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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>中芯國際出樣40nm ReRAM存儲芯片比NAND快一千倍

中芯國際出樣40nm ReRAM存儲芯片比NAND快一千倍

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Flash閃存簡介及“SD NAND Flash”產(chǎn)品測試#存儲芯片 #sd卡? #NAND #TF卡

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作為中國本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè),國際(SMIC)的新聞及其取得的成績一直是行業(yè)關(guān)注的焦點。2017新年伊始,其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天,該公司宣布正式采用40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲器)芯片,并稱更先進的28nm工藝版很快也會到來。
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Crossbar公司與國際合作的結(jié)晶:40nmReRAM芯片

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深入解析#智能燈具 與#創(chuàng)世 #貼片式TF卡 #NAND #Flash 的協(xié)同應(yīng)用 #存儲芯片

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國際CEO發(fā)話:今年研發(fā)7nm工藝!

國內(nèi)把半導(dǎo)體技術(shù)作為重點來抓,首先要突破的是3D NAND閃存,這方面主要是長江存儲科技在做,而在芯片制造工藝方面,國內(nèi)Intel、三星、TSMC落后的更多,這方面追趕還得看SMIC國際。日前
2017-03-17 10:07:307326

存儲芯片被少數(shù)國際大廠壟斷 中國廠商如何破除困局?

存儲芯片價格之所以持續(xù)攀升,除了國外大廠因為技術(shù)升級出現(xiàn)意外導(dǎo)致產(chǎn)能吃緊之外,中國存儲芯片基本依賴進口也是存儲芯片大幅漲價的原因。存儲芯片市場被少數(shù)國際大廠壟斷存儲芯片中比較常見的是NAND Flash和DRAM。
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聯(lián)電新推40nmSST嵌入式閃記憶存儲器制程

聯(lián)華電子宣布,推出的40nm納米SST嵌入式閃記憶,在以往55納米單元尺寸減少20%以上,整體縮小了20~30%。東芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司賑災(zāi)評估這個微處理器芯片。
2018-01-04 10:34:362880

存儲芯片廠商有哪些_八大存儲芯片廠商排名

本文詳細介紹了八大存儲芯片廠商排名。存儲芯片是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用,目前存儲芯片在我們的生活也已經(jīng)得到普遍的運用。
2018-04-08 11:52:00115590

中國研發(fā)新型存儲芯片:性能快了100萬

相比三星、東芝、美光等公司,中國現(xiàn)在DRAM內(nèi)存、NAND閃存技術(shù)上要落后多年,不過中國的科研人員也一直在追趕最新一代技術(shù),前不久有報道稱中國投資130億元開建PCM相變內(nèi)存,性能是普通存儲芯片
2018-04-15 02:55:015259

中國的三大存儲芯片企業(yè)有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面

當(dāng)然中國的存儲芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲芯片企業(yè),長江存儲當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國三星去年就開始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash,長江存儲希望在未來兩三年實現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破,將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。
2018-04-17 09:37:1944620

中國存儲芯片即將起飛,有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面

。 存儲芯片主要有NAND flash、DRAM,在全球NAND flash市場份額前五名分別為三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士,市場份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5
2018-04-18 09:12:376932

長江儲存量產(chǎn)NAND Flash芯片 打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍

日前,長江存儲以“存長江,智儲未來”為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前,長江存儲新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后,就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片,打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍。
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展訊推出集成無線連接40nm芯片平臺

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2018-11-14 20:39:01983

應(yīng)用于國際40nm和55nm成熟工藝的SoC設(shè)計的USB3.0 IP解決方案

”)共同合作,集成USB3.0物理層設(shè)計(PHY)與控制器 (Controller)并應(yīng)用于國際40nm和55nm的工藝技術(shù),推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:567748

VR市場規(guī)模AR大一千倍 但在VR創(chuàng)建的新環(huán)境會更有趣

硅谷著名風(fēng)險投資公司A16Z的創(chuàng)始人馬克·安德森(Marc Andreessen)在其新播客談及科技有關(guān)的預(yù)測。其中具體提到了他對于可穿戴設(shè)備的預(yù)測,說“VR市場規(guī)模將比AR大一千倍”。鑒于該公司對Magic Leap及其AR眼鏡的投資,這是一個很有趣的預(yù)測。
2019-01-08 14:29:11529

國際14nm量產(chǎn),國產(chǎn)芯片的進步

在上海市委副書記、市長應(yīng)勇作的政府工作報告,公布國際14nm工藝量產(chǎn)引起了巨大關(guān)注。國際是中國內(nèi)地規(guī)模最大的芯片制造企業(yè)。
2019-02-05 14:01:008633

存儲芯片突然降價甩賣,國際巨頭對中國廠商進行“圍剿”?

存儲芯片迎8年來最大跌幅,國際廠商狙擊國內(nèi)廠商?
2019-03-15 10:22:515049

國內(nèi)首顆自研嵌入式40nm工規(guī)級存儲芯片成功問世

近日,江蘇華存發(fā)布了我國第一顆國研國造的嵌入式40納米工規(guī)級別存儲控制芯片及應(yīng)用存儲解決方案:HC5001,這意味著我國在中高階eMMC存儲領(lǐng)域有了第一顆“中國”,并實現(xiàn)了量產(chǎn)。
2019-07-01 17:03:441470

模擬芯片將為機器學(xué)習(xí)來提供發(fā)展助力

IBM在博客的一篇文章中指出,通過使用基于相變存儲器(Phase-Change Memory,簡稱PCM)的模擬芯片,機器學(xué)習(xí)可以加速一千倍
2019-09-02 11:43:22799

我國自主成功研發(fā)嵌入式40nm工規(guī)級的存儲芯片

江蘇華存發(fā)布了我國第一顆國研國造的嵌入式40納米工規(guī)級別存儲控制芯片及應(yīng)用存儲解決方案:HC5001,這意味著我國在中高階eMMC存儲領(lǐng)域有了第一顆“中國”,并實現(xiàn)了量產(chǎn)。
2019-09-19 11:49:472263

長江存儲128層NAND flash存儲芯片 中國存儲芯片國際領(lǐng)先

據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片,這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4514823

我國存儲芯片國際領(lǐng)先水平,中國制造再鑄輝煌

據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片,這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)。
2020-05-04 09:22:002923

國際計劃年底建設(shè)“去美化”的40nm芯片生產(chǎn)線

據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》近日報道,國產(chǎn)晶圓代工龍頭中國際和國產(chǎn)存儲大廠長江存儲近期都制定了雄心勃勃的計劃,加緊測試自主研發(fā)生產(chǎn)線的非美設(shè)備。
2020-09-13 10:29:258245

半導(dǎo)體設(shè)計并量產(chǎn)閃存芯片工藝制程,實現(xiàn)本土存儲芯片的技術(shù)突破

資料顯示,作為大陸領(lǐng)先的存儲芯片設(shè)計公司,東半導(dǎo)體聚焦于中小容量存儲芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售,是大陸少數(shù)可以同時提供Nand、Nor、Dram等主要存儲芯片完整解決方案的公司。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G通信
2020-09-16 15:06:494151

韓國強化全球存儲芯片巨頭地位,或是忌憚中國存儲行業(yè)的崛起

韓國的SK海力士在收購Intel的NAND flash存儲芯片業(yè)務(wù)之后,將取得全球NAND flash存儲芯片市場大約20%的市場份額,它與三星將合計占有全球NAND flash存儲芯片市場超過五成的市場份額。
2020-10-22 11:41:483489

十年后中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)有望挑戰(zhàn)韓國在全球存儲芯片的領(lǐng)導(dǎo)地位

韓國的SK海力士在收購Intel的NAND flash存儲芯片業(yè)務(wù)之后,將取得全球NAND flash存儲芯片市場大約20%的市場份額,它與三星將合計占有全球NAND flash存儲芯片市場超過五成的市場份額。
2020-10-22 15:17:263852

NAND Flash 的存儲結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計

等優(yōu)點適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用。NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,并且寫入和擦除的速度也很快。本篇文章存儲芯片供應(yīng)商宇電子介紹關(guān)于NAND
2020-11-03 16:12:085421

國際的14nm工藝在國際上能否一戰(zhàn)?

11月12日,國際在發(fā)布第三季度財報后的電話會議上,被業(yè)界譽為“芯片狂人”的國際聯(lián)合CEO梁孟松表示,目前14nm量產(chǎn)良率已達業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。這句話字里行間透露了怎么的信息,國際的14nm產(chǎn)線在國際上能否一戰(zhàn),成為業(yè)界關(guān)注的焦點。但他也承認,未來還有很長的路要走。
2020-11-13 10:31:322614

長江存儲或?qū)?021年存儲芯片產(chǎn)量提高一

據(jù)媒體報道,長江存儲計劃今年把產(chǎn)量提高一,計劃到下半年將每月的存儲芯片產(chǎn)量提高到10萬片晶圓,并準(zhǔn)備試產(chǎn)192層NAND閃記憶體晶片,最快將于2021年試產(chǎn),不過該試產(chǎn)計劃可能會推遲至2021下半年。
2021-01-12 14:47:015916

全球最低功耗相變存儲器:主流產(chǎn)品低1000

。 據(jù)了解,在新型存儲,相變存儲器(PCM)是與CMOS工藝最兼容,技術(shù)最成熟的存儲技術(shù)。 2015年,Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲芯片,速度和壽命固態(tài)閃存硬盤要快一千倍,其三維堆疊技術(shù)也使容量高出了十。 然而,由于在相變過程
2022-01-21 13:15:001047

國際12nm芯片進展

我國在芯片領(lǐng)域起步較晚,并且由于各方面的原因,在芯片領(lǐng)域的發(fā)展十分艱難。國際作為我國最大的芯片制造企業(yè),芯片制程工藝也在不斷的研發(fā)當(dāng)中,不過目前全球最先進的已經(jīng)達到了4nm工藝,而我國的國際
2022-06-27 10:45:3611190

12nm芯片 終于量產(chǎn)12nm芯片

  目前,國際已實現(xiàn)12nm芯片量產(chǎn),致力于提高良率和產(chǎn)量。實際上,國際早在去年就已經(jīng)開始小批量試產(chǎn)12nm芯片了。
2022-07-01 16:19:0319319

存儲芯片的“寒冬”可能預(yù)想的更長!

過去的一年,存儲芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跌幅最大的芯片類別,沒有之一。作為全球最大的存儲芯片廠商,三星電子曾表示2023年沒有削減投資的計劃,即使面臨需求下滑的情況,“繼續(xù)進行必要的基礎(chǔ)設(shè)施投資,以應(yīng)對
2023-02-11 01:48:301226

工控行業(yè)應(yīng)用的國產(chǎn)存儲芯片

存儲芯片是指嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用,無論是系統(tǒng)芯片還是存儲芯片,都是通過在單一芯片中嵌入軟件,實現(xiàn)多功能和高性能,以及對多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持。
2023-03-14 09:03:561325

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:153

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040

存儲芯片的原理_分類及應(yīng)用

存儲芯片是指集成電路中用來存儲數(shù)據(jù)的芯片,它可以存儲數(shù)字信號,包括二進制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲芯片廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品,如計算機、手機、數(shù)碼相機、音響、電視等。存儲芯片是電子信息技術(shù)的重要組成部分,它直接影響著電子產(chǎn)品的性能和功能。
2023-06-02 09:24:1518575

存儲芯片的轉(zhuǎn)機,藏在汽車應(yīng)用里

的機會 DRAM、NAND和NOR同樣適用于汽車電子系統(tǒng),更高的汽車智能化將推動對存儲芯片的需求,查查認為主要有幾個推動力: 高容量存儲:車載電子設(shè)備增多,娛樂系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)、駕駛輔助系統(tǒng)等對存儲容量的需求也越來越高。存儲
2023-07-03 17:09:341717

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122

存儲芯片是什么 存儲芯片的分類及發(fā)展歷史

存儲芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品,我們?nèi)粘K械碾娮釉O(shè)備基本都會用到存儲器。據(jù)WSTS預(yù)測,2023年全球存儲芯片市場規(guī)模將達到1675億美元,占約30%;其中中國存儲器市場空間巨大,預(yù)計2023年國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模將達到6492億元(約942億美元),約占全球市場的55.8%。
2023-07-07 10:27:2618743

基于國際40nm車規(guī)工藝的MCU發(fā)布——Z20K11xN

Z20K11xN采用國產(chǎn)領(lǐng)先半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車規(guī) 40nm工藝,提供LQFP48,LQFP64以及LQFP100封裝,CPU主頻最大支持64MHz,支持2路帶64個郵箱的CAN-FD通訊接口,工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:084276

智能汽車“眼”疾“腦”,計算、感知、通信、存儲芯片功不可沒.zip

智能汽車“眼”疾“腦”,計算、感知、通信、存儲芯片功不可沒
2023-01-13 09:07:150

有史以來最快的半導(dǎo)體“超原子”能將芯片速度提升千倍

“超原子”(superatomic)材料已成為已知最快的半導(dǎo)體,并且可能導(dǎo)致計算機芯片的速度當(dāng)今任何可用的任何產(chǎn)品數(shù)百或數(shù)千倍
2023-11-02 09:38:131680

存儲芯片部分型號漲幅達50%

存儲芯片的市場表現(xiàn)來看,兩大類別DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)與NAND Flash(閃存存儲器)目前的價格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32926

什么是SD NAND存儲芯片?

前言大家好,我們一般在STM32項目開發(fā)或者在其他嵌入式開發(fā),經(jīng)常會用到存儲芯片存儲數(shù)據(jù)。今天我和大家來介紹一款存儲芯片,我這里采用(雷龍)CS創(chuàng)世SDNAND。SDNAND介紹
2024-01-05 17:53:012268

半導(dǎo)體芯片研究:中國存儲芯片行業(yè)概覽

DRAM、NAND Flash、NOR Flash合計約占整體存儲芯片市場的97%;自2022年初起,下游需求市場的萎縮以及宏觀環(huán)境進一步惡化導(dǎo)致存儲芯片市場不斷承壓,存儲芯片價格持續(xù)下滑
2024-01-14 09:47:104064

ST宣布:40nm MCU交由華虹代工!

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布了將與中國第二大晶圓代工廠合作,計劃于2025年底在中國生產(chǎn)40nm節(jié)點的微控制器(MCU).
2024-11-21 15:41:561482

RAMXEED ReRAM存儲器在助聽器的應(yīng)用

加賀富儀艾電子旗下代理品牌RAMXEED有限公司的ReRAM在與傳統(tǒng)EEPROM相比,芯片尺寸相當(dāng)?shù)那闆r下實現(xiàn)了2到6存儲容量。在對芯片尺寸要求嚴格且同時需要高功能的助聽器領(lǐng)域,RAMXEED的ReRAM被廣泛應(yīng)用于全球。
2025-03-18 14:19:001247

劃片機在存儲芯片制造的應(yīng)用

劃片機(DicingSaw)在半導(dǎo)體制造主要用于將晶圓切割成單個芯片(Die),這一過程在內(nèi)存儲存卡(如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等)的生產(chǎn)中至關(guān)重要。以下是劃片機在存儲芯片制造的關(guān)鍵
2025-06-03 18:11:11844

貞光科技代理紫光國存儲芯片(DRAM),讓國產(chǎn)替代更簡單

貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商,現(xiàn)已成為紫光國存儲芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲芯片國產(chǎn)化的關(guān)鍵時期,這一合作為推動DRAM等關(guān)鍵器件的國產(chǎn)替代開辟了新的渠道。紫光國存儲芯片領(lǐng)域
2025-06-13 15:41:271298

創(chuàng)飛40nm eNT嵌入式eFlash IP通過可靠性驗證

珠海創(chuàng)飛科技有限公司在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證!這一成果進一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛科技有限公司在先進工藝節(jié)點上的技術(shù)實力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592248

創(chuàng)飛40nm HV工藝OTP IP完成上架

珠海創(chuàng)飛科技有限公司實現(xiàn)新突破!我司基于40HV(40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process)工藝制程的一次性可編程存儲IP核已在國內(nèi)兩家頭部晶圓代工廠經(jīng)過
2025-08-14 17:20:531312

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