產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現(xiàn)，在高頻高功率場景中讓傳統(tǒng)硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54
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雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無需工藝調(diào)整和 MASK 變動(dòng)，通過合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實(shí)現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
超小型氮化鎵模塊電源，正式上市！這不僅是一次產(chǎn)品升級，更是為高密度、高性能應(yīng)用量身打造的動(dòng)力解決方案，重新定義15W級電源的尺寸、效率與可靠性標(biāo)準(zhǔn)。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:0298 
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
PMOS 管（P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）以 P 型半導(dǎo)體為襯底，通過柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴遷移，實(shí)現(xiàn)電路開關(guān)控制或信號放大，是拓展塢電路中的關(guān)鍵基礎(chǔ)器件，專為其多接
2025-12-04 11:12:41
30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW
2025-11-28 17:18:042048 
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)下，電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場變革。安森美(onsemi)憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮，推出的高能效系統(tǒng)重新定義了性能與可靠性的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本文將解答關(guān)于 vGaN 的核心疑問，并闡釋該技術(shù)對能源與電源解決方案未來發(fā)展的影響。
2025-11-20 14:57:242050 近日，綠聯(lián)新推出了一款速顯充160W多口氮化鎵充電器，這款充電器具備4個(gè)USB-C接口和1個(gè)USB-A接口，總輸出功率為160W。機(jī)身一側(cè)設(shè)有LCD屏幕，支持總輸出功率顯示和功率分配顯示，支持充電協(xié)議顯示。機(jī)身設(shè)有觸摸按鍵，可以旋轉(zhuǎn)屏幕顯示角度和內(nèi)容，同時(shí)還支持充電器溫度顯示，使用更加安心。
2025-11-17 15:08:41671 
中的性能差異源于材料物理特性，具體優(yōu)劣勢如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優(yōu)勢： 功率密度高：GaN 的擊穿電場強(qiáng)度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達(dá)硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573101 現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
，其內(nèi)部搭載了東科DK8710BD合封氮化鎵芯片，分別支持100W和30W輸出，還支持45W+45W、65W+30W等輸出策略，滿足包括米系用戶在內(nèi)的消費(fèi)群體對高性
2025-11-13 10:27:082782 
STMicroelectronics EVLONE65W USB Type-C?供電板是用于高密度、大功率65W USB供電 (USB-PD) 電路的參考設(shè)計(jì)，支持可編程電源 (PPS
2025-10-29 13:56:04384 
STMicroelectronics EVLVIPGAN65DF參考設(shè)計(jì)（用于VIPERGAN65）是一款24V/65W參考設(shè)計(jì)，基于VIPERGAN65D高壓轉(zhuǎn)換器，采用隔離式QR反激拓?fù)溥M(jìn)行設(shè)置
2025-10-16 15:36:38480 
STMicroelectronics EVLSTACF01-65WU USB-PD演示板STACF01是一款65W有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器，設(shè)計(jì)用于評估STACF01 ACF控制器
2025-10-16 15:10:17412 
在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入
2025-10-15 17:41:294087 
不同的電源適配器來提供正確的電力供應(yīng)。因此，設(shè)計(jì)一個(gè)優(yōu)秀的電源適配器方案變得極為重要。今天要給大家介紹的是基于思睿達(dá)主推的CR6891A65W適配器方案，能效方面，
2025-09-29 10:21:48532 
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化鎵充電器芯片
2025-09-26 11:36:58
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化電源芯片的引腳在布局布線時(shí)，應(yīng)當(dāng)避免與其他信號線路平行敷設(shè)，以降低電磁干擾。根據(jù)芯片引腳功能和信號流向合理安排位置，減少交叉和迂回，降低布線
2025-08-28 16:18:507132 01.擴(kuò)展塢加充電寶 方案一 ? 1.支持絕大多數(shù)智能手機(jī)同屏或者擴(kuò)展屏。 2.內(nèi)置電池，隨時(shí)給手機(jī)充電（通過type-c)。 3.支持全功能TYPE_C設(shè)備，可以做接口擴(kuò)展。 4.支持
2025-08-28 11:35:07600 
氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。
2025-08-26 10:24:432670 
，如何在有限體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更低成本與更強(qiáng)協(xié)議兼容能力，成為PD充電器方案設(shè)計(jì)中的核心命題。 本文拆解的是一款綠聯(lián)的 65W GaN 三口輸出的電源適配器，其內(nèi)部采用三塊板構(gòu)成. 整體實(shí)現(xiàn)了交流輸入整流與濾波、初級開關(guān)控制與功率變
2025-08-19 11:56:143364 
近日，應(yīng)充電頭網(wǎng)邀請，在行業(yè)目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術(shù)展開深度分享，為行業(yè)發(fā)展勾勒清晰且充滿希望的藍(lán)圖。其中，京東方華燦副總裁、首席技術(shù)官王江波博士值此世界氮化鎵日之際，發(fā)表了他對氮化鎵材料發(fā)展的寄語。
2025-08-14 15:31:223004 Buck+HUSB380B+HUSB382D 2C1A固定分配功率方案
雙Buck_65W 2C1A_降功率方案，采用慧能泰HUSB380B+HUSB382D級聯(lián)，單獨(dú)使用時(shí)任意C口都可以輸出65W，且單插
2025-08-13 13:22:57
65W PD 快充幾乎已經(jīng)成為智能手機(jī)的標(biāo)配了，但是快充所面臨的高效率、小體積、不燙手需求矛盾，仍然是工程師面臨的主要問題。傳統(tǒng)的快充同步整流方案效率不僅低，封裝體積也太大，很難滿足消費(fèi)者對超便攜快
2025-08-08 16:51:451783 采樣走線，避免了復(fù)雜曲折的電流路徑設(shè)計(jì)，一馬平川的鋪個(gè)地平面即可實(shí)現(xiàn)功能。
3.靈活高壓輸出，協(xié)議高兼容：HUSB382D支持5V、9V、12V、15V和20V FPDO，具備最高65W的輸出功率，能兼容市面上主流的充電協(xié)議，以及擁有更高的充電效率。能夠滿足平板，筆記本，手機(jī)等多種電子設(shè)備的充電需求。
2025-08-07 10:43:09
設(shè)計(jì)大電流，高開關(guān)頻率同步降壓電路時(shí)，要想設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容。圖為PCB布局設(shè)計(jì)參考，包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。
2025-08-06 11:39:343561 
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。
2025-07-25 16:30:444488 
英集芯IP6551是一款為車載充電器、適配器、智能排插、行車記錄儀提供完整的充電方案支持雙路DCP協(xié)議的65W輸出DC-DC降壓芯片，集成同步開關(guān)降壓轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置雙NMOS驅(qū)動(dòng)器，轉(zhuǎn)換效率高。
2025-07-24 11:13:43617 
深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣國內(nèi)首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵，48V供電時(shí)，驅(qū)動(dòng)到4Ω可以在10%THD+N內(nèi)輸出1×340W的功率，QFN-48貼片封裝，不需要外接散熱器輔助散熱。
2025-07-21 15:05:102857 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個(gè)頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗！
2025-07-18 16:08:412964 
#Prisemi擴(kuò)展塢市場趨勢據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年全球擴(kuò)展塢市場規(guī)模達(dá)到了115.06億元人民幣。預(yù)測到2029年，全球擴(kuò)展塢市場規(guī)模將以6.9%的年復(fù)合增長率增長至173.32億元人民幣。中國市場
2025-07-08 11:33:15504 
炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜。客戶最近熱賣的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 
PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時(shí)，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，則無需更改PCB設(shè)計(jì)，否則就要重新設(shè)計(jì)PCB板
2025-06-26 16:11:111778 A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設(shè)備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備，接口互補(bǔ)，場景覆蓋廣，依然是當(dāng)前充電市場不可忽略的中堅(jiān)力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡化設(shè)計(jì)方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 CMPA0527005F 是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）功率放大器，由CREE公司生產(chǎn)。這款功放器在50V電源下工作，適用于0.5到2.7GHz
2025-06-17 16:08:25
CGH35060P1 是一款由Wolfspeed 生產(chǎn)的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計(jì)。這款晶體管非常適合3.3-3.6 GHz WiMAX
2025-06-17 15:50:48
同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開發(fā)時(shí)間，使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認(rèn)證測試，低耗高效，值得推薦！
2025-06-16 15:40:171592 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:001559 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
版、Lenovo YOGA Air 15 Aura Al元啟版 等多款筆記本電腦，均INBOX標(biāo)配 65W 49cc氮化鎵快充充電器 ，這是迄今為止聯(lián)想筆記本電腦 最小體積的65W INBOX電源
2025-06-13 14:00:13813 
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護(hù)機(jī)制（如短路保護(hù)），優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進(jìn)行。高頻噪聲問題需協(xié)同芯片設(shè)計(jì)、封裝工藝及PCB布局綜合解決。氮化鎵
2025-06-12 15:46:16962 恒壓恒流PSR12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A在手機(jī)充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會(huì)通過一定長度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。氮化鎵電源
2025-06-05 16:16:151141 半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，憑借高功率密度與能效優(yōu)勢，正推動(dòng)電子設(shè)備技術(shù)革新。
2025-06-05 10:33:562489 
45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201070 前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率，實(shí)現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手機(jī)、安卓手機(jī)，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵
2025-05-23 14:21:36883 全電壓！PD20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案，立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng)，PD20W氮化鎵
2025-05-22 15:41:26734 谷底鎖定模式是一種應(yīng)用于開關(guān)電源如反激式拓?fù)洹?zhǔn)諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù)，其核心在于通過精確控制開關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)機(jī)以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的20W氮化鎵電源ic U8722SP
2025-05-17 09:13:57825 
深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！
2025-05-13 16:28:041036 
深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
打造的GaNSense?氮化鎵功率芯片 系列，面向 功率至 600W的家電及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。 該全集成解決方案專為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)， 將兩個(gè)氮化鎵FET與驅(qū)動(dòng)、控制、檢測及智能保護(hù)功能集成在半橋里。 相較于傳統(tǒng)硅IGBT方案，其 效率提升4%，PCB占用面積減少40%，系統(tǒng)
2025-05-09 13:58:181260 
在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 30~65W快充應(yīng)用CCM同步整流芯片U7106同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，典型應(yīng)用于30~65W快充，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，可以在
2025-05-08 16:17:141033 關(guān)鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵諧振柵極驅(qū)動(dòng)器。該方案不僅能實(shí)現(xiàn)高效率，還能在高開關(guān)頻率下保持良好控制的開關(guān)轉(zhuǎn)換特性。諧振柵極驅(qū)動(dòng)器原理轉(zhuǎn)換器
2025-05-08 11:08:401153 
氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 供應(yīng)CR6520B 65W 離線式開關(guān)電源 IC，提供CR6520B20v3a電源適配器方案關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向啟臣微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2025-04-29 11:44:40
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高壓啟動(dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 蕞近經(jīng)常有小伙伴問我：MacBook接口太少了，要怎么選擴(kuò)展塢才不會(huì)踩雷？ 作為一名用了幾代Mac的老用戶，今天就來聊聊我選擴(kuò)展塢的一點(diǎn)小心得 一、你真的需要擴(kuò)展塢嗎？ 先問自己三個(gè)問題： 你是不是
2025-04-21 16:01:001024 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/章鷹）4月15日到17日，在慕尼黑上海電子展上，功率器件大廠英諾賽科帶來了數(shù)字能源、消費(fèi)電子、汽車電子、機(jī)器人領(lǐng)域最新的氮化鎵器件方案。 圖：英諾賽科展臺新品和氮化鎵晶圓 電子
2025-04-21 09:10:422407 
如何實(shí)現(xiàn)高性能與低功耗的完美結(jié)合？在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電源適配器的性能和效率至關(guān)重要。onsemi推出的NCP1341B1反激式控制器，為設(shè)計(jì)高性能離線功率轉(zhuǎn)換器提供了創(chuàng)新解決方案。本文將詳細(xì)解析基于NCP1341B1的65W適配器電源方案，揭示其核心技術(shù)優(yōu)勢及應(yīng)用場景。
2025-04-16 17:24:291454 
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58667 氮化鎵20WPD快充方案
2025-04-10 11:06:04731 
）快速充電器，最大輸出功率可達(dá)65W，輸入電壓為通用電網(wǎng)電壓。 這款準(zhǔn)諧振離線變換器集成一個(gè)700V GaN（氮化鎵）晶體管和優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器及典型的安全保護(hù)功能，降低了利用寬帶隙技術(shù)提高功率密度和能效的技術(shù)門檻。GaN功率晶體管的最高開關(guān)頻率為240kHz，開關(guān)損耗極小，可以搭配使
2025-04-01 10:01:261084 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件
2025-03-31 14:26:10
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)330W氮化鎵方案CE65H110DNDI，原裝現(xiàn)貨 DescriptionThe CE65H110DNDl Series 650v, 110mΩgallium
2025-03-31 11:59:47
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能，通過調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時(shí)通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動(dòng)和工作電流，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，勢如破竹！?
2025-03-20 17:41:40835 想給Switch充電兼投屏玩得更暢快，又不想要復(fù)雜的原底座？納祥科技Switch快充方案應(yīng)運(yùn)而生，本方案在設(shè)計(jì)上充分考慮了用戶的實(shí)際使用場景，力求為用戶帶來更便捷與高效的體驗(yàn)。01方案概述納祥
2025-03-18 15:31:381077 
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 18:06:0046951 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進(jìn)展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高效率器件的需求不斷加大?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點(diǎn)，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261527 氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 U2G5060-140P2 是一款 140W 應(yīng)用頻率在 5.0~6.0GHz 的氮化鎵射頻功率放大管。這款放大管 具有高效率、高增益的特性。同時(shí)覆蓋 5-6GHz 應(yīng)用的 Demo 板，輸出功率
2025-02-25 15:56:49
此參考設(shè)計(jì)是一款低成本、高密度 USB 適配器，在 ZVS 反激式拓?fù)渲惺褂?UCC28782 有源鉗位反激式控制器UCC5304隔離式驅(qū)動(dòng)器。20V 輸出時(shí)的最大額定功率為 65W，但可針對
2025-02-25 09:30:47811 ，采用氮化鎵材料，體積小巧，僅為57.5*33.5*23.8mm，極大程度的節(jié)省了設(shè)計(jì)空間。該系列電源模塊共有4款，輸出功率40W，輸出電壓分別為9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021 此參考設(shè)計(jì)是一個(gè) 65W USB PD3.0 適配器 適用于許多充電應(yīng)用，包括 手機(jī)、筆記本電腦和平板電腦。設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn)高效率和功率密度 使用LMG3624集成 GaN FET 和電流感應(yīng)仿真。高效率 通過準(zhǔn)諧振反激式實(shí)現(xiàn)，該 在簡單性和低級之間提供平衡 切換損耗
2025-02-24 09:28:18755 
UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管 （HEMT），可將交流轉(zhuǎn)換為直流，以實(shí)現(xiàn)高達(dá) 65W 的功率轉(zhuǎn)換器。它最適合高功率密度應(yīng)用，例如手機(jī)快速
2025-02-21 15:56:06937 
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團(tuán)隊(duì)優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發(fā)光層再搭配
2025-02-19 14:20:431085 
對于辦公多屏黨來說，HDMI分屏器和擴(kuò)展塢是提升效率的利器。但除了基本的擴(kuò)展屏幕功能，這些設(shè)備還隱藏著許多實(shí)用技巧，能夠讓你的多屏辦公體驗(yàn)更上一層樓。
2025-02-17 17:10:231247 過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí)，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發(fā)展進(jìn)行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發(fā)的最新進(jìn)展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362014 
前言 近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器，這款產(chǎn)品基于華源智信氮化鎵方案設(shè)計(jì)，因此整體做到相當(dāng)小巧，搭配可折疊插腳，便攜性很好。充電器支持最高20W PD3.0快充，可滿足
2025-02-14 14:46:512073 
2 月 6 日消息，海外廠商 Dockcase 近日推出了一款七合一 USB-C 10Gbps 擴(kuò)展塢，為數(shù)碼設(shè)備用戶帶來了全新的解決方案。 從接口配置來看，該擴(kuò)展塢十分豐富。它擁有 1 個(gè)
2025-02-07 18:02:551323 氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少
2025-02-07 16:01:021106 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力氮化鎵芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無線通信領(lǐng)域，設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時(shí)
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準(zhǔn)度卻時(shí)刻面臨著一個(gè)來自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449 
UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT)，可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，適用于高達(dá) 65W的電源轉(zhuǎn)換器。它非常適合高功率密度應(yīng)用，例如手機(jī)
2025-01-21 17:18:141589 
在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個(gè)隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 氮化鎵襯底的優(yōu)勢，確保其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精準(zhǔn)測量至關(guān)重要，因?yàn)檫@直接關(guān)聯(lián)到后續(xù)芯片制造工藝的良率與性能表現(xiàn)。不同的吸附方案恰似一雙雙各異
2025-01-17 09:27:36420 在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景中嶄露頭角，成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
電能的高效轉(zhuǎn)換。同步整流芯片的加入則有效地解決了能量損耗問題。今天介紹的是35W氮化鎵電源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 PI公司誠邀您報(bào)名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準(zhǔn)。
2025-01-15 15:41:09899
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