20nm硅片技術(shù)可支持高密度設(shè)計(jì)和高功效系統(tǒng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)。它可以在單片管芯以及多芯片3D硅片器件中集成規(guī)模更大、更復(fù)雜的硅片功能。 多種系統(tǒng)功能，一種架構(gòu) 您經(jīng)過(guò)優(yōu)化的數(shù)字系
2012-09-07 10:43:09
561 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/Triquinne】 ：賽靈思公司（Xilinx）今天發(fā)布公告，宣布其20nm產(chǎn)品系列發(fā)展戰(zhàn)略，包括下一代8系列All Programmable FPGA以及第二代3D IC和SoC。20nm產(chǎn)品系列建立在業(yè)經(jīng)驗(yàn)證
2012-11-14 15:32:291076 20nm能讓我們超越什么？對(duì)于像賽靈思（Xilinx）這樣剛剛在28nm上花了巨資量產(chǎn)的公司，為什么又要去追20nm呢？20nm FPGA會(huì)帶給我們什么樣的科技進(jìn)步？20nm FPGA背后到底蘊(yùn)藏了哪些巨大能量？
2013-01-22 08:36:341317 臺(tái)積電（TSMC）的高管對(duì)即將來(lái)臨的20nm芯片生產(chǎn)與銷(xiāo)售信心滿滿，臺(tái)積電CEO張忠謀上周就曾做過(guò)一個(gè)預(yù)測(cè)，他說(shuō)最新的20nm工藝芯片2014年的成績(jī)會(huì)比先前28nm芯片頭兩年賣(mài)得還要好。
2013-01-23 08:57:45699 賽靈思公司今天宣布下一代20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件。賽靈思20nm產(chǎn)品系列建立在其業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的28nm突破性技術(shù)基礎(chǔ)之上，在系統(tǒng)性能、低功耗和可編程系統(tǒng)集成方面擁有著領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)。
2013-01-31 15:52:16893 三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù)，而且又類(lèi)似GlobalFoundries、聯(lián)電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來(lái)說(shuō)就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141742 阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業(yè)，是因?yàn)橛⑻貭栐诹Ⅲw晶體管（FinFET）技術(shù)方面的量產(chǎn)業(yè)績(jī)獲得好評(píng)。20nm工藝之前阿爾特拉一直將臺(tái)積電作為主要的代工企業(yè)，而14nm工藝的生產(chǎn)將只委托給英特爾
2013-03-05 08:51:201363 臺(tái)積電的20nm芯片生產(chǎn)設(shè)施或?qū)⑴c本月20日開(kāi)始安裝,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC產(chǎn)品樣品,正常情況下將在2014年進(jìn)入量產(chǎn)。
2013-04-07 09:41:26910 Altera公司今天宣布，公司展出了業(yè)界首款具有32-Gbps收發(fā)器功能的可編程器件，在收發(fā)器技術(shù)上樹(shù)立了另一關(guān)鍵里程碑。此次展示使用了基于TSMC 20SoC工藝技術(shù)的20 nm器件，該成果證實(shí)了20nm硅片的性能。
2013-04-09 10:38:431249 Mentor CEO認(rèn)為：進(jìn)入20nm、14/16nm及10nm工藝時(shí)代后，摩爾定律可能會(huì)失效，每個(gè)晶體管成本每年的下降速度不到30%，這導(dǎo)致企業(yè)面臨的成本挑戰(zhàn)會(huì)更加嚴(yán)峻。
2013-09-20 10:06:001635 All Programmable FPGA、SoC和3D IC的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 （Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX） ）今天宣布推出其20nm All Programmable UltraScale?產(chǎn)品系列，并提供相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)文檔和Vivado?設(shè)計(jì)套件支持。
2013-12-10 22:50:33935 有消息稱(chēng)，這款蘋(píng)果A8芯片將會(huì)采用臺(tái)積電的20nm制程工藝。出于貨源穩(wěn)定性的考慮，不會(huì)采用年底更為超前的16nm。盡管16nm的芯片會(huì)在明年正式量產(chǎn)，但是產(chǎn)能和技術(shù)上仍不慎穩(wěn)定。
2013-12-16 08:56:431870 蘋(píng)果A7處理器推出后，高通也迅速推出了64位移動(dòng)處理器驍龍410，由于該處理器定位中低端，因此，它的風(fēng)頭反被NVIDIA推出的Tegra K1所搶去。對(duì)此，外媒傳來(lái)消息稱(chēng)，高通將在2014年下半年推出高端產(chǎn)品驍龍810，其將采用20nm工藝制造，GPU也升級(jí)為Adreno 430。
2014-01-23 09:35:182462 據(jù)報(bào)道AMD明年代號(hào)“北極群島”的GPU家族將完全跳過(guò)有問(wèn)題的20nm工藝節(jié)點(diǎn)，北極群島系列GPU將直接采用14nm FinFE工藝生產(chǎn)，希望實(shí)現(xiàn)更高的效率。
2015-04-24 11:15:501150 在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后，可望在10nm時(shí)降低。雖然IBS并未預(yù)期工藝技術(shù)停止微縮，但預(yù)計(jì)試錯(cuò)成本（cost penalty）將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271246 在目前市面上常見(jiàn)的SoC中，主要以28nm、20nm、16nm和14nm這4種制程為主，每種制程根據(jù)生產(chǎn)工藝不同還衍生出很多版本，比如28nm工藝，先后就有LP、HPM、HPC、HPC+四種版本。
2016-05-18 10:52:364402 三星與臺(tái)積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過(guò)20nm工藝而直接開(kāi)發(fā)14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭(zhēng)，無(wú)論誰(shuí)領(lǐng)先一步，都是半導(dǎo)體工藝的重大突破。 在半導(dǎo)體代工市場(chǎng)上，臺(tái)積電一直都以領(lǐng)先的工藝
2017-03-02 01:04:491675 此前曾經(jīng)報(bào)道ARM的下一代架構(gòu)Cortex A15將提供雙倍于Cortex A9的性能，產(chǎn)品采用TSMC的28nm工藝，不過(guò)就在今天ARM和TSMC聯(lián)合宣布已經(jīng)成功流片20nm ARM Cortex-A15 MPCore芯片。
2011-10-19 09:10:401463 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：“熟悉FPGA行業(yè)和對(duì)賽靈思有一定了解的業(yè)界人士都知道，賽靈思在28nm技術(shù)上取得了多項(xiàng)重大突破， 其產(chǎn)品組合處于整整領(lǐng)先一代。基于28nm技術(shù)突破之上的20nm產(chǎn)品系列
2012-11-19 09:27:483587 翁壽松(無(wú)錫市羅特電子有限公司，江蘇無(wú)錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進(jìn)展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
，選擇28nm高性能工藝，希望可以擴(kuò)大自己在高速串口方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，并通過(guò)采用28nm高性能工藝能為用戶提供清晰的差異化解決方案【詳情】圖 賽靈思工藝技術(shù)Roadmap 在20nm節(jié)點(diǎn)，X和A公司都
2013-08-22 14:46:48
隨著工藝技術(shù)向65nm以及更小尺寸的邁進(jìn)，出現(xiàn)了兩類(lèi)關(guān)鍵的開(kāi)發(fā)問(wèn)題：待機(jī)功耗和開(kāi)發(fā)成本。這兩個(gè)問(wèn)題在每一新的工藝節(jié)點(diǎn)上都非常突出，現(xiàn)在已經(jīng)成為設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)面臨的主要問(wèn)題，我們?cè)撛趺唇鉀Q呢？
2019-08-07 07:17:02
最可靠的無(wú)誤碼產(chǎn)品。Stratix V系列靈活的密度特性使得FPGA技術(shù)能夠應(yīng)用于更復(fù)雜的金融服務(wù)。" Altera提供業(yè)界最全面的28-nm FPGA系列產(chǎn)品，可定制滿足用戶的系統(tǒng)
2012-05-14 12:38:53
STM32WL MCU 的生產(chǎn)工藝（nm）是多少？我們正在考慮設(shè)計(jì)一個(gè)系統(tǒng)，該系統(tǒng)必須在可能的輻射環(huán)境中運(yùn)行，而工藝的納米尺寸將對(duì)此產(chǎn)生影響。
2022-12-26 07:15:25
想問(wèn)一下，TSMC350nm的工藝庫(kù)是不是不太適合做LC-VCO啊，庫(kù)里就一個(gè)電容能選的，也沒(méi)有電感可以選。（因?yàn)檎n程提供的工藝庫(kù)就只有這個(gè)350nm的，想做LC-VCO感覺(jué)又不太適合，好像只能做ring-VCO了）請(qǐng)問(wèn)350nm有RF工藝嘛，或者您有什么其他的工藝推薦？
2021-06-24 08:06:46
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說(shuō)7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
的系統(tǒng)級(jí)性能和集成度提升1.5倍到2倍，領(lǐng)先整整一代。這具體是什么含義？ 分析賽靈思采用20nm工藝推出的UltraScale器件的特性和功能，我們看到競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手需要發(fā)展到14nm工藝節(jié)點(diǎn)才能與賽靈思
2013-12-17 11:18:00
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱(chēng)，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
1月22日，Altera 在北京展示了號(hào)稱(chēng)業(yè)界最全面的28nm 最新技術(shù)及強(qiáng)大解決方案。Altera公司的多位工程師為在京的媒體人士進(jìn)行了講解。
2019-08-21 07:37:32
芯片市場(chǎng)優(yōu)勢(shì) Altera 28nm Stratix V FPGA在高端應(yīng)用市場(chǎng)中實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最大帶寬和最高系統(tǒng)集成度， 非常靈活，降低了成本和總功耗。對(duì)于大批量產(chǎn)品，采用Stratix V FPGA
2012-09-21 13:49:05
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無(wú)論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
隨著便攜式電子產(chǎn)品變得越來(lái)越小、越來(lái)越輕薄，制程技術(shù)也不斷創(chuàng)新。本文將介紹的用于智能卡的FCOS封裝、VIP50工藝和芯片級(jí)封裝（CSP）不但滿足了更小的元器件尺寸需求，而且能夠?qū)崿F(xiàn)更好的產(chǎn)品
2018-08-24 17:06:08
FPGA在
系統(tǒng)中表現(xiàn)出的
特性是由芯片制造的半導(dǎo)體
工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過(guò)去，在每一節(jié)點(diǎn)會(huì)改進(jìn)
工藝的各個(gè)方面，每一新器件的最佳
工藝選擇是
尺寸最小的最新
工藝?，F(xiàn)在，情況已不再如此?！ ?/div>
2019-09-17 07:40:28
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:44 編輯
IC芯核隨工藝尺寸的不斷縮小正迅速縮減，唯一的例外就是芯片的I/O，0.5umCMOS工藝技術(shù)以后I/O尺寸基本上維持不變
2012-12-11 13:39:47
各位前輩們，有誰(shuí)有求UMC 55nm LP工藝(low power)的PDK？請(qǐng)不吝賜予
2021-06-22 07:25:15
20 nm可能根本無(wú)法提高速率。在20 nm更復(fù)雜的另一個(gè)問(wèn)題是功耗。動(dòng)態(tài)功耗——CV2f類(lèi)，在原理上應(yīng)該低于20 nm電路，前提條件是，尺寸更小的特性降低了雜散電容，工作電壓保持不變，頻率與28
2014-09-01 17:26:49
突破工藝對(duì)器件最小尺寸的限制
2021-01-06 06:30:08
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類(lèi)似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
像我們看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具體指什么呢
2018-10-08 17:18:18
要。Altera Cyclone V FPGA通過(guò)多種方法幫助設(shè)計(jì)人員降低系統(tǒng)總成本，設(shè)計(jì)人員受益的不僅是TSMC的28nm低功耗（28LP）制造工藝，還包括Cyclone V器件系列內(nèi)置的體系結(jié)構(gòu)，以及
2015-02-09 15:02:06
40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點(diǎn)和最近的45-nm 節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢(shì)。最引人注目的優(yōu)勢(shì)之一是其更高的集成度，半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 Altera宣布Altera 40-nm Arria II GX FPGA通過(guò)PCI-SIG的PCIe Express 2.0規(guī)范測(cè)試
Altera公司宣布，其40-nm Arria II GX FPGA符合
2009-07-30 08:13:09610 Altera 發(fā)布28-nm FPGA技術(shù)創(chuàng)新
Altera公司宣布了在即將推出的28nm FPGA中采用的創(chuàng)新技術(shù)：嵌入式HardCopy®模塊、部分重新配置新方法以及嵌入式28-Gbps收發(fā)器，這些技術(shù)將極
2010-02-02 09:52:09696 Altera發(fā)布28nm FPGA技術(shù)創(chuàng)新
基于技術(shù)上保持領(lǐng)先的歷史，Altera公司2月2日宣布了即將推出的28nm FPGA中采用的創(chuàng)新技術(shù)：嵌入式HardCopy模塊、部分重新配置新方法以及嵌入式
2010-02-04 08:37:57679 TDK推出更小尺寸的COG特性積層貼片陶瓷電容新系列產(chǎn)品
2010-03-04 12:16:49788 
臺(tái)積電又跳過(guò)22nm工藝 改而直上20nm
為了在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過(guò)22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:16867 GlobalFoundries日前試產(chǎn)了20nm測(cè)試芯片，該芯片采用Cadence，Magma，Mentor Graphics和Synopsys的設(shè)計(jì)工具。此次試制的測(cè)試芯片使用了雙重圖形(Double Patterning)，每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
2011-09-01 09:53:111269 AMD考慮改變傳統(tǒng)的工藝策略，不再一味盲目追新?，F(xiàn)在我們談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">20nm和14nm。我認(rèn)為我們?cè)趤喸邮澜缰行凶叩么_實(shí)很艱難。轉(zhuǎn)換到新工藝所帶來(lái)的價(jià)格優(yōu)勢(shì)已經(jīng)開(kāi)始模糊
2011-12-18 14:21:13807 Sondrel公司近日將在IIC-China 2012現(xiàn)場(chǎng)展示20nm的模擬和數(shù)碼設(shè)計(jì)技術(shù)。Sondrel在歐洲不同國(guó)家，以及以色列和中國(guó)有強(qiáng)大的設(shè)計(jì)服務(wù)團(tuán)隊(duì)，包括前端，驗(yàn)證，DFT等全套設(shè)計(jì)服務(wù)。
2012-02-23 09:49:46994 晶圓代工巨擘臺(tái)積電（TSMC）日前表示，將在 20nm 節(jié)點(diǎn)提供單一製程，這與該公司過(guò)去針對(duì)不同製程節(jié)點(diǎn)均提供多種製程服務(wù)的策略稍有不同。
2012-04-22 11:09:441076 GlobalFoundries 已開(kāi)始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔（TSV）設(shè)備。如果一切順利，該公司希望在2013下半年開(kāi)始採(cǎi)用 20nm 及 28nm 製程技術(shù)製造3D堆疊晶片。
2012-05-01 10:13:121039 據(jù)報(bào)道，2012年臺(tái)積電準(zhǔn)備為其R&D投入13億美元，作為本年度資本支出預(yù)算中的一部分。去年，臺(tái)積電的R&D預(yù)算首次突破10億美元。而今年多出的30%將會(huì)用于20nm和14nm工藝研發(fā)。20nm工藝預(yù)計(jì)
2012-05-15 10:18:21675 南韓媒體朝鮮日?qǐng)?bào)、聯(lián)合新聞通訊社（Yonhap News ）日文版18日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球DRAM龍頭廠三星電子于17日宣布，已領(lǐng)先全球于前（4）月開(kāi)始量產(chǎn)采用20nm制程技術(shù)的低耗電力（LP）DDR2 Mobile DRA
2012-05-19 08:19:501078 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）預(yù)計(jì)會(huì)在下月試產(chǎn)20nm芯片制程，即將成為全球首家進(jìn)入20nm技術(shù)的半導(dǎo)體公司。若該芯片試產(chǎn)成功，將超越英特爾（Intel）的22nm制程，拉開(kāi)與三星電子（
2012-07-18 09:44:33840 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點(diǎn)和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺(tái)積電進(jìn)行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺(tái)積電28nm工藝節(jié)點(diǎn)制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11636 隨著芯片微縮，開(kāi)發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來(lái)越高。TSMC對(duì)外發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開(kāi)發(fā)，今年年底臺(tái)積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 Altera公司昨日公開(kāi)了在其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)。延續(xù)在硅片融合上的承諾，Altera向客戶提供終極系統(tǒng)集成平臺(tái)，以結(jié)合FPGA的硬件可編程功能、數(shù)字信號(hào)處理器和微
2012-09-07 09:25:04657 ，CPU的功耗也就越小。本專(zhuān)題我們將介紹道幾種nm級(jí)制程工藝，如：20nm、22nm、28nm、40nm、45nm、60nm等制程工藝。
2012-09-09 16:37:30
臺(tái)積電積極開(kāi)發(fā)20nm制程，花旗環(huán)球證券指出，在技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)下，未來(lái)1~2年內(nèi)有機(jī)會(huì)獨(dú)吞蘋(píng)果（Apple）A7處理器訂單。野村證券評(píng)估，臺(tái)積電明年第1季開(kāi)始試產(chǎn)A7，順利的話，后年上半
2012-09-28 09:40:061048 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對(duì)設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)行檢查。光學(xué)臨近校正法
2012-09-29 10:30:461761 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對(duì)設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)
2012-10-08 16:00:14915 近期，Altera發(fā)布其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)，延續(xù)在硅片融合上的承諾，克服了20nm設(shè)計(jì)五大挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)集成、串行帶寬、DSP性能三大突破。
2012-10-16 11:29:101077 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示： 本文就可編程邏輯廠商阿爾特拉（Altera）公司首次公開(kāi)的20nm創(chuàng)新技術(shù)展開(kāi)調(diào)查以及深入的分析；深入闡述了FPGA邁向20nm工藝，Altera憑借其異構(gòu)3D IC、高速收發(fā)器
2012-11-01 13:48:581993 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：關(guān)于摩爾定律的經(jīng)濟(jì)活力問(wèn)題，有很多的討論。在過(guò)去的一年中，20nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到這個(gè)辯論的前沿和中心。無(wú)論說(shuō)辭如何，包括賽靈思在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)在20nm研發(fā)上的積極
2012-11-14 11:19:521196 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊 ：臺(tái)積電28nm良率大幅提升的利好還沒(méi)被市場(chǎng)徹底消化， FPGA業(yè)界雙雄 已爭(zhēng)先恐后地發(fā)布20nm FPGA戰(zhàn)略，在性能、功耗、集成度等方面均大幅躍升，蠶食ASIC之勢(shì)將愈演愈烈
2012-11-30 11:51:231865 據(jù)《韓國(guó)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，NVIDIA在新制造工藝上已經(jīng)選中了臺(tái)積電的20nm，雙方的長(zhǎng)期合作將繼續(xù)深入下去，而這也意味著，NVIDIA代號(hào)麥克斯韋（Maxwell）的下代GPU仍將出自臺(tái)積電之手。
2012-12-07 17:00:14839 20nm節(jié)點(diǎn)在是否應(yīng)該等待即將投產(chǎn)的EUV光刻法以及是否需要finFET晶體管上引起頗大爭(zhēng)議。本文深入探究20 nm技術(shù)的發(fā)展前景和挑戰(zhàn)，為大家解惑。
2012-12-14 11:37:542659 Xilinx公布其在20nm產(chǎn)品的表現(xiàn)上還將保持領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)，究竟在20 nm制程上，Xilinx的產(chǎn)品有哪些演進(jìn)使其保持領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一代的優(yōu)勢(shì)？詳見(jiàn)本文
2013-01-10 09:33:43961 臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司(TSMC)將為蘋(píng)果提供AP/ GPU集成的解決方案，并且采用20nm Soc片上系統(tǒng)工藝為蘋(píng)果代工。
2013-01-17 20:58:171257 賽靈思公司今天宣布，延續(xù)28nm工藝一系列行業(yè)創(chuàng)新，在20nm工藝節(jié)點(diǎn)再次推出兩大行業(yè)第一：投片半導(dǎo)體行業(yè)首款20nm器件，也是可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All
2013-07-09 20:01:503807 （TWSE： 2330， NYSE： TSM）生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首款20nm產(chǎn)品，同時(shí)也是可編程邏輯器件（PLD）產(chǎn)業(yè)首款20nm All Programmable 產(chǎn)品。賽靈思UltraScale?器件采用
2013-11-12 11:24:051214 20 nm工藝技術(shù)，Arria 10 FPGA和SoC性能比目前的高端FPGA高出15%，功耗比以前的中端器件低40%，重塑了中端FPGA和SoC?？蛻衄F(xiàn)在可以在熟悉而且成熟的Quartus II設(shè)計(jì)環(huán)境中，開(kāi)始開(kāi)發(fā)基于Arria 10 FPGA和SoC的系統(tǒng)，而且其編譯時(shí)間是業(yè)界最短的。
2013-12-03 10:48:471607 017年20nm、16nm及以下的先進(jìn)工藝將成為主流，這對(duì)我們?cè)O(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)是一個(gè)很大的啟示：我們?cè)趺礃舆m應(yīng)全球先進(jìn)工藝。
2013-12-16 09:40:211925 2014年12月22日，中國(guó)北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其 Kintex? UltraScale? KU040 FPGA成為業(yè)界首款投入量產(chǎn)的20nm器件。
2014-12-22 17:36:13967 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其Virtex? UltraScale? 20nm FPGA已應(yīng)用于JDSU ONT 400G以太網(wǎng)測(cè)試平臺(tái)。
2015-04-09 11:13:25857 幾個(gè)星期之前在2015OFC展上，JDSU 推出了基于20nm UltraScale全可編程器件的預(yù)標(biāo)準(zhǔn)ONT 400G以太網(wǎng)測(cè)試平臺(tái)。新的測(cè)試平臺(tái)采用了JDSU成功的ONT測(cè)試平臺(tái)結(jié)構(gòu)，其率先
2017-02-09 04:56:33245 在絕大部分使用電池供電和插座供電的系統(tǒng)中，功耗成為需要考慮的第一設(shè)計(jì)要素。Xilinx決定使用20nm工藝的UltraScale器件來(lái)直面功耗設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)，本文描述了在未來(lái)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，使用Xilinx 20nm工藝的UltraScale FPGA來(lái)降低功耗的19種途徑。
2018-07-14 07:21:005058 了，SK Hynix和美光這時(shí)候還掙扎在20nm工藝DRAM芯片量產(chǎn)中呢。不過(guò)昨天一紙傳聞稱(chēng)三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了，可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)藍(lán)屏，三星正在召回——不過(guò)三星官方日前回應(yīng)稱(chēng)這是謠言。
2017-03-03 14:22:572482 我們要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其實(shí)這些數(shù)值所代表的都是一個(gè)東西，那就是處理器的蝕刻尺寸，簡(jiǎn)單的講，就是我們能夠把一個(gè)單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。
2017-07-05 09:24:482962 Altera在65nm半導(dǎo)體制造工藝上的發(fā)展策略是充分利用先進(jìn)的技術(shù)和方法，以最低的成本為客戶提供性能最好的器件，同時(shí)降低客戶風(fēng)險(xiǎn)，保證產(chǎn)品盡快面市。Altera在130nm和90nm器件
2017-09-04 15:53:491 20nm會(huì)延續(xù)摩爾定律在集成上發(fā)展趨勢(shì)，但是要付出成本代價(jià)。2.5D封裝技術(shù)的發(fā)展，進(jìn)一步提高了集成度，但是也增大了成本，部分解決了DRAM總線電源和帶寬問(wèn)題，在一個(gè)封裝中集成了種類(lèi)更多的IC。隨著系統(tǒng)性能的提高，這一節(jié)點(diǎn)也增加了體系結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度。目前為止，它也是功耗管理最復(fù)雜的節(jié)點(diǎn)。
2017-09-15 09:54:3010 在28nm技術(shù)突破的基礎(chǔ)上，賽靈思又宣布推出基于20nm節(jié)點(diǎn)的兩款業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品。賽靈思是首家推出20nm商用芯片產(chǎn)品的公司。此外，該新型器件也是賽靈思將向市場(chǎng)推出的首款采用UltraScale技術(shù)
2018-01-12 05:49:45706 在三星和臺(tái)積電的搶奪蘋(píng)果訂單過(guò)程中，臺(tái)積電近年憑借優(yōu)異的晶圓代工技術(shù)和龐大產(chǎn)能，在20nm、10nm及7nm三個(gè)工藝階段全都拿下了蘋(píng)果大單，全面領(lǐng)先三星。而三星從未言敗一直密謀分食訂單，7nm工藝
2018-04-07 00:30:008927 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn)，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過(guò)個(gè)人電腦（PC）客戶認(rèn)證，本月開(kāi)始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個(gè)人電腦市場(chǎng)，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場(chǎng)，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來(lái)源。
2018-08-28 16:09:212734 梁孟松是臺(tái)積電前研發(fā)處長(zhǎng)，是臺(tái)積電FinFET工藝的技術(shù)負(fù)責(zé)人，而FinFET工藝是芯片制造工藝從28nm往20nm工藝以下演進(jìn)的關(guān)鍵，2014年臺(tái)積電研發(fā)出16nm工藝之后因制程能效甚至不
2018-09-02 09:00:133310 了解Xilinx如何在UltraScale器件中推進(jìn)其突破性的部分重配置技術(shù)。
該視頻全面介紹了20nm UltraScale FPGA的新功能，擴(kuò)展功能和系統(tǒng)要求。
2018-11-26 06:45:001988 ADI Guneet Chadha探討電源系統(tǒng)管理(PSM)如何確定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8個(gè)電源的時(shí)序或按照預(yù)定順序開(kāi)啟各電源
2019-07-24 06:16:001618 “臺(tái)積公司是我們?cè)?28nm、20nm 和 16nm 實(shí)現(xiàn)‘三連冠（3 Peat）’成功的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。其出色的工藝技術(shù)、3D 堆疊技術(shù)和代工廠服務(wù)，讓賽靈思在出色的產(chǎn)品、優(yōu)異的品質(zhì)、強(qiáng)大的執(zhí)行力以及領(lǐng)先的市場(chǎng)地位上享有了無(wú)與倫比的聲譽(yù)。
2019-08-01 09:24:522209 賽靈思UltraScale架構(gòu)：行業(yè)第一個(gè)ASIC級(jí)可編程架構(gòu)，可從20nm平面晶體管結(jié)構(gòu) （planar）工藝向16nm乃至FinFET晶體管技術(shù)擴(kuò)展，從單芯片（monolithic）到3D IC擴(kuò)展。
2019-12-18 15:30:23801 在20nm以下制程，該公司也將沿用此一發(fā)展策略，持續(xù)加強(qiáng)與IC設(shè)計(jì)公司合作，進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率與降低投資風(fēng)險(xiǎn)。
2020-09-08 14:11:272024 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用反激式轉(zhuǎn)換器和尺寸更小的參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 17:28:320 UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129 
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