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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進一步搶攻DRAM市場商機

三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進一步搶攻DRAM市場商機

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回收三星ic 收購三星ic

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據(jù)韓聯(lián)社北京時間12月20日報道,三星電子今天宣布,已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
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物聯(lián)網(wǎng)周報:百度與雄安共建AI國家實驗室 三星開發(fā)全球最小DRAM芯片

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三星電子明年全力搶攻5G基地臺及終端芯片市場

韓國三星電子為了搶攻5G市場龐大商機,透過旗下晶圓代工事業(yè)提供10納米及7納米等先進制程優(yōu)勢,明年全力搶攻5G基地臺及終端芯片市場,法人看好智原將受惠并搶下周邊特殊應(yīng)用芯片(ASIC)訂單。
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三星悄悄引入EUV,大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道,三星悄悄啟動了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。
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為追趕臺積電,三星宣布攜手ARM進一步優(yōu)化7納米及5納米制程芯片

,2018年初也已經(jīng)宣布在南科啟動5納米建廠計劃,正式投入5納米制程的研發(fā)。因此,三星為了能縮減與臺積電的差距,5日正式宣布攜手知識產(chǎn)權(quán)大廠安謀(ARM),雙方協(xié)議進一步優(yōu)化7納米及5納米制程芯片。
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三星二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強三星市場競爭力。
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三星啟用EUV設(shè)備進行DRAM研發(fā)生產(chǎn)

三星電子(Samsung Electronics)啟動采用極紫外光(EUV)微影設(shè)備的DRAM生產(chǎn)研發(fā),雖然三星目標(biāo)2020年前量產(chǎn)16納米DRAM,不過也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
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三星推遲擴產(chǎn)DRAM,多方受益

全球記憶體龍頭三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計劃,決定延至今年底,為DRAM價格形成有力支撐。
2018-08-21 09:16:003449

2019年三星DRAM的投資大砍20%,以維持市場價格的高水位

報導(dǎo)進一步指出,雖然針對存儲器的投資總體會減少。但是,在DRAM及NAND Flash快閃存儲器上還是有區(qū)別的。分析師認(rèn)為,三星在2019年的半導(dǎo)體投資減少8%,但NAND Flash快閃存
2018-10-10 15:38:114645

三星進行DRAM擴產(chǎn)計劃,下半年DRAM漲勢恐止歇

全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出進行DRAM擴產(chǎn)計劃,業(yè)界認(rèn)為,由于建廠時間還要兩年,難解今年缺貨窘境,不過受心理層面影響,恐讓下半年DRAM漲勢止歇。
2018-10-25 15:59:261447

三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術(shù) 未來有機會藉此生產(chǎn)DRAM的成本降低

就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后,存儲器產(chǎn)業(yè)也追隨。也就是全球存儲器龍頭三星未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上,也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外,韓國另
2018-10-29 17:03:244026

華為進一步鞏固了全球手機老的位置 形成了緊追三星的勢頭

市調(diào)機構(gòu)counterpoint發(fā)布的季度出貨量數(shù)據(jù)顯示,前五大手機品牌當(dāng)中,華為增速最快,同比增長33%,進一步鞏固了全球手機老的位置,與第大品牌三星的差距進一步縮小,形成了緊追三星的勢頭。
2018-11-02 15:23:04679

10納米DRAM制程競爭升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

逐漸升溫,三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y)制程DRAM,目前傳出進入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進制
2018-11-12 18:04:02533

韓國公司生產(chǎn)的DRAM(內(nèi)存)芯片已經(jīng)占到全球市場的75%

今年11月15日,SK海力士發(fā)布第個符合JEDEC規(guī)格的DDR5 DRAM,而三星則在7月份成功開發(fā)出10nm級別的LPDDR5 DRAM,在技術(shù)上進一步領(lǐng)先于世界同類企業(yè)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹,SK
2018-11-23 17:27:118023

三星采用第二代10nm工藝級別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196

韓國三星被曝有意進一步擴展其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

半導(dǎo)體界人士認(rèn)為,三星展開并購的可能性很大。三星是全球第大存儲器半導(dǎo)體公司,但時下存儲器半導(dǎo)體需求不振,價格下跌,迫使三星尋求非存儲器半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展機會,而并購則是最直接的手段。之前傳聞三星有意收購格羅方德,進一步擴大半導(dǎo)體代工的規(guī)模。
2019-03-08 08:59:02956

2019年三星與SK海力士的DRAM市占率進一步成長

從企業(yè)別來看,三星電子的銷售額為437億4700萬美元,市占率為43.9%,維持著壓倒性的領(lǐng)先地位;SK海力士也緊追在后,銷售額達294億900萬美元,市占率為29.5%。若將兩家企業(yè)并來看,在
2019-03-10 10:00:352193

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840

三星突破DRAM的擴展極限 成功研發(fā)10nm級DDR4內(nèi)存

,動態(tài)隨機存取存儲器)。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(1y-nm)8Gb DDR4以來僅僅16個月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4,說明三星突破了DRAM的擴展極限。
2019-03-21 17:30:542123

三星電子開發(fā)首款基于第三代10nm級工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320

三星宣布量產(chǎn)全球首款12GbLPDDR5DRAM

近日,三星官方宣布,公司量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機,優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256

聯(lián)電盈利表現(xiàn)進一步提升 中國大陸市場將成為有力支撐

Magnachip代工40納米OLED面板驅(qū)動IC及80納米TDDI,這兩家公司均是三星OLED面板主要芯片供應(yīng)商。系列消息顯示,聯(lián)電自2017年啟動的強化成熟工藝市場、實現(xiàn)差異化轉(zhuǎn)型策略正在取得進展。未來,聯(lián)電的盈利表現(xiàn)將有進一步的提升。
2019-12-04 15:54:163266

5G推動OLED市場,2020年三星顯示器業(yè)務(wù)需求進一步增大

三星顯示器在幾周前銷量攀升,正式成為顯示器行業(yè)市場中最大的供應(yīng)商。另外,由于即將到來的5G時代,導(dǎo)致OLED面板需求增大,所以2020年三星顯示器業(yè)務(wù)預(yù)計還會進一步增長。
2019-12-15 11:58:061046

三星表示將在2020年電子錢包和移動支付系統(tǒng)進一步拓展市場

12月18日消息,三星智付(Samsung Pay)在2015年首次推出,現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到全球26個國家和地區(qū),但目前世界上共有230多個國家和地區(qū),所以不管怎么說,三星智付的覆蓋范圍還不算特別廣。三星在最近的份官方聲明中表示,在2020年,其電子錢包和移動支付系統(tǒng)進一步拓展市場。
2019-12-18 16:43:233856

三星EUV技術(shù)成功應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報道,三星宣布,已成功EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:393360

三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的存儲器供應(yīng)商

電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出,隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn),展示著三星對提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項重大進展也說明了三星將如何透過即時開發(fā)高端制程技術(shù)來生產(chǎn)高端存儲器芯片市場的下一代產(chǎn)品,繼續(xù)
2020-04-03 15:47:511320

三星穩(wěn)坐DRAM市場頭名:利潤率41%

據(jù)韓聯(lián)社援引 TrendForce 的數(shù)據(jù),三星目前仍是 NAND 閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,按收入計算,其在全球 DRAM 市場中的份額在 7-9 月期間占 41.3%,相比上季度下降了 2.2 個
2020-11-22 10:22:012037

三星明年全年DRAM和NAND的供應(yīng)將嚴(yán)重不足

三星正利用這時期擴大領(lǐng)先優(yōu)勢,三星計劃明年DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產(chǎn)能分別擴大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:082248

DRAM的架構(gòu)/標(biāo)準(zhǔn)/特點/未來展望

這些年來,記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)了各種動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)標(biāo)準(zhǔn),這些標(biāo)準(zhǔn)也都各自進一步發(fā)展出不同世代的版本。本文將回顧不同DRAM架構(gòu)的特色,點出這些架構(gòu)的共同趨勢與瓶頸,并會提出IMEC為了DRAM性能推至極限而采取的相關(guān)發(fā)展途徑。
2021-01-22 10:12:356282

三星中斷12nm DRAM芯片開發(fā),直接跨入11nm

近日,據(jù)韓媒報道稱,三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令,要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片,也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前,三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244

三星2nm新消息:2025年開始量產(chǎn),進一步優(yōu)化結(jié)構(gòu)、提升性能

,比5nm芯片功耗低45%,性能高23%,同時三星也開始了第二代3nm芯片的計劃。 不止是第二代3nm芯片三星也已經(jīng)確定了將在2025年量產(chǎn)2nm芯片,同臺積電之前宣布的時間樣。三星的2nm芯片繼續(xù)沿用GAA晶體管技術(shù),并且進一步優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu),性能和功耗等方面會得
2022-07-08 14:42:101758

三星與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤

  據(jù)消息報道,三星電子近日宣布,該公司已與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤(SmartSSD),這將搶占未來市場
2022-07-22 17:03:433079

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-? 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 中國深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首
2022-12-21 21:19:541342

三星DRAM間接減產(chǎn)9%,占全球DRAM產(chǎn)量4%

三星獲利在市場共識下,應(yīng) 2023 年第季財報發(fā)表(4 月)就結(jié)束跌勢。因看到 DRAM 供需動態(tài)改善,整體 DRAM 走跌周期因庫存下降與價格下跌放緩等,第季獲利走跌逐漸趨緩。
2023-02-21 10:15:04644

三星DRAM月產(chǎn)量降至兩年來新低 行業(yè)頻現(xiàn)庫存改善信號

但這并不是全部,報道稱三星內(nèi)部計劃減產(chǎn)持續(xù)至明年,在半導(dǎo)體市場重回供需平衡之前,公司避免擴產(chǎn)存儲芯片。Omdia預(yù)計,明年下半年三星DRAM月產(chǎn)量保持在60萬片,較目前水平進一步減少。
2023-07-06 15:57:361181

HBM市場前景樂觀,推動三星等半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的進一步增長

 在人工智能(ai)時代引領(lǐng)世界市場三星等公司hbm應(yīng)用在dram上,因此hbm備受關(guān)注。hbm是多個dram芯片垂直堆積,可以適用于為ai處理而特別設(shè)計的圖像處理裝置(gpu)等機器的高性能產(chǎn)品。
2023-08-03 09:42:501218

三星開發(fā)新一代“緩存DRAM”:能效提升60%,速度延遲降低50%

有傳聞稱,三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu,但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉,hbm可以多個dram垂直連接起來,提高數(shù)據(jù)處理速度,因此,現(xiàn)金dram僅用芯片就可以儲存與整個hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:321571

三星削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之。據(jù)報道,三星原計劃p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

芯片超過 100Gb,三星表示挑戰(zhàn)業(yè)界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米dram,目前正在開發(fā)的11納米dram提供業(yè)界最高密度?!绷硗?,三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架,并計劃為芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720

三星電子擴大尖端DRAM/NAND產(chǎn)量

Kim Jae-jun補充道:“三星電子通過維持投資來進一步鞏固其在尖端存儲器市場的地位,以確保其中長期競爭力。”三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的DS部門計劃每年投資47.5萬億韓元的資本支出。
2023-11-03 16:17:571753

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后開發(fā)的技術(shù)時,管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星攜手紅帽進一步擴大CXL存儲生態(tài)系統(tǒng)

2023年12月27日——三星宣布,與開源軟件提供商紅帽(Red Hat)攜手,首次成功在真實用戶環(huán)境中驗證了Compute Express Link(CXL)內(nèi)存技術(shù)的運行,這將進一步擴大三星的 CXL生態(tài)系統(tǒng)。
2023-12-27 10:34:181372

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

DRAM合約價季度漲幅預(yù)計13~18%,移動設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場

據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預(yù)期DDR4價格進一步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型,但對于DDR4采購量增幅不定。預(yù)計PC DRAM季度合約價變化幅度將在10~15%之間,其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:261082

三星在硅谷建立3D DRAM研發(fā)實驗室

三星電子,全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商,近日宣布在美國設(shè)立新的研究實驗室,專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個實驗室隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA),負(fù)責(zé)三星在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306

三星電子在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實驗室

近日,三星電子宣布在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實驗室,以加強其在存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該實驗室的成立專注于開發(fā)具有更高性能和更低功耗的3D DRAM,以滿足不斷增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
2024-01-31 11:42:011285

三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了個引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890

三星與海力士引領(lǐng)DRAM革新:新一代HBM采用混合鍵合技術(shù)

在科技日新月異的今天,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)作為計算機系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,其技術(shù)革新直備受矚目。近日,據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露,韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486

三星積極研發(fā)LLW DRAM內(nèi)存,劍指蘋果下一代XR設(shè)備市場

近日,韓媒ZDNet Korea報道,三星電子正全力投入到低延遲寬I/O(LLW DRAM)內(nèi)存的研發(fā)中,旨在為未來蘋果Vision Pro之后的下一代頭戴式顯示器(XR設(shè)備)訂單做好充分準(zhǔn)備。這舉措標(biāo)志著三星在高端智能設(shè)備內(nèi)存領(lǐng)域的雄心壯志,以及其對市場格局重塑的堅定決心。
2024-07-18 15:19:241453

三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品,助力端側(cè)AI應(yīng)用

深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內(nèi)存)開始量產(chǎn),支持12GB和16GB容量。這將進一步鞏固三星
2024-08-06 08:32:461003

三星高通聯(lián)手開發(fā)XR芯片,劍指蘋果市場

三星電子與高通公司攜手,共同推進XR(擴展現(xiàn)實)技術(shù)的邊界,宣布開發(fā)專用于XR設(shè)備的高性能芯片。這戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著三星在XR市場邁出了重要一步,同時也預(yù)示著與蘋果在該領(lǐng)域的競爭進一步加劇。
2024-08-09 14:42:451256

三星否認(rèn)重新設(shè)計1b DRAM

據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設(shè)計其第五10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計報道

據(jù)報道,三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其重新設(shè)計第五10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新輪關(guān)注。 此前有報道指出,三星電子為應(yīng)對其12nm級
2025-01-23 15:05:11923

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