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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>三星第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

三星第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

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國(guó)產(chǎn)第二代“香山”RISC-V 開(kāi)源處理器計(jì)劃 6 月流片:基于中芯國(guó)際 14nm 工藝,性能超 Arm A76

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性能超ARM A76!國(guó)產(chǎn)第二代“香山”RISC-V開(kāi)源處理器最快6月流片

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2021-03-17 17:59:10

蘋(píng)果芯片供應(yīng)商名單曝光后 三星哭了!

季度開(kāi)始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋(píng)果處理器大單的新記錄,2017年?duì)I收持續(xù)增長(zhǎng)基本沒(méi)什么問(wèn)題。剛剛失去蘋(píng)果訂單的三星,日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存,并將于今年下半年上市。這樣一來(lái),臺(tái)積電和三星以及蘋(píng)果的性能之爭(zhēng),就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54

追求性能提升 使用8GB HBM2顯存

UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存,帶寬460GB/s,號(hào)稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍,不過(guò)該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存,頻率2666Mbps。  值得注意的是,雖然賽靈思沒(méi)有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22

Tensilica發(fā)布第二代ConnX基帶DSP引擎,以滿足

Tensilica發(fā)布第二代ConnX基帶DSP引擎,以滿足LTE/4G無(wú)線手機(jī)及基站算法需求 Tensilica日前發(fā)布第二代基帶引擎ConnX BBE16,用于LTE(長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù))及4G基帶SoC(片上系統(tǒng))的
2010-02-25 08:37:55767

誰(shuí)能打破DRAM存儲(chǔ)器的三足鼎立格局?

  本月,三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn),再次拉大與“三國(guó)殺”剩下兩個(gè)玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031033

麒麟970拿下臺(tái)積電10nm首單 明年Q1量產(chǎn)?

據(jù)報(bào)道,三星超車臺(tái)積電,高通8日宣布全球首顆10nm服務(wù)器芯片已送客戶,搶攻長(zhǎng)期由英特爾獨(dú)霸市場(chǎng);高通10nm手機(jī)芯片也委由三星代工,但7nm訂單重返臺(tái)積電,臺(tái)積電仍是大贏家。
2016-12-09 10:38:52337

驚呆了,逆天的配置三星Galaxy S8:8GB內(nèi)存+UFS 2.1閃存芯片

現(xiàn)在有消息稱,三星的Galaxy S8有可能會(huì)采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片,而今年的10月份,他們就曾發(fā)布公告稱,基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432404

三星宣布已經(jīng)完成第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作

三星今天宣布,繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后,日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作,即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12586

三星宣布10nm制程新突破:已完成二代10nm工藝LPP驗(yàn)證工作

 三星今天宣布,繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后,日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作,即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411547

三星宣布第二代10nm制程已完成開(kāi)發(fā)

三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成,未來(lái)爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn),目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11537

三星芯片業(yè)務(wù)再登臺(tái)階,第二代10nm今年內(nèi)量產(chǎn)

前進(jìn)的步伐還是不會(huì)被徹底推翻的。科技的創(chuàng)新也不會(huì)因此而止步。日前,三星官方正式宣布他們將會(huì)開(kāi)產(chǎn)第二代10nm工藝制程的芯片,三星電子在4月20日正式宣布,他們已經(jīng)完成了第二代10nm制程的驗(yàn)證工作,同時(shí)即將正式量產(chǎn)。
2017-04-25 09:50:22606

三星完成第二代10nm工藝質(zhì)量驗(yàn)證,即將量產(chǎn)

  據(jù)韓媒報(bào)道,高通已經(jīng)與三星攜手,合作開(kāi)發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE(low-power early)工藝處理器后,日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02764

Intel第一代10nm筆記本平臺(tái)年底亮相 7nm亮相時(shí)間曝光:最快2020年

Intel日前正式宣布了9代酷睿Cannon Lake,并透露第二代10nm IceLake也已經(jīng)正式流片。
2017-06-13 11:29:37841

10nm驍龍835大片運(yùn)用之際 Intel仍不緊不慢在放14nm Coffee Lake

Intel近日在官方推特自曝了10nm的進(jìn)展,首次透露,第二代10nm(代號(hào)Icelake)已經(jīng)流片。
2017-06-14 15:03:27982

Intel 10nm處理器流片 第二代10nm產(chǎn)品起碼等到2019年

Digitimes發(fā)布消息稱,英特爾可以按計(jì)劃在今年底首發(fā)10nm處理器,但僅限低功耗移動(dòng)平臺(tái),預(yù)計(jì)是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周,英特爾剛宣布,第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工,同時(shí)第二代10nm處理器Ice Lake也已經(jīng)完成了最終設(shè)計(jì)。
2017-06-15 11:43:441317

三星10nm 8Gb LPDDR5內(nèi)存面世,將在2019年投入量產(chǎn)

昨天上午,三星官方發(fā)言,宣稱已經(jīng)成功研制開(kāi)發(fā)出全球第一個(gè)10nm 8-gigabit(Gb)LPDDR5 DRAM,并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知,三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后,就已經(jīng)開(kāi)始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001303

三星10nm SoC第二代量產(chǎn),預(yù)計(jì)明年推出

第二代10nm工藝即LPP(Low Power Plus),比LPE(Low Power Early)的性能提升了10%,功耗降低了15%,首款商用產(chǎn)品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30728

三星利用二代10納米工藝研發(fā)出8Gb DDR4芯片

三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級(jí)芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331114

三星宣布量產(chǎn)第二代10nm級(jí)別1y-nm 8Gb DDR4顆粒,高頻內(nèi)存3600MHz起步

據(jù)報(bào)道,三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了,8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù),比初代10nm級(jí)別(1x-nm)的高30%,并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:512785

全球最小”8Gb DDR4 芯片 三星DRAM地位再增強(qiáng)

三星DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:011534

三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

三星被人稱為世界最賺錢的公司之一,三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331472

三星二代10納米將加速未來(lái)DRAM芯片問(wèn)世 進(jìn)一步搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)

三星DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁,并在近日宣布量產(chǎn)第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求,三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38835

三星開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道,三星電子今天宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:416063

三星宣布,全球第一個(gè)開(kāi)始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條

三月份首次公開(kāi)展示之后,三星電子今天宣布,已經(jīng)全球第一個(gè)開(kāi)始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條,主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。
2018-06-13 15:09:003690

進(jìn)軍電競(jìng)市場(chǎng) 三星正式量產(chǎn)DDR4存儲(chǔ)器

三星電子 30 日宣布,已開(kāi)始正式量產(chǎn)全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲(chǔ)器模組(SoDIMM)規(guī)格的電競(jìng)筆電 DDR4 存儲(chǔ)器。而新的 SoDIMM 存儲(chǔ)器模組是以 10 納米制程技術(shù)打造,可以用戶享受豐富的電競(jìng)游戲之外,并具有更大的容量與更快的速度,而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。
2018-06-11 11:49:00655

三星悄悄引入EUV,大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道,三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。
2018-06-25 09:09:00809

三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存開(kāi)始量產(chǎn),可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電

根據(jù)報(bào)道,三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn),相比第一代,雖然性能沒(méi)有提升,但是功耗再降10%,可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:23902

三星10nm級(jí)DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達(dá)到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(jí)(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789

三星成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM,主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備

三星宣布成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來(lái),三星就開(kāi)始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過(guò)渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等,5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281050

備戰(zhàn)下一代顯卡,三星搶先量產(chǎn)16Gb的GDDR6內(nèi)存芯片

如之前預(yù)告的那樣,在三星開(kāi)始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久,16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時(shí)候官方公布了開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:003468

三星10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM開(kāi)始量產(chǎn),主要用于汽車

4月25日,三星電子宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)汽車用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能,同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262143

南亞科完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,重返PC市場(chǎng)

臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn),完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,并通過(guò)個(gè)人電腦(PC)客戶認(rèn)證,本月開(kāi)始出貨,為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后,再度重返個(gè)人電腦市場(chǎng),明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場(chǎng),南亞科借此成為韓系和美系大廠之后,另一穩(wěn)定供貨來(lái)源。
2018-08-28 16:09:212734

三星GDDR6顯存正式量產(chǎn),將有助于AR/VR行業(yè)進(jìn)一步升級(jí)

視頻處理、VR、AR、人工智能領(lǐng)域。三星表示使用的是10nm10nm-19nm)級(jí)工藝,而引腳帶寬將達(dá)到18Gbps,合計(jì)可達(dá)72GB/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。
2018-09-06 14:54:56702

SK海力士研發(fā)完成基于1Ynm工藝的DDR4 DRAM芯片

11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:353097

三星采用第二代10nm工藝級(jí)別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763

三星宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083251

三星突破DRAM的擴(kuò)展極限 成功研發(fā)10nm級(jí)DDR4內(nèi)存

,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。自開(kāi)始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)(1y-nm8Gb DDR4以來(lái)僅僅16個(gè)月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開(kāi)發(fā)1z-nm 8Gb DDR4,說(shuō)明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:541444

三星電子將開(kāi)發(fā)首款基于第三代10nm級(jí)工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01215

Intel正式宣布第二代10nm工藝的處理器TigerLake 使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核

2019年就要正式量產(chǎn)了,6月份就會(huì)發(fā)布10nm Ice Lake處理器,今天Intel也正式宣布了第二代10nm工藝的處理器Tiger Lake,將會(huì)使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核。
2019-05-09 15:19:031801

美光正式量產(chǎn)1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存

日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存,這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝,這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司,這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:003359

三星首次開(kāi)發(fā)出第三代10nm級(jí)DRAM高級(jí)存儲(chǔ)器

三星電子有限公司(Samsung Electronics)在其官網(wǎng)上發(fā)布消息,該公司正式宣布,首次開(kāi)發(fā)了第三代 10nm 制程工藝(1z-nm8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。
2019-09-27 17:23:291003

Intel第二代10nm Tiger LakeU系列或超越AMD桌面高端銳龍9 3900X

10nm Ice Lake還沒(méi)有全面鋪開(kāi),Intel第二代10nm Tiger Lake已經(jīng)頻頻亮相,不過(guò)首發(fā)還是面向輕薄本等設(shè)備的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:591987

七彩虹推出兩款DDR4普條,頻率都為DDR4 2666

12月8日消息,近日,七彩虹推出了兩款DDR4 普條,都是DDR4 2666頻率,8GB單條售價(jià)188元,16GB單條售價(jià)299元。
2019-12-09 15:49:496112

消息稱臺(tái)積電第二代3nm工藝計(jì)劃2023年推出

年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 從英文媒體最新的報(bào)道來(lái)看,同2018年量產(chǎn)的7nm和今年量產(chǎn)的5nm工藝一樣,臺(tái)積電正在研發(fā)的3nm工藝,也將會(huì)有第二代。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息,報(bào)道臺(tái)積電會(huì)推出第二代3nm工藝的,這一消息人士表示臺(tái)積電計(jì)劃在2
2020-12-02 17:14:461572

塵埃落定,1月份DDR4內(nèi)存合約價(jià)全面上漲

供應(yīng)鏈的消息,1月份服務(wù)器DRAM價(jià)格止跌上漲,32GB DDR4 RDIMM合約價(jià)月增4.6%達(dá)115美元,64GB DDR4 LRDIMM合約價(jià)月增4.9%達(dá)235美元。 1月份PC標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格
2021-02-03 16:59:201695

谷歌第二代Tensor將由三星以4nm制程工藝代工,本月開(kāi)始量產(chǎn)

據(jù)媒體報(bào)道稱,谷歌第二代Tensor芯片將于這個(gè)月開(kāi)始量產(chǎn),代工方為三星,將會(huì)采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機(jī)自研的芯片,第一代在去年8月發(fā)布,而第二代
2022-06-02 14:52:451273

南亞科存儲(chǔ)芯片營(yíng)收連續(xù)虧損,第四季度DRAM平均售價(jià)環(huán)比增長(zhǎng)

2024年,南亞科預(yù)披露將啟動(dòng)資本開(kāi)銷約200億元,有待董事會(huì)批準(zhǔn)。同時(shí)進(jìn)一步釋放消息,計(jì)劃2024年使用10nm第二代制程技術(shù)(1B)來(lái)生產(chǎn)8Gb DDR4及16Gb DDR5產(chǎn)品,由此可見(jiàn)其對(duì)于未來(lái)發(fā)展的投入決心。
2024-01-11 09:43:00182

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