chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Littelfuse推出采用SMPD-X封裝的200 V、480 A超級結MOSFET

海闊天空的專欄 ? 來源:廠商供稿 ? 作者:廠商供稿 ? 2025-12-12 11:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新型X4級器件簡化熱設計,提高效率同時減少了儲能、充電、無人機和工業(yè)應用中零部件數(shù)量。

伊利諾伊州羅斯蒙特,2025年129 -- Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工業(yè)技術制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級超級結功率MOSFET。這款200 V、480 A N通道MOSFET的導通電阻RDS(on)極低,僅為1.99 mΩ,可在功率密集型設計中實現(xiàn)卓越的導通效率、簡化熱管理并提高系統(tǒng)可靠性。

MMIX1T500N20X4采用高性能陶瓷基隔離SMPD-X封裝,配備頂部散熱結構以實現(xiàn)最佳熱管理。與最先進的現(xiàn)有X4級MOSFET解決方案相比,該器件提供高達2倍的額定電流和低63%的RDS(on),使工程師能夠將多個并聯(lián)的低電流器件整合到單一的高電流解決方案中。

功能與特色

· 200 V阻斷電壓,1.99 mΩ超低RDS(on),可將傳導損耗降至最低;

· 高電流能力(ID = 480 A)減少了所需并聯(lián)器件的數(shù)量;

· 緊湊型SMPD-X隔離封裝,具有2500 V隔離和改進的熱阻(Rth(j-c) = 0.14 °C/W);

· 低柵極電荷(Qg = 535 nC)降低了柵極驅動功率要求;

· 采用頂部冷卻式封裝,簡化熱管理。

這些特性共同實現(xiàn)了更高的功率密度、更少的元件數(shù)量以及更簡便的組裝流程,有利于打造出更高效、更可靠且更具成本效益的系統(tǒng)設計。

圖片1.png
MMIX1T500N20X4功率MOSFET

應用

該MMIX1T500N20X4非常適合:

· 直流負載開關;

· 電池儲能系統(tǒng);

· 工業(yè)和過程電源;

· 工業(yè)充電基礎設施;

· 無人機和垂直起降飛行器(VTOL)平臺。

“新款器件使設計人員能夠將多個并聯(lián)的低電流器件整合到一個高電流器件中,從而簡化設計并減少元件數(shù)量?!盠ittelfuse產品營銷分析師Antonio Quijano介紹道, “這有助于提高系統(tǒng)可靠性,簡化柵極驅動器的實施,同時提高功率密度和PCB空間利用率。”

常見問答(FAQ)

  1. 與現(xiàn)有解決方案相比,MMIX1T500N20X4 MOSFET如何提升系統(tǒng)效率?

MMIX1T500N20X4提供1.99 mΩ的超低RDS(on),額定電流為480 A,可減少傳導損耗和發(fā)熱。用單個器件取代多個并聯(lián)MOSFET,可簡化設計、減少元件數(shù)量并提升整體系統(tǒng)效率。

  1. 這款MOSFET最適合哪些應用場景?

該MOSFET非常適合對效率和可靠性要求嚴苛的大電流、中低壓系統(tǒng)。典型應用包括直流負載開關、電池儲能、工業(yè)電源、充電基礎設施以及無人機或垂直起降飛行器的電力電子設備。

  1. SMPD-X設計在散熱和封裝方面具有哪些優(yōu)勢?

高性能陶瓷基SMPD-X封裝具有出色的熱阻(Rth(j-c) = 0.14 °C/W)和2500 VRMS隔離性能,可實現(xiàn)更高的功率密度和更安全的操作。其頂部冷卻設計簡化了熱管理,減小了系統(tǒng)尺寸,并增強了長期可靠性。

供貨情況

MMIX1T500N20X4以管式(20支)和卷帶式(每卷160支)兩種形式提供。通過全球授權的Littelfuse經銷商提交樣品申請。如需了解Littelfuse授權經銷商名單,請訪問 Littelfuse.com。

更多信息

可通過以下方式查看更多信息: MMIX1T500N20X4 X4級超級結功率MOSFET產品頁面。需要技術支持?請訪問Littelfuse網站或直接聯(lián)系:MOS和IGBT(SBU)產品管理高級經理Francois Perraud, FPerraud@Littelfuse.com

關于Littelfuse

Littelfuse (NASDAQ: LFUS) 是一家多元化的工業(yè)技術制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。憑借覆蓋超過20個國家的業(yè)務和約16,000名全球員工,我們與客戶合作,設計和交付創(chuàng)新、可靠的解決方案。服務于超過100,000家最終客戶,我們的產品每天應用于世界各地的各種工業(yè)、運輸和電子終端市場。Littelfuse在中國擁有7個銷售辦事處、7個研發(fā)中心和8個制造工廠,為客戶提供全球資源本地服務。詳情請訪問Littelfuse.com。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    150

    文章

    9446

    瀏覽量

    229796
  • Littelfuse
    +關注

    關注

    5

    文章

    263

    瀏覽量

    97855
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    選型手冊:MOT65R180HF N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 11-18 15:39 ?146次閱讀
    選型手冊:MOT65R180HF N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:MOT65R380F N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT65R380F是一款N溝道超級功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數(shù)校
    的頭像 發(fā)表于 11-18 15:32 ?147次閱讀
    選型手冊:MOT65R380F N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:MOT70R380D N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT70R380D是一款N溝道超級功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數(shù)校
    的頭像 發(fā)表于 11-10 15:42 ?207次閱讀
    選型手冊:MOT70R380D N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:MOT70R280D N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款N溝道超級功率MOSFET,憑借700V耐壓、超低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 11-07 10:54 ?121次閱讀
    選型手冊:MOT70R280D N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:MOT70R280D 系列 N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超級技術的N溝道功率MOSFET,憑借700V級耐壓、超低導通損耗及高魯棒性,廣泛適
    的頭像 發(fā)表于 10-31 17:31 ?141次閱讀
    選型手冊:MOT70R280D 系列 N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:MOT65R600F 系列 N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超級技術的N溝道功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通損耗及高魯棒性,廣泛適用于
    的頭像 發(fā)表于 10-31 17:28 ?148次閱讀
    選型手冊:MOT65R600F 系列 N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:MOT65R380D 系列 N 溝道超級功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉換場景的N溝道超級功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導通損耗及高魯棒性
    的頭像 發(fā)表于 10-29 10:31 ?164次閱讀
    選型手冊:MOT65R380D 系列 N 溝道<b class='flag-5'>超級</b><b class='flag-5'>結</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    龍騰半導體650V 99mΩ超MOSFET重磅發(fā)布

    龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超MOSFET,其內置FRD,適應LLC應用,并適合多管應用,具有更快的開關速度,更低的導通損
    的頭像 發(fā)表于 09-26 17:39 ?1171次閱讀
    龍騰半導體650<b class='flag-5'>V</b> 99mΩ超<b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>重磅發(fā)布

    PFR20200CTF肖特基二極管TO-220F封裝200V20A

    °c 最高溫Tj :175°c 在溫為 125℃、正向電流為 10A 時,最大正向壓降V F(max)為:0.72V。 特點:具有低功
    發(fā)表于 08-20 14:53

    新品 | 650V CoolMOS? 8超 (SJ) MOSFET

    新品650VCoolMOS8超(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超SJMOSFET技術,為行業(yè)技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供
    的頭像 發(fā)表于 07-04 17:09 ?934次閱讀
    新品 | 650<b class='flag-5'>V</b> CoolMOS? 8超<b class='flag-5'>結</b> (SJ) <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    新潔能Gen.4超MOSFET 800V和900V產品介紹

    MOS采用垂直結構設計,在漂移區(qū)內交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級”單元,通過電荷補償技術突破傳統(tǒng)功率半導體“硅極限”的高壓器件,其核心設計通過優(yōu)化電場分布實現(xiàn)低導通
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:05 ?1403次閱讀
    新潔能Gen.4超<b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> 800<b class='flag-5'>V</b>和900<b class='flag-5'>V</b>產品介紹

    Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

    Nexperia(安世半導體)正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
    的頭像 發(fā)表于 03-21 10:11 ?1127次閱讀

    Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術

    近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業(yè)應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性,還采用了先進的表面貼
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:18 ?900次閱讀
    Nexperia<b class='flag-5'>推出</b>高效耐用的1200 <b class='flag-5'>V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>,<b class='flag-5'>采用</b>創(chuàng)新<b class='flag-5'>X</b>.PAK<b class='flag-5'>封裝</b>技術

    MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析

    隨著BASiC基本半導體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超MOSFET,不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?988次閱讀
    超<b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>升級至650<b class='flag-5'>V</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本驅動力分析

    為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?1659次閱讀
    為什么650<b class='flag-5'>V</b> SiC碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>全面取代超<b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>和高壓GaN氮化鎵器件?