中國紫光集團(tuán)宣布，投入快閃存儲器戰(zhàn)場，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。
2017-01-03 09:05:21
1135 工信部公示了集成電路領(lǐng)域4項國家標(biāo)準(zhǔn)，主要集中在存儲器測試方面。另外，近期總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式開工，中芯國際40nm ReRAM高端存儲芯片已經(jīng)出樣?？梢?，集成電路領(lǐng)域研發(fā)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范方面雙管齊下局面正在形成。
2017-01-18 09:31:391061 盧志遠(yuǎn)分析，NOR型快閃存儲器市場有同業(yè)退出，整體供給保守，需求又明顯成長下，明年供需吃緊狀況還可能加劇。至于大陸擴產(chǎn)主要是供應(yīng)低端市場，對旺宏不會有所影響。
2017-07-26 08:12:14944 的存儲器技術(shù)，以替代閃存技術(shù)，更有效地縮小存儲器，提高存儲性能。這篇文章將分析新的主要的基于無機材料的非易失性存儲器技術(shù)，如鐵電存儲器 (FeRAM)、磁阻存儲器(MRAM)和相變存儲器(PCM)，以及主要的基于鐵電或?qū)щ婇_關(guān)聚合物等有
2017-12-18 10:02:216033 
MCU是許多嵌入式子系統(tǒng)設(shè)計中的關(guān)鍵元素，但實現(xiàn)必要的系統(tǒng)功能通常需要額外的功能。也許基于MCU的設(shè)計中最受限制的元素之一是片上存儲器。越來越多的應(yīng)用程序需要比MCU可用的系統(tǒng)內(nèi)存更多的系統(tǒng)內(nèi)存
2019-02-19 08:55:004132 
日前，LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500，旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開始向硬盤驅(qū)動器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
首先說一下 MCU 的存儲器組織。蒙圈，MCU 中常使用的存儲器類型有：FLASH、RAM、ROM（包括EEPROM）在軟件角度來看，程序和數(shù)據(jù)的存儲分為以下幾個部分：[img=554,0
2018-08-08 17:10:39
。其結(jié)構(gòu)簡單，因而常用于存儲各種固化程序和數(shù)據(jù)。可以用于存放boot-----FlashFLASH EEPROM 又稱閃存，快閃。flash可擦寫，在單片機中用于存儲程序。因為歷史原因，很多人還是將 Flash 叫做 ROM.....種類有nandflash ，norflash等等...
2021-12-10 06:34:11
GD32E5高性能微控制器，采用臺積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建，具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和經(jīng)濟的開發(fā)成本。推動嵌入式開發(fā)向高精度工業(yè)控制領(lǐng)域擴展，解決數(shù)字電源
2021-12-16 08:13:14
的普及應(yīng)用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲器，其后在第二階段,它將取代手機中的MCP以及獨立DRAM和獨立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會取代嵌入式存儲器，45nm
2023-04-07 16:41:05
當(dāng)系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存
器），各種各樣的
閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
這是一mt6169 40nm CMOS多模多頻段收發(fā)器。射頻收發(fā)器功能是完全集成的。本文描述了射頻宏被嵌入到整個產(chǎn)品中的性能目標(biāo)。MT6169主要特征區(qū)別MT6169是第一個M聯(lián)ATEK射頻收發(fā)器1
2018-08-28 19:00:04
的一種常見方法。寫入并非寫入相同的閃存位置，而是均勻地分布在整個閃存半導(dǎo)體存儲器陣列上，確保寫入內(nèi)容在閃存矩陣中均勻分布。通過磨損均衡，當(dāng)微控制器寫入物理存儲器中的單個位置時，閃存控制器可以將該
2019-07-30 11:19:18
啟動模式講完了，我們知道是主閃存存儲器啟動的。主閃存存儲器被映射到啟動空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問它。 接下來，再看一下它的啟動流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
?！ ?、硬盤存儲器 信息可以長期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶。 3、移動存儲器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）?！ ?、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲器（閃存
2019-06-05 23:54:02
大家好， 我的項目有一個閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
，復(fù)位后FPGA將通過這個PROM啟動。但是在我未來的項目中，只有JTAG連接可用。因此，我想知道是否可以通過JTAG和軟件IMPACT用位文件刷新這個外部PROM。有沒有可用的通用指南如何通過JTAG和IMPACT（或任何其他工具）閃存任何隨機并行存儲器？感謝你的付出最好的祝福mitch89
2019-09-18 10:35:14
的 F-RAM 存儲器產(chǎn)品已成為高品質(zhì)行業(yè)（例如汽車）中非常普遍的選擇。 諸如 Mercedes、GM、BMW、Ford、Porsche 等制造商正在將 FRAM 用于他們的汽車產(chǎn)品中。13.我可以在與基于閃存
2018-08-20 09:11:18
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
方便移動設(shè)備應(yīng)用.存儲器系統(tǒng)設(shè)計必須支持增長的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實可以減少功耗。存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
你好，
我們使用帶有 CYT4DN 和 S25HS 外部存儲器的自定義COOLDIM_PRG_BOARD 。
我們正在嘗試閃存 .bin 圖像 文件到外部存儲器中。
因此，我想知道 IAR
2024-05-15 07:22:30
【來源】：《電子設(shè)計工程》2010年02期【摘要】：<正>賽靈思公司與聯(lián)華電子共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6FPGA,已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗證
2010-04-24 09:06:05
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點和最近的45-nm 節(jié)點在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢。最引人注目的優(yōu)勢之一是其更高的集成度，半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布，已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長久以
2008-08-27 00:34:23971 Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器
全球最大的序列式快閃存儲器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01892 傳40nm制程代工廠良率普遍低于70%
據(jù)業(yè)者透露，包括臺積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:551359 臺積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題
據(jù)臺積電公司高級副總裁劉德音最近在一次公司會議上表示，臺積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:431259 賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入量產(chǎn)
賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯(lián)華電子(UMC)今天共同宣布，采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA，已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗
2010-01-26 08:49:171145 華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內(nèi)開始40nm制程工藝的開發(fā)，不過華邦拒絕就其將于爾必達(dá)合作進(jìn)
2010-02-02 18:00:121059 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 臺積電無奈出B計劃：AMD下代顯卡40nm工藝＋混合架構(gòu)
AMD曾在多個場合確認(rèn)將在今年下半年發(fā)布全系列新顯卡，我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50903 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021410 Farichild降壓轉(zhuǎn)換器 有效為高容量SD快閃存儲器應(yīng)用供電
FAN5362提供優(yōu)化控制功能，適合低電量運作
由于擁有
2010-09-30 11:11:201173 隨著數(shù)碼時代的來臨，除了PC外，越來越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭：移動電話、掌上電腦、數(shù)碼相機、GPS等等，這些產(chǎn)品越來越多的使用各種移動微存儲器。這些存儲器中很大部分是快閃存儲器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:034838 
瑞薩電子宣布開發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實時應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù)，針對汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:131116 意法·愛立信今天發(fā)布了業(yè)界首個采用40nm制造工藝的整合GPS、GLONASS、藍(lán)牙和FM收音的平臺CG2905。這款開創(chuàng)性產(chǎn)品將提高定位導(dǎo)航的速度和精度，推動市場對擴增實境應(yīng)用和先進(jìn)定位服務(wù)
2012-03-01 09:04:382705 本應(yīng)用筆記介紹如何利用IAR嵌入式工作臺工具分配和存取MAXQ微控制器上的閃存和SRAM存儲器。
2012-06-21 14:44:174452 
全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司（以下簡稱“UMC”）于今日宣布，賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 （eCT?） 閃存微控制器（MCU），現(xiàn)已開始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582708 作為中國本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè)，中芯國際（SMIC）的新聞及其取得的成績一直是行業(yè)關(guān)注的焦點。2017新年伊始，其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天，該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）芯片，并稱更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會到來。
2017-01-17 09:40:004521 目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當(dāng)中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲器）。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國際達(dá)成合作，發(fā)力中國市場。其中，中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:554016 是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。 由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 14:11:3723692 可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 15:16:1716975 閃存存儲器是寄存器嗎？ 很明顯不是 ，一個屬于儲存器，一個是寄存器。那么寄存器和存儲器有什么區(qū)別呢？ 1、從范圍來看 寄存器在CPU的內(nèi)部，它的訪問速度快，但容量小（8086微處理器只有14個16位
2017-10-11 17:12:2112475 存儲器芯片價格還在上漲的同時，質(zhì)量就決定勝負(fù)的重要關(guān)鍵，對旺宏而言，2017年的業(yè)績大幅成長，完整產(chǎn)品組合，提供一站式的非揮發(fā)性存儲器專業(yè)供應(yīng)商低容量快閃存儲器重現(xiàn)商機。
2017-12-18 13:09:161372 速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃存儲器系列產(chǎn)品，資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌。
2018-01-02 10:06:392098 聯(lián)華電子宣布，推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，在以往55納米單元尺寸減少20%以上，整體縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司賑災(zāi)評估這個微處理器芯片。
2018-01-04 10:34:362880 旺宏昨日召開財報會表示，2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營收60%，旺宏并預(yù)計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來
2018-02-01 05:34:011484 
在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:002457 根據(jù)韓國媒體的報導(dǎo)，韓國存儲器大廠三星已經(jīng)確認(rèn)，將會在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴大DRAM、NAND Flash快閃存儲器的產(chǎn)能。 之前，韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021646 代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:004986 的修改，您可以在引導(dǎo)閃存中存放例程和常量數(shù)據(jù)；這樣就擴展了PlC32 MCU的程序存儲器。例如，帶有128 KB閃存的器件實際上有140 KB可用。使用引導(dǎo)閃存沒有任何不利，因為它位于可高速緩存的存儲器中。 本文檔說明如何把一半引導(dǎo)閃存劃撥給應(yīng)用代
2018-04-20 14:28:343 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存儲器
2018-07-26 18:01:002759 有幾十個工程師擠在美國德州奧斯汀(Austin)近郊重劃區(qū)的咖啡店與美容院之間，探索運算技術(shù)的新方向──這是一家名為Mythic的新創(chuàng)公司，目標(biāo)是將神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)映射至NOR快閃存儲器陣列，以或許可節(jié)省兩個數(shù)量等級功耗的方式來運算與儲存資料。
2018-06-08 11:46:002953 出樣40nm ReRAM存儲芯片，更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會到來，這種新型存儲芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
2018-11-01 16:07:163536 的產(chǎn)品集成度將幫助2.5G功能型手機制造商降低整個平臺成本，并增加工業(yè)設(shè)計的靈活性。 “SC6531采用40nm CMOS工藝，為客戶提供
2018-11-14 20:39:01983 據(jù)報導(dǎo)，多位關(guān)系人士透露，從東芝獨立出來的全球第二大NAND型快閃存儲器（Flash Memory）廠商東芝存儲器（TMC）已著手進(jìn)行準(zhǔn)備原定于今年9月的IPO，預(yù)估TMC上市后市值將超過2萬億日元。
2019-02-24 10:09:003369 群聯(lián)搶搭儲存型快閃存儲器（NAND Flash）需求爆發(fā)商機 ，今年在臺北國際電腦展（ Computex）展出的高端儲存系列產(chǎn)品受到市場矚目，預(yù)料在進(jìn)入5G后，將成為各大應(yīng)領(lǐng)用領(lǐng)域新寵，也成為群聯(lián)獲利利器。
2019-06-04 17:02:223583 快閃存儲器的編程時間有時會很長（對于大的存儲器或存儲器組可達(dá)1分鐘）。因此，此時不容許有其它元件的逆驅(qū)動，否則快閃存儲器可能會受到損害。
2019-09-13 12:44:001166 人們需要了解閃存存儲器和固態(tài)硬盤（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因為這些超級快速存儲的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲層。
2019-12-05 09:38:453512 因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運而生，也就是靜態(tài)隨機存取存儲器。它通常以六個聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機存取儲存器是計算機系統(tǒng)中最快的存儲器，但也是最貴的，也占用了比動態(tài)隨機存取儲存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:583508 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍，功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2020-11-17 16:33:39982 美光科技（Micron Technologies）宣布退出曾經(jīng)前景看好的3D Xpoint非易失性存儲器市場，隨著市場頻寬需求持續(xù)飆升，將資料中心應(yīng)用技術(shù)發(fā)展重點聚焦于新興的CXL （Compute Express Link）高速互連介面。
2021-04-03 09:20:001758 SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機存儲器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-10-28 09:51:2011 集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-05 17:35:5918 根據(jù)組成元件的不同，ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲器(MASK ROM)、可編程只讀存儲器(PROM)、可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)、快閃存儲器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:215449 本文將快速回顧現(xiàn)代 MCU 上可用的一些外部存儲器接口。這將幫助設(shè)計人員更有效地實現(xiàn)需要額外外部存儲（如 NVM 閃存或易失性 SRAM/DRAM）的基于 MCU 的系統(tǒng)。
2022-08-05 15:12:094358 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費下載
2022-09-22 10:00:540 基于上述因素，越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲器，比如相變存儲器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:153 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040 4 選項設(shè)置存儲器 選項設(shè)置存儲器用于確定復(fù)位后MCU的狀態(tài)。該存儲器分配在閃存中的配置設(shè)置區(qū)域和程序閃存區(qū)域。這兩個區(qū)域的可用設(shè)置方法不同。Cortex-M33內(nèi)核MCU的選項設(shè)置存儲器可能具有
2023-06-08 17:00:041647 
IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:511 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122 AT32 MCU如何設(shè)定啟動存儲器為主存擴展
2023-10-18 17:50:551321 
需要在設(shè)計和開發(fā)過程中遵循一些最佳實踐。本文
將詳細(xì)介紹如何最大限度地利用
MCU的NVM。 1.選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲器類型：
MCU的NVM通常有多種類型可供選擇，例如
閃存（Flash）、EEPROM（電可擦除可編程只讀
存儲器）和FRAM（非易失性RAM）。根據(jù)需要，選擇適當(dāng)?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:492625 非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:152049 
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布了將與中國第二大晶圓代工廠合作，計劃于2025年底在中國生產(chǎn)40nm節(jié)點的微控制器（MCU）.
2024-11-21 15:41:561482 11月21日，意法半導(dǎo)體（ST）宣布與中國晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體合作的新計劃 ，將與華虹合作在中國生產(chǎn)40nm節(jié)點的MCU！ 意法半導(dǎo)體表示，它正在與中國第二大定制芯片制造商華虹合作，到2025年底在
2024-11-26 01:05:001224 近日，歐洲芯片巨頭意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布了一項與中國第二大晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體合作的新計劃。雙方將攜手在中國生產(chǎn)40nm節(jié)點的微控制器（MCU），以助力ST實現(xiàn)中長期的營收目標(biāo)。
2024-12-03 12:42:151389 已全部加載完成
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