TDK多層帶通濾波器DEA252593BT - 2074A3技術(shù)分析 在電子工程領(lǐng)域，濾波器的性能對于信號處理至關(guān)重要。今天我們來詳細分析TDK的一款多層帶通濾波器DEA252593BT
2026-01-05 17:05:03
85 電子工程師必備：探秘FM25L16B 16-Kbit串行F-RAM 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，選擇一款合適的非易失性存儲器至關(guān)重要。今天我們就來詳細了解一款性能卓越的產(chǎn)品——FM25L16
2026-01-05 16:25:2529 的RAA211230——一款24V 3A集成開關(guān)穩(wěn)壓器，深入探討它的特點、應(yīng)用以及設(shè)計要點。 文件下載： Renesas Electronics RAA211230同步降壓穩(wěn)壓器.pdf 一、RAA211230
2025-12-29 11:20:03133 FM24V02A：高性能串行F - RAM的卓越之選 在電子設(shè)計領(lǐng)域，非易失性存儲器的選擇至關(guān)重要，它直接影響著系統(tǒng)的性能、可靠性和使用壽命。今天，我們就來深入探討一款高性能的串行F - RAM
2025-12-28 15:25:09404 傳輸過程中的損耗和退化問題提供了有效的解決方案。今天，我們就來深入了解一下這款強大的芯片。 文件下載： ds16ev5110a.pdf 一、DS16EV5110A概述 DS16EV5110A是一款專為
2025-12-25 15:10:02145 深入解析PCF85053A：一款強大的實時時鐘芯片 引言 在電子設(shè)計領(lǐng)域，實時時鐘（RTC）芯片是許多系統(tǒng)中不可或缺的組件，它能為設(shè)備提供精確的時間信息。NXP的PCF85053A就是這樣一款性能
2025-12-24 16:40:09138 探索FM25L16B：高性能16-Kbit串行F-RAM的魅力 在電子設(shè)計領(lǐng)域，尋找一款高性能、可靠且耐用的非易失性存儲器是許多工程師的追求。今天，我將帶大家深入了解一款令人矚目的產(chǎn)品
2025-12-23 15:55:09139 一款備受關(guān)注的功率模塊——FF06MR12A04MA2 HybridPACK? DSC S模塊，它在汽車和電機驅(qū)動等領(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能。 文件下載： Infineon Technologies 采用
2025-12-18 15:00:13213 ——一款150KHZ、3A PWM BUCK DC/DC轉(zhuǎn)換器。 文件下載： AP1501.pdf 產(chǎn)品概述 AP1501是一款完全集成的降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器，無需額外的驅(qū)動組件就能驅(qū)動3A負載。它以
2025-12-17 16:05:02273 在存儲技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 ，成為了眾多工程師的首選。今天，我們就來深入探討一下這款轉(zhuǎn)換器。 文件下載： ads8344.pdf 一、ADS8344概述 ADS8344是一款具有同步串行接口的8通道、16位采樣A/D轉(zhuǎn)換器。它采用單
2025-12-09 09:36:28490 
在電子設(shè)備的驅(qū)動電路設(shè)計中，選擇一款合適的高端驅(qū)動器至關(guān)重要。今天，我們就來詳細了解一下安森美（onsemi）推出的NCV84090單通道高端驅(qū)動器，看看它有哪些獨特的性能和特點，以及在實際應(yīng)用中如何發(fā)揮作用。
2025-12-08 16:31:06598 
? 在電子工程師的日常工作中，模擬 - 數(shù)字轉(zhuǎn)換器（A/D轉(zhuǎn)換器）是實現(xiàn)信號數(shù)字化處理的關(guān)鍵組件。今天，我們將深入探討德州儀器（TI）推出的ADS8322，一款具備高性能、低功耗特點的16位
2025-12-07 14:33:141297 
? ? ? ?在工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域，降壓轉(zhuǎn)換器是電源系統(tǒng)的 “核心樞紐”，負責(zé)將不穩(wěn)定的高壓輸入轉(zhuǎn)化為設(shè)備所需的穩(wěn)定低壓。HTN7743 作為一款性能優(yōu)異的 3.5A 降壓轉(zhuǎn)換器，憑借寬輸入
2025-12-05 16:21:06357 
? 在電子工程師的日常工作中，選擇一款合適的A/D轉(zhuǎn)換器至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討德州儀器（Texas Instruments）的ADS8361，一款高性能的雙路、16位、500kSPS的A
2025-12-05 13:54:26557 
概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護和讀保護。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
寬電壓范圍、高集成度和全面保護功能的轉(zhuǎn)換器顯得尤為重要。HTN78A3作為一款高性能3A降壓轉(zhuǎn)換器，憑借其卓越的參數(shù)配置和豐富的功能設(shè)計，成為了滿足多場景高壓降壓需求的理想選擇。? ? ? ? 從核心硬件配置來看，HTN78A3首先確立了
2025-12-04 16:42:56534 
? 在電子設(shè)計領(lǐng)域，A/D轉(zhuǎn)換器（ADC）是連接模擬世界和數(shù)字世界的關(guān)鍵組件。今天要給大家詳細介紹的是Texas Instruments（TI）推出的ADS8406，一款16位、1.25 MSPS
2025-12-03 10:26:25489 
時，一款高性能的降壓轉(zhuǎn)換器更能凸顯其核心價值。HTN7862作為一款專為復(fù)雜場景設(shè)計的3A降壓轉(zhuǎn)換器，憑借其豐富的功能配置和出色的性能表現(xiàn)，成為了上述領(lǐng)域電源設(shè)計中的理想選擇。 ? ? ? 從核心規(guī)格來看，HTN7862首先具備極為出色的輸入
2025-12-02 15:22:50315 
。 文件下載： adc084s101.pdf 產(chǎn)品概述 ADC084S101是一款低功耗的四通道CMOS 8位A/D轉(zhuǎn)換器，具備高速串行接口。與傳統(tǒng)A/D轉(zhuǎn)換器僅在單一采樣率下規(guī)定性
2025-12-01 16:39:44511 
? 在電子設(shè)計領(lǐng)域，A/D轉(zhuǎn)換器是模擬世界與數(shù)字世界之間的橋梁，其性能直接影響到整個系統(tǒng)的精度和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入探討德州儀器（TI）推出的ADC084S021——一款4通道、采樣率范圍為
2025-12-01 15:40:24318 
在電子工程師的日常設(shè)計中，選擇合適的邏輯器件至關(guān)重要。今天，我們就來詳細探討安森美半導(dǎo)體（onsemi）的NC7WZU04A，這是一款來自TinyLogic超高速系列的雙無緩沖反相器，在晶體振蕩器和模擬應(yīng)用中有著獨特的優(yōu)勢。
2025-12-01 14:17:59252 
在嵌入式系統(tǒng)與智能設(shè)備中，小容量、可重復(fù)擦寫的非易失性存儲器始終扮演著關(guān)鍵角色。芯伯樂24Cxx系列串行EEPROM憑借其標(biāo)準(zhǔn)化的接口、穩(wěn)定的性能與極低的功耗，成為存儲配置參數(shù)、用戶設(shè)置、運行日志等
2025-11-28 18:32:58317 
? 在電子工程師的日常工作中，A/D轉(zhuǎn)換器是實現(xiàn)模擬信號到數(shù)字信號轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件，其性能直接影響到整個系統(tǒng)的精度和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入探討德州儀器（TI）的一款高性能16位A/D轉(zhuǎn)換器
2025-11-28 13:56:18361 
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 MR-16LED燈專用LED降壓型恒流驅(qū)動器H5441B方案調(diào)光高輝度65536級
H5441B 為一款平均電流型 LED 恒流驅(qū)動芯片，適配非隔離式 LED 驅(qū)動場景，輸入電壓適用范圍為
2025-11-25 09:11:03
在存儲技術(shù)快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35248 型號：FZH120
廠商：深圳市方中禾科技有限公司（Premier Chip Limited）FZH120是一種存儲器交換LED顯示控制的驅(qū)動芯片，可以選擇多重的ROW/COM模式（32ROW
2025-11-20 11:40:44
在嵌入式存儲應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機存儲器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 電子和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供了理想的存儲解決方案。這款256Kb容量、SPI接口的非易失性存儲器，正在重新定義嵌入式存儲的性能標(biāo)準(zhǔn)。
2025-11-13 11:23:46210 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
、BBSRAM、NVSRAM及NOR存儲器件，專為應(yīng)對工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式系統(tǒng)及高性能存儲應(yīng)用的嚴苛需求而設(shè)計。旨在通過其高性能、高可靠性及廣泛的適用性，為下一代存儲架構(gòu)提供支撐。
2025-11-05 15:31:48285 在當(dāng)今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術(shù)優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28280 吸收器。多功能 GPIO、功能生成和可編程非易失性存儲器 （NVM） 使這些智能 AFE 能夠?qū)崿F(xiàn)無處理器應(yīng)用和設(shè)計重用。這些器件可自動檢測 SPI 或 I2C 接口，并包含內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源。
2025-10-27 14:17:43530 
吸收器。多功能 GPIO、功能生成和可編程非易失性存儲器 （NVM） 使這些智能 AFE 能夠?qū)崿F(xiàn)無處理器應(yīng)用和設(shè)計重用。這些器件可自動檢測 SPI 或 I2C 接口，并包含內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源。
2025-10-27 13:49:08447 
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 作為磁阻存儲器領(lǐng)域的重要分支，SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結(jié)構(gòu)設(shè)計，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點方向。該技術(shù)利用具有強自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層，通過自旋軌道力矩驅(qū)動磁性隧道結(jié)中納米磁體的確定性翻轉(zhuǎn)，從而實現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲器，主要是因為其采用類SRAM的接口協(xié)議：只需要提供地址和讀寫命令就可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)存取，無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00296 一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對更先進技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
MH32F103A是一款硬件完美兼容ST32的國產(chǎn)32位單片機，使用高性能的ARM Cortex-M3 內(nèi)核，最高工作頻率216 MHz。內(nèi)置最大512K Flash，96K Sram存儲器。MH32F103A 軟硬件兼容STM32F103，同時在主頻和運算性能上有所提升，并具有顯著的價格和供應(yīng)優(yōu)勢。
2025-09-12 10:58:20955 
Texas Instruments TPS563300 3A同步降壓轉(zhuǎn)換器是一款簡單易用的高效降壓轉(zhuǎn)換器，具有3.8V至28V寬輸入電壓范圍。該器件支持0.8V至22V輸出電壓和高達3A連續(xù)輸出電流。
2025-09-08 15:42:03795 
IV 智能存儲器技術(shù)?標(biāo)配的分段存儲器體驗超凡可用性：?12.1 英寸電容觸摸屏?觸摸式界面?創(chuàng)新的 InfiniiScan Zone 觸摸觸
2025-09-08 10:07:11
IV 智能存儲器技術(shù)?標(biāo)配的分段存儲器體驗超凡可用性：?12.1 英寸電容觸摸屏?觸摸式界面?創(chuàng)新的 InfiniiScan Zone&nb
2025-09-08 10:05:38
Texas Instruments AFEx32A3W電流源智能模擬前端 (AFE) 是一款三通道、緩沖電壓輸出、電流輸出和ADC輸入智能AFE。AFEx32A3W器件支持的電流源可用于線性控制激光
2025-09-06 10:03:44623 
次只能啟用一個驅(qū)動器。
LED 驅(qū)動器輸出電流設(shè)置可以存儲到集成的非易失性存儲器中，允許獨立運行，無需 I^2^C 接口。非易失性存儲器是可重寫的，因此可以根據(jù)需要更改當(dāng)前設(shè)置。
2025-09-01 11:31:57787 
該TLC5948A是一款 16 通道恒流灌電流 LED 驅(qū)動器。每個通道都有一個可單獨調(diào)節(jié)的脈寬調(diào)制 （PWM） 灰度 （GS） 亮度控制，具有 65,536 級和 128 級恒流點校正 （DC
2025-08-29 11:15:151172 
IV 智能存儲器技術(shù)?標(biāo)配的分段存儲器體驗超凡可用性：?12.1 英寸電容觸摸屏?觸摸式界面?創(chuàng)新的 InfiniiScan Zone&nb
2025-08-28 11:24:29
Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲器示波器， S 系列示波器配備 2 GHz 存儲器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。其核心設(shè)計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 實時波形記錄功能，即使在嚴苛的現(xiàn)場環(huán)境中也能提供高可靠性的測量。 MR8848作為HIOKI日置既有機型MR8847A的升級款，不僅繼承了堅固耐用且高性能的特點，還新增兩大功能：一是支持高速存儲至大容量固態(tài)硬盤（SSD），二是通過以太網(wǎng)通訊實現(xiàn)測量設(shè)備與PC的協(xié)同操作。這
2025-06-30 13:50:511752 
)、SRAM (靜態(tài)隨機存取存儲器)。
非易失性存儲器：斷電后數(shù)據(jù)能長期保存。
特點：速度相對慢（但也有高速類型），用作數(shù)據(jù)的“永久或半永久倉庫”。
代表：NAND Flash (閃存)、NOR
2025-06-24 09:09:39
:另外,PMS15A/PMS150C還提供一種16 位的硬件計數(shù)器、一個8位的硬件PWM生成器和一個通用型比較器?；咎匦?b class="flag-6" style="color: red">存儲器：- PMS150C 具有 1KW OTP 程序存儲器和 64 字節(jié)數(shù)
2025-06-23 09:00:55
TPS56624x 是一款簡單易用、高功率密度、高效率的同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件采用 SOT-563 封裝，支持 3V 至 16V 的輸入電壓和高達 6A 的連續(xù)電流。
TPS56624x
2025-06-08 14:36:23751 
TPS56624x 是一款簡單易用、高功率密度、高效率的同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件采用 SOT-563 封裝，支持 3V 至 16V 的輸入電壓和高達 6A 的連續(xù)電流。
TPS56624x
2025-06-08 14:27:59743 
TPS56424x 是一款簡單易用、高功率密度、高效率的同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件采用 SOT-563 封裝，支持 3V 至 16V 的輸入電壓和高達 4A 的連續(xù)電流。
TPS56424x
2025-06-08 14:13:09879 
TPS56424x 是一款簡單易用、高功率密度、高效率的同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件采用 SOT-563 封裝，支持 3V 至 16V 的輸入電壓和高達 4A 的連續(xù)電流。
TPS56424x
2025-06-07 17:41:02976 
TPS56524x 是一款簡單易用、高功率密度、高效率的同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件采用 SOT-563 封裝，支持 3V 至 16V 的輸入電壓和高達 5A 的連續(xù)電流。
TPS56524x
2025-06-07 17:00:32910 
TPS56524x 是一款簡單易用、高功率密度、高效率的同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件采用 SOT-563 封裝，支持 3V 至 16V 的輸入電壓和高達 5A 的連續(xù)電流。
TPS56524x
2025-06-07 16:46:42727 
CSS6404LS-LI通過 >500MB/s帶寬、105℃高溫運行及μA級休眠功耗三重突破，成為高清語音設(shè)備的理想存儲器
2025-06-04 15:45:23566 
ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字數(shù)據(jù)存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN通信端口，支持
2025-05-12 16:08:28889 
國產(chǎn)燒錄器 AP8000 的支持范圍。 FT24C16A-KL是一款容量為16384比特的串行電可擦可編程只讀存儲器，通常被稱為電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)。其存儲結(jié)構(gòu)為2048個字，每個字8比特(即1字節(jié))。這些器件采用專有的先進互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝制造，適用于低功
2025-04-30 14:46:20766 
TPS659037 器件是一款集成電源管理 IC （PMIC）。該器件提供 7 個可配置的降壓轉(zhuǎn)換器，輸出電流高達 6 A，用于存儲器、處理器內(nèi)核、輸入-輸出 （I/O） 或 LDO 的預(yù)調(diào)節(jié)。其中一
2025-04-26 11:27:04772 
非易失性存儲器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機、個人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 單片機與存儲器的關(guān)系像什么？單片機里的存儲都是一樣的嗎？為什么有的單片機既有EEPROM又有Flash？
2025-04-10 10:06:011434 
貝嶺（BELLING）作為知名的電子元件制造商，始終致力于為市場提供高性能、高可靠性的集成電路解決方案。BL24CM1A-PARC是貝嶺公司推出的一款高性能EEPROM存儲器，憑借其低功耗、高集成度
2025-04-09 15:47:21692 便攜式醫(yī)療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03626 
A5975D 是一款降壓型單片電源開關(guān)穩(wěn)壓器，最小開關(guān)電流限制為 3.75 A，因此能夠根據(jù)應(yīng)用條件向負載提供高達 3 A 的直流電流。輸出電壓可設(shè)置為 1.235 V 至 35 V。由于帶有外露
2025-03-31 17:55:28630 
替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用鐵電存儲器SF25C20
2025-03-28 10:31:41717 
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16676 
AD7581 是一款微處理器兼容的 8 位、8 通道、存儲器緩沖數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，采用單芯片 CMOS 芯片。它由一個 8 位逐次逼近型 A/D 轉(zhuǎn)換器、一個 8 通道多路復(fù)用器、8×8 雙端口 RAM
2025-03-17 10:39:29
LM1085 是一款穩(wěn)壓器，在 3A 負載電流下的最大壓差為 1.5V。它有 引腳排列與 TI 的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) LM317 相同。
需要兩個電阻器來設(shè)置可調(diào)輸出電壓的輸出電壓 LM1085 版本。固定輸出電壓版本集成了調(diào)節(jié)電阻器。
2025-03-14 17:03:192693 
目前是在官網(wǎng)挑選了一款STM32H7A3系列的單片機自己繪制的最小系統(tǒng)板，使用外部晶振24M示波器測量是24M，但是焊接50M外部晶振后進行配置，使用示波器測量后發(fā)現(xiàn)只有16M多一點，不知道是哪里出現(xiàn)了問題，求助大佬?。?！
2025-03-12 06:10:01
SRAM，RZ/A1M 無需外部存儲器，就能支持兩臺分辨率為WSVGA（1024×600）的顯示器，或者一臺分辨率為 WXGA（1280×800）的顯示器。RZ/A1M能夠?qū)崿F(xiàn)極為緊湊的嵌入式設(shè)計，而且無需
2025-03-11 15:04:111131 
RZ/A1L 系列微處理器（MPU）采用了運行頻率達 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核，并配備 3MB的片上靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）。憑借這 3MB 的片上 SRAM
2025-03-10 16:14:20981 
優(yōu)化的架構(gòu)設(shè)計和成熟的制程技術(shù)，具備內(nèi)置的硬擦除器、錯誤檢測和校正機制，為用戶提供了可靠的開發(fā)環(huán)境。用戶可利用最新的Radiant工具，直接實現(xiàn)MRAM的編程接口，支持多種存儲容量和數(shù)據(jù)速率。利用這些FPGA器件，用戶可以受益于低功耗FPGA架構(gòu)和快速安全的位流配置/重新配置。 ? 為
2025-03-08 00:10:001803 DS2505為16k位只添加存儲器，可以識別和存儲與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品的信息可以通過最少的接口訪問，例如微控制器的一個端口引腳。DS2505有一個工廠刻度的注冊碼，其中包括：48位
2025-02-27 16:31:151064 
DS28E80是一款用戶可編程的非易失性存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了抗伽馬輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80有248字節(jié)的用戶內(nèi)存，這些內(nèi)存以8字節(jié)為單位進行組織。單個塊可以
2025-02-26 11:43:101138 
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡稱DS199x）是堅固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
?MSP430F5325IPNR?是一款16位低功耗微控制器，屬于MSP430系列。該微控制器具有以下主要特點和功能：
1、低功耗設(shè)計?：MSP430F5325IPNR采用低功耗設(shè)計，適合對能耗敏感
2025-02-21 14:59:12
英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊 （1200V/400A），針對混合動力和電動汽車進行了優(yōu)化。
2025-02-20 18:07:182813 
：100-UFBGA（7x7）
明佳達 STM8S103F3P3TR是一款8位微控制器，屬于STM8S系列中的一種。它具有高性能、低功耗和低成本的特點，適用于各種嵌入式系統(tǒng)的控制任務(wù)。
技術(shù)規(guī)格
核心
2025-02-20 17:53:42
AT3H4X是一款由發(fā)光二極管和光電晶體管組成的光電耦合器。 四引腳封裝 ( SSOP4) 。The AT3H4X is a photoelectric coupler composed
2025-02-18 10:26:34
0 電機驅(qū)動芯片 - SS6809A是一款2通道H橋驅(qū)動芯片。適合12V系統(tǒng)產(chǎn)品的電機驅(qū)動。
2025-02-18 09:35:23937 
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:42:49
? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計算機及智能手機等設(shè)備中的存儲裝置（存儲器），其特點是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:142470 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169 MX25U12832FMI02 產(chǎn)品概述MX25U12832FMI02 是由 Macronix 生產(chǎn)的一款高性能 NOR Flash 存儲器，專為需要大容量存儲和快速讀取的應(yīng)用而設(shè)計。該
2025-02-09 10:21:26
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題，即它是否屬于RAM或ROM，同時詳細闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）在擦除數(shù)據(jù)時，往往需要較長的時間，且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001452 高速緩沖存儲器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲器（RAM）有所不同。在計算機存儲體系中，Cache位于CPU和主存儲器之間，用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
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