韓國《朝鮮日報》報道，盡管英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛已開始測試三星的HBM3E，但尚未正式采用。實際上，SK海力士仍然在該領(lǐng)域獨占鰲頭。

報道透露，黃仁勛曾在英偉達的年度會議“GTC 2024”上，巡視各參展廠商。當他查看三星電子的HBM3E展覽時，親筆寫下了“Jensen Approved”的字樣。對此，三星電子美洲區(qū)副總裁金滿漢在領(lǐng)英平臺上傳了一渲染圖，配文表示：“黃仁勛親自批準三星電子的HBM3E。”

然而，就在前一日，面對記者關(guān)于三星電子HBM的提問，黃仁勛回答：“我們尚未啟用，正進行資格認證?！?/p>

現(xiàn)如今，SK海力士為英偉達AI半導體提供主要HBM產(chǎn)品，同時自去年起，美光公司也加入了該供應(yīng)陣營。據(jù)悉，相比其他競爭對手，三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了一年有余。

針對此事，一名半導體行業(yè)觀察人士提出：“英偉達采用HBM3E或許意在激勵制造商們的積極性。這個變化背后的意義撲朔迷離，但顯然，多家供應(yīng)商將展開激烈角逐。”

對比三星電子與SK海力士在HBM市場競爭力，根據(jù)ChosunBiz的統(tǒng)計顯示：盡管兩者共同占領(lǐng)了該市場，但SK海力士以近90%的市場份額領(lǐng)跑于高端第四代HBM（HBM3）市場（依據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)）。

值得注意的是，HMB的平均售價是DDR4DRAM的五倍之多。因此，隨著SK海力士于去年第四季度在全球半導體存儲市場重新盈利，HBM功不可沒。

在HBM市場方面，雙方的競爭焦點集中在第三代HBM（HBM2E）。尤其是SK海力士搶先引進了TSV制程中具有技術(shù)難度的Mass Reflow Molded Underfill（MR- MUF）技術(shù)。此項技術(shù)不僅避免了堆疊芯片間的直接接觸，提高了系統(tǒng)效率，而且還改善了芯片散熱性能，使SK海力士在這一領(lǐng)域更具優(yōu)勢。