其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例，這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來(lái)的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時(shí)代，不僅需要EUV光刻機(jī)，更需要EUV光刻膠的參與。但在過(guò)去 國(guó)內(nèi)長(zhǎng)期依賴進(jìn)
2025-10-28 08:53:35
6234 了全球 EUV 光刻設(shè)備市場(chǎng)，成為各國(guó)晶圓廠邁向 7nm、5nm 乃至更先進(jìn)制程繞不開(kāi)的 “守門(mén)人”。然而，近日俄羅斯科學(xué)院微結(jié)構(gòu)物理研究所公布的一份國(guó)產(chǎn) EUV 光刻設(shè)備長(zhǎng)期路線圖，引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注與討論 —— 俄羅斯，正在試圖挑戰(zhàn) ASML 的霸權(quán)。 ?
2025-10-04 03:18:009690 
7月16日，全球三大光刻巨頭之一的日本尼康公司宣布，正式推出全球首款專為半導(dǎo)體后道工藝設(shè)計(jì)的無(wú)掩模光刻系統(tǒng)——DSP-100，這款設(shè)備為先進(jìn)封裝量身定制，可以容納600mm大基板，并提供1.0μm
2025-07-24 09:29:397815 
光罩是半導(dǎo)體制造中光刻工藝所使用的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，它承載著設(shè)計(jì)圖形，通過(guò)光刻過(guò)程將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過(guò)刻蝕等步驟轉(zhuǎn)移到襯底上，是集成電路、微電子制造的關(guān)鍵組件，其存放條件直接影響到生產(chǎn)的良
2026-01-05 10:29:0041 
實(shí)現(xiàn)0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)。 ? 而隨著芯片工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，芯片供電面臨越來(lái)越多問(wèn)題，所以近年英特爾、臺(tái)積電、三星等廠商相繼推出背面供電技術(shù)，旨在解決工藝節(jié)點(diǎn)不斷推進(jìn)下，芯片面臨的供電困境。 ? 正面供電面臨物理極限 ? 在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的歷程中
2026-01-03 05:58:003946 導(dǎo)語(yǔ) 顯影工藝作為光刻制程的核心環(huán)節(jié)，直接決定晶圓圖形轉(zhuǎn)移的精度與良率。顯影濕法設(shè)備憑借高均勻性噴淋、精準(zhǔn)溫度控制及智能缺陷攔截系統(tǒng)，突破16nm以下制程的顯影挑戰(zhàn)，為邏輯芯片、存儲(chǔ)器件及先進(jìn)封裝
2025-12-24 15:03:51144 
①成本優(yōu)勢(shì)，貨源穩(wěn)定
②功耗降低30%-50%，工藝制程采用22nm，主頻由64M升級(jí)到128M。且54系列是M33的核。
③54系列支持藍(lán)牙6.0 ，支持channelsounding功能，52系列不支持。
④54系列支持最新的NCS
2025-12-24 11:09:50
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，晶圓去膠工藝之后確實(shí)需要進(jìn)行清洗和干燥步驟。以下是具體介紹：一、清洗的必要性去除殘留物光刻膠碎片：盡管去膠工藝旨在完全去除光刻膠，但在實(shí)際操作中，可能會(huì)有一些微小的光刻膠顆粒殘留
2025-12-16 11:22:10110 
在7納米、3納米等先進(jìn)芯片制造中，光刻機(jī)0.1納米級(jí)的曝光精度離不開(kāi)高精度石英壓力傳感器的支撐，其作為“隱形功臣”，是保障工藝穩(wěn)定、設(shè)備安全與產(chǎn)品良率的核心部件。本文聚焦石英壓力傳感器在光刻機(jī)中
2025-12-12 13:02:26423 2025年11月20日， 國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的FPGA芯片供應(yīng)商廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“高云半導(dǎo)體”）隆重出席2025集成電路發(fā)展論壇（成渝）暨第31屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)（ICCAD 2025）。展會(huì)期間，高云半導(dǎo)體全面展示了其布局完善的22nm全系列FPGA產(chǎn)品及解決方案。
2025-11-27 11:10:451294 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 在半導(dǎo)體行業(yè)，光刻（Photo）工藝技術(shù)就像一位技藝高超的藝術(shù)家，負(fù)責(zé)將復(fù)雜的電路圖案從掩模轉(zhuǎn)印到光滑的半導(dǎo)體晶圓上。作為制造過(guò)
2025-11-10 09:27:481746 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，我國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域迎來(lái)重大突破。北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過(guò)冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面
2025-10-27 09:13:046178 
光刻與刻蝕是納米級(jí)圖形轉(zhuǎn)移的兩大核心工藝，其分辨率、精度與一致性共同決定器件性能與良率上限。
2025-10-24 13:49:061666 
系列。該系列產(chǎn)品主要面向mini/micro LED光電器件、光芯片、功率器件等化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，可靈活適配硅片、藍(lán)寶石、SiC等不同襯底材料，滿足多樣化的膠厚光刻工藝需求。 WS180i系列光刻機(jī)優(yōu)勢(shì)顯著。其晶圓覆蓋范圍廣，可處理2~8英寸的晶圓；分
2025-10-10 17:36:33928 一、引言
玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 。總厚度偏差（TTV）是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo)，其厚度
2025-10-09 16:29:24575 
浸沒(méi)式光刻（Immersion Lithography）通過(guò)在投影透鏡與晶圓之間填充高折射率液體（如超純水，n≈1.44），突破傳統(tǒng)干法光刻的分辨率極限，廣泛應(yīng)用于 45nm 至 7nm 節(jié)點(diǎn)芯片制造。
2025-09-20 11:12:50841 EUV（極紫外）光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長(zhǎng)，成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝，其光刻后形成的三維圖形（如鰭片、柵極、接觸孔等）尺寸通常在 5-50nm 范圍，高度 50-500nm。
2025-09-20 09:16:09592 光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
%。至少將GAA納米片提升幾個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點(diǎn)的高端半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵技術(shù)。是將設(shè)計(jì)好的芯片版圖圖形轉(zhuǎn)移到硅晶圓上的一種精細(xì)
2025-09-15 14:50:58
BCM56771A0KFSBG性能密度：?jiǎn)涡酒?12.8Tbps + 32×400G 端口，降低設(shè)備數(shù)量與 TCO。技術(shù)前瞻：PAM4 調(diào)制 + 7nm 工藝，平滑演進(jìn)至 800G 時(shí)代。能效比
2025-09-09 10:41:47
。
FinFET是在22nm之后的工藝中使用，而GAA納米片將會(huì)在3nm及下一代工藝中使用。
在叉形片中，先前獨(dú)立的兩個(gè)晶體管NFET和PFET被連接和集成在兩邊，從而進(jìn)一步提升了集成度。同時(shí)，在它們之間
2025-09-06 10:37:21
在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池串聯(lián)結(jié)構(gòu)的制備過(guò)程中，需對(duì)不同功能膜層進(jìn)行精確定位劃線。目前，劃刻工藝主要包括掩模板法、化學(xué)蝕刻、機(jī)械劃片與激光劃片等方式，其中激光劃片因能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的劃區(qū)逐漸成為主流技術(shù)
2025-09-05 09:04:36879 
引言 晶圓光刻圖形是半導(dǎo)體制造中通過(guò)光刻工藝形成的微米至納米級(jí)三維結(jié)構(gòu)（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直接決定后續(xù)蝕刻、沉積工藝的精度，進(jìn)而影響器件性能。傳統(tǒng)
2025-09-03 09:25:20648 
InFO-R作為基礎(chǔ)架構(gòu)，采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級(jí)基板上完成精準(zhǔn)定位后，通過(guò)光刻工藝直接在芯片表面構(gòu)建多層銅重布線層（RDL），線寬/線距（L/S）可壓縮至2μm/2μm級(jí)別。
2025-09-01 16:10:582541 
在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn)，為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 隨著集成電路工藝的不斷突破， 當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)持續(xù)向7nm及以下邁進(jìn)，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已難以滿足高精度、高密度的制造需求，此時(shí)，波長(zhǎng)13.5nm的極紫外（EUV）光刻技術(shù)逐漸成為支撐
2025-08-17 00:03:004218 澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(jī)（EBL）是一款高性能、高精度的光刻設(shè)備，專為半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨率光刻需求設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用先進(jìn)的場(chǎng)發(fā)射電子槍，結(jié)合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng)，確保光刻質(zhì)量?jī)?yōu)異且
2025-08-15 15:14:01
澤攸科技ZML10A是一款創(chuàng)新的桌面級(jí)無(wú)掩膜光刻設(shè)備，專為高效、精準(zhǔn)的微納加工需求設(shè)計(jì)。該設(shè)備采用高功率、高均勻度的LED光源，并結(jié)合先進(jìn)的DLP技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了黃光或綠光引導(dǎo)曝光功能，真正做到
2025-08-15 15:11:55
制造工藝的深刻理解，將濕法蝕刻這一關(guān)鍵技術(shù)與我們自主研發(fā)的高精度檢測(cè)系統(tǒng)相結(jié)合，為行業(yè)提供從工藝開(kāi)發(fā)到量產(chǎn)管控的完整解決方案。濕法蝕刻工藝：高精度制造的核心技術(shù)M
2025-08-11 14:27:121257 
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí)，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43941 
光阻去除（即去膠工藝）屬于半導(dǎo)體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術(shù)流程中不可或缺的關(guān)鍵步驟。以下是其在整個(gè)制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型光刻流程為：涂膠→軟烘→曝光→硬烘→顯影→后烘
2025-07-30 13:33:021120 
光阻去除工藝（即去膠工藝）是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在清除曝光后的光刻膠而不損傷底層材料。以下是主流的技術(shù)方案及其特點(diǎn)：一、濕法去膠技術(shù)1.有機(jī)溶劑溶解法原理：利用丙酮、NMP（N-甲基吡咯烷酮
2025-07-30 13:25:43916 
這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見(jiàn)的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術(shù)（光刻）?摻雜技術(shù)?鍍膜技術(shù)和刻蝕技術(shù)。
2025-07-16 13:52:553321 
晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面
2025-07-15 15:00:221224 
厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒(méi)式膠驗(yàn)證，從樹(shù)脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破，一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過(guò)中芯國(guó)際28nm產(chǎn)線驗(yàn)證，開(kāi)創(chuàng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006080 面對(duì)近來(lái)全球大廠陸續(xù)停產(chǎn)LPDDR4/4X以及DDR4內(nèi)存顆粒所帶來(lái)的巨大供應(yīng)短缺，芯動(dòng)科技憑借行業(yè)首屈一指的內(nèi)存接口開(kāi)發(fā)能力，服務(wù)客戶痛點(diǎn)，率先在全球多個(gè)主流28nm和22nm工藝節(jié)點(diǎn)上，系統(tǒng)布局
2025-07-08 14:41:101158 一、涂膠顯影設(shè)備：光刻工藝的“幕后守護(hù)者” 在半導(dǎo)體制造的光刻環(huán)節(jié)里，涂膠顯影設(shè)備與光刻機(jī)需協(xié)同作業(yè)，共同實(shí)現(xiàn)精密的光刻工藝。曝光工序前，涂膠機(jī)會(huì)在晶圓表面均勻涂覆光刻膠；曝光完成后，顯影設(shè)備則對(duì)晶
2025-07-03 09:14:54770 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方法，并探討白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中
2025-06-30 15:24:55736 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形的垂直度對(duì)器件的電學(xué)性能、集成密度以及可靠性有著重要影響。精準(zhǔn)控制光刻圖形垂直度是保障先進(jìn)制程工藝精度的關(guān)鍵。本文將系統(tǒng)介紹改善光刻圖形垂直度的方法，并
2025-06-30 09:59:13489 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，ASML 技術(shù)高級(jí)副總裁 Jos Benschop 表示，ASML 已攜手光學(xué)組件獨(dú)家合作伙伴蔡司，啟動(dòng)了 5nm 分辨率的 Hyper NA 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)。這一舉措標(biāo)志著
2025-06-29 06:39:001916 、蝕刻、薄膜沉積等工序，每個(gè)環(huán)節(jié)均需準(zhǔn)確溫控。以下以典型場(chǎng)景為例，闡述半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller的技術(shù)需求與解決方案：1、光刻工藝中的溫度穩(wěn)定性保障光刻膠涂布與曝
2025-06-26 15:39:09820 
引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48815 Cortex-M33處理器，處理效率較前代提升3倍；集成1MB閃存與192KB RAM，支持多協(xié)議并行運(yùn)行； 采用22nm工藝，休眠電流低至0.3μA
無(wú)線性能?： 支持藍(lán)牙6.0完整功能集（含
2025-06-25 10:15:07
引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對(duì)金屬結(jié)構(gòu)的保護(hù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過(guò)度蝕刻，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565 在 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造領(lǐng)域，光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay（套刻精度），則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計(jì)圖案對(duì)準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻 Overlay 指的是芯片制造過(guò)程中，前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對(duì)準(zhǔn)精度。
2025-06-18 11:30:491556 
引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08693 ASR1606 采用先進(jìn)的 22nm 制程工藝，將 CPU、Modem 通信單元、射頻模塊、Codec 音頻單元、PSRAM & Flash 存儲(chǔ)單元以及 PMU 電源管理模塊高度集成于單
2025-06-17 18:00:001383 
預(yù)清洗機(jī)（Pre-Cleaning System）是半導(dǎo)體制造前道工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，用于在光刻、蝕刻、薄膜沉積等核心制程前，對(duì)晶圓、掩膜板、玻璃基板等精密部件進(jìn)行表面污染物（顆粒、有機(jī)物、金屬殘留等
2025-06-17 13:27:16
一、產(chǎn)品概述全自動(dòng)Mask掩膜板清洗機(jī)是半導(dǎo)體光刻工藝中用于清潔光罩（Reticle/Mask）表面的核心設(shè)備，主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機(jī)物沉積及蝕刻副產(chǎn)物。其技術(shù)覆蓋濕法化學(xué)清洗、兆
2025-06-17 11:06:03
測(cè)量對(duì)工藝優(yōu)化和產(chǎn)品質(zhì)量控制至關(guān)重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法，并介紹白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備方法 配方組成 低含量 NMF 光刻膠剝離液主要由低濃度 NMF、助溶劑、堿性物質(zhì)、緩蝕劑
2025-06-17 10:01:01677 進(jìn)入過(guò)無(wú)塵間光刻區(qū)的朋友，應(yīng)該都知道光刻區(qū)里用的都是黃燈，這個(gè)看似很簡(jiǎn)單的問(wèn)題的背后卻蘊(yùn)含了很多鮮為人知的道理，那為什么實(shí)驗(yàn)室光刻要用黃光呢？ 光刻是微流控芯片制造中的重要工藝之一。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，它是
2025-06-16 14:36:251069 ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過(guò)光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝過(guò)程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162127 ，傳統(tǒng)組件制備中的激光劃刻工藝（尤其是P3頂電極隔離步驟）會(huì)引發(fā)鈣鈦礦材料熱降解，但機(jī)制不明。本文通過(guò)調(diào)控激光脈沖重疊度，結(jié)合美能鈣鈦礦在線PL測(cè)試機(jī)評(píng)估激光刻劃過(guò)程引起的材料缺陷和界面狀態(tài)
2025-06-06 09:02:54925 ，是指通過(guò)紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，溶解度會(huì)發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來(lái)說(shuō)，光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)當(dāng)中的制造環(huán)節(jié)，是芯片制造過(guò)程里光刻工
2025-06-04 13:22:51986 與良品率，因此深入探究二者關(guān)系并優(yōu)化測(cè)量方法意義重大。 影響機(jī)制 工藝應(yīng)力引發(fā)變形 在金屬陽(yáng)極像素制作時(shí)，諸如光刻、蝕刻、金屬沉積等步驟會(huì)引入工藝應(yīng)力。光刻中，光刻膠的涂覆與曝光過(guò)程會(huì)因光刻膠固化收縮產(chǎn)生應(yīng)力。蝕刻階段，蝕刻氣體或液體對(duì)晶圓表面的作用若不均
2025-05-29 09:43:43588 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí)，精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531103 
) 市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在未來(lái)五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。傳感器是芯片制造中使用的先進(jìn)光刻系統(tǒng)的核心。 制造復(fù)雜、高性能且越來(lái)越小的半導(dǎo)體芯片時(shí)，在很大程度上依賴于高精度、高靈敏度的光刻工藝，這些工藝有助于在硅晶圓和芯片制造中使用的其他基底上印制復(fù)雜的圖案。 先進(jìn)光刻系統(tǒng)采用了極其精確和靈敏的技
2025-05-25 10:50:00755 
優(yōu)勢(shì)，為光刻圖形測(cè)量提供了可靠手段。 ? Micro OLED 陽(yáng)極像素定義層制備方法 ? 傳統(tǒng)光刻工藝 ? 傳統(tǒng) Micro OLED 陽(yáng)極像素定義層制備常采用光刻剝離工藝。首先在基板上沉積金屬層作為陽(yáng)極材料，接著旋涂光刻膠，通過(guò)掩模版曝光使光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，隨后
2025-05-23 09:39:17628 定向自組裝光刻技術(shù)通過(guò)材料科學(xué)與自組裝工藝的深度融合，正在重構(gòu)納米制造的工藝組成。主要內(nèi)容包含圖形結(jié)構(gòu)外延法、化學(xué)外延法及圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。
2025-05-21 15:24:251945 
Ultra，小米首款SUV小米yu7 等。 雷軍還透露，小米玄戒O1，采用第二代3nm工藝制程，力爭(zhēng)躋身第一梯隊(duì)旗艦體驗(yàn)。此次小米發(fā)布會(huì)的最大亮點(diǎn)之一肯定是小米自研手機(jī)SoC芯片「玄戒O1」，這標(biāo)志著小米在芯片領(lǐng)域的自主研發(fā)能力邁入新階段。從澎湃S1到玄戒O1，小米11年造芯
2025-05-19 16:52:591155 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）在半導(dǎo)體行業(yè)邁向3nm及以下節(jié)點(diǎn)的今天，光刻工藝的精度與效率已成為決定芯片性能與成本的核心要素。光刻掩模作為光刻技術(shù)的“底片”，其設(shè)計(jì)質(zhì)量直接決定了晶體管結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)度
2025-05-16 09:36:475598 
電子直寫(xiě)光刻機(jī)駐極體圓筒聚焦電極
隨著科技進(jìn)步，對(duì)電子顯微鏡的精度要求越來(lái)越高。電子直寫(xiě)光刻機(jī)的精度與電子波長(zhǎng)和電子束聚焦后的焦點(diǎn)直徑有關(guān)，電子波長(zhǎng)可通過(guò)增加加速電極電壓來(lái)減小波長(zhǎng)，而電子束聚焦后
2025-05-07 06:03:45
，或者M(jìn)DP軟件。
現(xiàn)有可免費(fèi)試用的光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件，可實(shí)現(xiàn)最高1nm精度的大型圖形轉(zhuǎn)換，同時(shí)只需要的少量的電腦內(nèi)存就可以運(yùn)行。如需要請(qǐng)聯(lián)系我，謝謝！
2025-05-02 12:42:10
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337820 
在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。
2025-04-24 14:27:32715 強(qiáng)固型嵌入式計(jì)算平臺(tái)廠商N(yùn)eousys宸曜科技發(fā)布了新的無(wú)風(fēng)扇嵌入式計(jì)算平臺(tái)Nuvo-11000系列。Nuvo-11000系列搭載了新的英特爾酷睿Ultra200處理器，不僅采用了先進(jìn)的3nm光刻工藝
2025-04-23 16:52:17695 
第9章 集成電路制造工藝概況 第10章 氧化 第11章 淀積 第12章 金屬化 第13章 光刻：氣相成底膜到軟烘 第14章 光刻：對(duì)準(zhǔn)和曝光 第15章 光刻：光刻膠顯影和先進(jìn)的光刻技術(shù) 第16章
2025-04-15 13:52:11
晶圓高溫清洗蝕刻工藝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)于確保芯片的性能和質(zhì)量至關(guān)重要。為此，在目前市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)情況下，我們來(lái)給大家介紹一下詳情。 一、工藝原理 清洗原理 高溫清洗利用物理和化學(xué)的作用
2025-04-15 10:01:331096 經(jīng)常會(huì)有同行問(wèn)：國(guó)產(chǎn)100K邏輯規(guī)模的器件是否已經(jīng)成熟和穩(wěn)定？當(dāng)然，可以很負(fù)責(zé)任地說(shuō)，目前幾家國(guó)產(chǎn)FPGA原廠都有28nm工藝節(jié)點(diǎn)（或同級(jí)別的22nm）器件，并且也已經(jīng)在市場(chǎng)中大規(guī)模的使用，紫光同創(chuàng)
2025-04-14 09:53:471224 
進(jìn)制程領(lǐng)域，曝光波長(zhǎng)逐漸縮短至13.5nm，光刻技術(shù)逐步完善成熟。2024年光刻機(jī)市場(chǎng)的規(guī)模為230億美元。2025年光刻機(jī)市場(chǎng)的規(guī)模預(yù)計(jì)為252億美元。 【光刻機(jī)的發(fā)展機(jī)會(huì)主要體現(xiàn)在以下四方面】 一、技術(shù)突破與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng) 中科院成功研發(fā)了突破性的固態(tài)深
2025-04-07 09:24:271236 。
光刻工藝、刻蝕工藝
在芯片制造過(guò)程中，光刻工藝和刻蝕工藝用于在某個(gè)半導(dǎo)體材料或介質(zhì)材料層上，按照光掩膜版上的圖形，“刻制”出材料層的圖形。
首先準(zhǔn)備好硅片和光掩膜版，然后再硅片表面上通過(guò)薄膜工藝生成一
2025-04-02 15:59:44
，三合一工藝平臺(tái)，CMOS圖像傳感器工藝平臺(tái)，微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺(tái)。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻膠:感光樹(shù)脂，增感劑，溶劑。 正性和負(fù)性。 光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻工藝
2025-03-27 16:38:20
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。
2025-03-27 09:21:333273 
在科技日新月異的今天，芯片作為數(shù)字時(shí)代的“心臟”，其制造過(guò)程復(fù)雜而精密，涉及眾多關(guān)鍵環(huán)節(jié)。提到芯片制造，人們往往首先想到的是光刻機(jī)這一高端設(shè)備，但實(shí)際上，芯片的成功制造遠(yuǎn)不止依賴光刻機(jī)這一單一工具。本文將深入探討芯片制造的五大關(guān)鍵工藝，揭示這些工藝如何協(xié)同工作，共同鑄就了現(xiàn)代芯片的輝煌。
2025-03-24 11:27:423167 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
2025-03-23 11:17:401827 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-22 00:02:002462 體。在光刻工藝過(guò)程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類
2025-03-18 13:59:533004 
光刻是廣泛應(yīng)用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見(jiàn)的半導(dǎo)體加工工藝流程。
2025-03-04 17:07:042118 
工藝制程22nm低功耗工藝
主頻最高1.8GHz（動(dòng)態(tài)頻率調(diào)節(jié)）
GPUARM Mali-G52 2EE GPU
NPU0.8TOPS算力（支持INT8/INT16）2. 核心性能亮點(diǎn)? 計(jì)算性能
2025-02-26 12:17:22
掩膜版作為微納加工技術(shù)中光刻工藝所使用的圖形母版，在IC、平版顯示器、印刷電路版、微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。隨著信息技術(shù)和智能制造的快速發(fā)展，特別是智能手機(jī)、平板電腦、車載電子等市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)
2025-02-19 16:33:121047 ? EUV光刻有多強(qiáng)？目前來(lái)看，沒(méi)有EUV光刻，業(yè)界就無(wú)法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機(jī)也是歷史上最復(fù)雜、最昂貴的機(jī)器之一。 EUV光刻有哪些瓶頸？ EUV光刻技術(shù)，存在很多難點(diǎn)。 1.1
2025-02-18 09:31:242256 
在芯片制造的復(fù)雜流程中，光刻工藝是決定晶體管圖案能否精確“印刷”到硅片上的核心環(huán)節(jié)。而光刻Overlay(套刻精度)，則是衡量光刻機(jī)將不同層電路圖案對(duì)準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，它就像建造摩天大樓
2025-02-17 14:09:254462 
TechInsights與SemiWiki近日聯(lián)合發(fā)布了對(duì)英特爾Intel 18A(1.8nm級(jí)別)和臺(tái)積電N2(2nm級(jí)別)工藝的深度分析。結(jié)果顯示，兩者在關(guān)鍵性能指標(biāo)上各有優(yōu)勢(shì)。 據(jù)
2025-02-17 13:52:021086 的工藝制程，猶如三把鑰匙，開(kāi)啟著不同應(yīng)用場(chǎng)景的大門(mén)。本文將深入解析這三種鋰電池封裝形狀背后的技術(shù)路線與工藝奧秘。 一、方形鋰電池：堅(jiān)固方正背后的工藝匠心 （一）結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì) 方形鋰電池以其規(guī)整的外形示人，這種
2025-02-17 10:10:382226 
半導(dǎo)體設(shè)備安裝防震裝置主要有以下幾方面原因：一、高精度加工要求1,光刻工藝(1)光刻是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵步驟，其精度要求極高。例如，在芯片制造中，光刻設(shè)備需要將電路圖案精確地投射到硅片上?，F(xiàn)代光刻技術(shù)
2025-02-05 16:48:03874 
光刻是芯片制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過(guò)程的詳細(xì)介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻
2025-01-28 16:36:003577 
一站式 NVM 存儲(chǔ) IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛芯（CFX）今日宣布，其反熔絲一次性可編程（OTP）技術(shù)繼 2021年在國(guó)內(nèi)第一家代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，2024 年在國(guó)內(nèi)多家代工廠關(guān)于 90nm BCD 工藝上也
2025-01-20 17:27:471647 數(shù)值孔徑，是影響分辨率(R)，焦深（DOF）的重要參數(shù)，公式為： ? R=k1?λ/NA ? DOF=k2?λ/NA2 ? 其中，λ為波長(zhǎng)，k1,k2均為工藝因子。從公式可以看出：提高NA可以提升光刻分辨率，增大NA會(huì)縮小景深。 ? ? ? 如何增大NA？ ? 增大NA值的主要目標(biāo)是提高分辨率。 ? NA的公式為： ?
2025-01-20 09:44:182475 
本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片光刻機(jī)和面板光刻機(jī)。面板光刻機(jī)的工作原理和芯片光刻機(jī)相似
2025-01-16 09:29:456353 
。這通常涉及到外延生長(zhǎng)、光刻、離子注入、擴(kuò)散等工藝步驟。 外延生長(zhǎng) ：在襯底上生長(zhǎng)出所需的半導(dǎo)體材料層。 光刻 ：利用光刻技術(shù)在半導(dǎo)體材料上形成所需的圖案。 離子注入 ：通過(guò)離子注入改變半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)。 擴(kuò)散 ：通過(guò)高溫?cái)U(kuò)
2025-01-14 16:55:081780 。這一精密而復(fù)雜的流程主要包括以下幾個(gè)工藝過(guò)程：晶圓制造工藝、熱工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝、薄膜淀積工藝、化學(xué)機(jī)械拋光工藝。 ? ? ? 晶圓制造工藝 晶圓制造工藝包括單晶生長(zhǎng)、晶片切割和晶圓清洗。 ? 半導(dǎo)
2025-01-08 11:48:344037 
光刻膠在這些物理或化學(xué)過(guò)程中具有更好的工藝穩(wěn)定性和效果。 增強(qiáng)光刻膠與基片的粘附 烘膠有助于除去顯影后殘留于膠膜中的溶劑或水分，從而使膠膜與基片緊密粘附，防止膠層脫落。這一過(guò)程在微流控芯片的光刻工藝中是重要的一環(huán)，保障了
2025-01-07 15:18:06823 某大型半導(dǎo)體制造企業(yè)專注于高端芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，其電子束光刻設(shè)備在芯片制造的光刻工藝中起著關(guān)鍵作用。然而，企業(yè)所在園區(qū)周邊存在眾多工廠，日常生產(chǎn)活動(dòng)產(chǎn)生復(fù)雜的振動(dòng)源，包括重型機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)、車輛行駛以及建筑物內(nèi)部的機(jī)電設(shè)備運(yùn)行等，這些振動(dòng)嚴(yán)重影響了電子束光刻設(shè)備的精度與穩(wěn)定性。
2025-01-07 15:13:211320 
? 本文介紹了組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)。 光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟，其重要性不言而喻。光刻機(jī)是實(shí)現(xiàn)這一工藝的核心設(shè)備，它的工作原理類似于傳統(tǒng)攝影中的曝光過(guò)程，但精度要求極高，能夠達(dá)到
2025-01-07 10:02:304525 
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