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安建半導(dǎo)體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

JSAB安建科技 ? 來源:JSAB安建科技 ? 2024-01-20 17:54 ? 次閱讀
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產(chǎn)品介紹

安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通過獨特設(shè)計確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性,在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片,產(chǎn)能充裕,供應(yīng)穩(wěn)定,性價比高。

產(chǎn)品特點

● 開關(guān)速度快

●柵極電荷低

● 雪崩耐量高

● 短路能力強

● 可靠性高

應(yīng)用領(lǐng)域

● 電動汽車

● 太陽能逆變器

● 儲能系統(tǒng)

● 不間斷電源

產(chǎn)品性能

安建半導(dǎo)體對此款自研SiC MOSFET產(chǎn)品做了動靜態(tài)、短路、雪崩耐量(UIS),可靠性等測試,性能參數(shù)與國際競品相當(dāng)。雪崩耐量為國際知名品牌同規(guī)格產(chǎn)品的200%,在短路時間3us下可安全關(guān)斷800A電流。此外,該款芯片已通過1000h可靠性考核。

靜態(tài)輸出特性:

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開關(guān)波形:

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UIS波形:

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安建半導(dǎo)體1200V-17mΩ SiC MOSFET具備如下優(yōu)異性能:

● 通過設(shè)計上的優(yōu)化,確保具有穩(wěn)定的擊穿特性,增強UIS能力。

● 在短路時間3us下安全關(guān)斷800A電流。

● 已通過國際最高標(biāo)準(zhǔn)的1000小時HTRB、HTGB、HV-H3TRB等可靠性考核。

安建半導(dǎo)體即將推出兼容國際一線品牌封裝的SiC模塊,敬請期待!

安建半導(dǎo)體致力于為客戶提供國際一流、國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件,如需樣品,歡迎與我們聯(lián)系。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:新品推介-安建半導(dǎo)體SiC MOSFET

文章出處:【微信號:gh_73c5d0a32d64,微信公眾號:JSAB安建科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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