本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了蝕刻時(shí)間和氧化劑對(duì)用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺射的ZnO薄膜在氫氧化銨(NH4OH)溶液中腐蝕，全面研究了刻蝕時(shí)間和添加H2O2溶液對(duì)多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影響。

氧化鋅是使用A500愛德華茲射頻磁控濺射單元沉積在基板上的，基板固定在目標(biāo)上方10厘米的旋轉(zhuǎn)基板支架上，使用了兩個(gè)直徑為76.2mm（純度為>99.99%的氧化鋅濺射靶點(diǎn)）。在引入高純度(5N)氬氣之前，濺射室被泵送到大約5×10-5mbar的壓力，在此過(guò)程中，腔室壓力保持在2.0×10-2mbar，射頻功率調(diào)節(jié)在200W，目標(biāo)被預(yù)濺射10min，以消除任何可能的污染。薄膜在室溫下沉積2h。

因此氧化鋅薄膜上的造芽變得更加突出，然而隨著蝕刻過(guò)程持續(xù)到5min，氧化鋅上的晶粒變小，一些晶粒被破壞，如圖2(c)所示同時(shí)，圖2(d)到2(f)顯示了用100ml銨根OH和1mL過(guò)氧化氫在不同蝕刻時(shí)間混合蝕刻的多孔氧化鋅表面形貌的掃描電鏡圖像。圖2(d)顯示，在1min的刻蝕時(shí)間內(nèi)，氧化鋅膜上形成了小孔隙，蝕刻時(shí)間的增加與孔隙較大的形成相對(duì)應(yīng)，如圖2(e)所示，較長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間為5min，導(dǎo)致氧化鋅上的晶粒溶解并變小，如圖2(f)所示。

綜上所述，研究了用銨根OH和銨根OH和過(guò)氧化氫混合物在不同蝕刻時(shí)間制備的多孔氧化鋅薄膜的表面特性。蝕刻處理后，生長(zhǎng)的氧化鋅膜的葉狀結(jié)構(gòu)變成不規(guī)則的孔。隨著蝕刻時(shí)間的增加，顆粒狀氧化鋅溶解面積越多，孔徑越大，顆粒變小。此外，較長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間增加了多孔氧化鋅的表面粗糙度。當(dāng)用100mL銨根OH和1mL過(guò)氧化氫的混合物蝕刻氧化鋅薄膜時(shí)，其形貌和表面粗糙度的觀察結(jié)果相似。而在銨根OH和過(guò)氧化氫溶液的蝕刻作用下，表面粗糙度較高。這一結(jié)果表明，在蝕刻溶液中加入氧化劑可以提高蝕刻速率。

　　審核編輯：湯梓紅