。 極致耐磨：作為CMP拋光墊核心層，金剛石納米顆粒實(shí)現(xiàn)晶圓全局納米級(jí)平整度，助力3nm以下先進(jìn)制程良率突破。 光學(xué)王者：深紫外（DUV）光刻機(jī)透光窗口的首選材料，保障193nm激光高透過(guò)率與長(zhǎng)壽命。 華林科納金剛石清洗工藝流程 目標(biāo)：去除有機(jī)物、金屬污
2025-12-24 13:29:06
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BOURNS CMP-Q系列高功率抗浪涌貼片電阻：特性、應(yīng)用與選型指南 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，電阻作為基礎(chǔ)元件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。BOURNS的CMP-Q系列高功率抗浪涌貼片
2025-12-23 15:45:06151 一、行業(yè)背景：半導(dǎo)體設(shè)備從“能運(yùn)行”走向“長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行”對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備制造商（EquipmentMaker）而言，刻蝕、薄膜沉積、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）等核心設(shè)備的競(jìng)爭(zhēng)力，早已不再停留在
2025-12-19 17:10:215866 
研磨液供液系統(tǒng)是半導(dǎo)體制造中化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的核心支持系統(tǒng)，其工作原理涉及流體力學(xué)、自動(dòng)化控制及材料科學(xué)等多學(xué)科技術(shù)融合。以下是系統(tǒng)的工作流程與關(guān)鍵技術(shù)解析：一、核心組件與驅(qū)動(dòng)方式動(dòng)力驅(qū)動(dòng)
2025-12-08 11:28:18182 
什么是化學(xué)開(kāi)封化學(xué)開(kāi)封是一種通過(guò)化學(xué)試劑選擇性溶解電子元器件外部封裝材料，從而暴露內(nèi)部芯片結(jié)構(gòu)的技術(shù)方法，主要用于失效分析、質(zhì)量檢測(cè)和逆向工程等領(lǐng)域。化學(xué)開(kāi)封的核心是利用特定的化學(xué)試劑（如強(qiáng)酸、強(qiáng)堿
2025-12-05 12:16:16705 
電化學(xué)氣體傳感器中，三電極與二電極相比，有哪些具體優(yōu)點(diǎn)？
2025-12-02 17:03:31
氬離子拋光技術(shù)通過(guò)電場(chǎng)加速產(chǎn)生的高能氬離子束，在真空環(huán)境下對(duì)樣品表面進(jìn)行可控的物理濺射剝離。與傳統(tǒng)機(jī)械制樣方法相比，其核心優(yōu)勢(shì)在于：完全避免機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致的樣品損傷，能夠保持材料的原始微觀結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)
2025-11-25 17:14:14456 
近日，長(zhǎng)春理工大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院跨尺度微納制造教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室許金凱教授團(tuán)隊(duì)，在機(jī)械制造領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)期刊《國(guó)際機(jī)床與制造》(《International Journal of Machine
2025-11-14 06:52:46133 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 20 世紀(jì) 80 年代初，IBM 公司在制造DRAM的過(guò)程中，為了達(dá)到圓片表面金屬間介電質(zhì)層（IMD）的全局平坦，建立起了硅氧化物（SiO2）的 CMP 工藝
2025-11-13 11:04:371382 
近日，中國(guó)化學(xué)會(huì)第二十三次全國(guó)電化學(xué)大會(huì)在武漢舉行。大會(huì)圍繞電化學(xué)、電池、氫能等多個(gè)前沿領(lǐng)域設(shè)立分會(huì)場(chǎng)，匯聚行業(yè)專家學(xué)者，共話電化學(xué)技術(shù)新進(jìn)展。
2025-11-11 14:11:54353 氬離子拋光技術(shù)作為一項(xiàng)前沿的材料表面處理手段，憑借其高效能與精細(xì)加工的結(jié)合，為多個(gè)科研與工業(yè)領(lǐng)域帶來(lái)突破性解決方案。該技術(shù)通過(guò)低能量離子束對(duì)材料表面進(jìn)行精準(zhǔn)處理，不僅能快速實(shí)現(xiàn)拋光還能在微觀尺度
2025-11-03 11:56:32206 
氬離子拋光和切割技術(shù)是現(xiàn)代微觀分析領(lǐng)域中不可或缺的樣品制備手段。該技術(shù)通過(guò)利用寬離子束（約1毫米寬）對(duì)樣品進(jìn)行切割或拋光，能夠精確地去除樣品表面的損傷層，并暴露出高質(zhì)量的分析區(qū)域，為后續(xù)的微觀結(jié)構(gòu)
2025-10-29 14:41:57192 
企業(yè)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的“核心引擎”。 本文將帶您全面了解機(jī)械ERP——它到底是什么？能解決哪些痛點(diǎn)？怎樣選擇合適的系統(tǒng)？如何順利實(shí)施并評(píng)估效果？最后我們還將展望未來(lái)趨勢(shì)，助您提前布局，贏在數(shù)字時(shí)代。 一、機(jī)械ERP是什么？專
2025-10-24 15:19:39632 
硅片酸洗過(guò)程的化學(xué)原理主要基于酸與硅片表面雜質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)，通過(guò)特定的酸性溶液溶解或絡(luò)合去除污染物。以下是其核心機(jī)制及典型反應(yīng)：氫氟酸（HF）對(duì)氧化層的腐蝕作用反應(yīng)機(jī)理：HF是唯一能高效蝕刻
2025-10-21 14:39:28438 
在紡織機(jī)械自動(dòng)化的世界里，每一次技術(shù)革新都像是為古老的織布藝術(shù)注入了新的靈魂。作為一名自動(dòng)化工程師，我曾深入?yún)⑴c過(guò)多項(xiàng)紡織機(jī)械升級(jí)項(xiàng)目，其中PROFINET轉(zhuǎn)EtherCAT的網(wǎng)關(guān)技術(shù)，宛如一座精巧
2025-10-17 10:40:27199 
市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。立即了解，邁向更高效、更智能的未來(lái)！ 在當(dāng)今這個(gè)機(jī)械設(shè)備行業(yè)日新月異的時(shí)代，提升生產(chǎn)效率、優(yōu)化管理流程成為了眾多企業(yè)競(jìng)相追求的目標(biāo)。而在這其中，ERP（企業(yè)資源計(jì)劃）機(jī)械設(shè)備軟件以其強(qiáng)大的集成能力和高效的管理
2025-10-14 11:42:453940 
半導(dǎo)體晶圓拋光技術(shù)面臨多重挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)源于工藝精度提升、新材料應(yīng)用及復(fù)雜結(jié)構(gòu)的集成需求。以下是主要的技術(shù)難點(diǎn)及其具體表現(xiàn)： 納米級(jí)平整度與均勻性控制 原子級(jí)表面粗糙度要求：隨著制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)入7nm
2025-10-13 10:37:52471 堅(jiān)實(shí)有力的技術(shù)支撐。SEM分析在這之前，樣品的制備是至關(guān)重要的一步。傳統(tǒng)的研磨和拋光方法雖然在一定程度上能夠滿足樣品表面處理的需求，但往往會(huì)對(duì)樣品表面造成不可逆的損
2025-10-11 14:14:38218 
此前，2025年19日-21日，中東歐地區(qū)最大的農(nóng)業(yè)機(jī)械專業(yè)展之一AGROSHOW 2025波蘭國(guó)際農(nóng)業(yè)機(jī)械展在波蘭波茲南隆重舉行。本次展會(huì)吸引了來(lái)自全球的農(nóng)機(jī)企業(yè)，共同分享農(nóng)業(yè)裝備領(lǐng)域創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品，探討行業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2025-09-28 16:36:04754 深入探討航天發(fā)動(dòng)機(jī)的核心技術(shù)、發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)，揭開(kāi)這一尖端科技領(lǐng)域的神秘面紗。01航天發(fā)動(dòng)機(jī)的基本原理與分類航天發(fā)動(dòng)機(jī)本質(zhì)上是一種能量轉(zhuǎn)換裝置，將燃料的化學(xué)能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能，進(jìn)而產(chǎn)生推力
2025-09-25 11:24:36415 
順序排列并存儲(chǔ)在毛細(xì)血管內(nèi)。
電石存儲(chǔ)器：
3、化學(xué)計(jì)算的總體現(xiàn)狀與前景
二、生物計(jì)算
1、用活細(xì)胞實(shí)現(xiàn)AI
作者第七章才會(huì)介紹類腦芯片，到時(shí)候我們?cè)僖黄鹦蕾p吧。
這里只是先給我們打了個(gè)基礎(chǔ)概念。
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2025-09-15 17:29:10
一、引言
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝是實(shí)現(xiàn)碳化硅（SiC）襯底全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關(guān)重要?？偤穸绕睿═TV）作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的核心指標(biāo)之一，其精確控制
2025-09-11 11:56:41619 
，襯底是技術(shù)發(fā)展的基石與核心材料。藍(lán)寶石（α-Al?O?）憑借其卓越的物理、化學(xué)和光學(xué)特性，成為常用的襯底和窗口材料，如在LED襯底和紅外窗口中廣泛應(yīng)用。為提升藍(lán)寶石加工質(zhì)量，科研人員將超聲振動(dòng)引入CMP，開(kāi)發(fā)出藍(lán)寶石超聲振動(dòng)輔助
2025-09-04 11:37:58449 
AI 技術(shù)在機(jī)械制造領(lǐng)域的應(yīng)用仍處于發(fā)展階段，未來(lái)還需進(jìn)一步突破技術(shù)瓶頸，加強(qiáng)數(shù)據(jù)安全管理，培養(yǎng)復(fù)合型人才，以推動(dòng) AI 與機(jī)械制造的深度融合，讓機(jī)械制造行業(yè)在 AI 的賦能下實(shí)現(xiàn)更高效、更智能、更綠色的發(fā)展，創(chuàng)造更多的價(jià)值與輝煌。
2025-08-27 11:00:40947 
正如標(biāo)題所說(shuō)，我正在使用 ML51 來(lái)控制外部 MOS 組件，GPIO 類型在復(fù)位條件下非常重要。GPIO 是否處于高實(shí)現(xiàn)狀態(tài)？
2025-08-25 07:04:54
拋光（PEP）工藝具有拋光效率高、適用于復(fù)雜零件等優(yōu)勢(shì)，可有效改善表面質(zhì)量。本文借助光子灣科技共聚焦顯微鏡等表征手段，研究電解質(zhì)等離子拋光工藝對(duì)激光選區(qū)熔化成形T
2025-08-21 18:04:38600 
在半導(dǎo)體制造及濕法清洗工藝中，“化學(xué)槽NPP”通常指一種特定的工藝步驟或設(shè)備配置，其含義需要結(jié)合上下文來(lái)理解。以下是可能的解釋和詳細(xì)說(shuō)明：1.術(shù)語(yǔ)解析：NPP的可能含義根據(jù)行業(yè)慣例，“NPP”可能是
2025-08-13 10:59:37867 
、智能化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵階段。本文將結(jié)合最新行業(yè)動(dòng)態(tài)與技術(shù)突破，系統(tǒng)梳理鋁電解電容的發(fā)展現(xiàn)狀，并對(duì)其未來(lái)趨勢(shì)進(jìn)行前瞻性分析。 ### 一、行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀：高端化轉(zhuǎn)型與競(jìng)爭(zhēng)格局重塑 1. **市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張** 根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，
2025-08-07 16:18:081720 鋁合金反射鏡是大型太空望遠(yuǎn)鏡等光學(xué)系統(tǒng)核心部件，表面質(zhì)量影響成像精度。NiP鍍層經(jīng)單點(diǎn)金剛石車削后殘留螺旋狀刀痕，導(dǎo)致色散和重影，需進(jìn)一步拋光。磁流變拋光因高效、優(yōu)質(zhì)、低成本成為潛在方案。光子灣
2025-08-05 18:02:35629 在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）因其卓越的電導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性而成為制作高功率和高頻電子器件的理想材料。然而，為了實(shí)現(xiàn)這些器件的高性能，必須對(duì)SiC進(jìn)行精細(xì)的表面處理。化學(xué)機(jī)械拋光（CMP
2025-08-05 17:55:36985 ，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝引入的納米級(jí)表面形貌變化（如銅凹陷/凸起）會(huì)顯著影響鍵合質(zhì)量。傳統(tǒng)測(cè)量方法如原子力顯微鏡（AFM）雖然具有埃級(jí)分辨率，但其接觸式測(cè)量方式存在
2025-08-05 17:48:53864 相較于傳統(tǒng)CMOS工藝，TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn)，從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開(kāi)始，經(jīng)等離子體化學(xué)氣相沉積絕緣層、金屬黏附/阻擋/種子層的多層沉積，到銅電鍍填充及改進(jìn)型化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）處理厚銅層，每一步均需對(duì)既有設(shè)備與材料進(jìn)行適應(yīng)性革新，最終構(gòu)成三維集成的主要工藝成本來(lái)源。
2025-08-01 09:13:511976 、氧化物等。表面預(yù)處理：為光刻、沉積、刻蝕等工藝提供潔凈表面。化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）后清洗：去除磨料殘留和表面損傷層。二、突出特點(diǎn)1. 高效批量處理能力多槽聯(lián)動(dòng)設(shè)計(jì)：
2025-07-23 15:01:01
CMP是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的平坦化工藝，它通過(guò)機(jī)械磨削和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的方式，去除材料以實(shí)現(xiàn)平坦化。然而，由于其復(fù)雜性，CMP工藝中可能會(huì)出現(xiàn)多種缺陷。這些缺陷通常可以分為機(jī)械、化學(xué)和表面特性相關(guān)的類別。
2025-07-18 15:14:332300 ，RISC-V 國(guó)際基金會(huì)首席架構(gòu)師、SiFive 首席架構(gòu)師、加州伯克利分校研究生院名譽(yù)教授 Krste Asanovic分享了當(dāng)前 RISC-V 的發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)的重點(diǎn)方向。 ? 當(dāng)前，開(kāi)放標(biāo)準(zhǔn)
2025-07-17 12:20:445109 
人工智能技術(shù)的現(xiàn)狀與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì) ? ? 近年來(lái)，人工智能（AI）技術(shù)迅猛發(fā)展，深刻影響著各行各業(yè)。從計(jì)算機(jī)視覺(jué)到自然語(yǔ)言處理，從自動(dòng)駕駛到醫(yī)療診斷，AI的應(yīng)用場(chǎng)景不斷擴(kuò)展，推動(dòng)社會(huì)向智能化方向邁進(jìn)
2025-07-16 15:01:231428 污染物。 方法：濕法化學(xué)清洗（如SC-1溶液）或超聲波清洗。 硅片拋光后清洗 目的：清除拋光液殘留（如氧化層、納米顆粒），避免影響后續(xù)光刻精度。 方法：DHF（氫氟酸）腐蝕+去離子水沖洗。 2. 光刻工序 光刻膠涂覆前清洗 目的：去除硅
2025-07-14 14:10:021016 的背面減薄，通過(guò)研磨盤實(shí)現(xiàn)厚度均勻性控制（如減薄至50-300μm），同時(shí)保證表面粗糙度Ra≤0.1μm。 在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，研磨盤配合拋光液對(duì)晶圓表面進(jìn)行全局平坦化，滿足集成電路對(duì)層間平整度的要求。 ? 芯片封裝前處理 ? 對(duì)切
2025-07-12 10:13:41893 近日，北京工業(yè)大學(xué)機(jī)械類專業(yè)一百二十名學(xué)子，懷著探索未來(lái)科技的壯志與熱忱，分批次開(kāi)展為期兩日的深度研學(xué)。師生一行走進(jìn)北京昱櫟技術(shù)有限公司，正式開(kāi)啟智能科技實(shí)踐領(lǐng)域的探索之旅。本次研學(xué)依托校企協(xié)同模式
2025-07-11 18:03:591102 
在工程機(jī)械和農(nóng)用機(jī)械領(lǐng)域，穩(wěn)定性和安全性一直備受關(guān)注。在該領(lǐng)域中，慣性測(cè)量單元IMU F99系列傳感器正逐漸嶄露頭角，成為工程機(jī)械和農(nóng)用機(jī)械中的得力助手。哪怕是在外部加速度失真的情況下，IMU F99依然能保持高度準(zhǔn)確性，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)機(jī)械設(shè)備的傾角和加速度。
2025-07-11 16:34:51717 一、CMP工藝與拋光材料的核心價(jià)值化學(xué)機(jī)械拋光（ChemicalMechanicalPlanarization，CMP）是半導(dǎo)體制造中實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過(guò)“化學(xué)腐蝕+機(jī)械研磨
2025-07-05 06:22:087015 
化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, 簡(jiǎn)稱 CMP）技術(shù)是一種依靠化學(xué)和機(jī)械的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)工件表面材料去除的超精密加工技術(shù)。下圖是一個(gè)典型的 CMP 系統(tǒng)示意圖：
2025-07-03 15:12:552216 
(CMP)DSTlslurry斷供：物管通知受臺(tái)灣出口管制限制，F(xiàn)ab1DSTSlury(料號(hào):M2701505,AGC-TW)暫停供貨，存貨僅剩5個(gè)月用量(267桶)。DSTlslurry?是一種用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中的拋光液，主要用于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝。這種拋光液在制造過(guò)程中起著
2025-07-02 06:38:104461 DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場(chǎng)呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢(shì)延續(xù)的局面。未來(lái)，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場(chǎng)份額增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
2025-06-25 11:21:152013 
穩(wěn)定可靠地運(yùn)行，并執(zhí)行實(shí)時(shí)控制、數(shù)據(jù)采集、過(guò)程監(jiān)控等關(guān)鍵任務(wù)。本文將深入探討工控機(jī)的現(xiàn)狀、廣闊應(yīng)用以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，以期更好地理解其在工業(yè)領(lǐng)域的價(jià)值和潛力。工控機(jī)
2025-06-17 13:03:16643 
化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備（CMP）、量測(cè)設(shè)備與減薄機(jī)的關(guān)鍵工位，為芯片良率與生產(chǎn)效率提供底層支撐。從納米級(jí)的精度控制，到全流程的質(zhì)量守護(hù)，本文將通過(guò)15大經(jīng)典應(yīng)用場(chǎng)景，揭示明治
2025-06-17 07:33:231019 
銅互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同層電路的金屬互連技術(shù)，其核心在于通過(guò)“大馬士革”（Damascene）工藝實(shí)現(xiàn)銅的嵌入式填充。該工藝的基本原理是：在絕緣層上先蝕刻出溝槽或通孔，然后在溝槽或通孔中沉積銅，并通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）去除多余的銅，從而形成嵌入式的金屬線。
2025-06-16 16:02:023559 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，而CMP保持環(huán)（固定環(huán)）則是這一工藝中不可或缺的核心組件。CMP保持環(huán)的主要作用是固定晶圓位置，均勻分布拋光壓力，防止晶圓
2025-06-11 13:18:201293 
通過(guò)單晶生長(zhǎng)工藝獲得的單晶硅錠，因硅材質(zhì)硬脆特性，無(wú)法直接用于半導(dǎo)體芯片制造，需經(jīng)過(guò)機(jī)械加工、化學(xué)處理、表面拋光及質(zhì)量檢測(cè)等一系列處理流程，才能制成具有特定厚度和精度要求的硅片。其中，針對(duì)硅錠的晶片切割工藝是芯片加工流程中的關(guān)鍵工序，其加工效率與質(zhì)量直接影響整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)產(chǎn)能。
2025-06-06 14:10:09715 
隨著芯片技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)芯片制造中關(guān)鍵工藝的要求日益提高。化學(xué)鍍技術(shù)作為一種重要的表面處理技術(shù)，在芯片制造中發(fā)揮著不可或缺的作用。本文深入探討了化學(xué)鍍技術(shù)在芯片制造中的應(yīng)用現(xiàn)狀，分析了其原理、優(yōu)勢(shì)
2025-05-29 11:40:561502 
樣品切割和拋光配溫控液氮冷卻臺(tái)，去除熱效應(yīng)對(duì)樣品的損傷，有助于避免拋光過(guò)程中產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致的樣品融化或者結(jié)構(gòu)變化，氬離子切割制樣原理氬離子切割制樣是利用氬離子束（?1mm）來(lái)切割樣品，以獲得相比
2025-05-26 15:15:22479 
設(shè)備拋光機(jī)上的經(jīng)典應(yīng)用案例。企業(yè)背景與痛點(diǎn)廣東一半導(dǎo)體制造公司專注于高端芯片生產(chǎn)，其先進(jìn)的 12 英寸晶圓生產(chǎn)線采用了前沿的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)，旨在實(shí)現(xiàn)晶圓
2025-05-22 14:58:29
此前，5月15-18日，2025長(zhǎng)沙國(guó)際工程機(jī)械展盛大舉辦。致力成為全球非道路機(jī)械電動(dòng)化領(lǐng)航者，匯川技術(shù)以“精研場(chǎng)景，綠動(dòng)未來(lái)” 為主題，攜礦山、物流、建筑機(jī)械等全場(chǎng)景電動(dòng)化解決方案及新品亮相，展現(xiàn)了在行業(yè)電動(dòng)化浪潮中的技術(shù)引領(lǐng)力與全球化布局。
2025-05-22 11:49:56812 羅德與施瓦茨CMP180無(wú)線電通信測(cè)試儀R&SCMP180 無(wú)線電通信測(cè)試儀是面向未來(lái)的非信令測(cè)試解決方案，可在研發(fā)、驗(yàn)證和生產(chǎn)中用于無(wú)線設(shè)備測(cè)試。此測(cè)試儀具有的頻率、帶寬和射頻功能，能夠
2025-05-20 10:56:41
化學(xué)機(jī)械拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中關(guān)鍵的功能性耗材，其本質(zhì)是一個(gè)多組分的液體復(fù)合體系，在拋光過(guò)程中同時(shí)起到化學(xué)反應(yīng)與機(jī)械研磨的雙重作用，目的是實(shí)現(xiàn)晶圓表面多材料的平整化處理。
2025-05-14 17:05:541224 
摘要 ： 一種用于小直徑非球面 CCP 拋光的新概念，稱為Pea Puffer非球面，能夠生成那些對(duì)于大多數(shù) CCP 拋光方法來(lái)說(shuō)孔徑太小的非球面。Pea Puffer方法能夠在工業(yè)中以高質(zhì)量
2025-05-09 08:48:08
年首次工業(yè)化光學(xué)制造，直至當(dāng)今的技術(shù)演進(jìn)歷程。
從方法論角度分析光學(xué)制造技術(shù)，我們發(fā)現(xiàn)其核心僅基于約11種拋光技術(shù)：新鮮進(jìn)給拋光（FFP）、延性加工（DG）、化學(xué)拋光（CP）、碗式進(jìn)給拋光（BFP
2025-05-07 09:01:47
LED植物照明在農(nóng)業(yè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，高效節(jié)能，光照均勻，延長(zhǎng)生長(zhǎng)周期，提高產(chǎn)量和質(zhì)量，環(huán)保安全。發(fā)展現(xiàn)狀已廣泛應(yīng)用于設(shè)施農(nóng)業(yè)、植物工廠和家庭園藝。未來(lái)趨勢(shì)將智能化控制，多光譜結(jié)合和人性化設(shè)計(jì)。
2025-04-28 09:30:37701 在半導(dǎo)體制造工藝中，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，而CMP固定環(huán)（保持環(huán)）作為拋光頭的核心易耗部件，其性能影響著晶圓加工的良率和生產(chǎn)效率。隨著半導(dǎo)體技術(shù)向更小制程節(jié)點(diǎn)
2025-04-28 08:08:481204 
氬離子拋光技術(shù)氬離子拋光技術(shù)（ArgonIonPolishing,AIP）作為一種先進(jìn)的樣品制備方法，為電子顯微鏡（SEM）和電子背散射衍射（EBSD）分析提供了高質(zhì)量的樣品表面。下面將介紹氬離子
2025-04-27 15:43:51640 
STP4CMP 是一款基于電荷泵的 4 通道 LED 驅(qū)動(dòng)器，專為 RGB 照明或 LCD 顯示屏背光而設(shè)計(jì)。STP4CMP 使用輸入電壓在 2.7 V 和 5.5 V 之間的電池供電。該器件可產(chǎn)生
2025-04-14 17:42:55982 
著至關(guān)重要的作用。本文將深入探討甲烷傳感器市場(chǎng)的現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。 市場(chǎng)現(xiàn)狀 近年來(lái)，隨著全球環(huán)保意識(shí)的提升和甲烷排放監(jiān)管的加強(qiáng)，甲烷傳感器市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。根據(jù)市場(chǎng)研究報(bào)告，2024年全球甲烷傳感器市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)到一
2025-04-14 14:17:06794 過(guò)大數(shù)據(jù)分析的部分觀點(diǎn)，可能對(duì)您的企業(yè)規(guī)劃有一定的參考價(jià)值。點(diǎn)擊附件查看全文*附件：工業(yè)電機(jī)行業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析.doc
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2025-03-31 14:35:19
工藝:光刻膠除膠，蝕刻未被保護(hù)的SiO2，顯影，除膠。 材料:晶圓，研磨拋光材料，光按模板材料。光刻膠，電子化學(xué)品。工業(yè)氣體，靶材，封裝材料 硅片制造:單晶硅棒拉制，硅棒切片，硅片研磨拋光，硅片氧化
2025-03-27 16:38:20
近日，由人工智能產(chǎn)業(yè)工作委員會(huì)、人工智能場(chǎng)景化應(yīng)用與智能系統(tǒng)測(cè)評(píng)工業(yè)和信息化部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、燧原科技主辦的“智算集群建設(shè)的現(xiàn)狀與未來(lái)”閉門研討會(huì)順利召開(kāi)。
2025-03-25 11:14:331268 氬離子拋光技術(shù)的核心氬離子拋光技術(shù)的核心在于利用高能氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行精確的物理蝕刻。在拋光過(guò)程中，氬離子束與樣品表面的原子發(fā)生彈性碰撞，使表面原子或分子被濺射出來(lái)。這種濺射作用能夠在不引
2025-03-19 11:47:26626 
氬離子拋光技術(shù)又稱CP截面拋光技術(shù)，是利用氬離子束對(duì)樣品進(jìn)行拋光，可以獲得表面平滑的樣品，而不會(huì)對(duì)樣品造成機(jī)械損害。去除損傷層，從而得到高質(zhì)量樣品，用于在SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像
2025-03-17 16:27:36799 
（Czochralski）生長(zhǎng)為圓柱形硅錠。切割與拋光：硅錠切割成0.5-1mm厚的晶圓（常見(jiàn)尺寸12英寸/300mm），經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）達(dá)到納米級(jí)平整度。2.氧
2025-03-14 07:20:001443 ，適用于多種微觀分析技術(shù)。怎樣利用氬離子拋光技術(shù)氬離子拋光技術(shù)利用氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行轟擊，氬離子與樣品表面原子發(fā)生彈性碰撞，使表面原子逐漸被移除。與傳統(tǒng)的機(jī)械拋光
2025-03-10 10:17:50943 
EBSD樣品制備EBSD樣品的制備過(guò)程對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性有著極為重要的影響。目前，常用的EBSD樣品制備方法包括機(jī)械拋光、電解拋光和聚焦離子束（FIB）等，但這些方法各有其局限性。1.
2025-03-03 15:48:01692 
微反應(yīng)器是微加工或其他結(jié)構(gòu)化的設(shè)備，至少有一個(gè)(特性)尺寸小于1毫米。通常使用的最小結(jié)構(gòu)是幾十微米，但也有尺寸更小的例外。微反應(yīng)技術(shù)利用微反應(yīng)器進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)工程。流動(dòng)化學(xué)是一種由化學(xué)動(dòng)機(jī)(例如
2025-02-28 14:05:58724
DLPA2000的PWM_IN，CMP_OUT，SENS1，SENS2如果不用的話，該如何處理呢？
2025-02-27 07:46:36
微觀結(jié)構(gòu)的分析氬離子束拋光技術(shù)作為一種先進(jìn)的材料表面處理方法，憑借其精確的工藝參數(shù)控制，能夠有效去除樣品表面的損傷層，為高質(zhì)量的成像和分析提供理想的樣品表面。這一技術(shù)廣泛應(yīng)用于掃描電子顯微鏡（SEM
2025-02-26 15:22:11618 
功率放大器作為一種重要的電子器件，在高校機(jī)械學(xué)院中有著廣泛的應(yīng)用，涵蓋了實(shí)驗(yàn)教學(xué)、科研項(xiàng)目和實(shí)際工程等多個(gè)領(lǐng)域。本文將介紹功率放大器在高校機(jī)械學(xué)院中的應(yīng)用現(xiàn)狀，并探討其對(duì)教學(xué)和科研的貢獻(xiàn)。 一
2025-02-26 11:02:34584 
氬離子拋光技術(shù)作為一種前沿的材料表面處理手段，憑借其高效能與精細(xì)效果的結(jié)合，為眾多領(lǐng)域帶來(lái)了突破性的解決方案。它通過(guò)低能量離子束對(duì)材料表面進(jìn)行精準(zhǔn)加工，不僅能夠快速實(shí)現(xiàn)拋光效果，還能在微觀尺度上保留
2025-02-24 22:57:14775 
氬離子拋光技術(shù)憑借其獨(dú)特的原理和顯著的優(yōu)勢(shì)，在精密樣品制備領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。該技術(shù)以氬氣為介質(zhì)，在真空環(huán)境下，通過(guò)電離氬氣產(chǎn)生氬離子束，對(duì)樣品表面進(jìn)行精準(zhǔn)轟擊，實(shí)現(xiàn)物理蝕刻，從而去除表面損傷層
2025-02-21 14:51:49766 
了堅(jiān)實(shí)有力的技術(shù)支撐。SEM分析在這之前，樣品的制備是至關(guān)重要的一步。傳統(tǒng)的研磨和拋光方法雖然在一定程度上能夠滿足樣品表面處理的需求，但往往會(huì)對(duì)樣品表面造成不可逆
2025-02-20 12:05:02584 
？未來(lái)還將在哪里發(fā)光發(fā)熱？?? ? ? ? HDD和SSD 硬盤作為計(jì)算機(jī)中不可或缺的存儲(chǔ)設(shè)備，承擔(dān)著數(shù)據(jù)保存和讀取的重要任務(wù)。隨著科技的進(jìn)步，硬盤的種類也日益豐富，以滿足不同用戶的需求。硬盤有機(jī)械硬盤(Hard Disk Drive，HDD)和固態(tài)硬盤(SSD)之分。 機(jī)械
2025-02-17 11:39:325007 一、環(huán)氧樹(shù)脂在IGBT模塊封裝中的應(yīng)用現(xiàn)狀 1. **核心應(yīng)用場(chǎng)景與工藝** ? IGBT模塊封裝中，環(huán)氧樹(shù)脂主要通過(guò)灌封（Potting）和轉(zhuǎn)模成型（Molding）兩種工藝實(shí)現(xiàn)。 ? 灌封工藝
2025-02-17 11:32:1736477 本文綜述了光譜電化學(xué)（SEC）技術(shù)的最新進(jìn)展。光譜和電化學(xué)的結(jié)合使SEC能夠?qū)﹄?b class="flag-6" style="color: red">化學(xué)反應(yīng)過(guò)程中分析物的電子轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)和振動(dòng)光譜指紋進(jìn)行詳細(xì)而全面的研究。盡管SEC是一種有前景的技術(shù)，但SEC技術(shù)
2025-02-14 15:07:59619 展開(kāi)分析。 原理： 研磨通過(guò)機(jī)械去除與化學(xué)協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)材料精密去除。傳統(tǒng)研磨依賴金剛石等超硬磨料的機(jī)械切削，而新型工藝結(jié)合化學(xué)腐蝕（如機(jī)械化學(xué)研磨），可減少表面損傷并提升效率。 技術(shù)難點(diǎn)： 應(yīng)力控制：機(jī)械研磨易引入微裂紋和殘余應(yīng)力，需
2025-02-14 11:06:332769 。 ? 2，grinding ：將硅片背面研磨，減薄到適宜厚度，采用機(jī)械拋光的方法 ? 3，Si etch：在背面減薄之后，硅片背面會(huì)有很
2025-02-12 09:33:182057 
外延片的質(zhì)量和性能。因此，采用高效的化學(xué)機(jī)械清洗方法，以徹底去除SiC外延片表面的污染物，成為保證外延片質(zhì)量的關(guān)鍵步驟。本文將詳細(xì)介紹SiC外延片的化學(xué)機(jī)械清洗方法
2025-02-11 14:39:46414 
文章首先介紹了電化學(xué)傳感器的構(gòu)成，對(duì)傳統(tǒng)的信號(hào)調(diào)理電路進(jìn)行了簡(jiǎn)要分析，指出經(jīng)典電路在設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)時(shí)存在的一些局限性以及在傳感器電極故障狀態(tài)檢測(cè)中遇到的困難。隨后介紹了電化學(xué)傳感器模擬前端
2025-02-11 08:02:11
利用氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行物理濺射，從而達(dá)到拋光的效果。在這個(gè)過(guò)程中，氬氣作為惰性氣體，不會(huì)與樣品發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，保證了樣品的原始性質(zhì)不被破壞。通過(guò)精確控制離子束的
2025-02-10 11:45:38924 
實(shí)現(xiàn)表面的精細(xì)拋光。氬離子拋光的優(yōu)勢(shì)在于氬氣的惰性特性。氬氣不會(huì)與樣品發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，因此在拋光過(guò)程中，樣品的化學(xué)性質(zhì)得以保持，為研究者提供了一種理想的表面處理方法。
2025-02-07 14:03:34867 
但隨著技術(shù)迭代，晶體管尺寸持續(xù)縮減，電阻電容（RC）延遲已成為制約集成電路性能的關(guān)鍵因素。在90納米及以下工藝節(jié)點(diǎn)，銅開(kāi)始作為金屬互聯(lián)材料取代鋁，同時(shí)采用低介電常數(shù)材料作為介質(zhì)層，這一轉(zhuǎn)變主要依賴于銅大馬士革工藝（包括單鑲嵌與雙鑲嵌）與化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)的結(jié)合。
2025-02-07 09:39:385480 
高功率固態(tài)電子器件領(lǐng)域極具應(yīng)用潛力。 然而，金剛石的高硬度和生長(zhǎng)速率低、尺寸小等問(wèn)題，限制了其在大尺寸晶圓制備中的應(yīng)用。今天，我們就一同深入探究大尺寸金剛石晶圓復(fù)制技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀與未來(lái)趨勢(shì)。 ? 常規(guī)半導(dǎo)體復(fù)制
2025-02-07 09:16:061039 
中國(guó)石墨烯現(xiàn)狀 產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)：中國(guó)石墨烯市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)迅猛，2017年為70億元，2022年達(dá)335億元，同比增長(zhǎng)26.42%，2023年約為386億元。 企業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)良好：截至2020年6月底
2025-01-28 15:20:001751 氬離子拋光技術(shù)氬離子束拋光技術(shù)，亦稱為CP（ChemicalPolishing）截面拋光技術(shù)，是一種先進(jìn)的樣品表面處理手段。該技術(shù)通過(guò)氬離子束對(duì)樣品進(jìn)行精密拋光，利用氬離子束的物理轟擊作用，精確控制
2025-01-22 22:53:04759 
電化學(xué)微通道反應(yīng)器概述 電化學(xué)微通道反應(yīng)器是一種結(jié)合了電化學(xué)技術(shù)和微通道反應(yīng)器優(yōu)點(diǎn)的先進(jìn)化學(xué)反應(yīng)設(shè)備。雖然搜索結(jié)果中沒(méi)有直接提到“電化學(xué)微通道反應(yīng)器”，但我們可以根據(jù)提供的信息，推測(cè)其可能的工作原理
2025-01-22 14:34:23797 去除表面損傷層和不平整部分，達(dá)到高度平滑的效果。與傳統(tǒng)機(jī)械研磨拋光相比，氬離子拋光在多個(gè)方面展現(xiàn)出無(wú)可比擬的優(yōu)越性。氬離子拋光的工作原理氬離子拋光的核心原理在于氬氣在
2025-01-16 23:03:28586 
AGV+機(jī)械臂復(fù)合機(jī)器人逐漸打開(kāi)市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)物料自動(dòng)搬運(yùn)、上下料、分揀等“無(wú)人搬運(yùn)”。結(jié)合信息系統(tǒng)運(yùn)作，調(diào)度人員下達(dá)指令，實(shí)現(xiàn)車間智能化，是未來(lái)機(jī)器人技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)。
2025-01-16 18:12:51849 
沉甸甸的獎(jiǎng)杯不僅是對(duì)過(guò)去努力的認(rèn)可，更是對(duì)未來(lái)合作的美好期許。電子發(fā)燒友將以此為契機(jī)，繼續(xù)深化與機(jī)械工業(yè)出版社的合作關(guān)系，進(jìn)一步提升服務(wù)品質(zhì)和技術(shù)交流水平，共同為中國(guó)電子信息技術(shù)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
未來(lái)
2025-01-10 17:00:40
固態(tài)繼電器（SSR）和機(jī)械繼電器之間的爭(zhēng)論由來(lái)已久。然而，從未來(lái)發(fā)展的角度來(lái)看，固態(tài)繼電器正逐漸占據(jù)上風(fēng)。本文將從耐用性、速度和能效三個(gè)方面，全面剖析固態(tài)繼電器為何更具優(yōu)勢(shì)，并探討其在行業(yè)中的應(yīng)用與發(fā)展趨勢(shì)。
2025-01-10 15:45:041304 。這一精密而復(fù)雜的流程主要包括以下幾個(gè)工藝過(guò)程：晶圓制造工藝、熱工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝、薄膜淀積工藝、化學(xué)機(jī)械拋光工藝。 ? ? ? 晶圓制造工藝 晶圓制造工藝包括單晶生長(zhǎng)、晶片切割和晶圓清洗。 ? 半導(dǎo)
2025-01-08 11:48:344048 
在材料科學(xué)和工程領(lǐng)域，樣品的制備對(duì)于后續(xù)的分析和測(cè)試至關(guān)重要。傳統(tǒng)的制樣方法，如機(jī)械拋光和研磨，雖然在一定程度上可以滿足要求，但往往存在耗時(shí)長(zhǎng)、操作復(fù)雜、容易損傷樣品表面等問(wèn)題。隨著技術(shù)的發(fā)展，氬
2025-01-08 10:57:36658 
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