光刻前GaAs表面處理提高光刻膠附著力

摘要

幾個旨在補救的實驗結(jié)果在噴濕化學(xué)品時，光刻膠粘附失效報道了InGaP/GaAs NPN hbt的刻蝕。幾個確定了影響?zhàn)じ胶宛じ降囊蛩夭捎脤嶒炘O(shè)計(DOE)方法研究選定因素的影響和相互作用。最顯著的附著力改善確定是在蝕刻之前加入天然氧化物光阻劑的外套。除提高附著力外，這種預(yù)涂處理也改變了濕蝕刻輪廓(100)砷化鎵使蝕刻反應(yīng)受限較多與未經(jīng)過表面處理的晶圓片相比各向同性;輪廓在[011']和都有一個積極的錐度[011]但錐角并不相同。改變的側(cè)寫讓我們可以預(yù)測出結(jié)果完全可探測的HBTs與5×5μm發(fā)射器使用5200 ?未平整的蒸發(fā)金屬。

介紹

光刻膠的附著力能起到至關(guān)重要的作用濕法蝕刻的結(jié)果和隨后產(chǎn)生的電流和光學(xué)設(shè)備。有很多因素可以有助于光刻膠在半導(dǎo)體上的粘附襯底。然而，具體的信息很少砷化鎵在開放文獻和硅常用的方法，如六甲基二硅氮烷(HMDS)預(yù)處理對GaAs[1]可能無效。此外，GaAs的表面難以控制能對看似微小的工藝條件十分敏感。

審核編輯：符乾江

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國產(chǎn)光刻膠技術(shù)領(lǐng)先，全球一梯隊突破外企壁壘 #國產(chǎn)光刻膠 #光刻膠技術(shù) #半導(dǎo)體 #華芯邦 #

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什么是銀膠烘焙？

在芯片封裝生產(chǎn)的精細流程中，有一個看似簡單卻至關(guān)重要的環(huán)節(jié)——銀膠烘焙。這道工序雖不像光刻或蝕刻那樣備受關(guān)注，卻直接決定著芯片的穩(wěn)定性和壽命。銀膠烘焙定義銀膠烘焙，專業(yè)術(shù)語稱為EpoxyCuring

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半導(dǎo)體腐蝕清洗機的作用

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濕法去膠第一次去不干凈會怎么樣

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提高光刻膠殘留清洗效率需要結(jié)合工藝優(yōu)化、設(shè)備升級和材料創(chuàng)新等多方面策略，以下是具體方法及技術(shù)要點：1.工藝參數(shù)精準控制動態(tài)調(diào)整化學(xué)配方根據(jù)殘留類型（正膠/負膠、厚膜/薄膜）實時匹配最佳溶劑組合。例如

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硅襯底的清洗步驟一覽

預(yù)處理與初步去污將硅片浸入盛有丙酮或異丙醇溶液的容器中超聲清洗10–15分鐘，利用有機溶劑溶解并去除表面附著的光刻膠、油脂及其他疏水性污染物。此過程通過高頻振動加速分子運動，使大塊殘留物脫離基底進入

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白光干涉儀在晶圓光刻圖形 3D 輪廓測量中的應(yīng)用解析

引言晶圓光刻圖形是半導(dǎo)體制造中通過光刻工藝形成的微米至納米級三維結(jié)構(gòu)（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直接決定后續(xù)蝕刻、沉積工藝的精度，進而影響器件性能。傳統(tǒng)

2025-09-03 09:25:20

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告別物理掩模版，DMD光刻技術(shù)實現(xiàn)“一鍵直寫” #光刻 #DMD #無掩膜光刻

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楊明遠發(fā)布于 2025-08-29 16:11:54

光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點，為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠解決方案。

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EUV光刻膠材料取得重要進展

這一突破的核心力量。 ? 然而，EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途，其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷，這對配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力，還要在反應(yīng)機制的穩(wěn)定性、缺陷控制的精準度等方面實

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漢思新材料：底部填充膠工藝中需要什么設(shè)備

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全球市占率35%，國內(nèi)90%！芯上微裝第500臺步進光刻機交付

制造過程中至關(guān)重要的一步，它通過曝光和顯影過程，在光刻膠層上精確地刻畫出幾何圖形結(jié)構(gòu)，隨后利用刻蝕工藝將這些圖形轉(zhuǎn)移到襯底材料上。這一過程直接決定了最終芯片的性能與功能。芯上微裝已經(jīng)與盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）有限公司等企業(yè)達成合作

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從光固化到半導(dǎo)體材料：久日新材的光刻膠國產(chǎn)替代之路

當(dāng)您尋找可靠的國產(chǎn)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商時，一家在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材（688199.SH）。這家光引發(fā)劑巨頭，正以令人矚目的速度在半導(dǎo)體核心材料國產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角

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半導(dǎo)體濕法去膠原理

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國產(chǎn)百噸級KrF光刻膠樹脂產(chǎn)線正式投產(chǎn)

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道近日，八億時空宣布其KrF光刻膠萬噸級半導(dǎo)體制程高自動化研發(fā)/量產(chǎn)雙產(chǎn)線順利建成，標志著我國在中高端光刻膠領(lǐng)域的自主化進程邁出關(guān)鍵一步。 ? 此次建成的KrF光刻膠產(chǎn)線采用

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3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用

光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對準精度的控制要求達納米級，傳統(tǒng)檢測手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非

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UVlaser 266nm OLED修復(fù)#DUV光刻 #精密儀器 #光刻技術(shù)

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jf_90915507發(fā)布于 2025-08-05 09:37:57

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壓電納米技術(shù)如何輔助涂膠顯影設(shè)備實踐精度突圍

一、涂膠顯影設(shè)備：光刻工藝的“幕后守護者” 在半導(dǎo)體制造的光刻環(huán)節(jié)里，涂膠顯影設(shè)備與光刻機需協(xié)同作業(yè)，共同實現(xiàn)精密的光刻工藝。曝光工序前，涂膠機會在晶圓表面均勻涂覆光刻膠；曝光完成后，顯影設(shè)備則對晶

2025-07-03 09:14:54

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改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

的應(yīng)用。改善光刻圖形線寬變化的方法優(yōu)化曝光工藝參數(shù) 曝光是決定光刻圖形線寬的關(guān)鍵步驟。精確控制曝光劑量，可避免因曝光過度導(dǎo)致光刻膠過度反應(yīng)，使線寬變寬；或曝光不足造成線寬變窄。采用先進的曝光設(shè)備，如極紫外（EUV）光刻機

2025-06-30 15:24:55

740

改善光刻圖形垂直度的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

深入探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。改善光刻圖形垂直度的方法優(yōu)化光刻膠性能 光刻膠的特性直接影響圖形垂直度。選用高對比度、低膨脹系數(shù)的光刻膠，可減少曝光和顯影過程中的圖形變形。例如，化學(xué)增幅型光刻膠具有良

2025-06-30 09:59:13

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針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光

2025-06-25 10:19:48

815

金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對金屬結(jié)構(gòu)的保護至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合

2025-06-24 10:58:22

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ASML杯光刻「芯」勢力知識挑戰(zhàn)賽正式啟動

ASML光刻「芯」勢力知識挑戰(zhàn)賽由全球半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商ASML發(fā)起，是一項面向中國半導(dǎo)體人才與科技愛好者的科普賽事。依托ASML在光刻領(lǐng)域的技術(shù)積累與行業(yè)洞察，賽事致力于為參賽者打造一個深度探索光刻技術(shù)的知識競技窗口，同時培養(yǎng)優(yōu)秀科技「芯」勢力，共同推動摩爾定律演進。

2025-06-23 17:04:56

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MEMS制造領(lǐng)域中光刻Overlay的概念

在 MEMS（微機電系統(tǒng)）制造領(lǐng)域，光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay（套刻精度），則是衡量光刻機將不同層設(shè)計圖案對準精度的關(guān)鍵指標。光刻 Overlay 指的是芯片制造過程中，前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對準精度。

2025-06-18 11:30:49

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用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精準測量對確保 ARRAY 制程工藝精度

2025-06-18 09:56:08

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全自動mask掩膜板清洗機

一、產(chǎn)品概述全自動Mask掩膜板清洗機是半導(dǎo)體光刻工藝中用于清潔光罩（Reticle/Mask）表面的核心設(shè)備，主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機物沉積及蝕刻副產(chǎn)物。其技術(shù)覆蓋濕法化學(xué)清洗、兆

2025-06-17 11:06:03

低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言在半導(dǎo)體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時，光刻圖形的精準

2025-06-17 10:01:01

678

為什么光刻要用黃光?

通過使用光掩膜和光刻膠在基板上復(fù)制流體圖案的過程?；鍖⑼扛补瓒趸瘜咏^緣層和光刻膠。光刻膠在被紫外光照射后可以容易地用顯影劑溶解，然后在腐蝕后，流體圖案將留在基板上。無塵室(Cleanroom)排除掉空間范圍內(nèi)空氣中的微

2025-06-16 14:36:25

1070

金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對金屬層產(chǎn)生過度刻蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用，并

2025-06-16 09:31:51

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減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對器件性能產(chǎn)生負面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光

2025-06-14 09:42:56

736

光刻工藝中的顯影技術(shù)

一、光刻工藝概述光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)

2025-06-09 15:51:16

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光刻膠產(chǎn)業(yè)國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

如果說最終制造出來的芯片是一道美食，那么光刻膠就是最初的重要原材料之一，而且是那種看起來可能不起眼，但卻能決定一道菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠（photoresist），在業(yè)內(nèi)又被稱為光阻或光阻劑

2025-06-04 13:22:51

992

MICRO OLED 金屬陽極像素制作工藝對晶圓 TTV 厚度的影響機制及測量優(yōu)化

與良品率，因此深入探究二者關(guān)系并優(yōu)化測量方法意義重大。影響機制工藝應(yīng)力引發(fā)變形在金屬陽極像素制作時，諸如光刻、蝕刻、金屬沉積等步驟會引入工藝應(yīng)力。光刻中，光刻膠的涂覆與曝光過程會因光刻膠固化收縮產(chǎn)生應(yīng)力。蝕刻階段，蝕刻氣體或液體對晶圓表面的作用若不均

2025-05-29 09:43:43

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光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時，精準測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障

2025-05-29 09:38:53

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Micro OLED 陽極像素定義層制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

優(yōu)勢，為光刻圖形測量提供了可靠手段。 ? Micro OLED 陽極像素定義層制備方法 ? 傳統(tǒng)光刻工藝 ? 傳統(tǒng) Micro OLED 陽極像素定義層制備常采用光刻剝離工藝。首先在基板上沉積金屬層作為陽極材料，接著旋涂光刻膠，通過掩模版曝光使光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，隨后

2025-05-23 09:39:17

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詳談X射線光刻技術(shù)

隨著極紫外光刻（EUV）技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn)，X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢，在特定領(lǐng)域正形成差異化競爭格局。

2025-05-09 10:08:49

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電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極

電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極隨著科技進步，對電子顯微鏡的精度要求越來越高。電子直寫光刻機的精度與電子波長和電子束聚焦后的焦點直徑有關(guān)，電子波長可通過增加加速電極電壓來減小波長，而電子束聚焦后

2025-05-07 06:03:45

光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件免費試用

光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進行掩模版加工制造，在掩膜加工領(lǐng)域或者無掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺，在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量圖形光柵化軟件

2025-05-02 12:42:10

芯片清洗機用在哪個環(huán)節(jié)

：去除硅片表面的顆粒、有機物和氧化層，確保光刻膠均勻涂覆。清洗對象：顆粒污染：通過物理或化學(xué)方法（如SC1槽的堿性清洗）剝離硅片表面的微小顆粒。有機物殘留：清除光刻膠殘渣或前道工藝留下的有機污染物（如SC2槽的酸性清洗）

2025-04-30 09:23:27

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光刻膠的類型及特性

光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。

2025-04-29 13:59:33

7833

半導(dǎo)體清洗SC1工藝

及應(yīng)用的詳細介紹：一、技術(shù)原理化學(xué)反應(yīng)機制氨水（NH?OH）：提供堿性環(huán)境，腐蝕硅片表面的自然氧化層（SiO?），使附著的顆粒脫離晶圓表面。過氧化氫（H?O?）：作為強氧化劑，分解有機物（如光刻膠殘留）并氧化硅片表面，形成新的親水性

2025-04-28 17:22:33

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半導(dǎo)體制造關(guān)鍵工藝：濕法刻蝕設(shè)備技術(shù)解析

方法在晶圓表面襯底及功能材料上雕刻出集成電路所需的立體微觀結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)掩模圖形到晶圓表面的轉(zhuǎn)移。刻蝕工藝的核心作用體現(xiàn)在三個方面：圖形轉(zhuǎn)移：將光刻膠上的二維圖案轉(zhuǎn)化為三維功能層結(jié)構(gòu)；多層互連基礎(chǔ)：在刻蝕形成的

2025-04-27 10:42:45

2200

最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料，涵蓋晶圓工藝到后端封測

第9章集成電路制造工藝概況第10章氧化第11章淀積第12章金屬化第13章光刻：氣相成底膜到軟烘第14章光刻：對準和曝光第15章光刻：光刻膠顯影和先進的光刻技術(shù) 第16章

2025-04-15 13:52:11

成都匯陽投資關(guān)于光刻機概念大漲，后市迎來機會

【2025年光刻機市場的規(guī)模預(yù)計為252億美元】光刻機作為半導(dǎo)體制造過程中價值量和技術(shù)壁壘最高的設(shè)備之一，其在半導(dǎo)體制造中的重要性不言而喻。目前，全球市場對光刻機的需求持續(xù)增長，尤其是在先

2025-04-07 09:24:27

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【「芯片通識課：一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗】芯片怎樣制造

數(shù)據(jù)中介的示意圖。 光刻膠 正性光刻膠中感光部分的光刻膠可以被腐蝕溶解掉，未感光部分的光刻膠不能被腐蝕溶解；復(fù)姓光刻膠的感光部分的光刻膠不能被腐蝕溶解，未感光部分的光刻膠可以被腐蝕溶解掉。如下圖所示

2025-04-02 15:59:44

【「芯片通識課：一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗】了解芯片怎樣制造

，三合一工藝平臺，CMOS圖像傳感器工藝平臺，微電機系統(tǒng)工藝平臺。光掩模版:基板，不透光材料 光刻膠:感光樹脂，增感劑，溶劑。正性和負性。光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻

2025-03-27 16:38:20

光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標

光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進，對光刻分辨率、套準精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計。

2025-03-27 09:21:33

3276

勻膠機轉(zhuǎn)速對微流控芯片精度的影響

微流控芯片制造過程中，勻膠是關(guān)鍵步驟之一，而勻膠機轉(zhuǎn)速會在多個方面對微流控芯片的精度產(chǎn)生影響：對光刻膠厚度的影響勻膠機轉(zhuǎn)速與光刻膠厚度成反比關(guān)系。旋轉(zhuǎn)速度影響勻膠時的離心力，轉(zhuǎn)速越大，角速度越大

2025-03-24 14:57:16

751

半導(dǎo)體材料介紹 | 光刻膠及生產(chǎn)工藝重點企業(yè)

體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類

2025-03-18 13:59:53

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微流控勻膠過程簡述

所需的厚度。在微流控領(lǐng)域，勻膠機主要用于光刻膠的涂覆，以確保光刻過程的均勻性和質(zhì)量。勻膠機的主要組成部分旋轉(zhuǎn)平臺：承載基片的平臺，通過高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生離心力。滴膠裝置：控制膠液的滴落量和位置。控制系統(tǒng)：調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)速

2025-03-06 13:34:21

678

EUV光刻技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者

? EUV光刻有多強？目前來看，沒有EUV光刻，業(yè)界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機也是歷史上最復(fù)雜、最昂貴的機器之一。 EUV光刻有哪些瓶頸？ EUV光刻技術(shù)，存在很多難點。 1.1

2025-02-18 09:31:24

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什么是光刻機的套刻精度

在芯片制造的復(fù)雜流程中，光刻工藝是決定晶體管圖案能否精確“印刷”到硅片上的核心環(huán)節(jié)。而光刻Overlay(套刻精度)，則是衡量光刻機將不同層電路圖案對準精度的關(guān)鍵指標。簡單來說，它就像建造摩天大樓

2025-02-17 14:09:25

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納米壓印技術(shù):開創(chuàng)下一代光刻的新篇章

光刻技術(shù)對芯片制造至關(guān)重要，但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制，摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸，下一代光刻（NGL）技術(shù)應(yīng)運而生。本文將介紹納米壓印技術(shù)（NIL）的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備，并探討其在半導(dǎo)體制造中

2025-02-13 10:03:50

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硅烷化處理技術(shù)的探究與應(yīng)用實踐

? 硅烷化處理技術(shù)是一種新型的表面處理技術(shù)，它利用有機硅烷在金屬表面形成一層致密的保護膜，從而提高金屬的耐腐蝕性、耐磨性和附著力等性能。有機硅烷偶聯(lián)劑是硅烷化處理技術(shù)的主要原料，它具有環(huán)保、成本低

2025-02-09 10:06:05

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光刻機用納米位移系統(tǒng)設(shè)計

2025-02-06 09:38:03

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芯片制造:光刻工藝原理與流程

機和光刻膠： ? 光掩膜：如同芯片的藍圖，上面印有每一層結(jié)構(gòu)的圖案。 ? ? ?光刻機：像一把精確的畫筆，能夠引導(dǎo)光線在光刻膠上刻畫出圖案。 ? 光刻膠：一種特殊的感光材料，通過光刻過程在光刻膠上形成圖案，進而構(gòu)建出三維結(jié)構(gòu)。

2025-01-28 16:36:00

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2025年中國顯影設(shè)備行業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢及前景預(yù)測

)、程序控制系統(tǒng)等部分組成。在光刻工藝中，涂膠/顯影設(shè)備則是作為光刻機的輸入(曝光前光刻膠涂覆)和輸出(曝光后圖形的顯影)設(shè)備，通過機械手使晶圓在各系統(tǒng)之間傳輸和處理，從而完成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影、堅膜等工

2025-01-20 14:48:52

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如何提高光刻機的NA值

本文介紹了如何提高光刻機的NA值。為什么光刻機希望有更好的NA值？怎樣提高？ ? 什么是NA值？ ? 如上圖是某型號的光刻機配置，每代光刻機的NA值會比上一代更大一些。NA，又名

2025-01-20 09:44:18

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光刻機的分類與原理

本文主要介紹光刻機的分類與原理。 ? 光刻機分類光刻機的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機包括芯片光刻機和面板光刻機。面板光刻機的工作原理和芯片光刻機相似

2025-01-16 09:29:45

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雙層玻璃光伏組件在濕熱條件下，水分侵入與附著力的全面評估

水分侵入是導(dǎo)致光伏組件功率損失的根本原因之一。雙層玻璃組件如果邊緣密封良好，可能比傳統(tǒng)組件更耐水分，但水分一旦被困在層壓板中，比背板型配置更難逃逸，可能導(dǎo)致分層、附著力喪失和金屬化腐蝕等問題。光伏

2025-01-15 09:01:47

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納米壓印光刻技術(shù)旨在與極紫外光刻（EUV）競爭

，nanoimprint lithography），它能夠繪制出小至14納米的電路特征——使邏輯芯片達到與英特爾、超微半導(dǎo)體（AMD）和英偉達現(xiàn)正大量生產(chǎn)的處理器相當(dāng)?shù)乃健?納米壓印光刻系統(tǒng)具有的優(yōu)勢可能對當(dāng)今主導(dǎo)先進

2025-01-09 11:31:18

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募資12億！國內(nèi)光刻膠“銷冠王”沖刺IPO！

用先進材料項目等。恒坤新材成立于2004年12月，是中國境內(nèi)少數(shù)具備12英寸集成電路晶圓制造關(guān)鍵材料研發(fā)和量產(chǎn)能力的創(chuàng)新企業(yè)之一。據(jù)其股東廈門市產(chǎn)業(yè)投資基金披露，恒坤新材是國內(nèi)12英寸晶圓制造先進制程上出貨量最大的光刻膠企業(yè)。根據(jù)弗若斯特沙利文市

2025-01-07 17:38:55

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