Intel去年最重大的科技成果不是推出14nm工藝的Skylake處理器,而是3D XPoint存儲芯片,性能是當(dāng)前水平的1000倍,但它可不是NAND非易失性閃存這么簡單,實際上能帶來一次電腦革命,因為它還可以作為DIMM插槽的內(nèi)存使用。
2016-11-22 17:07:23
4218 工信部公示了集成電路領(lǐng)域4項國家標(biāo)準(zhǔn),主要集中在存儲器測試方面。另外,近期總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式開工,中芯國際40nm ReRAM高端存儲芯片已經(jīng)出樣??梢?,集成電路領(lǐng)域研發(fā)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范方面雙管齊下局面正在形成。
2017-01-18 09:31:39
1061 在經(jīng)過2016的一系列擴張之后,近日,Crossbar與中芯國際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣,再次為芯片國產(chǎn)化發(fā)展提振士氣。另有數(shù)據(jù)顯示,中芯國際去年銷售額增至29.2億美元,比2015年大增31%,市占率提升1個百分點至6%。
2017-01-18 10:46:16
1638 物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,覆蓋領(lǐng)域繁多,2017年新年過后,機器人、VR、5G領(lǐng)域都有最新產(chǎn)品和頻譜劃分的演進工作進展,小編匯總最新的新聞,讓大家看到最新的趨勢。例如美國機器人研發(fā)公司Agility Robotics日前研發(fā)出一款新的雙足機器人Cassie,公司希望通過Cassie推出機器人送貨上門服務(wù),這也是很多機器人研發(fā)公司致力于實現(xiàn)的一種概念。
2017-02-13 09:29:57
2293 非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料,并透過電場轉(zhuǎn)換機制,開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件,同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產(chǎn)。
2017-02-13 09:46:40
2223 比NAND閃存更快千倍 40納米ReRAM在中芯國際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注!曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國際,為何鎖定瞄準(zhǔn)ReRAM?主要原因在于ReRAM應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置擁有愈長的電池續(xù)航力,一來可節(jié)省維護成本、二來有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施可持續(xù)性。
2017-03-01 09:54:15
1584 的市場份額,有著不可取代的地位。 隨著芯片的發(fā)展存儲芯片的趨勢也開始不甘落后,有著越來越多的新型的芯片問世,這里就要提起SD NAND芯片了,市面上主流的生產(chǎn)廠家就是雷龍。 SD NAND的簡單介紹: 什么是SD NAND?很簡單顧名思義就是內(nèi)部
2024-11-13 15:17:24
2990 
5月24日,上海證券交易所網(wǎng)站顯示,東芯半導(dǎo)體上市委會議通過。東芯半導(dǎo)體是一家聚焦中小容量通用型存儲芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售,是中國大陸少數(shù)可以同時提供 NAND、NOR、DRAM 等存儲芯片完整
2021-05-26 09:00:00
9577 1. 臺積電JASM 熊本廠設(shè)立微芯科技專用40nm 產(chǎn)線 ? Microchip Technology(微芯科技)擴大了與臺積電的合作伙伴關(guān)系,臺積電在日本先進半導(dǎo)體制造公司(JASM)建立了微芯
2024-04-10 10:55:25
1373 日前,LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500,旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開始向硬盤驅(qū)動器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
最近,清華紫光,武漢新芯在存儲芯片領(lǐng)域動作頻頻,讓大家把目光投向了以前被忽略的存儲芯片。長期以來,在CPU,GPU,基帶等“先進”芯片聚光燈的掩蓋之下,存儲芯片一直處在默默無聞地步,不過,任何一個
2016-08-16 16:30:57
存儲芯片封裝可以分為哪幾類?存儲芯片封裝的作用是什么?什么是固定引腳系統(tǒng)?
2021-06-18 06:56:12
一個存儲芯片來緩存拍攝完的圖片。2、寫入速度要求快,這個時候普通的NOR Flash和 NAND Flash它們滿足不了這種快速寫入需求。而SD NAND可以。3、協(xié)議棧,以前的打獵相機存儲在本地
2019-04-26 18:40:02
前言:
很感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主提供的兩片SD NAND的存儲芯片,在這里博主記錄一下自己的使用過程以及部分設(shè)計。
深入了解該產(chǎn)品:
拿到這個產(chǎn)品之后,我大致了解了下兩款芯片的性能
2023-11-15 18:07:57
抽屜式到雙開整體定型的一個發(fā)展過程?! ‘a(chǎn)品的更新迭代,讓點讀機的功能越來越多,也越復(fù)雜。同時對于存儲芯片的要求也提升到了一個新高度。點讀機對于圖片、音頻、視頻的需求逐漸增多。為什么說SD NAND
2019-09-12 17:42:57
地位。本博客將詳細介紹Flash存儲芯片中的NOR Flash、NAND Flash、UFS和eMMC,分析它們的用途、優(yōu)缺點,并對其進行比較。
1.Nor Flash
1.1 用途特性
2024-04-03 12:05:59
我現(xiàn)在要把1mv左右的信號放大一千倍以上,我的方案是前級只放大10dB,芯片用的是 OPA847,但在之前的項目上發(fā)現(xiàn)示波器出來的1mv的小信號質(zhì)量(波形)非常差,不知道是我PCB布局,阻抗匹配
2024-08-26 06:49:44
的情況下保持原位,在這一過程中不管是否有電源連 接,芯片都能繼續(xù)存儲下一個值。
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NAND Flash 為大容量數(shù)據(jù)存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案,是目前全球市場大容量非易失存儲的主流
2024-12-17 17:34:06
實際應(yīng)用中很常見,下圖是SD卡簡單化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
SD卡存儲單元是使用的FLASH,F(xiàn)LASH存儲器一般會采用NAND的存儲結(jié)構(gòu),NAND存儲芯片有很多優(yōu)點讀寫速度快,存儲密度更高,擦寫速度更快
2024-11-13 15:20:16
前言
大家好,我們一般在STM32項目開發(fā)中或者在其他嵌入式開發(fā)中,經(jīng)常會用到存儲芯片存儲數(shù)據(jù)。今天我和大家來介紹一款存儲芯片,我這里采用(雷龍) CS創(chuàng)世 SD NAND 。
SD
2024-01-05 17:54:39
恒爍存儲芯片在業(yè)界口碑好,公司是低功耗SPI NOR Flash存儲器和高可靠性芯片優(yōu)秀的供應(yīng)商。在當(dāng)前大環(huán)境下,各大商家(華邦、GD、芯天下、芯新、博雅等)均已漲價?,F(xiàn)貨庫存才是王者,恒爍產(chǎn)品線庫存豐富,歡迎大家前來咨詢,財富熱線:***
2021-09-01 21:14:31
前言:什么是燒錄-義嘉泰帶你深度了解IC燒錄服務(wù): https://bbs.elecfans.com/jishu_2491063_1_1.html
1. 為什么需要存儲芯片?
計算機和人腦一樣,需要
2025-06-24 09:09:39
NAND Flash驅(qū)動,但是應(yīng)用又需要更大容量的存儲1Gb,2Gb,4Gb,8Gb等?! 「咚傩∪萘?b class="flag-6" style="color: red">存儲芯片,且要自帶壞塊管理,能適用于各種單片機的SDIO接口,滿足更多客戶的需求?! ∵@個時候我們
2019-09-25 15:46:34
導(dǎo)航裝置里面有存儲芯片嗎?導(dǎo)航里的存儲芯片有什么作用?導(dǎo)航里的存儲芯片容量太小了,能不能自己手動DIY換芯升級?
2021-06-18 06:21:36
數(shù)據(jù)與存儲芯片之間有什么關(guān)系?存儲芯片主要應(yīng)用在哪些領(lǐng)域?
2021-06-18 07:12:26
目前ARM系統(tǒng)中存儲芯片常用的型號
2016-09-17 18:15:24
【來源】:《電子設(shè)計工程》2010年02期【摘要】:<正>賽靈思公司與聯(lián)華電子共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6FPGA,已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗證
2010-04-24 09:06:05
安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布,已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長久以
2008-08-27 00:34:23
971 傳40nm制程代工廠良率普遍低于70%
據(jù)業(yè)者透露,包括臺積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:55
1359 臺積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題
據(jù)臺積電公司高級副總裁劉德音最近在一次公司會議上表示,臺積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:43
1259 賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入量產(chǎn)
賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯(lián)華電子(UMC)今天共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA,已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗
2010-01-26 08:49:17
1145 華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布,華邦公司將于年內(nèi)開始40nm制程工藝的開發(fā),不過華邦拒絕就其將于爾必達合作進
2010-02-02 18:00:12
1059 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42
1106 臺積電無奈出B計劃:AMD下代顯卡40nm工藝+混合架構(gòu)
AMD曾在多個場合確認將在今年下半年發(fā)布全系列新顯卡,我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50
903 Synopsys和中芯國際合作推出65-nm到40-nm的SoC設(shè)計解決方案經(jīng)過驗證的聯(lián)合解決方案確保晶晨半導(dǎo)體達到以高性能產(chǎn)品搶占市場的目標(biāo)
2010-11-16 10:36:12
1153 半導(dǎo)體設(shè)計、驗證、和制造軟件及知識產(chǎn)權(quán)(IP)的供應(yīng)商新思科技有限公司和中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)日前宣布已正式提供用于中芯國際先進65-nm工藝的系統(tǒng)級
2010-11-17 09:12:54
1421 單芯片BCM43142是業(yè)界首款適用于筆記本電腦和上網(wǎng)本的40nm Wi-Fi藍牙組合芯片。該新芯片實現(xiàn)了Wi-Fi Direct互連與就近配對的無縫結(jié)合,極大地簡化了家庭中的無線互連。這款組合芯片支持
2011-06-02 08:43:24
10665 燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司與中芯國際今天共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆 40nm 芯片在中芯國際一次性流片驗證成功。
2011-06-22 09:16:33
1746 瑞薩電子宣布開發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實時應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù),針對汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:13
1116 新思科技公司與世界領(lǐng)先半導(dǎo)體代工企業(yè)之一中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布:從即日起推出其40納米RTL-to-GDSII參考設(shè)計流程的5.0版本。
2012-06-27 15:53:40
1862 根據(jù)三星的官方描述這個存儲芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進入到10nm,并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%,性能和勞動生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
2012-11-15 15:34:53
1311 據(jù)荷蘭萊頓大學(xué)官網(wǎng)最新消息,該校研究人員開發(fā)出一種新型核磁共振顯微鏡(NMR),比現(xiàn)有核磁共振顯微鏡靈敏度高一千倍,能在納秒尺度觀察到銅原子核的弛豫時間,有望為醫(yī)學(xué)診斷和基礎(chǔ)物理研究帶來更好的觀測儀器。
2016-08-17 19:04:20
1409 作為中國本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè),中芯國際(SMIC)的新聞及其取得的成績一直是行業(yè)關(guān)注的焦點。2017新年伊始,其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天,該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲器)芯片,并稱更先進的28nm工藝版很快也會到來。
2017-01-17 09:40:00
4521 目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當(dāng)中,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作,發(fā)力中國市場。其中,中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:55
4016 國內(nèi)把半導(dǎo)體技術(shù)作為重點來抓,首先要突破的是3D NAND閃存,這方面主要是長江存儲科技在做,而在芯片制造工藝方面,國內(nèi)比Intel、三星、TSMC落后的更多,這方面追趕還得看SMIC中芯國際。日前
2017-03-17 10:07:30
7326 而存儲芯片價格之所以持續(xù)攀升,除了國外大廠因為技術(shù)升級出現(xiàn)意外導(dǎo)致產(chǎn)能吃緊之外,中國存儲芯片基本依賴進口也是存儲芯片大幅漲價的原因。存儲芯片市場被少數(shù)國際大廠壟斷存儲芯片中比較常見的是NAND Flash和DRAM。
2017-04-08 01:13:11
1664 聯(lián)華電子宣布,推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶,在以往55納米單元尺寸減少20%以上,整體縮小了20~30%。東芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司賑災(zāi)評估這個微處理器芯片。
2018-01-04 10:34:36
2880 本文詳細介紹了八大存儲芯片廠商排名。存儲芯片是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用,目前存儲芯片在我們的生活中也已經(jīng)得到普遍的運用。
2018-04-08 11:52:00
115590 相比三星、東芝、美光等公司,中國現(xiàn)在DRAM內(nèi)存、NAND閃存技術(shù)上要落后多年,不過中國的科研人員也一直在追趕最新一代技術(shù),前不久有報道稱中國投資130億元開建PCM相變內(nèi)存,性能是普通存儲芯片
2018-04-15 02:55:01
5259 當(dāng)然中國的存儲芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲芯片企業(yè),長江存儲當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國三星去年就開始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash,長江存儲希望在未來兩三年實現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破,將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。
2018-04-17 09:37:19
44620 。
存儲芯片主要有NAND flash、DRAM,在全球NAND flash市場份額前五名分別為三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士,市場份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5
2018-04-18 09:12:37
6932 日前,長江存儲以“芯存長江,智儲未來”為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前,長江存儲新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后,就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片,打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:00
8746 關(guān)鍵詞:SC6531 , 展訊 , 基帶 集成FM與藍牙的40nm GSM/GPRS基帶SoC芯片大批量出貨,并通過歐洲主要運營商驗證 展訊通信有限公司 ( Spreadtrum),作為中國領(lǐng)先
2018-11-14 20:39:01
983 ”)共同合作,集成USB3.0物理層設(shè)計(PHY)與控制器 (Controller)并應(yīng)用于中芯國際40nm和55nm的工藝技術(shù),推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:56
7748 硅谷著名風(fēng)險投資公司A16Z的創(chuàng)始人馬克·安德森(Marc Andreessen)在其新播客中談及科技有關(guān)的預(yù)測。其中具體提到了他對于可穿戴設(shè)備的預(yù)測,說“VR市場規(guī)模將比AR大一千倍”。鑒于該公司對Magic Leap及其AR眼鏡的投資,這是一個很有趣的預(yù)測。
2019-01-08 14:29:11
529 在上海市委副書記、市長應(yīng)勇作的政府工作報告中,公布中芯國際14nm工藝量產(chǎn)引起了巨大關(guān)注。中芯國際是中國內(nèi)地規(guī)模最大的芯片制造企業(yè)。
2019-02-05 14:01:00
8633 存儲芯片迎8年來最大跌幅,國際廠商狙擊國內(nèi)廠商?
2019-03-15 10:22:51
5049 近日,江蘇華存發(fā)布了我國第一顆國研國造的嵌入式40納米工規(guī)級別存儲控制芯片及應(yīng)用存儲解決方案:HC5001,這意味著我國在中高階eMMC存儲領(lǐng)域有了第一顆“中國芯”,并實現(xiàn)了量產(chǎn)。
2019-07-01 17:03:44
1470 IBM在博客中的一篇文章中指出,通過使用基于相變存儲器(Phase-Change Memory,簡稱PCM)的模擬芯片,機器學(xué)習(xí)可以加速一千倍。
2019-09-02 11:43:22
799 江蘇華存發(fā)布了我國第一顆國研國造的嵌入式40納米工規(guī)級別存儲控制芯片及應(yīng)用存儲解決方案:HC5001,這意味著我國在中高階eMMC存儲領(lǐng)域有了第一顆“中國芯”,并實現(xiàn)了量產(chǎn)。
2019-09-19 11:49:47
2263 據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片,這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:45
14823 據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片,這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)。
2020-05-04 09:22:00
2923 據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》近日報道,國產(chǎn)晶圓代工龍頭中芯國際和國產(chǎn)存儲大廠長江存儲近期都制定了雄心勃勃的計劃,加緊測試自主研發(fā)生產(chǎn)線中的非美設(shè)備。
2020-09-13 10:29:25
8245 
資料顯示,作為大陸領(lǐng)先的存儲芯片設(shè)計公司,東芯半導(dǎo)體聚焦于中小容量存儲芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售,是大陸少數(shù)可以同時提供Nand、Nor、Dram等主要存儲芯片完整解決方案的公司。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G通信
2020-09-16 15:06:49
4151 韓國的SK海力士在收購Intel的NAND flash存儲芯片業(yè)務(wù)之后,將取得全球NAND flash存儲芯片市場大約20%的市場份額,它與三星將合計占有全球NAND flash存儲芯片市場超過五成的市場份額。
2020-10-22 11:41:48
3489 韓國的SK海力士在收購Intel的NAND flash存儲芯片業(yè)務(wù)之后,將取得全球NAND flash存儲芯片市場大約20%的市場份額,它與三星將合計占有全球NAND flash存儲芯片市場超過五成的市場份額。
2020-10-22 15:17:26
3852 等優(yōu)點適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用。NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,并且寫入和擦除的速度也很快。本篇文章存儲芯片供應(yīng)商宇芯電子介紹關(guān)于NAND
2020-11-03 16:12:08
5421 
11月12日,中芯國際在發(fā)布第三季度財報后的電話會議上,被業(yè)界譽為“芯片狂人”的中芯國際聯(lián)合CEO梁孟松表示,目前14nm量產(chǎn)良率已達業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。這句話字里行間透露了怎么樣的信息,中芯國際的14nm產(chǎn)線在國際上能否一戰(zhàn),成為業(yè)界關(guān)注的焦點。但他也承認,未來還有很長的路要走。
2020-11-13 10:31:32
2614 
據(jù)媒體報道,長江存儲計劃今年把產(chǎn)量提高一倍,計劃到下半年將每月的存儲芯片產(chǎn)量提高到10萬片晶圓,并準(zhǔn)備試產(chǎn)192層NAND快閃記憶體晶片,最快將于2021年中試產(chǎn),不過該試產(chǎn)計劃可能會推遲至2021下半年。
2021-01-12 14:47:01
5916 。 據(jù)了解,在新型存儲器中,相變存儲器(PCM)是與CMOS工藝最兼容,技術(shù)最成熟的存儲技術(shù)。 2015年,Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲芯片,速度和壽命比固態(tài)閃存硬盤要快一千倍,其三維堆疊技術(shù)也使容量高出了十倍。 然而,由于在相變過程中需
2022-01-21 13:15:00
1047 我國在芯片領(lǐng)域起步較晚,并且由于各方面的原因,在芯片領(lǐng)域的發(fā)展十分艱難。中芯國際作為我國最大的芯片制造企業(yè),芯片制程工藝也在不斷的研發(fā)當(dāng)中,不過目前全球最先進的已經(jīng)達到了4nm工藝,而我國的中芯國際
2022-06-27 10:45:36
11190 目前,中芯國際已實現(xiàn)12nm芯片量產(chǎn),致力于提高良率和產(chǎn)量。實際上,中芯國際早在去年就已經(jīng)開始小批量試產(chǎn)12nm芯片了。
2022-07-01 16:19:03
19319 過去的一年,存儲芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跌幅最大的芯片類別,沒有之一。作為全球最大的存儲芯片廠商,三星電子曾表示2023年沒有削減投資的計劃,即使面臨需求下滑的情況,“繼續(xù)進行必要的基礎(chǔ)設(shè)施投資,以應(yīng)對
2023-02-11 01:48:30
1226 存儲芯片是指嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用,無論是系統(tǒng)芯片還是存儲芯片,都是通過在單一芯片中嵌入軟件,實現(xiàn)多功能和高性能,以及對多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持。
2023-03-14 09:03:56
1325 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:15
3 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:04
0 存儲芯片是指集成電路中用來存儲數(shù)據(jù)的芯片,它可以存儲數(shù)字信號,包括二進制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲芯片廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中,如計算機、手機、數(shù)碼相機、音響、電視等。存儲芯片是電子信息技術(shù)中的重要組成部分,它直接影響著電子產(chǎn)品的性能和功能。
2023-06-02 09:24:15
18575 的機會 DRAM、NAND和NOR同樣適用于汽車電子系統(tǒng),更高的汽車智能化將推動對存儲芯片的需求,芯查查認為主要有幾個推動力: 高容量存儲:車載電子設(shè)備增多,娛樂系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)、駕駛輔助系統(tǒng)等對存儲容量的需求也越來越高。存儲
2023-07-03 17:09:34
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IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:26
0 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:12
2 存儲芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品,我們?nèi)粘K械碾娮釉O(shè)備基本都會用到存儲器。據(jù)WSTS預(yù)測,2023年全球存儲芯片市場規(guī)模將達到1675億美元,占比約30%;其中中國存儲器市場空間巨大,預(yù)計2023年國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模將達到6492億元(約942億美元),約占全球市場的55.8%。
2023-07-07 10:27:26
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Z20K11xN采用國產(chǎn)領(lǐng)先半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車規(guī) 40nm工藝,提供LQFP48,LQFP64以及LQFP100封裝,CPU主頻最大支持64MHz,支持2路帶64個郵箱的CAN-FD通訊接口,工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:08
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智能汽車“眼”疾“腦”快,計算、感知、通信、存儲芯片功不可沒
2023-01-13 09:07:15
0 “超原子”(superatomic)材料已成為已知最快的半導(dǎo)體,并且可能導(dǎo)致計算機芯片的速度比當(dāng)今任何可用的任何產(chǎn)品快數(shù)百或數(shù)千倍。
2023-11-02 09:38:13
1680 從存儲芯片的市場表現(xiàn)來看,兩大類別DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)與NAND Flash(閃存存儲器)目前的價格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32
926 前言大家好,我們一般在STM32項目開發(fā)中或者在其他嵌入式開發(fā)中,經(jīng)常會用到存儲芯片存儲數(shù)據(jù)。今天我和大家來介紹一款存儲芯片,我這里采用(雷龍)CS創(chuàng)世SDNAND。SDNAND介紹
2024-01-05 17:53:01
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DRAM、NAND Flash、NOR Flash合計約占整體存儲器芯片市場的97%;自2022年初起,下游需求市場的萎縮以及宏觀環(huán)境進一步惡化導(dǎo)致存儲芯片市場不斷承壓,存儲芯片價格持續(xù)下滑
2024-01-14 09:47:10
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意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布了將與中國第二大晶圓代工廠合作,計劃于2025年底在中國生產(chǎn)40nm節(jié)點的微控制器(MCU).
2024-11-21 15:41:56
1482 加賀富儀艾電子旗下代理品牌RAMXEED有限公司的ReRAM在與傳統(tǒng)EEPROM相比,芯片尺寸相當(dāng)?shù)那闆r下實現(xiàn)了2到6倍的存儲容量。在對芯片尺寸要求嚴格且同時需要高功能的助聽器領(lǐng)域,RAMXEED的ReRAM被廣泛應(yīng)用于全球。
2025-03-18 14:19:00
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劃片機(DicingSaw)在半導(dǎo)體制造中主要用于將晶圓切割成單個芯片(Die),這一過程在內(nèi)存儲存卡(如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等)的生產(chǎn)中至關(guān)重要。以下是劃片機在存儲芯片制造中的關(guān)鍵
2025-06-03 18:11:11
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貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商,現(xiàn)已成為紫光國芯存儲芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲芯片國產(chǎn)化的關(guān)鍵時期,這一合作為推動DRAM等關(guān)鍵器件的國產(chǎn)替代開辟了新的渠道。紫光國芯在存儲芯片領(lǐng)域
2025-06-13 15:41:27
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珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證!這一成果進一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進工藝節(jié)點上的技術(shù)實力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:59
2248 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司實現(xiàn)新突破!我司基于40HV(40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process)工藝制程的一次性可編程存儲IP核已在國內(nèi)兩家頭部晶圓代工廠經(jīng)過
2025-08-14 17:20:53
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