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LM7481-Q1系列 具有主動整流驅(qū)動 B2B NFET 的汽車級理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-09 09:12 ? 次閱讀

LM74810-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 驅(qū)動第一個 MOSFET,以取代肖特基二極管,用于反向輸入保護和輸出電壓保持。3.8mA 的強電荷泵具有 60mA 峰值 GATE 源電流驅(qū)動級和短導(dǎo)通和關(guān)斷延遲時間,可確??焖偎矐B(tài)響應(yīng),確保在 ISO16750 或 LV124 等汽車測試期間實現(xiàn)穩(wěn)健高效的 MOSFET 開關(guān)性能,其中 ECU 會受到輸入短時中斷和高達 200KHz 頻率的交流疊加輸入信號的影響。該器件在電源路徑中具有第二個 MOSFET,允許使用 HGATE 控制進行負載斷開(ON/OFF 控制)和過壓保護。該器件具有可調(diào)節(jié)的過壓截止保護功能,用于負載突降保護。
*附件:lm7481-q1.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應(yīng)用
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 低至 –65 V 的反向輸入保護
  • 驅(qū)動外部背靠背 N 溝道 MOSFET
  • 具有 9.1mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)的理想二極管作
  • 低反向檢測閾值 (–4 mV),具有快速響應(yīng) (0.5 μs)
  • 高達 200KHz 的有源整流
  • 60mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
  • 集成 3.8mA 電荷泵
  • 可調(diào)過壓保護
  • 2.87 μA 低關(guān)斷電流 (EN/UVLO=低)
  • 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
  • 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
  • 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝

參數(shù)

image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:LM7481-Q1 Ideal Diode Controller
  • ?應(yīng)用領(lǐng)域?:主要用于汽車應(yīng)用,如電池保護、ADAS域控制器、頭單元和高級音頻系統(tǒng)等。
  • ?特點?:AEC-Q100認證、寬輸入電壓范圍(3V至65V)、反向輸入保護、理想二極管操作、低反向檢測閾值、快速響應(yīng)、主動整流、過壓保護等。

2. 功能描述

  • ?理想二極管控制?:通過驅(qū)動外部背靠背N溝道MOSFET來模擬理想二極管整流器,實現(xiàn)電源路徑的ON/OFF控制和過壓保護。
  • ?電荷泵?:集成3.8mA電荷泵,提供驅(qū)動外部MOSFET所需的電壓。
  • ?雙門控?:具有DGATE和HGATE兩個獨立的門控輸出,分別用于控制理想二極管階段和負載斷開開關(guān)階段。
  • ?過壓保護?:通過調(diào)整過壓閾值實現(xiàn)負載保護,防止過壓損壞。

3. 技術(shù)規(guī)格

  • ?輸入電壓范圍?:3V至65V
  • ?工作溫度范圍?:-40°C至+125°C
  • ?最大漏電流?:在反向電壓下,漏電流為19μA(典型值)
  • ?電荷泵電流?:3.8mA(典型值)
  • ?DGATE峰值源電流?:60mA
  • ?HGATE峰值漏電流?:260mA

4. 應(yīng)用電路

  • ?典型應(yīng)用?:包括12V反向電池保護、冗余電源ORing、過壓保護和電源路徑ON/OFF控制等。
  • ?設(shè)計考慮?:如MOSFET選擇、電荷泵電容計算、輸入輸出電容、保持電容、過壓保護和電池監(jiān)測電阻計算等。

5. 布局指導(dǎo)

  • ?布局建議?:理想二極管階段的A、DGATE和C引腳應(yīng)靠近MOSFET的源極、柵極和漏極引腳;負載斷開階段的HGATE和OUT引腳應(yīng)靠近MOSFET的柵極和源極引腳;高電流路徑應(yīng)使用短而粗的走線以最小化電阻損失。

6. 封裝信息

  • ?封裝類型?:12引腳WSON封裝,尺寸為3.0mm x 3.0mm。
  • ?環(huán)境信息?:符合RoHS標準,峰值回流溫度為260°C。

7. 文檔支持

  • ?文檔更新通知?:用戶可以通過TI的官方網(wǎng)站訂閱更新通知,以獲取最新的產(chǎn)品文檔。
  • ?支持資源?:TI提供E2E支持論壇,用戶可以在其中搜索現(xiàn)有答案或提出自己的問題。

8. 注意事項

  • ?靜電放電(ESD)警告?:處理集成電路時應(yīng)采取適當?shù)念A(yù)防措施,以防止ESD損壞。
  • ?布局禁忌?:不要將裸露的熱墊(RTN)連接到GND平面,否則將禁用反向極性保護功能。

9. 安全與合規(guī)

  • ?安全信息?:用戶應(yīng)負責選擇合適的TI產(chǎn)品,設(shè)計、驗證和測試其應(yīng)用,并確保其應(yīng)用符合適用的標準和其他安全、監(jiān)管要求。
  • ?責任聲明?:TI對其提供的技術(shù)和可靠性數(shù)據(jù)、設(shè)計資源等不承擔任何明示或暗示的保證,包括適銷性、特定用途適用性或非侵權(quán)性的暗示保證。

這份文件詳細描述了LM7481-Q1理想二極管控制器的功能、技術(shù)規(guī)格、應(yīng)用電路、布局指導(dǎo)、封裝信息、文檔支持、注意事項以及安全與合規(guī)要求,為用戶提供了全面的產(chǎn)品信息和設(shè)計指導(dǎo)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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