相較于處理器芯片，存儲(chǔ)性能這些年在智能手機(jī)上的重要性也開(kāi)始逐漸凸顯。據(jù)Android Authority總結(jié)，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存儲(chǔ)卡將會(huì)成為新一輪旗艦智能機(jī)將要占領(lǐng)的技術(shù)之制高點(diǎn)。
2018-07-04 09:03:47
11183 DRAM芯片，中國(guó)存儲(chǔ)廠商進(jìn)軍DRAM行業(yè)的宏偉計(jì)劃可能由此撬動(dòng)。 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)及其野心 據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已為其安徽省合肥市的DRAM項(xiàng)目投資了約1500億元，另外還有約近200億元投入了研發(fā)。該公司最近完成了其Fab 1和R＆D工廠的建設(shè)，目前每月可生產(chǎn)
2019-12-16 17:28:0026019 知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)三大勢(shì)力之一的合肥長(zhǎng)鑫正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，國(guó)內(nèi)企業(yè)在國(guó)際主流存儲(chǔ)器上都取得了重大突破，為推動(dòng)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化掀開(kāi)了重要一頁(yè)。
2018-07-17 10:03:056161 專(zhuān)利的實(shí)施許可。 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明表示：與藍(lán)鉑世達(dá)成的協(xié)議再次表明，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)高度重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)相關(guān)的國(guó)際規(guī)則，持續(xù)強(qiáng)化知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合。公司致力于通過(guò)自主研發(fā)與國(guó)際合作，不斷增加在半導(dǎo)體核心技術(shù)和高價(jià)值知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面的積
2020-04-27 16:14:435261 佰維在LPDDR產(chǎn)品領(lǐng)域起步早、積累深，從LPDDR2代便開(kāi)始積極投入技術(shù)研發(fā)，不斷推陳出新。尤其是公司在2016年推出的LPDDR4存儲(chǔ)芯片，獲得了智能手機(jī)、平板等這些移動(dòng)智能終端市場(chǎng)的熱烈反響，在客戶中積累了良好口碑。
2022-11-16 14:57:411105 ，成為智能穿戴設(shè)備的絕佳選擇。佰維存儲(chǔ)基于前代LPDDR3 ePOP產(chǎn)品的成功經(jīng)驗(yàn)，面向 高端智能手表 推出了 基于LPDDR4X?144球的ePOP存儲(chǔ)芯片 ，方案相較前代產(chǎn)品頻率提升了 128.6% 、體積減少了 32% ，并正式 通過(guò)高通5100平臺(tái)認(rèn)證 。 佰維基于LPDDR4X 1
2023-07-14 16:44:431855 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，深科技主要從事高端存儲(chǔ)芯片的封裝與測(cè)試，產(chǎn)品包括 DRAM 運(yùn)存（DDR4/DDR5）、LPDDR 低功耗運(yùn)存（LPDDR4/LPDDR5）、NAND FLASH 閃存（SSD
2025-10-24 09:13:356361 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶），日前從長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng)查閱到，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已正式發(fā)布LPDDR5/5X內(nèi)存。 ? 據(jù)官網(wǎng)介紹，LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。通過(guò)創(chuàng)新的封裝技術(shù)
2025-10-30 09:12:555305 
都發(fā)布了相關(guān)切換舉措。 ? 瑞芯微 RK3588 適配長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) LPDDR5?系列芯片 ? 由于DDR4、LPDDR4 等前代產(chǎn)品的供應(yīng)鏈緊張態(tài)勢(shì)難以緩解，瑞芯微自 2021 年起便啟動(dòng) LPDDR5/5X 顆粒適配工作，歷經(jīng)近五年技術(shù)沉淀與實(shí)踐驗(yàn)證，已積累豐富的產(chǎn)品化經(jīng)驗(yàn)。瑞芯微表
2025-11-23 07:44:009243 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產(chǎn)品線最新產(chǎn)品。 ? 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最新的DDR5產(chǎn)品是中國(guó)首個(gè)自主研發(fā)的DDR5。該產(chǎn)品系列最高速率達(dá)8000Mbps，最高
2025-11-25 08:27:008146 
理，相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低?！ ?b class="flag-6" style="color: red">DRAM存儲(chǔ)原理 DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來(lái)實(shí)現(xiàn)
2020-12-10 15:49:11
LPDDR5 DRAM芯片有什么性能？LPDDR5 DRAM芯片有哪些新功能？
2021-06-26 07:37:30
LPDDR5和LPDDR4X有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:01:11
LPDDR5代表著什么意思？LPDDR4X又代表著什么意思？LPDDR5和LPDDR4X的區(qū)別在哪里？
2021-06-18 07:07:26
什么是LPDDR5？LPDDR4又是什么？LPDDR5相對(duì)于LPDDR4，性能上又有哪些提升呢？
2021-06-18 08:22:53
中。今天存儲(chǔ)芯片的市值規(guī)模已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于CPU或基帶等任何一個(gè)單一IC種類(lèi)，不幸的是，在新芯紫光沒(méi)有量產(chǎn)之前，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。 拋開(kāi)掉電就丟失數(shù)據(jù)的DRAM SRAM不說(shuō)，市場(chǎng)上主流的掉電
2016-08-16 16:30:57
存儲(chǔ)芯片封裝可以分為哪幾類(lèi)？存儲(chǔ)芯片封裝的作用是什么？什么是固定引腳系統(tǒng)？
2021-06-18 06:56:12
自主研發(fā)和封裝測(cè)試，降低了產(chǎn)品從研到產(chǎn)出的中間差價(jià)和溝通成本，能更大程度滿足客戶需求，使客戶獲得更優(yōu)性價(jià)比，為客制化服務(wù)打下了牢固的根基。豐富的產(chǎn)品線ICMAX旗下產(chǎn)品線分為六大類(lèi)：嵌入式、移動(dòng)存儲(chǔ)、微
2019-07-26 19:41:57
,DDR5 RCD/DB測(cè)試解決方案，DDR5 DRAM測(cè)試解決方案，DDR5誤碼測(cè)試儀，DDR5 DIMM測(cè)試解決方案，DDR5接收機(jī)/發(fā)射機(jī)測(cè)試解決方案
針對(duì)LPDDR5/DDR5提供了高速多通道
2024-08-06 12:03:07
CPU、內(nèi)存和加速器，可能改變內(nèi)存池化、共享的架構(gòu)。
國(guó)產(chǎn)化：中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域（尤其是DRAM和NAND）投入巨大，長(zhǎng)江存儲(chǔ)（NAND）和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（DRAM）是代表，正努力突破技術(shù)和產(chǎn)能瓶頸。
6.
2025-06-24 09:09:39
對(duì)嵌入式存儲(chǔ)LPDDR需求為什么越來(lái)越高？嵌入式存儲(chǔ)芯片LPDDR的應(yīng)用領(lǐng)域主要有哪些？
2021-06-18 09:03:04
數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)芯片之間有什么關(guān)系？存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？
2021-06-18 07:12:26
架構(gòu)與通信方式：LPDDR4x 采用了16n的通信方式(n為數(shù)據(jù)位寬)，而 LPDDR5 則引入了 32n的通信方式，可以提供更高的帶寬和性能。
頻率和時(shí)序：LPDDR5 相對(duì)于 LPDDR4x 有
2024-07-17 10:13:17
我現(xiàn)在在一塊正在研發(fā)的電路板上需要存儲(chǔ)一些數(shù)據(jù)，需要用到存儲(chǔ)芯片，這個(gè)存儲(chǔ)芯片要求是32位的，各位有什么好介紹用哪種型號(hào)的芯片嗎？謝謝！
2018-05-03 14:14:54
LPDDR4X、LPDDR5這些究竟指的是什么意思？它們又有什么區(qū)別？相比較于LPDDR4X，LPDDR5有哪些優(yōu)勢(shì)？
2021-06-18 07:17:28
三星電子推出40納米級(jí)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片
據(jù)韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道，世界著名存儲(chǔ)芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級(jí)32GB DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記
2010-04-07 12:36:051148 而存儲(chǔ)芯片價(jià)格之所以持續(xù)攀升，除了國(guó)外大廠因?yàn)榧夹g(shù)升級(jí)出現(xiàn)意外導(dǎo)致產(chǎn)能吃緊之外，中國(guó)存儲(chǔ)芯片基本依賴進(jìn)口也是存儲(chǔ)芯片大幅漲價(jià)的原因。存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)被少數(shù)國(guó)際大廠壟斷存儲(chǔ)芯片中比較常見(jiàn)的是NAND Flash和DRAM。
2017-04-08 01:13:111664 本文詳細(xì)介紹了八大存儲(chǔ)芯片廠商排名。存儲(chǔ)芯片是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲(chǔ)行業(yè)的具體應(yīng)用，目前存儲(chǔ)芯片在我們的生活中也已經(jīng)得到普遍的運(yùn)用。
2018-04-08 11:52:00115590 ，共同發(fā)力，長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要發(fā)展NAND flash，合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華主要發(fā)展DRAM，三家企業(yè)在去年底實(shí)現(xiàn)了廠房封頂，近期開(kāi)始陸續(xù)搬入機(jī)臺(tái)等生產(chǎn)設(shè)備，按計(jì)劃它們今年下半年將開(kāi)始試產(chǎn)存儲(chǔ)芯片
2018-04-18 09:12:376932 近日于合肥舉辦的“國(guó)家集成電路重大專(zhuān)項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”中，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國(guó)介紹了合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)器項(xiàng)目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成
2018-04-18 13:50:008123 
LPDDR5 存儲(chǔ)器的測(cè)試。市場(chǎng)預(yù)估，在三星推出 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器之后，在 2019 年問(wèn)世的三星 Galaxy S10 智能型手機(jī)要用 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器應(yīng)該也就是在計(jì)劃中了。
2018-07-18 17:56:004088 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲(chǔ)器顆粒，速率可達(dá)6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲(chǔ)器快了50%，同時(shí)功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲(chǔ)器的測(cè)試。
2018-07-20 10:39:445216 國(guó)內(nèi)目前有三大存儲(chǔ)芯片基地，紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)以武漢為基地，主要生產(chǎn)3D NAND閃存，預(yù)計(jì)明年正式投產(chǎn)32層堆棧的64Gb閃存，選擇DRAM內(nèi)存芯片作為重點(diǎn)的有兩大陣營(yíng)，福建晉華集團(tuán)聯(lián)合臺(tái)聯(lián)電在
2018-07-20 17:48:199888 近日，存儲(chǔ)芯片大廠三星正式宣布已開(kāi)始量產(chǎn)96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片。同時(shí)，三星還正式發(fā)布了首款LPDDR5內(nèi)存芯片。可以說(shuō)，三星在存儲(chǔ)領(lǐng)域進(jìn)一步拉開(kāi)了與其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。
2018-07-22 08:52:4711170 
據(jù)國(guó)際電子商情，日前，消息稱(chēng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片，啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0313272 
日前，合肥長(zhǎng)鑫的DRAM正式投片，產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4?？梢哉f(shuō)，近期國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509922 三星宣布成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來(lái)，三星就開(kāi)始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過(guò)渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 近日，存儲(chǔ)芯片大廠三星正式宣布已開(kāi)始量產(chǎn)96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片。同時(shí)，三星還正式發(fā)布了首款LPDDR5內(nèi)存芯片?？梢哉f(shuō)，三星在存儲(chǔ)領(lǐng)域進(jìn)一步拉開(kāi)了與其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。
2018-08-17 14:52:2227792 ICTECH 2018中國(guó)存儲(chǔ)芯片自主研發(fā)技術(shù)交流峰會(huì)是由南通國(guó)家高新區(qū)和江蘇華存電子科技有限公司主辦，IC咖啡承辦。本次研討會(huì)旨在討論集成電路國(guó)產(chǎn)化的現(xiàn)狀與發(fā)展，存儲(chǔ)芯片自主研發(fā)的技術(shù)瓶頸與突破，及存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)國(guó)造安全可靠的未來(lái)前景。
2018-11-22 14:42:076727 7月16號(hào)，中國(guó)DRAM代表廠商合肥長(zhǎng)鑫召開(kāi)存儲(chǔ)器項(xiàng)目首次投片總結(jié)大會(huì)，在會(huì)上傳出消息，合肥長(zhǎng)鑫即將進(jìn)行8GB LPDDR4的投片，成為中國(guó)第一家邁向高端存儲(chǔ)投片階段的存儲(chǔ)器廠商。中國(guó)市場(chǎng)的存儲(chǔ)
2018-11-29 16:51:0518310 從福建晉華被美國(guó)宣布列為禁止出口的制裁名單后，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展氣氛轉(zhuǎn)為低調(diào)，業(yè)界更擔(dān)心另一家 DRAM 自主研發(fā)大廠合肥長(zhǎng)鑫會(huì)踩到前人地雷，然合肥長(zhǎng)鑫首席執(zhí)行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:389805 日前，據(jù)消息人士稱(chēng)，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為減少美國(guó)制裁威脅，已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 10:46:2819830 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 15:54:363777 作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專(zhuān)利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00832 在早前長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布它已研發(fā)出64層NAND flash芯片之后，近日合肥長(zhǎng)鑫也宣布已解決DRAM芯片的技術(shù)難題并已進(jìn)入小規(guī)模生產(chǎn)，這意味著困擾中國(guó)制造業(yè)的芯片產(chǎn)業(yè)取得了重大突破，這為中國(guó)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)提供有力的支持。
2019-08-30 14:08:09981 日韓作為存儲(chǔ)芯片的主要玩家，其產(chǎn)品幾乎壟斷了全球主流的市場(chǎng)。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)對(duì)存儲(chǔ)芯片的重視，也誕生了諸如江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華等影響力很大的企業(yè)。
2019-09-12 17:32:4812390 昨日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專(zhuān)利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:078443 在深圳舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講。
2019-09-20 16:52:564030 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體又有一家公司強(qiáng)勢(shì)崛起，這就是長(zhǎng)鑫。就在昨天的世界制造業(yè)大會(huì)上，投資1500億的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，一起亮相的還有與國(guó)際主流同步的10nm第一代8Gb DDR4。
2019-09-22 11:16:044280 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布，就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM內(nèi)存專(zhuān)利，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專(zhuān)利許可協(xié)議和專(zhuān)利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-06 09:35:501187 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布，就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM內(nèi)存專(zhuān)利，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專(zhuān)利許可協(xié)議和專(zhuān)利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-06 09:37:453817 12 月 5 日訊，在近日召開(kāi)的 2019 世界制造業(yè)大會(huì)上，總投資約 1500 億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，其與國(guó)際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 10 納米級(jí)第一代 8Gb DDR4 首度亮相，一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月 12 萬(wàn)片晶圓。
2019-12-06 10:53:102508 近日，據(jù)外媒報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式宣布其成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應(yīng)商。
2019-12-09 16:18:527140 近日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布，就原動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM專(zhuān)利，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專(zhuān)利許可協(xié)議和專(zhuān)利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-10 15:20:393829 12 月 10 日訊，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲得工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告，將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代 10nm 工藝級(jí) 8Gb DDR4 內(nèi)存芯片。標(biāo)志著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家 DRAM 供應(yīng)商。
2019-12-10 16:01:532748 據(jù)消息人士透露，位于合肥的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公司（CXMT）正在LPDDR4X低功耗內(nèi)存的研發(fā)上取得進(jìn)展，它將吸引國(guó)產(chǎn)二線品牌在手機(jī)上采用。
2019-12-27 15:45:114563 這其中其實(shí)也有小故事，由于LPDDR5初期成本比較貴，所以小米原本計(jì)劃只在小米10高配上采用。但是后來(lái)經(jīng)過(guò)反復(fù)討論，小米認(rèn)為LPDDR5對(duì)手機(jī)性能提升非常明顯，所以最終還是決定要讓所有小米10用戶
2020-03-04 14:35:002172 2 月 27 日訊，日前，國(guó)產(chǎn)芯片代表企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方正式上線 DRAM 產(chǎn)品，包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 內(nèi)存條、2GB/4GB LPDDR4X 產(chǎn)品，均符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
2020-02-28 14:23:352530 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology， Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）宣布，開(kāi)始出樣業(yè)界首款同時(shí)搭載低功耗 DDR5 （LPDDR5） DRAM
2020-03-11 16:51:253897 存儲(chǔ)器大廠美光（Micron Technology）于11日宣布，業(yè)界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存（UFS）多芯片封裝（uMCP）正式送樣。新款UFS多芯片封裝（uMCP5）是基于美光在多芯片規(guī)格尺寸創(chuàng)新及領(lǐng)導(dǎo)地位所打造。
2020-03-12 11:06:324480 據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片，這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)，意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4514823 江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存，核心DRAM均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒，這標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)在質(zhì)量上開(kāi)始參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
2020-05-15 14:18:153534 存儲(chǔ)芯片是未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等新興領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵元件，因此存儲(chǔ)芯片的自主可控對(duì)我國(guó)新一輪信息化進(jìn)程的推進(jìn)具有十分重要的戰(zhàn)略意義。中國(guó)作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，長(zhǎng)期以來(lái)都是存儲(chǔ)器產(chǎn)品最大的需求市場(chǎng)，但是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片的自制率較低，國(guó)產(chǎn)替代的空間十分廣闊。
2020-06-15 17:39:0310613 
存儲(chǔ)芯片不能自主研制生產(chǎn)的歷史。同時(shí)，這也讓中國(guó)與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi)。
除了紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)外，合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華也扛起了存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化的大旗。去年9月，合肥長(zhǎng)鑫
2020-11-03 12:27:323601 
北京時(shí)間10月27日消息，內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布量產(chǎn)業(yè)界首款基于低功耗DDR5（LPDDR5）DRAM的通用閃存存儲(chǔ)（UFS）多芯片封裝產(chǎn)品
2020-10-27 15:17:473518 的非易失性存儲(chǔ)器類(lèi)型（PCM和MRAM）將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位。 傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片到達(dá)技術(shù)節(jié)點(diǎn) 存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如今形成了DRAM芯片、NADA Flash芯片、特殊存儲(chǔ)器三個(gè)相對(duì)獨(dú)立的市場(chǎng)。 然而，隨著摩爾定律的延伸，技術(shù)需求也越來(lái)越高，傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片
2020-12-06 06:57:004266 ? DRAM廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)完成156億元融資，內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日，工商信息顯示，大基金二期、安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明實(shí)控企業(yè)、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等機(jī)構(gòu)入股長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
2020-12-25 17:49:106588 ? 國(guó)產(chǎn)DRAM廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)母公司睿力集成電路有限公司已成功完成156.5億元的增資，國(guó)產(chǎn)DRAM發(fā)展再獲強(qiáng)勁助力。 ? 根據(jù)天眼查資料顯示，12月14日，國(guó)產(chǎn)DRAM廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)母公司發(fā)生工商信息
2021-01-08 10:36:427501 2020年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)現(xiàn)狀情況分析全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展至今可分為萌芽期、初步發(fā)展期、快速發(fā)展期三個(gè)階段。1）萌芽期：在此階段，各大企業(yè)都在積極研發(fā)RAM，且DRAM研究進(jìn)展比ROM快，行業(yè)實(shí)現(xiàn)了
2021-01-27 14:16:5117324 
2021年6月10日，今年2月，美光宣布已開(kāi)始出樣業(yè)內(nèi)首款車(chē)用低功耗 DDR5 DRAM （LPDDR5） 內(nèi)存。該款內(nèi)存經(jīng)過(guò)硬件評(píng)估，滿足最高級(jí)別的汽車(chē)安全完整性等級(jí) （ASIL） 標(biāo)準(zhǔn)，即
2021-06-23 14:39:0610715 相比，全新uMCP還利用了最快的 UFS 3.1 存儲(chǔ)芯片，連續(xù)讀取性能翻了一番，下載速度提高了 20%。三星的uMCP芯片這次將LPDDR5 DRAM和UFS 3.1
2021-06-23 14:55:093005 日前，甲子光年舉辦的“2022科技產(chǎn)業(yè)投資峰會(huì)”長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)從事DRAM芯片設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售領(lǐng)軍企業(yè)，是唯一實(shí)現(xiàn)
2022-08-04 16:23:143700 
存儲(chǔ)芯片是指集成電路中用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的芯片，它可以存儲(chǔ)數(shù)字信號(hào)，包括二進(jìn)制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲(chǔ)芯片廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、音響、電視等。存儲(chǔ)芯片是電子信息技術(shù)中的重要組成部分，它直接影響著電子產(chǎn)品的性能和功能。
2023-06-02 09:24:1518576 存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類(lèi)產(chǎn)品，我們?nèi)粘Ｋ械碾娮釉O(shè)備基本都會(huì)用到存儲(chǔ)器。據(jù)WSTS預(yù)測(cè)，2023年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1675億美元，占比約30%；其中中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)空間巨大，預(yù)計(jì)2023年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到6492億元(約942億美元)，約占全球市場(chǎng)的55.8%。
2023-07-07 10:27:2618744 
能力的優(yōu)化，同時(shí)也為設(shè)備提供了更好的性能。雖然這兩種方法很相似，但它們之間還存在一些區(qū)別。下面將詳細(xì)討論LPDDR4X和LPDDR5之間的區(qū)別，以及它們?nèi)绾斡绊懺O(shè)備的性能和使用情況。 1. 存儲(chǔ)速度和容量 LPDDR4X的最大存儲(chǔ)容量為16GB，而LPDDR5的最大容量為32GB。這意味著使
2023-08-21 17:28:278802 數(shù)據(jù)。佰維存儲(chǔ)依托自身的存儲(chǔ)解決方案研發(fā)、先進(jìn)封測(cè)等優(yōu)勢(shì)，推出了基于LPDDR5和LPDDR4X的uMCP集成式存儲(chǔ)芯片，產(chǎn)品兼顧高性能、大容量、小尺寸等特點(diǎn)，能夠滿足手機(jī)不斷增長(zhǎng)的性能和容量等需求?！?? 佰維基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存
2023-10-11 11:33:341121 
數(shù)據(jù)。佰維存儲(chǔ)依托自身的存儲(chǔ)解決方案研發(fā)、先進(jìn)封測(cè)等優(yōu)勢(shì)，推出了基于LPDDR5和LPDDR4X的uMCP集成式存儲(chǔ)芯片，產(chǎn)品兼顧高性能、大容量、小尺寸等特點(diǎn)，能夠滿足手機(jī)不斷增長(zhǎng)的性能和容量等需求?！?佰維基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存儲(chǔ)芯片，
2023-10-11 16:15:021427 
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國(guó)主流手機(jī)制造商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成了驗(yàn)證。lpddr5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)針對(duì)中高端移動(dòng)機(jī)器市場(chǎng)推出的產(chǎn)品，市場(chǎng)化將進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的dram半導(dǎo)體產(chǎn)品配置。
2023-11-29 09:31:102769 相比上一代LPDDR4，長(zhǎng)鑫的LPDDR5單顆芯片容量和速率都提升了50%，達(dá)到12Gb和6400Mbps，并且功耗降低了30%。從產(chǎn)品應(yīng)用和市場(chǎng)角度來(lái)看，LPDDR5芯片能夠?yàn)橐苿?dòng)電子設(shè)備帶來(lái)更快的速度和更低的功耗。
2023-11-29 17:34:162398 與上一代LPDDR4X相比，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)到12Gb和6400Mbps，同時(shí)功耗降低30%。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5芯片加入了RAS功能，通過(guò)內(nèi)置糾錯(cuò)碼（On-die ECC）等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)糾錯(cuò)，減少系統(tǒng)故障，確保數(shù)據(jù)安全，增強(qiáng)穩(wěn)定性。
2023-11-30 17:39:062775 
資料顯示，LPDDR是低功耗的DRAM存儲(chǔ)器，由DDR內(nèi)存演化而來(lái)。LPDDR的架構(gòu)和接口針對(duì)低功耗應(yīng)用進(jìn)行了專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工作電壓更低和支持多種低功耗運(yùn)行狀態(tài)。
2023-12-01 10:44:121324 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最近在其官網(wǎng)上宣布，已研發(fā)出中國(guó)首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5及DSC封裝的6GB LPDDR5等一系列
2023-12-03 11:30:001854 
LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)到12Gb和6400Mbps，同時(shí)功耗降低30%。
2023-12-06 16:30:422940 LPDDR5芯片目前已在國(guó)內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。LPDDR5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推出的產(chǎn)品，它的市場(chǎng)化落地將進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片的產(chǎn)品布局。 其中，12GB
2023-12-13 11:12:081383 從存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)表現(xiàn)來(lái)看，兩大類(lèi)別DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）目前的價(jià)格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32926 和DDR5的主要特點(diǎn)。LPDDR5是為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它具有低功耗的特點(diǎn)，能夠提供高帶寬和大容量的存儲(chǔ)。而DDR5是桌面和服務(wù)器領(lǐng)域的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它更注重性能和可靠性。 在時(shí)序方面，LPDDR5的時(shí)序比DDR5慢。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">LPDDR5的主要目標(biāo)是降低功耗，因此它采用
2024-01-04 10:22:067773 DRAM、NAND Flash、NOR Flash合計(jì)約占整體存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的97%;自2022年初起，下游需求市場(chǎng)的萎縮以及宏觀環(huán)境進(jìn)一步惡化導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)不斷承壓，存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)下滑
2024-01-14 09:47:104064 
近日，佰維存儲(chǔ)重磅推出了工規(guī)級(jí)寬溫LPDDR4X嵌入式存儲(chǔ)芯片。這款芯片憑借其出色的性能，傳輸速率飆升至4266Mbps，同時(shí)容量靈活多變，從2GB到8GB均可選擇。令人矚目的是，它能在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)行，適應(yīng)-40℃至95℃的寬廣溫度范圍。
2024-05-06 15:47:251222 在工業(yè)領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)的背景下，佰維存儲(chǔ)近日重磅推出了其全新的工規(guī)級(jí)寬溫LPDDR4X嵌入式存儲(chǔ)芯片。這款芯片以其卓越的性能和廣泛的適用性，再次刷新了工業(yè)存儲(chǔ)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)。
2024-05-11 14:34:241673 存儲(chǔ)芯片，又稱(chēng)為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，是以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(pán)等領(lǐng)域。按照不同的分類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)，存儲(chǔ)芯片可以分為多種類(lèi)型。以下是對(duì)存儲(chǔ)芯片主要類(lèi)型的詳細(xì)介紹。
2024-07-24 16:40:209996 貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車(chē)規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商，現(xiàn)已成為紫光國(guó)芯存儲(chǔ)芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵時(shí)期，這一合作為推動(dòng)DRAM等關(guān)鍵器件的國(guó)產(chǎn)替代開(kāi)辟了新的渠道。紫光國(guó)芯在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域
2025-06-13 15:41:271298 
? 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官宣發(fā)布LPDDR5X 據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方網(wǎng)站信息更新，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已正式推出LPDDR5X產(chǎn)品，最高速率達(dá)到10667Mbps。據(jù)官網(wǎng)產(chǎn)品信息介紹，“LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍
2025-10-30 09:53:28937 據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（CXMT）公布了最新的DRAM技術(shù)路線圖，從其路線規(guī)劃來(lái)看，其研發(fā)的產(chǎn)品線包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6， 雖然未公布具體時(shí)間節(jié)點(diǎn)
2019-12-03 18:18:1323542 價(jià)格一路走跌， 2019 年底稍有回暖跡象。 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在剛剛過(guò)去的 2019 年成長(zhǎng)顯著，兆易創(chuàng)新受益于 TWS 業(yè)績(jī)一路攀升，長(zhǎng)江存儲(chǔ) 64 層 256 Gb 3D NAND 量產(chǎn)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 10
2020-01-06 08:30:0026713
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