8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上，下半年量產(chǎn) 據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開發(fā)出第三代10nm級(jí)1z nm 8Gb雙倍
2019-10-22 10:41:21
5509 三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產(chǎn)30納米級(jí)4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊
2011-06-01 08:55:552760 FinFET制程技術(shù)量產(chǎn)階段的臺(tái)積電，也傳出將投入大量研發(fā)資金確保10nm制程技術(shù)發(fā)展進(jìn)度，預(yù)期將進(jìn)一步與三星抗衡，至于Intel方面也確定將在 2016年下半年間進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)。
2015-05-28 10:23:161272 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56893 三星本周宣布，將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國硅谷開始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 今日，三星電子正式宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC，這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:011208 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4
2016-10-20 10:55:482245 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(jí)(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。
2018-07-17 10:15:015236 3月25日消息 三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-26 09:12:564442 今年2月底，長鑫存儲(chǔ)官方宣布，符合國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正國產(chǎn)，并采用國產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造
2020-05-22 11:47:379678 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，日媒報(bào)道由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計(jì)劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002812 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006845 號(hào)技術(shù)的DDR4內(nèi)存其傳輸速率則將可以達(dá)到6.4Gbps。由于通過一個(gè)DRAM實(shí)現(xiàn)兩種接口基本上是不可能的，因此DDR4內(nèi)存將會(huì)同時(shí)存在基于傳統(tǒng)SE信號(hào)和微分信號(hào)的兩種規(guī)格產(chǎn)品。 根據(jù)多位半導(dǎo)體業(yè)界
2011-02-27 16:47:17
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對(duì)手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
臺(tái)積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用，人們對(duì)于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
專業(yè)收購三星ddr帝歐電子高價(jià)回收三星ddr，長期求購三星ddr，帶板的也收，大量收購?。?！帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購三星（K9
2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
2133MT/s，運(yùn)作電壓在1.2V，這也是史上第一條DDR4內(nèi)存。在此之前，三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成為DDR4發(fā)展的關(guān)鍵。三個(gè)月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購帶板DDR，回收拆機(jī)DDR，收購
2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
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2021-01-30 17:36:35
DDR4。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com?；厥?b class="flag-6" style="color: red">三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2021-03-17 17:59:10
開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年?duì)I收持續(xù)增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺(tái)積電和三星以及蘋果的性能之爭，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:261010 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393959 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451660 本月，三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國殺”剩下兩個(gè)玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031381 日前在深圳召開的2016三星移動(dòng)解決方案論壇上，這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝，承諾帶來更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:391455 10nm主要針對(duì)低功耗移動(dòng)芯片，下下個(gè)節(jié)點(diǎn)7nm才是高性能工藝，是首次突破10nm極限，也是三方爭搶的重點(diǎn)，TSMC及三星都準(zhǔn)備搶首發(fā)。
2016-05-30 11:53:531179 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星電子宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時(shí)間，韓國《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺(tái)積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:041029 三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進(jìn)入10nm時(shí)代，兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片，不過現(xiàn)據(jù)臺(tái)媒《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境，預(yù)計(jì)Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，而由于三星S8發(fā)布更早，遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠，涉及驍龍835、Exynos 8895等移動(dòng)SoC。
2017-03-15 08:30:35670 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411824 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮砜纯?b class="flag-6" style="color: red">DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2332470 昨天上午，三星官方發(fā)言，宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個(gè)10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知，三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后，就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級(jí)芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，比初代10nm級(jí)別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 DRAM內(nèi)存制造技術(shù)一直都是國家最為關(guān)注的重要戰(zhàn)略之一。在內(nèi)存市場中國沒有足夠的話語權(quán)，都被三星、SK海力士、美光幾家企業(yè)幾乎壟斷。據(jù)報(bào)道，紫光打造的中國第一款自主的PC DDR4內(nèi)存條終于問世，讓我們看到了國產(chǎn)內(nèi)存崛起的希望。
2017-12-22 16:00:261933 三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道，三星電子今天宣布，已開始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 據(jù)報(bào)道，近日芝奇推出Trident Z RGB DDR4-4700套裝被稱之為是目前頻率最高的DDR4內(nèi)存套裝，采用三星B-die顆粒，開啟XMP功能就可以達(dá)到4700MHz的工作頻率。
2018-02-06 11:47:382139 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn)，并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2827840 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺(tái)積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463 今年11月15日，SK海力士發(fā)布第一個(gè)符合JEDEC規(guī)格的DDR5 DRAM，而三星則在7月份成功開發(fā)出10nm級(jí)別的LPDDR5 DRAM，在技術(shù)上進(jìn)一步領(lǐng)先于世界同類企業(yè)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，SK
2018-11-23 17:27:118023 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364 隨著紫光、合肥長鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會(huì)迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢峰會(huì)上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:095571 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。
2019-09-27 17:23:291500 9 月份合肥長鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對(duì)于國產(chǎn)內(nèi)存，市場預(yù)期不會(huì)對(duì)三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來太大影響，但是會(huì)擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對(duì)此南亞科予以否認(rèn)，表示短時(shí)間內(nèi)沒什么大影響。
2019-11-19 10:44:313626 隨著紫光、合肥長鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會(huì)迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢峰會(huì)上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:145108 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬第一代10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評(píng)估，這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 15:33:342935 三星電子（Samsung Electronics）今天宣布，已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848 韓國三星電子于25日宣布,已經(jīng)成功出貨100 萬個(gè)極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10nm級(jí)DDR4 DRAM 模組,將為高端PC、移動(dòng)設(shè)備、企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用等提供更先進(jìn)EUV制程技術(shù)產(chǎn)品,開啟新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880 
國產(chǎn)化內(nèi)存的品質(zhì)之路 FORESEE國產(chǎn)化內(nèi)存的核心DRAM率先采用長鑫存儲(chǔ)的10nm級(jí)最新版本8Gb顆粒，該顆粒已
2020-05-22 15:24:523650 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)（1z）工藝打造，請(qǐng)注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 今日，七彩虹宣布 iGame 內(nèi)存全面升級(jí)，正式發(fā)布了 iGame VULCAN DDR4 內(nèi)存。 iGame VULCAN DDR4 延續(xù)了 VULCAN 顯卡紋理設(shè)計(jì)。值得一提的是，經(jīng)過網(wǎng)友命名
2020-12-25 10:31:313302 廠商都專心研究28nm DRAM芯片時(shí)，三星同樣跨過了28nm，直接開始研發(fā)25nm工藝，最終取得了成功。 這次三星同樣想靠彎道超車來與其他廠商拉開差距，占據(jù)行業(yè)領(lǐng)先地位。三星計(jì)劃在6月完成11nm DRAM芯片的開發(fā)工作。 綜合整理自 比特網(wǎng) 萬仟網(wǎng) 中文科技資訊 審核編輯
2022-04-18 18:21:582244 該機(jī)構(gòu)表示，目前已經(jīng)在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:482099 （nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。? “ ?三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung?Lee表示： 三星12nm級(jí)
2022-12-21 11:08:291205 款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:541342 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535586 隨著英特爾和amd將新的pc/筆記本電腦和服務(wù)器平臺(tái)更換為ddr4， ddr4的需求開始減少。因此，三星大幅減少ddr4的生產(chǎn)，轉(zhuǎn)向ddr5，試圖鞏固業(yè)界第一的位置。
2023-09-15 11:40:331381 三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來這一減產(chǎn)主要針對(duì)DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會(huì)導(dǎo)致DDR4市場價(jià)格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:081808 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:0013842 在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲，這一上漲主要?dú)w因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能，進(jìn)而推動(dòng)了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035 近日，據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星在其1b nm（即12nm級(jí)）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%，僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對(duì)這一局面，三星已在上月成立了專門的工作組，致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408 據(jù)韓國媒體最新報(bào)道，三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線，并預(yù)計(jì)該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運(yùn)營。這一舉措標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201 DDR4內(nèi)存模塊是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一項(xiàng)重要進(jìn)步，它是Double Data Rate（雙倍數(shù)據(jù)速率）第四代內(nèi)存技術(shù)的具體實(shí)現(xiàn)形式。
2024-09-04 12:35:503948 DDR4內(nèi)存頻率的最高值是一個(gè)隨著技術(shù)進(jìn)步而不斷演變的指標(biāo)。目前，DDR4內(nèi)存的頻率已經(jīng)取得了顯著的提升，但具體到最高頻率，則需要結(jié)合多個(gè)方面來討論。
2024-09-04 12:37:1512516 DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運(yùn)行時(shí)所能達(dá)到的速度，它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個(gè)重要指標(biāo)。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類型之一，其工作頻率經(jīng)歷了從最初的低頻率到當(dāng)前的高頻率的不斷發(fā)展。
2024-09-04 12:45:396941 三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露，三星計(jì)劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存，該制程將支持高達(dá)32Gb的顆粒容量，標(biāo)志著內(nèi)存性能與密度的雙重飛躍。
2024-09-09 17:45:491153 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分，其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場上最常
2024-11-20 14:24:2211362 DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù)，相較于DDR4內(nèi)存，在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:405418 ，這些主板通常支持較新的Intel處理器，并具備較高的性能和擴(kuò)展性。它們通常配備4個(gè)或更多的DDR4內(nèi)存插槽，支持較高的內(nèi)存頻率和容量。 B系列主板 ： 如B360、B365、B450、B460
2024-11-29 15:03:4715990 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071411 據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361 據(jù)報(bào)道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出，三星電子為應(yīng)對(duì)其12nm級(jí)
2025-01-23 15:05:11923 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468 給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價(jià)，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111207 三星近期已向全球 OEM 客戶發(fā)出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進(jìn)入產(chǎn)品壽命結(jié)束（EOL）階段，最后訂購日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產(chǎn)
2025-10-14 17:11:371046 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）前段時(shí)間，三星、SK海力士、美光等DRAM大廠已計(jì)劃陸續(xù)退出部分DDR4市場，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引發(fā)DDR4供應(yīng)鏈波動(dòng)，同時(shí)在供給不足的擔(dān)憂
2025-06-19 00:54:0010160 
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