比NAND閃存更快千倍 40納米ReRAM在中芯國(guó)際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注！曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國(guó)際，為何鎖定瞄準(zhǔn)ReRAM？主要原因在于ReRAM應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置擁有愈長(zhǎng)的電池續(xù)航力，一來(lái)可節(jié)省維護(hù)成本、二來(lái)有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施可持續(xù)性。
2017-03-01 09:54:15
1584 中芯國(guó)際設(shè)計(jì)服務(wù)執(zhí)行副總裁湯天申博士表示，“這是首個(gè)可用于
中芯國(guó)際40LL
工藝的eFPGA IP產(chǎn)品。我們選擇QuickLogic，因?yàn)樵摴驹诘凸?FPGA 架構(gòu)和軟件支持方面擁有數(shù)十年的經(jīng)驗(yàn)。這項(xiàng)技術(shù)為制造后期的設(shè)計(jì)提供了前所未有的靈活性，如今我們的客戶也能從中受益?！?/div>
2017-09-14 06:58:004849 4月以來(lái)，中芯國(guó)際好消息不斷，業(yè)內(nèi)人士稱，中芯國(guó)際與嘉楠科技合作的14nm挖礦機(jī)芯片已經(jīng)完成測(cè)試，計(jì)劃在2020年第二季度量產(chǎn)出貨。此外，華為海思1月份給中芯國(guó)際下單，最近業(yè)內(nèi)傳出，華為旗下榮耀發(fā)表
2020-04-16 09:05:3614332 中芯國(guó)際的7nm工藝發(fā)展跟臺(tái)積電的路線差不多，7nm節(jié)點(diǎn)一共發(fā)展了三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7＋，前兩代工藝也沒(méi)用EUV光刻機(jī)，只有N7＋工藝上才開(kāi)始用EUV工藝，不過(guò)光罩層數(shù)也比較少，5nm節(jié)點(diǎn)寸是充分利用EUV光刻工藝的，達(dá)到了14層EUV光罩。
2020-02-28 09:49:166208 6月7日晚間，中芯國(guó)際在上交所公布了對(duì)第一輪審核問(wèn)詢函的回復(fù)。此前中芯國(guó)際在招股說(shuō)明書(shū)披露，公司邏輯工藝技術(shù)平臺(tái)65/55nm及以下、0.13/0.11微米、0.18/0.15微米均為國(guó)際領(lǐng)先，成熟
2020-06-09 10:29:2410190 對(duì)比高盛的技術(shù)路線預(yù)測(cè)，臺(tái)積電在2018年率先量產(chǎn)了7nm工藝，今年的2020年將量產(chǎn)5nm工藝。兩相比較之下，中芯國(guó)際依然落后臺(tái)積電4年左右時(shí)間，這已經(jīng)很不容易了。在半導(dǎo)體制造方面，內(nèi)地的公司目前
2020-07-05 12:27:2510002 科技專用的40nm制造生產(chǎn)線。 ? JASM是臺(tái)積電在日本熊本縣的控股制造子公司，40nm工藝將幫助微芯提高供應(yīng)鏈彈性。微芯在美國(guó)擁有一系列傳統(tǒng)硅制造業(yè)務(wù)，與臺(tái)積電的交易包括投資額外技術(shù)以提高內(nèi)部制造能力和產(chǎn)能，同時(shí)建立更多地域選擇性和供應(yīng)鏈多樣性，涵蓋晶圓廠、代工廠、封裝測(cè)
2024-04-10 10:55:251373 日前，LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500，旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級(jí)的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開(kāi)始向硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說(shuō)7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
各類常用工藝庫(kù)臺(tái)積電，中芯國(guó)際，華潤(rùn)上華
2015-12-17 19:52:34
【來(lái)源】：《電子設(shè)計(jì)工程》2010年02期【摘要】：<正>賽靈思公司與聯(lián)華電子共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6FPGA,已經(jīng)完全通過(guò)生產(chǎn)前的驗(yàn)證
2010-04-24 09:06:05
40nm等工藝節(jié)點(diǎn)推出藍(lán)牙IP解決方案，并已進(jìn)入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍(lán)牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺(tái)更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲(chǔ)IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專業(yè)及時(shí)的技術(shù)支持，銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56
40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點(diǎn)和最近的45-nm 節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢(shì)。最引人注目的優(yōu)勢(shì)之一是其更高的集成度，半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布，已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長(zhǎng)久以
2008-08-27 00:34:23971 中芯國(guó)際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（“中芯國(guó)際”，紐約
2009-10-15 08:22:441035 傳臺(tái)積電取消32nm工藝
據(jù)稱，全球第一大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電已經(jīng)完全取消了下一代32nm工藝，算上一直不順利的40nm工藝真可謂是屋漏偏逢連夜雨了。
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2009-11-27 18:00:09766 傳40nm制程代工廠良率普遍低于70%
據(jù)業(yè)者透露，包括臺(tái)積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無(wú)法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對(duì)下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:551359 臺(tái)積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問(wèn)題
據(jù)臺(tái)積電公司高級(jí)副總裁劉德音最近在一次公司會(huì)議上表示，臺(tái)積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:431259 賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入量產(chǎn)
賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯(lián)華電子(UMC)今天共同宣布，采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA，已經(jīng)完全通過(guò)生產(chǎn)前的驗(yàn)
2010-01-26 08:49:171145 華邦電子宣布將于年內(nèi)開(kāi)始40nm制程技術(shù)研發(fā)
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內(nèi)開(kāi)始40nm制程工藝的開(kāi)發(fā)，不過(guò)華邦拒絕就其將于爾必達(dá)合作進(jìn)
2010-02-02 18:00:121059 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 臺(tái)積電無(wú)奈出B計(jì)劃：AMD下代顯卡40nm工藝＋混合架構(gòu)
AMD曾在多個(gè)場(chǎng)合確認(rèn)將在今年下半年發(fā)布全系列新顯卡，我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50903 Synopsys和中芯國(guó)際合作推出65-nm到40-nm的SoC設(shè)計(jì)解決方案經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的聯(lián)合解決方案確保晶晨半導(dǎo)體達(dá)到以高性能產(chǎn)品搶占市場(chǎng)的目標(biāo)
2010-11-16 10:36:121153 半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、和制造軟件及知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)的供應(yīng)商新思科技有限公司和中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際)日前宣布已正式提供用于中芯國(guó)際先進(jìn)65-nm工藝的系統(tǒng)級(jí)
2010-11-17 09:12:541421 單芯片BCM43142是業(yè)界首款適用于筆記本電腦和上網(wǎng)本的40nm Wi-Fi藍(lán)牙組合芯片。該新芯片實(shí)現(xiàn)了Wi-Fi Direct互連與就近配對(duì)的無(wú)縫結(jié)合，極大地簡(jiǎn)化了家庭中的無(wú)線互連。這款組合芯片支持
2011-06-02 08:43:2410665 燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司與中芯國(guó)際今天共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆 40nm 芯片在中芯國(guó)際一次性流片驗(yàn)證成功。
2011-06-22 09:16:331743 瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實(shí)時(shí)應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù)，針對(duì)汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:131116 意法·愛(ài)立信今天發(fā)布了業(yè)界首個(gè)采用40nm制造工藝的整合GPS、GLONASS、藍(lán)牙和FM收音的平臺(tái)CG2905。這款開(kāi)創(chuàng)性產(chǎn)品將提高定位導(dǎo)航的速度和精度，推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)擴(kuò)增實(shí)境應(yīng)用和先進(jìn)定位服務(wù)
2012-03-01 09:04:382705 新思科技公司與世界領(lǐng)先半導(dǎo)體代工企業(yè)之一中芯國(guó)際集成電路制造有限公司今日宣布：從即日起推出其40納米R(shí)TL-to-GDSII參考設(shè)計(jì)流程的5.0版本。
2012-06-27 15:53:401862 全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司（以下簡(jiǎn)稱“UMC”）于今日宣布，賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 （eCT?） 閃存微控制器（MCU），現(xiàn)已開(kāi)始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582708 目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國(guó)際達(dá)成合作，發(fā)力中國(guó)市場(chǎng)。其中，中芯國(guó)際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:554016 中芯國(guó)際CEO邱慈云表態(tài)今年晚些時(shí)候會(huì)投資研發(fā)7nm工藝，不過(guò)他并沒(méi)有給出國(guó)產(chǎn)7nm工藝問(wèn)世時(shí)間，考慮到14nm工藝目標(biāo)定在2018-2020年左右，估計(jì)國(guó)產(chǎn)的7nm工藝至少也得在2020年之后了。
2017-03-17 10:07:307326 中芯國(guó)際是全球芯片代工行業(yè)中的四大廠商之一。然而，目前，中芯國(guó)際投入量產(chǎn)的最先進(jìn)的制程工藝是28納米PolySiON工藝。并且，中芯國(guó)際仍需對(duì)高端的28納米HKMG工藝繼續(xù)深入探究。 中芯國(guó)際是全球
2017-04-26 10:05:111269 
基于CCopt引擎的SMIC40nm低功耗工藝CortexA9的時(shí)鐘樹(shù)實(shí)現(xiàn),該文基于 SMIC 40nm 低功耗工藝的 ARM Cortex A9 物理設(shè)計(jì)的實(shí)際情況，詳細(xì)闡述了如何使用 cadence 最新的時(shí)鐘同步優(yōu)化技術(shù)，又稱為 CCopt 技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一的時(shí)鐘樹(shù)綜合和物理優(yōu)化。
2017-09-28 09:08:517 中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露，中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。
2018-05-14 14:52:006032 替換高清大圖 請(qǐng)點(diǎn)擊此處輸入圖片描述 中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并借此進(jìn)入...... 晶圓制造是目前芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)
2018-05-17 09:37:355724 從營(yíng)業(yè)收入和市場(chǎng)份額來(lái)看，臺(tái)積電都是中芯國(guó)際的10倍以上。就技術(shù)來(lái)說(shuō)，目前臺(tái)積電已經(jīng)掌握了7nm工藝，并正在研發(fā)5nm工藝。而中芯國(guó)際還在苦苦提升28nm工藝的良率，距離突破14nm工藝還需要一些時(shí)間。
2018-05-29 14:16:3113293 開(kāi)始安裝設(shè)備，落成后月產(chǎn)能將達(dá)到15萬(wàn)片晶圓，成為全球最大的8英寸晶圓廠。此外，中芯國(guó)際今年的資本開(kāi)支為19億美元，除了擴(kuò)建產(chǎn)能還將繼續(xù)研發(fā)14nm工藝。
2018-07-16 15:03:004988 出樣40nm ReRAM存儲(chǔ)芯片，更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來(lái)，這種新型存儲(chǔ)芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
2018-11-01 16:07:163536 根據(jù)中芯國(guó)際之前的爆料，其14nm工藝良率已達(dá)95%，進(jìn)展符合預(yù)期，已經(jīng)進(jìn)入了客戶導(dǎo)入階段，正在進(jìn)行驗(yàn)證及IP設(shè)計(jì)。另外，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松宣布計(jì)劃在2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)14nm FinFET。
2018-11-11 10:03:304908 的產(chǎn)品集成度將幫助2.5G功能型手機(jī)制造商降低整個(gè)平臺(tái)成本，并增加工業(yè)設(shè)計(jì)的靈活性。 “SC6531采用40nm CMOS工藝，為客戶提供
2018-11-14 20:39:01983 ”）共同合作，集成USB3.0物理層設(shè)計(jì)（PHY）與控制器 （Controller）并應(yīng)用于中芯國(guó)際40nm和55nm的工藝技術(shù)，推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:567748 在上海市委副書(shū)記、市長(zhǎng)應(yīng)勇作的政府工作報(bào)告中，公布中芯國(guó)際14nm工藝量產(chǎn)引起了巨大關(guān)注。中芯國(guó)際是中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大的芯片制造企業(yè)。
2019-02-05 14:01:008633 2月14日，國(guó)內(nèi)晶圓代工大廠中芯國(guó)際發(fā)布2018年第四季度業(yè)績(jī)，宣布14nm工藝進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，且12nm工藝開(kāi)發(fā)取得突破。
2019-02-15 15:25:544419 XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來(lái)表示?，F(xiàn)在的CPU內(nèi)集成了以億為單位的晶體管，這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。
2019-02-20 11:08:0234080
從去年下半年開(kāi)始，不斷有消息稱，中芯國(guó)際將在2019年上半年大規(guī)模量產(chǎn)14nm工藝，雖然相比世界最先進(jìn)水平還有一定差距，但追趕勢(shì)頭已經(jīng)非?？炝?。
不過(guò)現(xiàn)在有外媒報(bào)道稱，中芯國(guó)際會(huì)從
2019-02-27 15:48:066970 5月8日，晶圓代工廠中芯國(guó)際發(fā)布其2019年第一季度業(yè)績(jī)報(bào)告。一季度中芯國(guó)際營(yíng)收、凈利均有所下滑，但宣布12nm工藝開(kāi)發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。
2019-05-09 16:44:322654 作為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)最薄弱但也是最重要的環(huán)節(jié)，芯片工藝一直是國(guó)內(nèi)的痛點(diǎn)，所以國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際任重而道遠(yuǎn)。此前中芯國(guó)際已經(jīng)表態(tài)14nm工藝已經(jīng)試產(chǎn)，今年就會(huì)迎來(lái)一輪爆發(fā)，年底的產(chǎn)能將達(dá)到目前的3-5倍，同時(shí)今年內(nèi)還有可能試產(chǎn)更先進(jìn)的7nm工藝。
2020-01-07 09:54:456543 華為旗下的海思半導(dǎo)體已經(jīng)向中芯國(guó)際下單，通過(guò)后者最新的14nm工藝生產(chǎn)芯片。
2020-01-14 17:56:225977 我們要不要過(guò)分夸大中芯國(guó)際呢，14nm能夠發(fā)揮7nm工藝的水平？如果說(shuō)14nm高于12nm，筆者是相信的，畢竟當(dāng)年的iphone 6s的兩個(gè)處理器是混用的。
2020-03-09 11:59:343900 今年 2 月份 2019 年 Q4 財(cái)季的財(cái)報(bào)會(huì)議上， 聯(lián)席 CEO 梁孟松博士公開(kāi)了中芯國(guó)際 N+1、N+2 代工藝的情況，N+1 工藝相當(dāng)于臺(tái)積電的第一代 7nm 工藝，N+2 相當(dāng)于臺(tái)積電的 7nm+ 工藝。
2020-03-12 09:14:333438 據(jù)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》近日?qǐng)?bào)道，國(guó)產(chǎn)晶圓代工龍頭中芯國(guó)際和國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)近期都制定了雄心勃勃的計(jì)劃，加緊測(cè)試自主研發(fā)生產(chǎn)線中的非美設(shè)備。
2020-09-13 10:29:258245 
但是，看過(guò)芯智訊此前的一系列關(guān)于“去美化產(chǎn)線”報(bào)道的朋友應(yīng)該都知道，中芯國(guó)際即使想要建設(shè)出一條相對(duì)落后的40nm工藝的不含美系設(shè)備的產(chǎn)線，也并不容易。
2020-09-14 11:17:222463 被外界稱為對(duì)標(biāo)臺(tái)積電7nm工藝的中芯國(guó)際N+1工藝近期再獲新突破。據(jù)10月11日?qǐng)?bào)道，我國(guó)一站式IP定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技（INNOSILICON）發(fā)布消息稱，該公司已完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFET N+1先進(jìn)工藝的流片和測(cè)試，所有IP全自主國(guó)產(chǎn)，且功能測(cè)試一次通過(guò)。
2020-10-12 17:44:424265 雖然高端市場(chǎng)會(huì)被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù)，但40nm、28nm等并不會(huì)退出。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺(tái)積電的營(yíng)收主力，中芯國(guó)際則在持續(xù)提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:026371 昨天，中芯國(guó)際發(fā)布2020年Q3財(cái)報(bào)，得益于14nm工藝的爆發(fā)，其中單季營(yíng)收首超10億美元，創(chuàng)歷史新高。 值得一提的是，中芯國(guó)際Q3季度不僅產(chǎn)能利用率達(dá)到了97.8%，而且先進(jìn)工藝占比快速提升，14
2020-11-12 09:37:112203 近日，中芯國(guó)際發(fā)布2020年Q3財(cái)報(bào)，得益于14nm工藝的爆發(fā)，其中單季營(yíng)收首超10億美元，創(chuàng)歷史新高。 值得一提的是，中芯國(guó)際Q3季度不僅產(chǎn)能利用率達(dá)到了97.8%，而且先進(jìn)工藝占比快速提升，14
2020-11-12 09:42:261913 昨天，中芯國(guó)際發(fā)布2020年Q3財(cái)報(bào)，得益于14nm工藝的爆發(fā)，其中單季營(yíng)收首超10億美元，創(chuàng)歷史新高。
2020-11-12 11:01:591985 11月12日，中芯國(guó)際在發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)后的電話會(huì)議上，被業(yè)界譽(yù)為“芯片狂人”的中芯國(guó)際聯(lián)合CEO梁孟松表示，目前14nm量產(chǎn)良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。這句話字里行間透露了怎么樣的信息，中芯國(guó)際的14nm產(chǎn)線在國(guó)際上能否一戰(zhàn)，成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。但他也承認(rèn)，未來(lái)還有很長(zhǎng)的路要走。
2020-11-13 10:31:322614 
11月12日，中芯國(guó)際在發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)后的電話會(huì)議上，被業(yè)界譽(yù)為“芯片狂人”的中芯國(guó)際聯(lián)合CEO梁孟松表示，目前14nm量產(chǎn)良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。
2020-11-14 11:02:2418130 
由于中芯國(guó)際沒(méi)有公布14nm及28nm的具體比例，但是今年中中芯國(guó)際重點(diǎn)建設(shè)的就是14nm工藝，預(yù)計(jì)貢獻(xiàn)最多的還是14nm工藝，今年底前目標(biāo)是月產(chǎn)能1.5萬(wàn)平晶圓，上海項(xiàng)目建成之后是3.5萬(wàn)片晶圓/月的產(chǎn)能。
2020-11-19 14:28:021904 梁孟松在會(huì)議上表示：中芯國(guó)際的14nm在去年第四季度進(jìn)入量產(chǎn)，良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。良率意對(duì)芯片至關(guān)重要，這意味著其14nm已經(jīng)進(jìn)入真正意義上的量產(chǎn)?？傮w來(lái)說(shuō)，我們正在與國(guó)內(nèi)和海外客戶合作十多個(gè)先進(jìn)工藝，流片項(xiàng)目，包含14nm及更先進(jìn)工藝技術(shù)。
2020-12-11 14:16:443297 12月18日晚間消息，繼此前中芯國(guó)際別美國(guó)國(guó)防部列為“軍事最終用戶”之后，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周五，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）正式宣布將中國(guó)半導(dǎo)體制造企業(yè)中芯國(guó)際（SMIC）列入實(shí)體清單。
2020-12-19 09:40:032937 設(shè)備可能無(wú)法順暢供應(yīng)中芯國(guó)際及其相關(guān)實(shí)體，這將影響中芯國(guó)際10nm左右節(jié)點(diǎn)的擴(kuò)產(chǎn)及量產(chǎn)。雖然由梁孟松主導(dǎo)的國(guó)產(chǎn)先進(jìn)制程工藝推進(jìn)順利，但是其工藝大量依賴于美系設(shè)備廠商，而且考慮到美系設(shè)備商應(yīng)用材料、KLA、LAM在先進(jìn)工藝的全球壟斷地位，目前看來(lái)在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)無(wú)法短期繞行從而影響工藝推進(jìn)。
2020-12-21 11:31:112379 上周，中芯國(guó)際被美國(guó)商務(wù)部列入實(shí)體清單的消息引起軒然大波。對(duì)此，中芯國(guó)際作出了回應(yīng)，經(jīng)該公司初步評(píng)估，該事項(xiàng)對(duì)其短期內(nèi)運(yùn)營(yíng)及財(cái)務(wù)狀況無(wú)重大不利影響，對(duì)10nm及以下先進(jìn)工藝的研發(fā)及產(chǎn)能建設(shè)有重大
2020-12-22 15:27:332869 本周，Counterpoint Research給出了按成熟制程（節(jié)點(diǎn)≥40nm）產(chǎn)能排序的全球晶圓代工廠商Top榜單，如下圖所示。
2021-02-04 09:24:183925 
/28nm工藝在Q4季度的營(yíng)收占比只有5%，相比上個(gè)季度的14.6%大幅下滑。 中芯國(guó)際沒(méi)有公布具體原因，但結(jié)合早前的報(bào)道來(lái)看，在失去華為麒麟710A的訂單之后，中芯國(guó)際的14nm工藝營(yíng)收顯然受到了嚴(yán)重影響，導(dǎo)致先進(jìn)工藝發(fā)展面臨萎縮。 不過(guò)中芯國(guó)際顯然不會(huì)放棄先進(jìn)工藝的研發(fā)、生
2021-02-05 09:22:433142 
去年中芯國(guó)際被美國(guó)列入了實(shí)體清單，購(gòu)買(mǎi)美國(guó)廠商的半導(dǎo)體設(shè)備及技術(shù)受到限制。今天業(yè)界消息稱中芯國(guó)際已經(jīng)獲得了美國(guó)的許可，14nm及28nm等工藝可以恢復(fù)供應(yīng)。
2021-03-02 09:27:089299 日前有消息稱中芯國(guó)際已經(jīng)獲得了美國(guó)部分許可，14、28nm工藝的設(shè)備允許進(jìn)口。
2021-03-03 09:39:362886 中芯國(guó)際的芯片工藝目前已發(fā)展至14nm，若想將芯片工藝進(jìn)一步提升至7nm乃至3nm等先進(jìn)制程，EUV光刻機(jī)設(shè)備就必不可少。那么，中芯國(guó)際此次12億美元的采購(gòu)協(xié)議都有哪些類型的光刻機(jī)，包含EUV光刻機(jī)嗎？
2021-03-10 14:36:5511344 從 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率來(lái)說(shuō)，中芯國(guó)際生產(chǎn)水平已經(jīng)快等同于臺(tái)積電，制程工藝產(chǎn)品良率可達(dá)90%-95%。
2021-03-15 16:38:231908 這一年來(lái)全球半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張，國(guó)內(nèi)的晶圓廠也開(kāi)說(shuō)產(chǎn)能擴(kuò)張。繼位于北京的中芯京城之后，中芯國(guó)際今晚宣布在深圳投資建廠，主要生產(chǎn)28nm及以上工藝。
2021-03-18 10:39:194772 從中芯國(guó)際官網(wǎng)的介紹來(lái)看，該公司提到的最先進(jìn)工藝還是14nm，接下來(lái)的是N+1、N+2工藝，但沒(méi)有指明具體的工藝節(jié)點(diǎn)。
2021-05-14 09:46:013755 我國(guó)在芯片領(lǐng)域起步較晚，并且由于各方面的原因，在芯片領(lǐng)域的發(fā)展十分艱難。中芯國(guó)際作為我國(guó)最大的芯片制造企業(yè)，芯片制程工藝也在不斷的研發(fā)當(dāng)中，不過(guò)目前全球最先進(jìn)的已經(jīng)達(dá)到了4nm工藝，而我國(guó)的中芯國(guó)際
2022-06-27 10:45:3611190 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:153 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040 的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專家的帶領(lǐng)下，向著更加先進(jìn)的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而，最近在中芯國(guó)際的公司官網(wǎng)上，有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進(jìn)的
2023-06-06 15:34:2119365 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:511 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122 Z20K11xN采用國(guó)產(chǎn)領(lǐng)先半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車規(guī) 40nm工藝，提供LQFP48，LQFP64以及LQFP100封裝，CPU主頻最大支持64MHz，支持2路帶64個(gè)郵箱的CAN-FD通訊接口，工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:084276 
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布了將與中國(guó)第二大晶圓代工廠合作，計(jì)劃于2025年底在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器（MCU）.
2024-11-21 15:41:561482 11月21日，意法半導(dǎo)體（ST）宣布與中國(guó)晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體合作的新計(jì)劃 ，將與華虹合作在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的MCU！ 意法半導(dǎo)體表示，它正在與中國(guó)第二大定制芯片制造商華虹合作，到2025年底在
2024-11-26 01:05:001224 期，從領(lǐng)先的臺(tái)積電到快速發(fā)展的中芯國(guó)際，晶圓廠建設(shè)熱潮持續(xù)。主要制造商紛紛投入巨資擴(kuò)充產(chǎn)能，從先進(jìn)的3nm、5nm工藝到成熟的28nm、40nm節(jié)點(diǎn)不等，單個(gè)項(xiàng)目
2025-04-22 15:38:361575 
珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過(guò)可靠性驗(yàn)證！這一成果進(jìn)一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的技術(shù)實(shí)力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592248 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司實(shí)現(xiàn)新突破！我司基于40HV（40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process）工藝制程的一次性可編程存儲(chǔ)IP核已在國(guó)內(nèi)兩家頭部晶圓代工廠經(jīng)過(guò)
2025-08-14 17:20:531312 
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