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ADC3581 技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-30 09:39 ? 次閱讀
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ADC358x 是一款低噪聲、超低功耗 18 位 65 MSPS 高速 ADC 系列。它專為低噪聲性能而設(shè)計(jì),可提供 -160 dBFS/Hz 的噪聲頻譜密度以及出色的線性度和動(dòng)態(tài)范圍。ADC358x 提供非常好的直流精度以及 IF 采樣支持,使其適用于廣泛的應(yīng)用。高速控制環(huán)路受益于低至1個(gè)時(shí)鐘周期的短延遲。ADC在65 Msps時(shí)僅消耗119 mW,其功耗在較低采樣率下可很好地?cái)U(kuò)展。
*附件:adc3581.pdf

ADC358x 使用串行 LVDS (SLVDS) 接口輸出數(shù)據(jù),從而最大限度地減少數(shù)字互連的數(shù)量。該設(shè)備支持單通道和雙通道選項(xiàng)。ADC358x 是一個(gè)引腳對引腳兼容系列,具有不同的速度等級。它采用 40 引腳 QFN 封裝 (5 x 5 mm),支持 -40 至 +105?C 的擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍。

特性

  • 18 位 10/25/65 MSPS ADC
  • 本底噪聲:-160 dBFS/Hz
  • 超低功耗,優(yōu)化功率縮放:77 mW (10 MSPS) 至 119 mW (65 MSPS)
  • 延遲:1個(gè)時(shí)鐘周期(1線SLVDS)
  • 指定的 18 位,無缺失代碼
  • INL/DNL:±7/ ±0.7 LSB(典型值)
  • 參考:外部或內(nèi)部
  • 輸入帶寬:900 MHz (3dB)
  • 工業(yè)溫度范圍:-40 至 +105°C
  • 片上數(shù)字濾波器(可選)
    • 抽取 2、4、8、16、32
    • 32 位 NCO
  • 串行LVDS數(shù)字接口(2線、1線和1/2線)
  • 小尺寸:40-WQFN (5x5 mm) 封裝
  • 光譜性能 (f = 1 MHz):
    • 信噪比:84.5 dBFS
    • SFDR:95 dBc HD2、HD3
    • SFDR:100 dBFS 最差支線
  • 光譜性能 (f = 20 兆赫):
    • 信噪比:83.5 dBFS
    • SFDR:90 dBc HD2、HD3
    • SFDR:95 dBFS 最差支線

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

一、產(chǎn)品定位與核心屬性

ADC3581 是德州儀器 ADC358x 系列中的 18 位高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),專為高精度、低噪聲場景設(shè)計(jì),采樣速率固定為 10 MSPS,采用 40 引腳 WQFN(5mm×5mm)封裝,支持 - 40°C 至 + 105°C 工業(yè)級溫度范圍。其核心優(yōu)勢在于 18 位高分辨率與低噪聲特性(噪聲基底 - 151.5 dBFS/Hz)的結(jié)合,同時(shí)兼顧低功耗(1 線 SLVDS 接口下典型功耗 77 mW),適用于高速數(shù)據(jù)采集、工業(yè)監(jiān)測、精密儀器儀表等對信號(hào)精度要求嚴(yán)苛的場景,且與同系列 ADC3582(25 MSPS)、ADC3583(65 MSPS)引腳兼容,便于方案靈活選型。

二、關(guān)鍵性能參數(shù)

1. 精度與線性度

  • 分辨率與完整性 :18 位無缺失碼,確保全量程信號(hào)轉(zhuǎn)換無遺漏,支持 14/16/18/20 位輸出分辨率調(diào)整(14/16 位時(shí)截?cái)?LSB,20 位時(shí)補(bǔ) 0)。
  • 線性誤差 :微分非線性(DNL)典型值 ±0.7 LSB、最大值 ±0.9 LSB,積分非線性(INL)典型值 ±7 LSB、最大值 ±16 LSB,有效降低信號(hào)失真。
  • 直流特性 :偏移誤差(VOS_ERR)典型值 ±10 LSB、最大值 ±410 LSB,偏移漂移(VOS_DRIFT)-0.01 LSB/°C;增益誤差(GAIN_ERR)外接 1.6V 參考時(shí)典型值 0.44% FSR,內(nèi)置參考時(shí) - 1.2% FSR,增益漂移(GAIN_DRIFT)外接參考時(shí) 0.9 ppm/°C,溫漂特性優(yōu)異,保障寬溫環(huán)境下精度穩(wěn)定。

2. 動(dòng)態(tài)性能(典型值,外接 1.6V 參考,-1 dBFS 差分輸入)

  • 信噪比(SNR) :1.1 MHz 輸入時(shí) 84.6 dBFS,4.9 MHz 輸入時(shí) 83.9 dBFS(最大值),9.9 MHz 輸入時(shí) 82.9 dBFS,高頻場景下仍保持高信號(hào)純凈度。
  • 無雜散動(dòng)態(tài)范圍(SFDR) :1.1 MHz 輸入時(shí) 87 dBc,4.9 MHz 輸入時(shí) 89 dBc(最大值),9.9 MHz 輸入時(shí) 87 dBc,有效抑制雜散干擾。
  • 總諧波失真(THD) :1.1 MHz 輸入時(shí) 86 dBc,4.9 MHz 輸入時(shí) 90 dBc(最大值),9.9 MHz 輸入時(shí) 89 dBc,低失真特性適配高精度信號(hào)采集。
  • 噪聲譜密度(NSD :1.1 MHz 輸入、-20 dBFS 時(shí) - 151.5 dBFS/Hz,為微弱信號(hào)檢測提供基礎(chǔ)。

3. 功耗與接口特性

  • 功耗模擬電源電流(I_AVDD)典型值 18 mA、最大值 27 mA;1 線 SLVDS 接口下 I/O 電源電流(I_IOVDD)典型值 25 mA、最大值 43 mA,1/2 擺幅模式下可降至 19 mA,2 線模式下 29 mA,功耗靈活可控。
  • 延遲 :1 線 / 1/2 線 SLVDS 接口僅 1 個(gè)時(shí)鐘周期,適配高速控制環(huán)路。
  • 輸入帶寬 :3 dB 帶寬 900 MHz,支持中頻(IF)采樣,無需額外降頻電路。

三、硬件設(shè)計(jì)關(guān)鍵信息

1. 引腳功能與配置

  • 模擬輸入 :AINP(引腳 12,正端)、AINM(引腳 13,負(fù)端)為差分輸入,共模電壓(VCM,引腳 8)固定 0.95 V(典型值),輸入阻抗 8 kΩ(100 kHz 時(shí))、電容 7 pF(100 kHz 時(shí)),滿量程輸入 3.2 Vpp(差分),需匹配驅(qū)動(dòng)電路輸出范圍。
  • 電源引腳 :AVDD(引腳 5、15、36)為模擬 1.8 V 電源,IOVDD(引腳 21、30)為數(shù)字接口 1.8 V 電源,需獨(dú)立供電避免數(shù)字噪聲耦合至模擬電路;GND(含底部散熱焊盤)與 IOGND(引腳 26)需單點(diǎn)連接,降低接地噪聲。
  • 控制與通信引腳
    • PDN/SYNC(引腳 1):高有效,可配置為電源關(guān)斷或同步功能,內(nèi)置 21 kΩ 下拉電阻。
    • RESET(引腳 9):硬件復(fù)位,高有效,內(nèi)置 21 kΩ 下拉電阻。
    • SPI 接口:SEN(引腳 16,片選,低有效,內(nèi)置 21 kΩ 上拉至 AVDD)、SCLK(引腳 35,時(shí)鐘,內(nèi)置 21 kΩ 下拉)、SDIO(引腳 10,數(shù)據(jù) I/O,內(nèi)置 21 kΩ 下拉),支持 20 MHz 最高時(shí)鐘頻率,24 位數(shù)據(jù)讀寫(16 位地址 + 8 位數(shù)據(jù))。

2. 參考電壓與時(shí)鐘設(shè)計(jì)

  • 參考電壓選項(xiàng)
    • 外接 1.6 V 參考:直接接入 VREF(引腳 2),需搭配 10 μF+0.1 μF 旁路電容,負(fù)載電流約 1 mA。
    • 外接 1.2 V 參考:接入 REFBUF(引腳 4),通過內(nèi)部增益緩沖生成 1.6 V 參考,負(fù)載電流 < 100 μA,需在 REFBUF 與 REFGND(引腳 3)間加 10 μF+0.1 μF 旁路電容。
    • 內(nèi)置參考:生成 1.6 V 參考,輸出阻抗 8 Ω,額外消耗 3 mA 模擬電流,適合對成本敏感、精度要求中等的場景。
  • 時(shí)鐘輸入 :支持差分(CLKP 引腳 6、CLKM 引腳 7)與單端輸入,差分模式可 AC 耦合(內(nèi)部自偏置),單端模式需 DC 耦合至 0.9 V 中心電壓,且未使用端需 AC 接地;時(shí)鐘占空比推薦 40%-60%,高擺率時(shí)鐘可降低孔徑抖動(dòng)(典型值 180 fs)。

3. 數(shù)字接口與數(shù)據(jù)處理

  • SLVDS 接口 :支持 2 線、1 線、1/2 線模式,1 線模式下數(shù)據(jù)速率 180 MBPS(10 MSPS 時(shí)),2 線模式下 90 MBPS/lane,需外部輸入 DCLKIN 時(shí)鐘(差分,V_ID 200-650 mVpp),且與采樣時(shí)鐘頻率鎖定。
  • 數(shù)字下變頻器(DDC) :可選 2/4/8/16/32 倍抽取,支持實(shí)抽?。ǖ屯V波)與復(fù)抽取(含 32 位 NCO,頻率可調(diào)范圍 - FS/2 至 FS/2),復(fù)抽取時(shí)可通過 DB0/1 接口實(shí)現(xiàn)雙頻段輸出,抽取后延遲增加 21-23 個(gè)輸出時(shí)鐘周期(依抽取倍數(shù)而定)。

四、功能模塊與配置

1. 模擬前端優(yōu)化

  • 自動(dòng)調(diào)零(Auto-Zero) :默認(rèn)啟用,可通過 SPI 寄存器(0x11,D0)關(guān)閉,有效降低 1/f 閃爍噪聲,提升低頻信號(hào)采集精度,4M 點(diǎn) FFT 測試顯示啟用后低頻段噪聲抑制顯著。
  • 采樣干擾濾波器 :推薦根據(jù)輸入頻率選擇:DC-30 MHz 場景用 33 Ω 電阻 + 180 nH 電感 + 100 pF 電容;30-70 MHz 場景用 33 Ω 電阻 + 120 nH 電感 + 100 pF+82 pF 電容,吸收采樣開關(guān)產(chǎn)生的毛刺。

2. 數(shù)字功能配置

  • 輸出格式化 :支持 14/16/18/20 位輸出分辨率,通過輸出位映射器(0x39-0x60、0x61-0x88 寄存器)調(diào)整位序;數(shù)據(jù)格式可通過 SPI 寄存器(0x8F、0x92)配置為二進(jìn)制補(bǔ)碼(默認(rèn))或偏移二進(jìn)制。
  • 測試模式 :支持斜坡(RAMP)、自定義固定模式,通過 0x14-0x16 寄存器配置,用于數(shù)字接口連通性測試,斜坡步長需匹配 ADC 原生分辨率(18 位對應(yīng) 00001)。
  • 電源管理 :支持全局電源關(guān)斷(功耗低至 5 mW,內(nèi)置參考)與局部模塊關(guān)斷(如時(shí)鐘緩沖、參考放大器),通過 0x08、0x09、0x0D 寄存器配置,平衡功耗與喚醒時(shí)間。

3. SPI 寄存器關(guān)鍵配置

  • 接口配置 :0x07 寄存器選擇輸出接口映射(18 位 1 線 SLVDS 對應(yīng)默認(rèn)配置),0x13 寄存器加載 E-Fuse 配置(需等待 1 ms),0x19 寄存器設(shè)置 FCLK 源與分頻(復(fù)抽取時(shí) FCLK_SRC=1)。
  • 抽取配置 :0x24 寄存器使能 DDC(D1=1)與數(shù)字通路(D2=1),0x25 寄存器設(shè)置抽取倍數(shù)(如 8 倍復(fù)抽取對應(yīng) 0x30),0x2A-0x2D、0x31-0x34 寄存器配置 NCO 頻率。
  • 增益與相位 :0x26 寄存器設(shè)置 mixer 增益(復(fù)抽取推薦 6 dB 補(bǔ)償混合損耗),0x27、0x2E 寄存器調(diào)整 I/Q 輸出順序與延遲。

五、應(yīng)用設(shè)計(jì)與布局建議

1. 典型應(yīng)用電路

以精密工業(yè)監(jiān)測系統(tǒng)為例,前端采用 THS4541 全差分放大器(支持 DC-70 MHz,3.3 V/-1 V 供電時(shí)輸出擺幅 6.8 Vpp),搭配 DC-30 MHz 采樣干擾濾波器,ADC 配置外接 1.6 V 參考(VREF 引腳接 REF5016),數(shù)據(jù)通過 1 線 SLVDS 傳輸至 FPGA,時(shí)鐘采用差分晶振(如 Si5351,抖動(dòng) < 100 fs),確保動(dòng)態(tài)性能達(dá)標(biāo)。

2. 電源設(shè)計(jì)

  • 推薦架構(gòu) :采用 “開關(guān)電源 + LDO” 組合,如 TPS62821(開關(guān)電源,效率 90%+)+TPS7A4701(LDO,噪聲 < 10 μVrms),AVDD 與 IOVDD 獨(dú)立供電,電源路徑上串聯(lián)鐵氧體磁珠(如 BLM18PG102SN1)抑制高頻噪聲。
  • 旁路電容 :AVDD、IOVDD 引腳旁就近放置 10 μF(鉭電容)+0.1 μF(陶瓷電容),VREF 引腳旁放置 10 μF+0.1 μF 陶瓷電容,減少電壓紋波。

3. 布局 Guidelines

  • 模擬信號(hào) :AINP/AINM、CLKP/CLKM 采用 100 Ω 差分布線,長度匹配(誤差 <50 mil),避免過孔;與數(shù)字信號(hào)(如 DA0/1、DB0/1)間距> 200 mil,減少串?dāng)_。
  • 參考電壓 :VREF、REFBUF 引腳旁路電容直接焊接在頂層,無過孔,REFGND 與模擬地單點(diǎn)連接。
  • 散熱 :底部散熱焊盤(GND PAD)需通過過孔連接至內(nèi)層地平面,確保結(jié)溫(T_J)不超過 105°C(推薦結(jié)溫 < 85°C 以延長壽命)。
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