近幾日，臺(tái)積電出售中芯國(guó)際股權(quán)的消息引起業(yè)內(nèi)關(guān)注。

臺(tái)積電6月3日公告表示，已自今年5月31日至6月3日期間，處分手中持有的中芯國(guó)際股票約943萬(wàn)7,000股，總交易金額約達(dá)8,760萬(wàn)港幣（約合人民幣7,719萬(wàn)元），完成處分后，臺(tái)積電手中仍持有中芯國(guó)際股份約1,166萬(wàn)8,000股，占中芯國(guó)際股權(quán)約0.2％.

臺(tái)積電曾多次表示，會(huì)選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)間點(diǎn)處分手中的中芯國(guó)際的股票，最終將持股全數(shù)處分完畢。最近應(yīng)該是比較合適的時(shí)機(jī)，因?yàn)橹行緡?guó)際宣布從美國(guó)紐約證券交易所退市之后，中芯國(guó)際香港H股股價(jià)大漲。

臺(tái)積電和中芯國(guó)際都是業(yè)內(nèi)熟知的芯片制造企業(yè)，臺(tái)積電是毫無(wú)疑問的龍頭企業(yè)，無(wú)論是從技術(shù)和市場(chǎng)占有率上，都處于領(lǐng)先位置。中芯國(guó)際則是中國(guó)大陸地區(qū)規(guī)模最大的芯片制造企業(yè)，在中國(guó)大陸地區(qū)的市場(chǎng)占有率高達(dá)58%以上。

這兩家芯片制造企業(yè)還有過一些歷史糾葛，十幾年前，臺(tái)積電曾多次對(duì)中芯國(guó)際發(fā)起專利侵權(quán)訴訟，不過在經(jīng)過5年的持久戰(zhàn)之后，兩家公司最后達(dá)成和解協(xié)議，也正是在這次訴訟和解中，臺(tái)積電拿到中芯國(guó)際約10%的股權(quán)。

臺(tái)積電與中芯國(guó)際有怎樣的歷史關(guān)系？

這里回顧一下，臺(tái)積電和中芯國(guó)際十幾年前，那場(chǎng)曠日持久的專利訴訟戰(zhàn)。

2003年12月，距離中芯國(guó)際成立3年多，臺(tái)積電、臺(tái)積電北美子公司以及WaferTech公司共同宣布，于美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間19日下午在北加州聯(lián)邦地方法院，對(duì)中芯國(guó)際以及中芯國(guó)際美國(guó)子公司提出多項(xiàng)專利權(quán)侵害訴訟。

臺(tái)積電在訴狀中指稱，中芯國(guó)際通過各種不當(dāng)?shù)姆绞饺〉门_(tái)積電商業(yè)秘密及侵犯臺(tái)積電專利，如已延攬超過100名以上臺(tái)積電員工，且要求部分人員為其提供臺(tái)積電商業(yè)秘密。此外，臺(tái)積電也稱一位中芯國(guó)際主管要求一位前臺(tái)積電經(jīng)理為其取得半導(dǎo)體制程技術(shù)資料，已嚴(yán)重侵害公司營(yíng)業(yè)秘密。

此次訴訟經(jīng)過不到兩年時(shí)間，2005年2月，臺(tái)積電與中芯國(guó)際達(dá)成和解，臺(tái)積電稱它已經(jīng)同中芯國(guó)際就專利侵害和相關(guān)爭(zhēng)議問題糾紛達(dá)成庭外和解協(xié)議。按照協(xié)議內(nèi)容，中芯國(guó)際將向臺(tái)積電支付大約1.75億美元，從而和解所稱的專利和商業(yè)秘密訴訟案。

然而在和解1年7個(gè)月后，臺(tái)積電再次對(duì)中芯國(guó)際提起訴訟，臺(tái)積電新聞發(fā)言人稱，中芯國(guó)際違反與臺(tái)積電達(dá)成的和解協(xié)議，使用不法手段盜用公司商業(yè)機(jī)密。臺(tái)積電請(qǐng)求法院判決中芯國(guó)際立即停止相關(guān)侵權(quán)行為，同時(shí)賠償臺(tái)積電的相關(guān)損失。

這起訴訟持續(xù)大概5年時(shí)間，一直到2009年才再次達(dá)成和解。按和解協(xié)議內(nèi)容，中芯國(guó)際將向臺(tái)積電分期四年支付2億美元現(xiàn)金，并向臺(tái)積電發(fā)行17.89億股新股，約占中芯國(guó)際10月31日已發(fā)行股本的約8%，并授予臺(tái)積電可按照每股1.3港元的認(rèn)購(gòu)價(jià)，認(rèn)購(gòu)6.95億股中芯國(guó)際股份(可予調(diào)整)的認(rèn)購(gòu)權(quán)證，可自發(fā)行起三年內(nèi)行使。股份發(fā)行生效后，臺(tái)積電將獲得中芯國(guó)際已發(fā)行股本合共約10%股份。

這場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)，給中芯國(guó)際帶來(lái)了不少的打擊，不過近年來(lái)，中芯國(guó)際不時(shí)傳出好消息，比如，前不久公布的12納米工藝進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，28納米PolySiON、HKMG、HKC全平臺(tái)建設(shè)已經(jīng)完成，第二代FinFETN+1技術(shù)開發(fā)正在按計(jì)劃進(jìn)行，上海中芯南方FinFET工廠順利建造完成，開始進(jìn)入產(chǎn)能布建等等。

臺(tái)積電將會(huì)是中芯國(guó)際唯一競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手？

目前，在芯片制造領(lǐng)域，業(yè)界所熟知的企業(yè)有臺(tái)積電、三星、英特爾、格羅方德、聯(lián)電、中芯國(guó)際等，雖然先進(jìn)制程的量產(chǎn)時(shí)間上來(lái)看，比如14納米，中芯國(guó)際都落后于臺(tái)積電、聯(lián)電、格羅方德、英特爾、三星，不過據(jù)西南證券綜合分析，中芯國(guó)際未來(lái)的市場(chǎng)占有率有可能超越聯(lián)電、格羅方德、英特爾、三星等，僅次于臺(tái)積電。

▲截圖自西南證券研究報(bào)告

可以逐一對(duì)比來(lái)看，首先是聯(lián)電和格羅方德，從上圖可以看出，中芯國(guó)際在量產(chǎn)14納米上，比聯(lián)電和格羅方德晚大概2-3年，不過目前這兩家公司已經(jīng)放棄14納米以下先進(jìn)制程市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，那么，隨著先進(jìn)制程的市場(chǎng)占比不斷提高，中芯國(guó)際很大概率會(huì)超過聯(lián)電和格羅方德，不過目前代工市場(chǎng)還是主要以28/22納米及以上相對(duì)成熟制程為主。

再來(lái)看英特爾和三星，在14納米量產(chǎn)時(shí)間上，中芯國(guó)際與英特爾和三星有很大的差距，大概5年，不過西南證券認(rèn)為，由于英特爾和三星都是IDM企業(yè)，產(chǎn)能規(guī)模有限，即使現(xiàn)在三星已經(jīng)將代工事業(yè)部獨(dú)立出來(lái)，但是短期內(nèi)在市場(chǎng)份額上的角逐上市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)有限，所以未來(lái)，英特爾和三星對(duì)中芯國(guó)際的威脅力不大。

最后來(lái)看臺(tái)積電，無(wú)論是從制程技術(shù)還是產(chǎn)能來(lái)看，中芯國(guó)際都遠(yuǎn)落后于臺(tái)積電，90納米落后1年，65納米落后兩年，40納米落后3年，28納米整整落后6年，14納米落后臺(tái)積電3.5年，據(jù)西南證券預(yù)計(jì)，10納米及以下預(yù)計(jì)落后3年，開始有縮短趨勢(shì)。所以在未來(lái)先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)上，中芯國(guó)際有望成為僅次于臺(tái)積電全球第二大純晶圓代工廠。

總結(jié)

芯片制造是一個(gè)技術(shù)和資金壁壘很高的產(chǎn)業(yè)。首先來(lái)看技術(shù)方面，芯片制造工藝步驟繁多，而且不容出錯(cuò)，資料顯示，在20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，晶圓加工步驟約為1000步，在7nm時(shí)將超過1500步，并且任何一個(gè)步驟誤差放大都會(huì)帶來(lái)芯片良率的大幅下滑。

再來(lái)看資金方面，資金方面前期投入相當(dāng)大，新建廠房和引入設(shè)備需要大量的資金，一般新建一個(gè)12英寸生產(chǎn)線需要上百億元的資本投入，產(chǎn)線建設(shè)完成后，還需要經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的差能爬坡才能達(dá)到大規(guī)模生產(chǎn)。

面對(duì)如此困難而又極其重要的芯片制造產(chǎn)業(yè)，國(guó)內(nèi)除了包括中芯國(guó)際在內(nèi)的芯片制造企業(yè)需要不斷探索之外，還需要國(guó)家和產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)給予幫助和支持。