TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過(guò)他們?cè)?0nm及之后的工藝上很自信，2020年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，還會(huì)用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:09
1380 半導(dǎo)體制造工藝是集成電路產(chǎn)業(yè)的核心，未來(lái)摩爾定律是否還能主宰產(chǎn)業(yè)發(fā)展就得看半導(dǎo)體工藝是否能在10nm以下的工藝繼續(xù)突破了，而在這個(gè)問(wèn)題上，荷蘭ASML公司的EUV光刻機(jī)何時(shí)成熟就是個(gè)關(guān)鍵了。上周
2016-11-07 11:33:073245 
傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長(zhǎng)的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見(jiàn)下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒(méi)式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2917459 在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過(guò)程和集成電路的部分發(fā)展史?，F(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過(guò)該過(guò)程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過(guò)程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:476930 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:246309 
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。
2025-03-27 09:21:333277 
2019年半導(dǎo)體芯片進(jìn)入 7nm 時(shí)代開(kāi)始（現(xiàn)在我們處于 10nm 時(shí)代），EUV 光刻機(jī)是絕對(duì)的戰(zhàn)略性設(shè)備，沒(méi)有它就會(huì)寸步難行。
2018-05-17 09:22:2011583 在7nm及以下節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電的進(jìn)展是最快的，今年量產(chǎn)7nm不說(shuō)，最快明年4月份就要試產(chǎn)5nm EUV工藝了，不過(guò)這個(gè)節(jié)點(diǎn)的投資花費(fèi)也是驚人的，臺(tái)積電投資250億美元建廠，5nm芯片設(shè)計(jì)費(fèi)用也要比7nm工藝提升50%。
2018-10-08 09:52:334230 中芯國(guó)際的7nm工藝發(fā)展跟臺(tái)積電的路線差不多，7nm節(jié)點(diǎn)一共發(fā)展了三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7＋，前兩代工藝也沒(méi)用EUV光刻機(jī)，只有N7＋工藝上才開(kāi)始用EUV工藝，不過(guò)光罩層數(shù)也比較少，5nm節(jié)點(diǎn)寸是充分利用EUV光刻工藝的，達(dá)到了14層EUV光罩。
2020-02-28 09:49:166208 作為近乎壟斷的光刻機(jī)巨頭，ASML的EUV光刻機(jī)已經(jīng)在全球頂尖的晶圓廠中獲得了使用。無(wú)論是英特爾、臺(tái)積電還是三星，EUV光刻機(jī)的購(gòu)置已經(jīng)是生產(chǎn)支出中很大的一筆，也成了7nm之下不可或缺的制造設(shè)備
2021-12-01 10:07:4113656 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）到了3nm這個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)之后，單靠現(xiàn)有的0.33NA EUV光刻機(jī)就很難維系下去了。為了實(shí)現(xiàn)2nm乃至未來(lái)的埃米級(jí)工藝，將晶體管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 01:48:003525 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 隨著集成電路工藝的不斷突破， 當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)持續(xù)向7nm及以下邁進(jìn)，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已難以滿足高精度、高密度的制造需求，此時(shí)，波長(zhǎng)13.5nm的極紫外（EUV）光刻技術(shù)逐漸成為支撐
2025-08-17 00:03:004220 翁壽松(無(wú)錫市羅特電子有限公司，江蘇無(wú)錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進(jìn)展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
有參考價(jià)值的信息。 英特爾路線圖 從7nm到1.4nm 首先將目光放到最遠(yuǎn)，英特爾預(yù)計(jì)其工藝制程節(jié)點(diǎn)將以2年一個(gè)階段的速度向前推進(jìn)。從2019年推出10nm工藝開(kāi)始（實(shí)際產(chǎn)品在市場(chǎng)上非常少見(jiàn)
2020-07-07 11:38:14
ofweek電子工程網(wǎng)訊 國(guó)際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺(tái)積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)（EUV）的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
，光源是ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機(jī)，但是到了7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺(tái)積電都會(huì)在7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)引入極紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
`請(qǐng)問(wèn)PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
%，Lam Research為10億美元，占臺(tái)積電采購(gòu)額的9%，迪恩士占5%，KLA占4%。ASML目前，全球僅有ASML一家公司掌握著EUV光刻機(jī)的核心技術(shù)，這也是5nm制程必需的設(shè)備，但EUV
2020-03-09 10:13:54
們的投入中，80%的開(kāi)支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺(tái)設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元，可見(jiàn)半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
卡巴KEY，可用到０９年６月１７日各版本通用 發(fā)個(gè)卡巴的KEY，可用到０９年６月１７日，而且卡巴７.０、８.０都能用
2008-07-31 16:50:25
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻機(jī)作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設(shè)備，對(duì)芯片制作工藝有著決定性的影響，被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”，根據(jù)之前中芯國(guó)際的公報(bào)，目...
2021-07-29 09:36:46
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581395 在SEMICON West上另一個(gè)熱點(diǎn)是光刻技術(shù)能否達(dá)到15nm的經(jīng)濟(jì)制造?半導(dǎo)體業(yè)是有希望未來(lái)采用EUV技術(shù)。
2011-03-08 10:09:573110 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 進(jìn)入10nm工藝節(jié)點(diǎn)之后，EUV光刻機(jī)越來(lái)越重要，全球能產(chǎn)EUV光刻機(jī)的就是荷蘭ASML公司了，他們總共賣出18臺(tái)EUV光刻機(jī)，總價(jià)值超過(guò)20億歐元，折合每套系統(tǒng)售價(jià)超過(guò)1億歐元，可謂價(jià)值連城。
2017-01-19 18:22:594096 EUV光刻工藝加成，但是7nm EUV工藝在性能上不會(huì)有多大的提升，AMD CTO Mark Pappermaster也在采訪中證實(shí)7nm EUV工藝主要是改善能效，性能提升只是適度的。
2018-11-27 16:35:244132 時(shí)代開(kāi)始（現(xiàn)在我們處于 10nm 時(shí)代），EUV 光刻機(jī)是絕對(duì)的戰(zhàn)略性設(shè)備，沒(méi)有它就會(huì)寸步難行。
在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后，制造難度越來(lái)越大，傳統(tǒng)的193nm紫外光刻機(jī)也難以為繼
2018-05-20 10:32:3714641 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128
今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，二代7nm才會(huì)上EUV光刻工藝，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。那么存儲(chǔ)芯片行業(yè)何時(shí)
2018-06-07 14:49:006864 的進(jìn)度表
在內(nèi)存工藝上，美光認(rèn)為1α及1β工藝上依然都不需要EUV光刻工藝，不過(guò)早前ASML兩年前提到過(guò)內(nèi)存在進(jìn)入1Y nm節(jié)點(diǎn)時(shí)就需要考慮EUV工藝了，實(shí)際上并沒(méi)有，包括三星在內(nèi)的三大DRAM巨頭都沒(méi)有很快進(jìn)入EUV節(jié)點(diǎn)的打算。
2018-06-08 14:29:076259 
過(guò)DRAM在進(jìn)入1Ynm節(jié)點(diǎn)時(shí)就需要考慮EUV工藝了，實(shí)際上并沒(méi)有，包括三星在內(nèi)的三大DRAM巨頭都沒(méi)有很快使用EUV的打算，預(yù)計(jì)到1znm才會(huì)考慮，也就是在10nm級(jí)左右。不過(guò)，美光認(rèn)為1α及1β工藝上依然都不需要EUV光刻工藝。
2018-08-20 17:41:491479 臺(tái)積電前不久試產(chǎn)了7nm EUV工藝，預(yù)計(jì)明年大規(guī)模量產(chǎn)，三星今天宣布量產(chǎn)7nm EUV工藝，這意味著EUV工藝就要正式商業(yè)化了，而全球最大的光刻機(jī)公司荷蘭ASML為這一天可是拼了20多年。
2018-10-19 10:49:293872 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來(lái)的一個(gè)里程碑。不過(guò)EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒(méi)有
2018-10-30 16:28:404245
隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來(lái)的一個(gè)里程碑。不過(guò)EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出
2018-11-01 09:44:264914 作為全球頭號(hào)代工廠，臺(tái)積電的新工藝正在一路狂奔，7nm EUV極紫外光刻工藝已經(jīng)完成首次流片，5nm工藝也將在2019年4月開(kāi)始試產(chǎn)。
2018-12-19 15:01:021916 用于高端邏輯半導(dǎo)體量產(chǎn)的EUV(Extreme Ultra-Violet，極紫外線光刻)曝光技術(shù)的未來(lái)藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野，從7nm階段的技術(shù)節(jié)點(diǎn)到今年(2019年，也是從今年開(kāi)始)，每2年~3年一個(gè)階段向新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展。
2019-01-21 10:45:563963 
***（深紫外光）以及EUV***（極紫外光）。工藝制程還在28nm徘徊時(shí)，DUV***無(wú)疑是最佳的選擇，但是隨著工藝制程的升級(jí)，想要邁向更小的線路，就只能使用EUV光刻工藝。
目前最先
2019-04-03 17:26:555258 臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡。
2019-05-28 16:18:244210 隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn)，EUV 光刻技術(shù)是一種能夠簡(jiǎn)化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細(xì)的尺寸下進(jìn)行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:372675 
格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示，如果在5nm的時(shí)候沒(méi)有使用EUV光刻機(jī)，那么光刻的步驟將會(huì)超過(guò)100步，這會(huì)讓人瘋狂。所以所EUV光刻機(jī)無(wú)疑是未來(lái)5nm和3nm芯片的最重要生產(chǎn)工具，未來(lái)圍繞EUV光刻機(jī)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)將會(huì)變得異常激烈。因?yàn)檫@是決定這些廠商未來(lái)在先進(jìn)工藝市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。
2019-09-03 17:18:1814886 
KLA-Tencor光刻工藝控制解決方案將產(chǎn)量?jī)?yōu)化至0.13微米 SAN JOSE - KLA-Tencor公司推出了一款工藝模塊控制（PMC）解決方案芯片制造商實(shí)施和控制0.13微米及更小
2020-02-14 11:05:231983 芯片行業(yè)從20世紀(jì)90年代開(kāi)始就考慮使用13.5nm的EUV光刻（紫外線波長(zhǎng)范圍是10~400nm）用以取代現(xiàn)在的193nm。EUV本身也有局限，比如容易被空氣和鏡片材料吸收、生成高強(qiáng)度的EUV也很困難。
2019-10-01 17:12:009156 7nm+ EUV節(jié)點(diǎn)之后，臺(tái)積電5nm工藝將更深入地應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)，綜合表現(xiàn)全面提升，官方宣稱相比第一代7nm EDV工藝可以帶來(lái)最多80%的晶體管密度提升，15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。
2019-09-26 14:49:115945 7nm是Intel下一代工藝的重要節(jié)點(diǎn)，而且是高性能工藝，其地位堪比現(xiàn)在的14nm工藝，而且它還是Intel首次使用EUV光刻的制程工藝，意義重大。
2019-10-12 14:44:543267 在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入 10nm 節(jié)點(diǎn)之后，制造越來(lái)越困難，其中最復(fù)雜的一步——光刻需要用到 EUV 光刻機(jī)了，而后者目前只有荷蘭 ASML 阿斯麥公司才能供應(yīng)。
2019-12-10 16:04:288106 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開(kāi)發(fā)。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033601 三星宣布，位于韓國(guó)京畿道華城市的V1工廠已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝，這也是全球第一座專門(mén)為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。
2020-02-21 16:19:052868 近些年來(lái)EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽(tīng)得越來(lái)越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋(píng)果的A13
2020-02-29 10:58:473867 近些年來(lái)EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽(tīng)得越來(lái)越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋(píng)果的A13
2020-02-29 11:42:4531024 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在芯片的制造過(guò)程中，光刻機(jī)是必不可少的設(shè)備，在芯片工藝提升到7nm EUV、5nm之后，極紫外光刻機(jī)也就至關(guān)重要。
2020-03-07 14:39:545816 CFan曾在《芯希望來(lái)自新工藝！EUV和GAAFET技術(shù)是個(gè)什么鬼？》一文中解讀過(guò)EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù)，特別是在5nm3nm這個(gè)關(guān)鍵制程節(jié)點(diǎn)上，沒(méi)有
2020-09-01 14:00:293544 工藝制程走入10nm以下后，臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)開(kāi)始顯現(xiàn)出來(lái)。在7nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電優(yōu)先確保產(chǎn)能，以DUV（深紫外光刻）打頭陣，結(jié)果進(jìn)度領(lǐng)先三星的7nm EUV，吃掉大量訂單，奠定了巨大優(yōu)勢(shì)。
2020-09-02 16:00:293421 重要要點(diǎn) l 什么是光刻？ l 光刻工藝的類型。 l 光刻處理如何用于電路板成像。 l 工業(yè)平版印刷處理設(shè)計(jì)指南。 可以說(shuō)，有史以來(lái)研究最多的文物是都靈裹尸布。進(jìn)行廣泛檢查的原因，從來(lái)源的宗教建議
2020-09-16 21:01:162207 ASML的EUV光刻機(jī)是目前全球唯一可以滿足22nm以下制程芯片生產(chǎn)的設(shè)備，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻機(jī)必不可缺。一臺(tái)EUV光刻機(jī)的售價(jià)為1.48億歐元，折合人民幣高達(dá)11.74億元
2020-10-19 12:02:4910752 
臺(tái)積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè)，目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:562085 EUV工藝的，這是臺(tái)積電三種7nm工藝版本之一，與其他兩種工藝相比，它會(huì)使用EUV光刻機(jī)，光刻處理效率更高。 在Zen3是否會(huì)上EUV工藝的問(wèn)題上，AMD官方的態(tài)度一直很模糊，只強(qiáng)調(diào)是改良版的7nm工藝，官方路線圖中直接去掉了EUV的痕跡。 不過(guò)臺(tái)灣媒體日前提到，AMD的Zen3這次使用的7nm工
2020-10-26 17:49:532761 ASML公司的EUV光刻機(jī)全球獨(dú)一份，現(xiàn)在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺(tái)積電、三星用它生產(chǎn)CPU、GPU等芯片。馬上內(nèi)存芯片也要跟進(jìn)了，SK海力士宣布明年底量產(chǎn)EUV工藝內(nèi)存。
2020-10-30 10:54:212202 據(jù)TOMSHARDWARE報(bào)道，臺(tái)積電表示其部署的極紫外光（EUV）光刻工具已占全球安裝和運(yùn)行總量的50%左右，這意味著其使用的EUV機(jī)器數(shù)量超過(guò)了業(yè)內(nèi)其他任何一家公司。為了保持領(lǐng)先，臺(tái)積電已經(jīng)下單
2020-11-17 16:03:382413 、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規(guī)劃，且1nm時(shí)代的光刻機(jī)體積將增大不少。 據(jù)稱在當(dāng)前臺(tái)積電、三星的7nm、5nm制造中已經(jīng)引入了NA=0.33的EUV曝光設(shè)備，2nm之后需要
2020-11-30 15:47:403167 想想幾年前的全球半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)，真的可謂哀嚎一片，一時(shí)間摩爾定律失效的言論可謂此起彼伏。但是在今天，我們不僅看到5nm工藝如期而至，臺(tái)積電宣布2nm獲得重大進(jìn)展，就連光刻機(jī)的老大ASML也傳來(lái)捷報(bào)，全球最先進(jìn)的1nm EUV光刻機(jī)業(yè)已完成設(shè)計(jì)。
2020-12-02 16:55:4111034 自從芯片工藝進(jìn)入到7nm工藝時(shí)代以后，需要用到一臺(tái)頂尖的EUV光刻機(jī)設(shè)備，才可以制造7nm EUV、5nm等先進(jìn)制程工藝的芯片產(chǎn)品，但就在近日，又有外媒豪言：這種頂尖的EUV極紫外光刻機(jī)，目前全球
2020-12-03 13:46:227525 更多訣竅，領(lǐng)先對(duì)手1到2年。 據(jù)悉，三星的1z nm DRAM第三代內(nèi)存已經(jīng)用上了一層EUV，第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機(jī)的參與可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本，并提高性能。 盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV，但層數(shù)過(guò)少對(duì)
2020-12-04 18:26:542674 繼SK海力士日前宣布在M14和建設(shè)中的M16工廠均引入EUV光刻機(jī)后，三星也坐不住了。
2020-12-05 09:14:061835 ：5000系列的高NA EUV曝光系統(tǒng)的基本設(shè)計(jì)，將應(yīng)用于1nm光刻機(jī)，預(yù)計(jì)2022年即可商用。 責(zé)任編輯：xj
2020-12-07 17:07:1010234 隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn)，之前臺(tái)積電搶購(gòu)了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī)，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了，SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻機(jī)。
2021-02-25 09:28:552324 隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn)，之前臺(tái)積電搶購(gòu)了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī)，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了，SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻
2021-02-25 09:30:232709 隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn)，之前臺(tái)積電搶購(gòu)了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī)，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了，SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻機(jī)。
2021-02-25 11:39:092438 第二代EUV光刻機(jī)原本預(yù)計(jì)最快可以2023年問(wèn)世，但最新傳聞稱NXE:5000系列跳票，而且一下子就跳票三年，要到2025-2026年才有可能問(wèn)世了。 要知道，ASML是全球唯一一家量產(chǎn)EUV光刻
2021-06-26 16:55:281795 7nm之下不可或缺的制造設(shè)備，我國(guó)因?yàn)橘Q(mào)易條約被遲遲卡住不放行的也是一臺(tái)EUV光刻機(jī)。 但EUV光刻機(jī)的面世靠的不僅僅是ASML一家的努力，還有蔡司和TRUMPF（通快）兩家歐洲光學(xué)巨頭的合作才得以成功。他們的技術(shù)分別為EUV光刻機(jī)的鏡頭和光源做出了不
2021-12-07 14:01:1012038 臺(tái)積電和三星從7nm工藝節(jié)點(diǎn)就開(kāi)始應(yīng)用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導(dǎo)體制造過(guò)程中的EUV光刻層數(shù)。
2022-05-13 14:43:203214 
先進(jìn)光刻工藝EUV相關(guān)知識(shí)，適合對(duì)半導(dǎo)體工藝有興趣的人員，或者是從事光刻工藝的工程師
2022-06-13 14:48:231 1、IBM的2nm芯片，所有關(guān)鍵功能都是使用EUV光刻機(jī)進(jìn)行刻蝕。而7nm芯片只有在芯片生產(chǎn)的中間和后端環(huán)節(jié)使用EUV光刻機(jī)，意味著2nm工藝對(duì)EUV光刻機(jī)擁有更高的依賴性。
2022-07-05 17:26:4910335 光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備之一。目前世界上最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭ASML的EUV光刻機(jī)。
2022-07-06 11:03:078348 EUV光刻機(jī)是在2018年開(kāi)始出現(xiàn)，并在2019年開(kāi)始大量交付，而臺(tái)積電也是在2019年推出了7nm EUV工藝。
2022-07-07 09:48:445306 目前，光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1087068 euv光刻機(jī)原理是什么 芯片生產(chǎn)的工具就是紫外光刻機(jī)，是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的核心設(shè)備，對(duì)芯片技術(shù)有著決定性的影響。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。那么euv光刻機(jī)原理是什么呢？ EUV
2022-07-10 15:28:1018347 光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門(mén)的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:056458 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/ 周凱揚(yáng) ）到了3nm這個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)之后，單靠現(xiàn)有的0.33NA EUV光刻機(jī)就很難維系下去了。 為了實(shí)現(xiàn)2nm乃至未來(lái)的埃米級(jí)工藝，將晶體管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 07:25:021848 光掩?？梢员徽J(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩?？梢晕栈蛏⑸涔庾?，或允許它們穿過(guò)晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
2023-03-03 10:10:323268 日本最寄望于納米壓印光刻技術(shù)，并試圖靠它再次逆襲，日經(jīng)新聞網(wǎng)也稱，對(duì)比EUV光刻工藝，使用納米壓印光刻工藝制造芯片，能夠降低將近四成制造成本和九成電量，鎧俠 (KIOXIA）、佳能和大日本印刷等公司則規(guī)劃在2025年將該技術(shù)實(shí)用化。
2023-03-22 10:20:393972 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā)，必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:122944 外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-07-07 11:21:321451 
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:535496 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:543038 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:022010 
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:052730 
基辛格明確說(shuō)道：“馬格德堡工廠一旦上線，就將處于行業(yè)前沿。我們先進(jìn)的
工藝技術(shù)也隨之進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段，那就是被我們稱為的Intel 18A以及更低納米級(jí)別。而馬格德堡工廠則將超過(guò)這些，我們將在那里打造
1.5nm的器件?！?/div>
2024-01-19 10:27:271595 據(jù)悉，MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠（PR）解決方案，有望替代現(xiàn)今先進(jìn)芯片光刻工藝中的化學(xué)放大膠（CAR）。然而，CAR在提升PR分辨率、增強(qiáng)抗蝕能力及降低線邊緣粗糙度上的表現(xiàn)已無(wú)法滿足當(dāng)前晶圓制造的產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2024-04-30 15:09:132889 在萬(wàn)物互聯(lián)，AI革命興起的今天，半導(dǎo)體芯片已成為推動(dòng)現(xiàn)代社會(huì)進(jìn)步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù)，作為先進(jìn)制造中最為精細(xì)和關(guān)鍵的工藝，不管是半導(dǎo)體芯片、MEMS器件，還是微納光學(xué)元件都離不開(kāi)光刻工藝的參與，其重要性不言而喻。本文將帶您一起認(rèn)識(shí)光刻工藝的基本知識(shí)。
2024-08-26 10:10:073248 
分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計(jì)圖形，通過(guò)模擬計(jì)算確定最佳光照條件，以實(shí)現(xiàn)最大共同工藝窗口(Common Process Window)，這部分工作一般是在新光刻工藝研發(fā)的早期進(jìn)行 。
2024-10-18 15:11:472854 
“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝，其中包括3大步驟的工藝：涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常，整個(gè)光刻工藝都需要返工處理，因此現(xiàn)場(chǎng)異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
2024-10-22 13:52:103498 ? EUV光刻有多強(qiáng)？目前來(lái)看，沒(méi)有EUV光刻，業(yè)界就無(wú)法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機(jī)也是歷史上最復(fù)雜、最昂貴的機(jī)器之一。 EUV光刻有哪些瓶頸？ EUV光刻技術(shù)，存在很多難點(diǎn)。 1.1
2025-02-18 09:31:242258 
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過(guò)光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝過(guò)程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162129 光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí)，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43946 
EUV（極紫外）光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長(zhǎng)，成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝，其光刻后形成的三維圖形（如鰭片、柵極、接觸孔等）尺寸通常在 5-50nm 范圍，高度 50-500nm。
2025-09-20 09:16:09592 一、引言
玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═TV）是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo)，其厚度
2025-10-09 16:29:24576 
了。 ? 芯片制造離不開(kāi)光刻機(jī)，特別是在先進(jìn)制程上，EUV光刻機(jī)由來(lái)自荷蘭的ASML所壟斷。同時(shí)，盡管目前市面上，EUV光刻機(jī)客戶僅有三家，但需求不斷增加的情況底下，EUV光刻機(jī)依然供不應(yīng)求。 ? 針對(duì)后3nm時(shí)代的芯片制造工藝，High-NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機(jī)
2022-06-29 08:32:006314 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論