晶圓代工巨擘臺(tái)積電（TSMC）日前表示，將在 20nm 節(jié)點(diǎn)提供單一製程，這與該公司過(guò)去針對(duì)不同製程節(jié)點(diǎn)均提供多種製程服務(wù)的策略稍有不同。

　　在臺(tái)積電年度技術(shù)研討會(huì)上，該公司執(zhí)行副總裁暨共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義表示，若微影技術(shù)無(wú)法讓 14nm 製程達(dá)到合理的成本效益，那么臺(tái)積電可能會(huì)在20nm製程之后再提供 18nm 或 16nm 製程節(jié)點(diǎn)。

　　蔣尚義表示，臺(tái)積電最初計(jì)劃提供兩種 20nm 製程，分別為高性能製程與低功耗製程。這兩種製程都採(cǎi)用high-k金屬閘極（HKMG）技術(shù)。

　　然而，在歷經(jīng)一段時(shí)間的發(fā)展后，蔣尚義表示，臺(tái)積電認(rèn)為這兩種20nm製程之間并沒(méi)有明顯的性能差距。由于20nm的線寬非常小，已經(jīng)接近基本的物理極限了，因此也沒(méi)有太大空間針對(duì)不同的閘極長(zhǎng)度或其他需求來(lái)調(diào)整設(shè)計(jì)規(guī)則。

　　臺(tái)積電目前提供四種28nm製程，分別為：高性能；低功耗；針對(duì)行動(dòng)應(yīng)用的HKMG低功耗製程，以及HKMG高性能製程。

　　TSMC expects its 20-nm HKMG process to be in production next year. In 2015， TSMC wants to commence production at the 14-nm node， adding FinFET 3-D transistors.

　　臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)20nm HKMG製程。2015年，臺(tái)積電希望能量產(chǎn)採(cǎi)用FinFET 3D電晶體的14nm製程。

　　然而，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都在等待超紫外光（EUV）微影技術(shù)。EUV技術(shù)一再延宕，迄今仍未能發(fā)展出大量生產(chǎn)所需的足夠光源和穩(wěn)定性。微影設(shè)備供應(yīng)商 ASML Holding NV 公司正與數(shù)家光源供應(yīng)商合作開(kāi)發(fā)，并承諾在2013至2014年將可提供商用化所需的足夠的吞吐量。

　　然而，不少業(yè)界人士對(duì)于EUV技術(shù)能否支援臺(tái)積電和其他領(lǐng)先晶片製造商的技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖抱持懷疑態(tài)度。蔣尚義指出，193nm浸入式微影領(lǐng)域已經(jīng)展現(xiàn)出長(zhǎng)足進(jìn)展，它甚至可能在14nm節(jié)點(diǎn)作為商用化的替代技術(shù)。然而，蔣尚義也表示，為了提供足夠銳利的影像，193nm浸入式微影針對(duì)某些層會(huì)需要叁重圖案，而針對(duì)大多數(shù)的層都會(huì)需要雙重圖案，這會(huì)讓量產(chǎn)成本急遽升高。

　　蔣尚義表示，臺(tái)積電“正在慎重考慮”是否提供18nm或16nm製程?！耙坏┪覀冞x擇這個(gè)節(jié)點(diǎn)，我們就必須為客戶提供至少10年的服務(wù)。”