推動(dòng)科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會(huì)停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會(huì)支持未來15年，部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。
2017-01-22 11:45:42
3754 在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù)，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述，一旦掩模就位，可以通過濕法化學(xué)或“干法”物理方法對(duì)不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻，圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:524745 
傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長(zhǎng)的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2917460 在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:582107 
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史。現(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:476931 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:246310 
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。
2025-03-27 09:21:333297 
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對(duì)外提供6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)和工藝加工服務(wù)，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項(xiàng)工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃
2012-01-12 10:51:59
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
，之后經(jīng)過物鏡投射到曝光臺(tái)，這里放的就是8寸或者12英寸晶圓，上面涂抹了光刻膠，具有光敏感性，紫外光就會(huì)在晶圓上蝕刻出電路。 而激光器負(fù)責(zé)光源產(chǎn)生，而光源對(duì)制程工藝是決定性影響的，隨著半導(dǎo)體工業(yè)節(jié)點(diǎn)
2020-07-07 14:22:55
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無線電（名詞解釋） 4半導(dǎo)體工藝的4個(gè)主要步驟： 4簡(jiǎn)敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個(gè)全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
５０ ｓ。用金相顯微鏡測(cè)試了在優(yōu)化工藝參數(shù)條件下制作的光刻膠圖形的分辨率，同時(shí)對(duì)圖形反轉(zhuǎn)機(jī)理進(jìn)行了討論。關(guān)鍵詞：光刻；ＡＺ?５２１４；剝離工藝；圖形反轉(zhuǎn)；斷面模擬
2009-10-06 10:05:30
ofweek電子工程網(wǎng)訊 國際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺(tái)積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)（EUV）的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
腐蝕掉,稱為蝕刻。要注意的是,這時(shí)的板子上面有兩層銅.在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-11-26 16:58:50
`請(qǐng)問PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
一個(gè)比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對(duì)液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號(hào)：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個(gè)一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
受到贊賞，通常用于廢物處理和飲用水消毒行業(yè)。最近在半導(dǎo)體濕法清洗工藝中引入臭氧引起了越來越多的興趣，因?yàn)樵摷夹g(shù)通過滿足上述需求的許多方面已被證明對(duì)工業(yè)應(yīng)用非常有前景。如圖 1 中的電位-pH 圖所示
2021-07-06 09:36:27
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號(hào)：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號(hào)：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對(duì)取向、長(zhǎng)度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)介編號(hào)：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類：絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
，光刻工藝，蝕刻工藝，離子注入工藝，化學(xué)機(jī)械拋光，清洗工藝，晶圓檢驗(yàn)工藝。
后道工序包括組裝工藝，檢驗(yàn)分揀工藝
書中的示意圖很形象
然后書中用大量示意圖介紹了基板工藝和布線工藝
2024-12-16 23:35:46
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、 電子、物理、通信、材料等專業(yè)，本科以上學(xué)歷，3年以上的PECVD\LPCVD沉積工作經(jīng)驗(yàn)； 2、 了解半導(dǎo)體工藝、精通PECVD或LPCVD材料生長(zhǎng)技術(shù)； 3、 精通PECVD或LPCVD設(shè)備
2012-12-19 22:42:16
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
國貨之光！比亞迪半導(dǎo)體IGBT帶快速恢復(fù)二極管，變頻器，逆變器，UPS，焊機(jī)，
2022-09-29 19:02:44
FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的
半導(dǎo)體工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過去，在每一節(jié)點(diǎn)會(huì)改進(jìn)
工藝的各個(gè)方面，每一新器件的最佳
工藝選擇是尺寸最小的最新
工藝?，F(xiàn)在，情況已不再如此?！ ?/div>
2019-09-17 07:40:28
——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜，再到測(cè)試封裝，一目了然。 全書共分20章，根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來安排章節(jié)，包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息；總體流程圖
2025-04-15 13:52:11
的同義詞？那CMOS工藝是屬于什么工藝??？我怎么記得以前好像說半導(dǎo)體工藝，一般都是說什么CMOS，NMOS，TTL等等譬如摻雜、注入、光刻、腐蝕這些又是屬于什么工藝呢？那die bond,wire
2009-09-16 11:51:34
是集成電路（IC），也就是我們通常所說的“芯片”，它是半導(dǎo)體技術(shù)的主要產(chǎn)品。集成電路制造過程中，晶圓光刻的工藝（即所謂的流片），被稱為前工序，這是IC制造的最關(guān)鍵技術(shù)；晶圓流片后，其切割、封裝等工序
2008-09-23 15:43:09
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻?！ ∫?蝕刻的種類 要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有
2018-09-19 15:39:21
請(qǐng)問一下大神rk3399有修改pinctrl的圖形化工具嗎？
2023-02-22 16:33:43
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581395 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 光刻的本質(zhì)是把制作在掩膜版上的圖形復(fù)制到以 后要進(jìn)行刻蝕和離子注入的晶圓上。其原理與照相 相似，不同的是半導(dǎo)體晶圓與光刻膠代替了照相底 片與感光涂層。
2016-06-08 14:55:420 光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能
2018-04-08 16:10:52171959 
本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質(zhì)要求及控制要點(diǎn)，其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數(shù)及蝕刻工藝品質(zhì)確認(rèn)，最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解，具體的跟隨小編一起來了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0948556 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個(gè)里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:404245 的占地面積。
半導(dǎo)體制造
在光刻工藝中，通常首先在硅晶圓上沉積一層光敏性光致抗蝕劑材料（光刻膠）。然后，光束通過光掩模照射到晶圓上，以將掩模圖形呈現(xiàn)在光刻膠上，再使用顯影劑溶解掉經(jīng)過曝光
2019-05-08 15:27:343275 與過去相比，研究人員現(xiàn)在已經(jīng)將EUVL作為存儲(chǔ)器關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化工藝的一個(gè)選項(xiàng)，例如DRAM的柱體結(jié)構(gòu)及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分，IMEC的研發(fā)工程師Murat Pak提出了幾種STT-MRAM關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化方案。
2019-09-05 11:45:009114 光刻機(jī)又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細(xì)圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機(jī)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最關(guān)鍵設(shè)備，光刻工藝決定了半導(dǎo)體線路的線寬，同時(shí)也決定了芯片的性能和功耗。
2020-09-30 16:17:136909 
很多化學(xué)物質(zhì)氧化后會(huì)腐蝕自己但晶圓氧化生成的膜層卻能保護(hù)自己“守護(hù)”晶圓的氧化工程是什么樣的？解鎖半導(dǎo)體8大工藝第二篇讓芯君來滿足你的好奇心 編輯：jq
2021-05-28 14:26:3712023 平版印刷術(shù)被定義為“一種從已經(jīng)準(zhǔn)備好的平坦表面(如光滑的石頭或金屬板)印刷的方法，以便油墨僅粘附在將要印刷的設(shè)計(jì)上”。在半導(dǎo)體器件制造中，石頭是硅片，而墨水是沉積、光刻和蝕刻工藝的綜合效果，從而產(chǎn)生
2022-03-14 15:20:533396 
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2022-06-21 09:30:0922720 光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:056459 光刻機(jī)譽(yù)為“現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)皇冠上的明珠”，是一種高度復(fù)雜的設(shè)備。光刻機(jī)是通過紫外光作為“畫筆”，把預(yù)先設(shè)計(jì)好的芯片電路路線書寫在硅晶圓旋涂的光刻膠上，光刻工藝直接決定了芯片中晶體管的尺寸和性能，是芯片生產(chǎn)中最為關(guān)鍵的過程。
2022-10-27 09:39:024800 來源：云天半導(dǎo)體 廈門云天半導(dǎo)體繼九月初812吋 “晶圓級(jí)封裝與無源器件生產(chǎn)線”正式通線后，經(jīng)過團(tuán)隊(duì)的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發(fā)終破2/2um L/S大關(guān)； 以下為部分工藝
2022-11-30 17:07:072533 功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進(jìn)行芯片封裝，對(duì)加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測(cè)試，其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴(kuò)散工藝等。
2023-02-24 15:34:136142 本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:492938 
光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試，實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對(duì)較小。
2023-06-09 10:49:2012408 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:573242 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:103193 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:371959 
半導(dǎo)體同時(shí)具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實(shí)際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會(huì)在
2023-07-03 10:21:574672 
外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-07-07 11:21:321451 
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:511869 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:272485 
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:535497 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:543038 
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:495554 
持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)不足，評(píng)估不同集成方案的工藝窗口會(huì)變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評(píng)估 DRAM 電容器圖形化工藝的工藝窗口。
2023-11-16 16:55:041194 
以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評(píng)估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口
2023-11-23 09:04:421249 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:022010 
[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制
2023-11-29 11:25:521682 
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:052731 
利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:502582 
圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見的一種紫外光刻膠，它既可以當(dāng)正膠使用又可以作為負(fù)膠使用。相比而言，負(fù)膠工藝更被人們所熟知。本文重點(diǎn)介紹其負(fù)膠工藝。 應(yīng)用領(lǐng)域 在反轉(zhuǎn)工藝下，通過適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">工藝參數(shù)，可以獲得底切的側(cè)壁
2024-07-09 16:06:001988 
來源：金融界 近日，據(jù)天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“拉普拉斯”）申請(qǐng)一項(xiàng)名為“晶圓圖形化工藝”的專利，公開號(hào)CN202410574469.X。 專利摘要顯示，本
2024-07-19 09:54:22669 在萬物互聯(lián)，AI革命興起的今天，半導(dǎo)體芯片已成為推動(dòng)現(xiàn)代社會(huì)進(jìn)步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù)，作為先進(jìn)制造中最為精細(xì)和關(guān)鍵的工藝，不管是半導(dǎo)體芯片、MEMS器件，還是微納光學(xué)元件都離不開光刻工藝的參與，其重要性不言而喻。本文將帶您一起認(rèn)識(shí)光刻工藝的基本知識(shí)。
2024-08-26 10:10:073248 
分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計(jì)圖形，通過模擬計(jì)算確定最佳光照條件，以實(shí)現(xiàn)最大共同工藝窗口(Common Process Window)，這部分工作一般是在新光刻工藝研發(fā)的早期進(jìn)行 。
2024-10-18 15:11:472854 
“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝，其中包括3大步驟的工藝：涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常，整個(gè)光刻工藝都需要返工處理，因此現(xiàn)場(chǎng)異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
2024-10-22 13:52:103499 寫在前面 本文將聚焦于半導(dǎo)體工藝這一關(guān)鍵領(lǐng)域。半導(dǎo)體工藝是半導(dǎo)體行業(yè)中的核心技術(shù)，它涵蓋了從原材料處理到最終產(chǎn)品制造的整個(gè)流程。 半導(dǎo)體制造流程包含幾個(gè)核心環(huán)節(jié)。首先，起始于晶圓準(zhǔn)備，選用硅晶片作為
2024-12-07 09:17:412210 
光刻是廣泛應(yīng)用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見的半導(dǎo)體加工工藝流程。
2025-03-04 17:07:042124 
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162130 ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方法，并探討白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中
2025-06-30 15:24:55740 晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面
2025-07-15 15:00:221230 
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí)，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43947 
一、引言
玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═TV）是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo)，其厚度
2025-10-09 16:29:24576 
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