工信部公示了集成電路領(lǐng)域4項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),主要集中在存儲(chǔ)器測(cè)試方面。另外,近期總投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢東湖高新區(qū)正式開工,中芯國(guó)際40nm ReRAM高端存儲(chǔ)芯片已經(jīng)出樣。可見,集成電路領(lǐng)域研發(fā)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范方面雙管齊下局面正在形成。
2017-01-18 09:31:39
1061 盧志遠(yuǎn)分析,NOR型快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)有同業(yè)退出,整體供給保守,需求又明顯成長(zhǎng)下,明年供需吃緊狀況還可能加劇。至于大陸擴(kuò)產(chǎn)主要是供應(yīng)低端市場(chǎng),對(duì)旺宏不會(huì)有所影響。
2017-07-26 08:12:14
944 的存儲(chǔ)器技術(shù),以替代閃存技術(shù),更有效地縮小存儲(chǔ)器,提高存儲(chǔ)性能。這篇文章將分析新的主要的基于無(wú)機(jī)材料的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),如鐵電存儲(chǔ)器 (FeRAM)、磁阻存儲(chǔ)器(MRAM)和相變存儲(chǔ)器(PCM),以及主要的基于鐵電或?qū)щ婇_關(guān)聚合物等有
2017-12-18 10:02:21
6033 
MCU是許多嵌入式子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵元素,但實(shí)現(xiàn)必要的系統(tǒng)功能通常需要額外的功能。也許基于MCU的設(shè)計(jì)中最受限制的元素之一是片上存儲(chǔ)器。越來越多的應(yīng)用程序需要比MCU可用的系統(tǒng)內(nèi)存更多的系統(tǒng)內(nèi)存
2019-02-19 08:55:00
4132 
日前,LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500,旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級(jí)的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開始向硬盤驅(qū)動(dòng)器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
首先說一下 MCU 的存儲(chǔ)器組織。蒙圈,MCU 中常使用的存儲(chǔ)器類型有:FLASH、RAM、ROM(包括EEPROM)在軟件角度來看,程序和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)分為以下幾個(gè)部分:[img=554,0
2018-08-08 17:10:39
。其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,因而常用于存儲(chǔ)各種固化程序和數(shù)據(jù)??梢杂糜诖娣舃oot-----FlashFLASH EEPROM 又稱閃存,快閃。flash可擦寫,在單片機(jī)中用于存儲(chǔ)程序。因?yàn)闅v史原因,很多人還是將 Flash 叫做 ROM.....種類有nandflash ,norflash等等...
2021-12-10 06:34:11
GD32E5高性能微控制器,采用臺(tái)積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建,具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和經(jīng)濟(jì)的開發(fā)成本。推動(dòng)嵌入式開發(fā)向高精度工業(yè)控制領(lǐng)域擴(kuò)展,解決數(shù)字電源
2021-12-16 08:13:14
的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器,其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器,45nm
2023-04-07 16:41:05
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)(RTOS),操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊,其中包括電池供電的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存
器),各種各樣的
閃存以及串口EEPROM(電可擦的,可編程的只讀
存儲(chǔ)器)?! ?/div>
2019-06-28 08:29:29
這是一mt6169 40nm CMOS多模多頻段收發(fā)器。射頻收發(fā)器功能是完全集成的。本文描述了射頻宏被嵌入到整個(gè)產(chǎn)品中的性能目標(biāo)。MT6169主要特征區(qū)別MT6169是第一個(gè)M聯(lián)ATEK射頻收發(fā)器1
2018-08-28 19:00:04
的一種常見方法。寫入并非寫入相同的閃存位置,而是均勻地分布在整個(gè)閃存半導(dǎo)體存儲(chǔ)器陣列上,確保寫入內(nèi)容在閃存矩陣中均勻分布。通過磨損均衡,當(dāng)微控制器寫入物理存儲(chǔ)器中的單個(gè)位置時(shí),閃存控制器可以將該
2019-07-30 11:19:18
啟動(dòng)模式講完了,我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000),但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問它。 接下來,再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
?! ?、硬盤存儲(chǔ)器 信息可以長(zhǎng)期保存,可以讀寫,容量大,但是不方便攜帶。 3、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤(優(yōu)盤)、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤(SSD)。 4、閃存盤(優(yōu)盤) 采用Flash存儲(chǔ)器(閃存
2019-06-05 23:54:02
大家好, 我的項(xiàng)目有一個(gè)閃存,用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時(shí),我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個(gè)功能:配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。那么,我該怎么辦呢?閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器引腳?謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
,復(fù)位后FPGA將通過這個(gè)PROM啟動(dòng)。但是在我未來的項(xiàng)目中,只有JTAG連接可用。因此,我想知道是否可以通過JTAG和軟件IMPACT用位文件刷新這個(gè)外部PROM。有沒有可用的通用指南如何通過JTAG和IMPACT(或任何其他工具)閃存任何隨機(jī)并行存儲(chǔ)器?感謝你的付出最好的祝福mitch89
2019-09-18 10:35:14
的 F-RAM 存儲(chǔ)器產(chǎn)品已成為高品質(zhì)行業(yè)(例如汽車)中非常普遍的選擇。 諸如 Mercedes、GM、BMW、Ford、Porsche 等制造商正在將 FRAM 用于他們的汽車產(chǎn)品中。13.我可以在與基于閃存
2018-08-20 09:11:18
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比,被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
你好,
我們使用帶有 CYT4DN 和 S25HS 外部存儲(chǔ)器的自定義COOLDIM_PRG_BOARD 。
我們正在嘗試閃存 .bin 圖像 文件到外部存儲(chǔ)器中。
因此,我想知道 IAR
2024-05-15 07:22:30
【來源】:《電子設(shè)計(jì)工程》2010年02期【摘要】:<正>賽靈思公司與聯(lián)華電子共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6FPGA,已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗(yàn)證
2010-04-24 09:06:05
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU,由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器,該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬(wàn)億次
2021-11-10 08:28:08
S25FS128SDSNFI100,MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口 
2023-02-07 14:23:17
40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點(diǎn)和最近的45-nm 節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢(shì)。最引人注目的優(yōu)勢(shì)之一是其更高的集成度,半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布,已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長(zhǎng)久以
2008-08-27 00:34:23
971 Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布,Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:06
1236 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器
全球最大的序列式快閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布,領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01
892 傳40nm制程代工廠良率普遍低于70%
據(jù)業(yè)者透露,包括臺(tái)積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無(wú)法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對(duì)下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:55
1359 臺(tái)積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題
據(jù)臺(tái)積電公司高級(jí)副總裁劉德音最近在一次公司會(huì)議上表示,臺(tái)積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:43
1259 賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入量產(chǎn)
賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯(lián)華電子(UMC)今天共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA,已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗(yàn)
2010-01-26 08:49:17
1145 華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布,華邦公司將于年內(nèi)開始40nm制程工藝的開發(fā),不過華邦拒絕就其將于爾必達(dá)合作進(jìn)
2010-02-02 18:00:12
1059 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42
1106 臺(tái)積電無(wú)奈出B計(jì)劃:AMD下代顯卡40nm工藝+混合架構(gòu)
AMD曾在多個(gè)場(chǎng)合確認(rèn)將在今年下半年發(fā)布全系列新顯卡,我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50
903 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片,用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:02
1410 Farichild降壓轉(zhuǎn)換器 有效為高容量SD快閃存儲(chǔ)器應(yīng)用供電
FAN5362提供優(yōu)化控制功能,適合低電量運(yùn)作
由于擁有
2010-09-30 11:11:20
1173 隨著數(shù)碼時(shí)代的來臨,除了PC外,越來越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭:移動(dòng)電話、掌上電腦、數(shù)碼相機(jī)、GPS等等,這些產(chǎn)品越來越多的使用各種移動(dòng)微存儲(chǔ)器。這些存儲(chǔ)器中很大部分是快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:03
4838 
瑞薩電子宣布開發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實(shí)時(shí)應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù),針對(duì)汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:13
1116 意法·愛立信今天發(fā)布了業(yè)界首個(gè)采用40nm制造工藝的整合GPS、GLONASS、藍(lán)牙和FM收音的平臺(tái)CG2905。這款開創(chuàng)性產(chǎn)品將提高定位導(dǎo)航的速度和精度,推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)擴(kuò)增實(shí)境應(yīng)用和先進(jìn)定位服務(wù)
2012-03-01 09:04:38
2705 本應(yīng)用筆記介紹如何利用IAR嵌入式工作臺(tái)工具分配和存取MAXQ微控制器上的閃存和SRAM存儲(chǔ)器。
2012-06-21 14:44:17
4452 
全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司(以下簡(jiǎn)稱“UMC”)于今日宣布,賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 (eCT?) 閃存微控制器(MCU),現(xiàn)已開始大單出貨。
2016-12-29 15:46:58
2708 作為中國(guó)本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè),中芯國(guó)際(SMIC)的新聞及其取得的成績(jī)一直是行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。2017新年伊始,其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天,該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)芯片,并稱更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來。
2017-01-17 09:40:00
4521 目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國(guó)際達(dá)成合作,發(fā)力中國(guó)市場(chǎng)。其中,中芯國(guó)際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:55
4016 是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。 由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù),閃存通常被用來保存設(shè)置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、
2017-10-11 14:11:37
23692 可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù),閃存通常被用來保存設(shè)置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、
2017-10-11 15:16:17
16975 閃存存儲(chǔ)器是寄存器嗎? 很明顯不是 ,一個(gè)屬于儲(chǔ)存器,一個(gè)是寄存器。那么寄存器和存儲(chǔ)器有什么區(qū)別呢? 1、從范圍來看 寄存器在CPU的內(nèi)部,它的訪問速度快,但容量?。?086微處理器只有14個(gè)16位
2017-10-11 17:12:21
12475 存儲(chǔ)器芯片價(jià)格還在上漲的同時(shí),質(zhì)量就決定勝負(fù)的重要關(guān)鍵,對(duì)旺宏而言,2017年的業(yè)績(jī)大幅成長(zhǎng),完整產(chǎn)品組合,提供一站式的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器專業(yè)供應(yīng)商低容量快閃存儲(chǔ)器重現(xiàn)商機(jī)。
2017-12-18 13:09:16
1372 速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品,資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌。
2018-01-02 10:06:39
2098 聯(lián)華電子宣布,推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶,在以往55納米單元尺寸減少20%以上,整體縮小了20~30%。東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司賑災(zāi)評(píng)估這個(gè)微處理器芯片。
2018-01-04 10:34:36
2880 旺宏昨日召開財(cái)報(bào)會(huì)表示,2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%,為全球霸主。另外,小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%,旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來
2018-02-01 05:34:01
1484 
在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00
1319 位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝,這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn),從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:00
2457 根據(jù)韓國(guó)媒體的報(bào)導(dǎo),韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星已經(jīng)確認(rèn),將會(huì)在韓國(guó)平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠,用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能。 之前,韓國(guó)媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:11
5298 現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:02
1646 代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:00
4986 的修改,您可以在引導(dǎo)閃存中存放例程和常量數(shù)據(jù);這樣就擴(kuò)展了PlC32 MCU的程序存儲(chǔ)器。例如,帶有128 KB閃存的器件實(shí)際上有140 KB可用。使用引導(dǎo)閃存沒有任何不利,因?yàn)樗挥诳筛咚倬彺娴?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器中。 本文檔說明如何把一半引導(dǎo)閃存劃撥給應(yīng)用代
2018-04-20 14:28:34
3 日前,東芝(TOSHIBA)、西數(shù)(WD)等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器,核心容量可達(dá) 1.33TB,單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存儲(chǔ)器
2018-07-26 18:01:00
2759 有幾十個(gè)工程師擠在美國(guó)德州奧斯汀(Austin)近郊重劃區(qū)的咖啡店與美容院之間,探索運(yùn)算技術(shù)的新方向──這是一家名為Mythic的新創(chuàng)公司,目標(biāo)是將神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)映射至NOR快閃存儲(chǔ)器陣列,以或許可節(jié)省兩個(gè)數(shù)量等級(jí)功耗的方式來運(yùn)算與儲(chǔ)存資料。
2018-06-08 11:46:00
2953 出樣40nm ReRAM存儲(chǔ)芯片,更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來,這種新型存儲(chǔ)芯片比NAND閃存快一千倍,耐用一千倍。
2018-11-01 16:07:16
3536 的產(chǎn)品集成度將幫助2.5G功能型手機(jī)制造商降低整個(gè)平臺(tái)成本,并增加工業(yè)設(shè)計(jì)的靈活性。 “SC6531采用40nm CMOS工藝,為客戶提供
2018-11-14 20:39:01
983 據(jù)報(bào)導(dǎo),多位關(guān)系人士透露,從東芝獨(dú)立出來的全球第二大NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)廠商?hào)|芝存儲(chǔ)器(TMC)已著手進(jìn)行準(zhǔn)備原定于今年9月的IPO,預(yù)估TMC上市后市值將超過2萬(wàn)億日元。
2019-02-24 10:09:00
3369 群聯(lián)搶搭儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)需求爆發(fā)商機(jī) ,今年在臺(tái)北國(guó)際電腦展( Computex)展出的高端儲(chǔ)存系列產(chǎn)品受到市場(chǎng)矚目,預(yù)料在進(jìn)入5G后,將成為各大應(yīng)領(lǐng)用領(lǐng)域新寵,也成為群聯(lián)獲利利器。
2019-06-04 17:02:22
3583 快閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)(對(duì)于大的存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘)。因此,此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng),否則快閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:00
1166 人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤(SSD)正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因,因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:45
3512 因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生,也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成,不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器,但也是最貴的,也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:58
3508 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01
1016 集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU,由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器,該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬(wàn)億次
2020-11-17 16:33:39
982 美光科技(Micron Technologies)宣布退出曾經(jīng)前景看好的3D Xpoint非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng),隨著市場(chǎng)頻寬需求持續(xù)飆升,將資料中心應(yīng)用技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)聚焦于新興的CXL (Compute Express Link)高速互連介面。
2021-04-03 09:20:00
1758 SRAM(StaticRandom-AccessMemory):靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM(Dynamic Random
2021-10-28 09:51:20
11 集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU,由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器,該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬(wàn)億次
2021-11-05 17:35:59
18 根據(jù)組成元件的不同,ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲(chǔ)器(MASK ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:21
5449 本文將快速回顧現(xiàn)代 MCU 上可用的一些外部存儲(chǔ)器接口。這將幫助設(shè)計(jì)人員更有效地實(shí)現(xiàn)需要額外外部存儲(chǔ)(如 NVM 閃存或易失性 SRAM/DRAM)的基于 MCU 的系統(tǒng)。
2022-08-05 15:12:09
4358 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-22 10:00:54
0 基于上述因素,越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲(chǔ)器,比如相變存儲(chǔ)器(PCM)、磁RAM(MRAM)和阻變存儲(chǔ)器(RRAM)等,當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:06
1421 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:39
1 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:31
0 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:15
3 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:53
0 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:10
0 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:04
0 4 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器用于確定復(fù)位后MCU的狀態(tài)。該存儲(chǔ)器分配在閃存中的配置設(shè)置區(qū)域和程序閃存區(qū)域。這兩個(gè)區(qū)域的可用設(shè)置方法不同。Cortex-M33內(nèi)核MCU的選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器可能具有
2023-06-08 17:00:04
1647 
IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:11
1 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:56
1 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:26
0 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:51
1 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:24
1 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:12
2 AT32 MCU如何設(shè)定啟動(dòng)存儲(chǔ)器為主存擴(kuò)展
2023-10-18 17:50:55
1321 
需要在設(shè)計(jì)和開發(fā)過程中遵循一些最佳實(shí)踐。本文
將詳細(xì)介紹如何最大限度地利用
MCU的NVM。 1.選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器類型:
MCU的NVM通常有多種類型可供選擇,例如
閃存(Flash)、EEPROM(電可擦除可編程只讀
存儲(chǔ)器)和FRAM(非易失性RAM)。根據(jù)需要,選擇適當(dāng)?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:49
2625 非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 (Flash Memory) 與只讀存儲(chǔ)器 (Read-Only Memory)。其中,快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:15
2049 
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布了將與中國(guó)第二大晶圓代工廠合作,計(jì)劃于2025年底在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器(MCU).
2024-11-21 15:41:56
1482 11月21日,意法半導(dǎo)體(ST)宣布與中國(guó)晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體合作的新計(jì)劃 ,將與華虹合作在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的MCU! 意法半導(dǎo)體表示,它正在與中國(guó)第二大定制芯片制造商華虹合作,到2025年底在
2024-11-26 01:05:00
1224 近日,歐洲芯片巨頭意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)宣布了一項(xiàng)與中國(guó)第二大晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體合作的新計(jì)劃。雙方將攜手在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器(MCU),以助力ST實(shí)現(xiàn)中長(zhǎng)期的營(yíng)收目標(biāo)。
2024-12-03 12:42:15
1389
已全部加載完成
評(píng)論