描述
NP50P03D6采用先進的溝槽技術(shù)
提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適合使用
作為負載開關(guān)或PWM應(yīng)用。
一般特征
?VDS = -30v, id = -50a
RDS(上)(Typ) = 5.8Ω@VGS = -10 v
RDS(上)(Typ) = 9.9Ω@VGS = -4.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
?150℃的工作溫度
?100% ui測試
應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
? Load 開關(guān)
?不間斷電源
包
?PDFN5 * 6-8L-A

訂購信息

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

熱特性

答:R qJA是用設(shè)備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測量的。銅,在靜止的空氣環(huán)境中
T = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計。目前的評級是基于
t≤10s熱阻額定值。
B: R qJA是從結(jié)到引線R qJL和引線到環(huán)境的熱阻抗之和。
審核編輯 黃昊宇
-
單片機
+關(guān)注
關(guān)注
6074文章
45351瀏覽量
664046 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
9453瀏覽量
229867
發(fā)布評論請先 登錄
選型手冊:VS3540AC P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:VS3510AE P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:VS3508AP P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:VS3508AP-K P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
探索NTMFS005P03P8Z:高性能P溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)
選型手冊:VS3510AP P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
選型手冊:MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:MOT3650J N+P 增強型 MOSFET 晶體管
選型手冊:MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NP50P03D6 30V p通道增強模式MOSFET
評論