的基礎(chǔ)上，額外引入VCC線，這樣能更好的支持即將推出的更高密度3D NAND閃存。換言之，UFS 3.0旨在支持更大的存儲空間，這些未來都將在制造的產(chǎn)品中體現(xiàn)出來。

目前，還是像LPDDR5一樣，只有三星在著手生產(chǎn)UFS 3.0存儲芯片。未來可能很快將會適配智能手機。這個技術(shù)將會成為明年的主流存儲單元。

存儲卡作為智能手機發(fā)展史上一個重要的擴展產(chǎn)品，存儲卡成為了擴展智能手機多媒體功能的重要介質(zhì)，目前發(fā)展的也是非常迅速。盡管許多手機高端智能手機已經(jīng)不再支持存儲卡，但是存儲卡還是在發(fā)展。最新推出的SD Express標準未來可能會取代microSD卡，盡管現(xiàn)階段UFS存儲卡也有很大的優(yōu)勢。不過，SD Express是現(xiàn)階段速度最快的SD卡標準，并且它支持作為便攜式SSD使用。

SD Express將PCI Express和NVMe接口整合到傳統(tǒng)的SD接口中，PCI Express和NVMe接口作為在電腦上廣泛應(yīng)用的兩種數(shù)據(jù)總線標準，在今天的SD卡上也得到了支持。

使用SD Express意味著支持PCI-E 3.0，也就是講，數(shù)據(jù)的峰值吞吐量可以達到985MB/s，這在以前是無法想象的。這個數(shù)據(jù)比UHS-II microSD卡快三倍。同時，SD Express也支持NVMe v1.3，NVMe作為固態(tài)硬盤的行業(yè)標準接口，在SD Express上應(yīng)用，意味著未來的SD卡能夠像SSD一樣可以安裝系統(tǒng)或者軟件，完全當做移動操作系統(tǒng)使用也是沒有問題的。

除了超快的速度外，未來microSD卡支持的最大容量可以達到128TB，這在以往完全無法想象。SD Express標準目前兼容現(xiàn)有的microSD卡和端口，不過速度上會因為舊接口而受到限制。不過，UHS-II和UHS-III的接口在SD Express上使用，速度會掉會UHS-I，因為UHS-II和UHS-III的針腳和SD Express不同。新卡也會有兼容性的問題。