其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例,這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來(lái)的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時(shí)代,不僅需要EUV光刻機(jī),更需要EUV光刻膠的參與。但在過(guò)去 國(guó)內(nèi)長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)
2025-10-28 08:53:35
6234 Luminbox太陽(yáng)光模擬器,精準(zhǔn)模擬太空紫外光譜,系統(tǒng)探究了兩種硅橡膠材料在模擬太陽(yáng)紫外輻照下的結(jié)構(gòu)與性能演變規(guī)律,為航天服材料的選用與壽命評(píng)估提供理論依據(jù)。研
2026-01-05 18:02:03
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您現(xiàn)在正在為一座新園區(qū)制定計(jì)劃,這里將成為多個(gè)總部、研發(fā)機(jī)構(gòu)、自動(dòng)化工廠(chǎng)、以及一兩處停車(chē)場(chǎng)的所在地??紤]的一個(gè)問(wèn)題就是連接園區(qū)網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)設(shè)施。 1選擇的將會(huì)是光纖,然而,是哪種光纖呢? 你們當(dāng)中
2025-12-25 10:18:05
190 DLP7000UV:高性能紫外光數(shù)字微鏡器件的深度解析 在如今的電子科技領(lǐng)域,數(shù)字微鏡器件(DMD)在眾多應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。DLP7000UV作為一款專(zhuān)為紫外光應(yīng)用設(shè)計(jì)的數(shù)控MEMS空間光
2025-12-15 10:50:06
1028 很多朋友在組建網(wǎng)絡(luò)時(shí)都會(huì)遇到一個(gè)核心問(wèn)題:我到底該用多模光纖還是單模光纖?今天,小易就為大家徹底講清楚這兩者的區(qū)別,幫助您做出最經(jīng)濟(jì)、高效的選擇。
2025-12-08 14:12:20
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、定位偏差等導(dǎo)致的精度問(wèn)題。 邁威選擇性波峰焊視覺(jué)編程系統(tǒng)以創(chuàng)新的實(shí)時(shí)在機(jī)視覺(jué)編程技術(shù),徹底改變了這一現(xiàn)狀。該系統(tǒng)通過(guò)高精度工業(yè)相機(jī)直接對(duì)已裝夾的PCB板進(jìn)行快速掃描與成像,使編程人員能夠基于真實(shí)的板卡狀態(tài)進(jìn)行可視化操作,
2025-12-05 08:54:36
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支持 PWM 信號(hào)輸入實(shí)現(xiàn)亮度(功率)調(diào)節(jié),可根據(jù)不同殺菌場(chǎng)景(如快速殺菌、長(zhǎng)效抑菌)切換紫外光強(qiáng)度,常亮不調(diào)光時(shí)將 EN 腳與 VDD 腳短接即可,操作便捷。可靠性設(shè)計(jì)貼合紫外殺菌燈的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行
2025-11-28 16:07:03
高分子材料因質(zhì)輕、耐腐、加工性好等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、電子電器等領(lǐng)域。太陽(yáng)光中的紫外輻射是導(dǎo)致戶(hù)外高分子材料老化的首要環(huán)境因素。為在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)實(shí)現(xiàn)可控、可重復(fù)及加速的老化研究,太陽(yáng)光模擬器成為關(guān)鍵
2025-11-19 18:03:00
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具備光催化活性,在實(shí)際太陽(yáng)光(含紫外光譜)照射下會(huì)激發(fā)產(chǎn)生電子-空穴對(duì),引發(fā)界面氧化還原反應(yīng),導(dǎo)致相鄰鈣鈦礦層的催化分解,嚴(yán)重制約了電池的長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性。以TiO?
2025-10-27 09:03:59
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一、引言
玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ??偤穸绕睿═TV)是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo),其厚度
2025-10-09 16:29:24
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EUV(極紫外)光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長(zhǎng),成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝,其光刻后形成的三維圖形(如鰭片、柵極、接觸孔等)尺寸通常在 5-50nm 范圍,高度 50-500nm。
2025-09-20 09:16:09
592 技術(shù)等領(lǐng)域加速老化測(cè)試、耐候性評(píng)估的核心工具。下文,光子灣科技將從光源選擇、光譜調(diào)節(jié)、溫控設(shè)計(jì)、設(shè)備選型四個(gè)方面,詳解UV紫外鹵素?zé)籼?yáng)模擬器的設(shè)計(jì)原理。光源選擇
2025-09-17 18:03:18
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隨著AI技術(shù)應(yīng)用越來(lái)越廣,算力需求激增,光通信系統(tǒng)正加速向小型化、高密度、多通道方向演進(jìn)。硅光芯片、高速光模塊等核心器件內(nèi)部的光纖通道數(shù)量成倍增加,波導(dǎo)結(jié)構(gòu)愈發(fā)精細(xì),傳統(tǒng)檢測(cè)手段因分辨率不足、效率
2025-09-17 17:37:02
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在電子制造行業(yè), 選擇性波峰焊(Selective Wave Soldering,簡(jiǎn)稱(chēng) SWS) ?已經(jīng)成為解決局部焊接需求的重要工藝。它能夠在同一塊 PCB 上,對(duì)不同區(qū)域?qū)崿F(xiàn)差異化焊接,避免整板
2025-09-17 15:10:55
1010 選擇合適的光纖適配器需綜合考慮接口類(lèi)型、應(yīng)用場(chǎng)景、性能參數(shù)、兼容性及成本等因素。以下是詳細(xì)的選擇指南和實(shí)操建議: 一、明確核心需求:接口類(lèi)型與連接方式 光纖適配器的核心功能是連接不同類(lèi)型的光纖或設(shè)備
2025-09-17 10:11:45
630 一、核心綜合優(yōu)勢(shì) 1.高性?xún)r(jià)比 在保障性能、可靠性與擴(kuò)展性的基礎(chǔ)上,有效控制成本,為用戶(hù)提供兼具品質(zhì)與經(jīng)濟(jì)性的選擇,該優(yōu)勢(shì)在需求中多次提及,是設(shè)備核心競(jìng)爭(zhēng)力之一。 2.強(qiáng)靈活性 依托模塊化設(shè)計(jì)與擴(kuò)展
2025-09-10 17:11:17
604 那么,選擇性波峰焊和手工焊之間究竟有什么區(qū)別呢?它們各自又有哪些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)? 1.焊接質(zhì)量 從焊接質(zhì)量的角度來(lái)看,選擇性波峰焊通常優(yōu)于手工焊接。研究表明,選擇性波峰焊的一致性高達(dá)95%以上,而手工
2025-09-10 17:10:05
637 多模光纖型號(hào)的選擇需根據(jù)傳輸距離、帶寬需求、成本預(yù)算及未來(lái)擴(kuò)展性綜合評(píng)估,推薦企業(yè)按以下場(chǎng)景直接選用對(duì)應(yīng)型號(hào): 一、按傳輸距離與速率需求選擇 短距離( OM3:支持10Gbps傳輸300米,40G
2025-09-10 10:10:06
591 在光纖器件與模塊的規(guī)模化制造中,每一個(gè)微小的裂紋、瑕疵都可能成為網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中潛在的“定時(shí)炸彈”。一些高精度檢測(cè)設(shè)備雖性能卓越,但其高昂的成本和復(fù)雜的操作流程,往往讓大批量、低售價(jià)、全檢式的產(chǎn)線(xiàn)
2025-08-29 20:50:43
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選擇性波峰焊以其精準(zhǔn)焊接、高效生產(chǎn)和自動(dòng)化優(yōu)勢(shì),已成為SMT后段工藝中不可或缺的一環(huán)。AST埃斯特憑借領(lǐng)先的技術(shù)和優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品,為電子制造企業(yè)提供了強(qiáng)有力的插件焊接設(shè)備解決方案。無(wú)論是消費(fèi)電子還是
2025-08-28 10:11:44
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在電子制造智能化、精細(xì)化的趨勢(shì)下,選擇一款 高效、穩(wěn)定、可追溯 的焊接設(shè)備,是企業(yè)提升競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵。
AST SEL-31 單頭選擇性波峰焊,以 精度、效率與智能化 為核心,為客戶(hù)帶來(lái)穩(wěn)定可靠的生產(chǎn)力。無(wú)論是 汽車(chē)電子、通信設(shè)備、工業(yè)控制,還是消費(fèi)電子,AST 都能為您提供量身定制的解決方案。
2025-08-28 10:05:39
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一、為什么通孔焊接需要選擇性波峰焊? 傳統(tǒng)波峰焊(整板浸錫)的痛點(diǎn): 浪費(fèi)錫料:僅 10% 通孔需要焊接,其余 90% 焊盤(pán)被冗余覆蓋 熱損傷風(fēng)險(xiǎn):電容、晶振等熱敏元件耐溫<260℃,整板過(guò)爐易失效
2025-08-27 17:03:50
686 隨著科技的不斷進(jìn)步,光纖光譜儀在材料分析、化學(xué)分離、環(huán)境檢測(cè)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。而市場(chǎng)上光纖光譜儀的種類(lèi)繁多,如何選擇一款合適的光纖光譜儀成為了用戶(hù)關(guān)注的焦點(diǎn)。根據(jù)市場(chǎng)研究,預(yù)計(jì)光譜儀市場(chǎng)自
2025-08-26 16:43:20
586 在電子制造領(lǐng)域,技術(shù)的每一次微小進(jìn)步,都可能引發(fā)行業(yè)的巨大變革。AST 埃斯特作為行業(yè)內(nèi)的佼佼者,憑借一系列軟件著作權(quán)專(zhuān)利,在選擇性波峰焊及相關(guān)領(lǐng)域展現(xiàn)出非凡的創(chuàng)新實(shí)力,為企業(yè)生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量提升注入強(qiáng)大動(dòng)力。
2025-08-25 10:15:03
528 在電子制造領(lǐng)域,焊接工藝的優(yōu)劣直接關(guān)乎產(chǎn)品質(zhì)量與生產(chǎn)效率。隨著電子產(chǎn)品朝著小型化、高密度化發(fā)展,傳統(tǒng)焊接工藝逐漸難以滿(mǎn)足復(fù)雜電路板的焊接需求。選擇性波峰焊作為一種先進(jìn)的焊接技術(shù),正憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在行業(yè)內(nèi)嶄露頭角,為電子制造帶來(lái)新的變革,AST 埃斯特在這一領(lǐng)域擁有深厚技術(shù)積累與豐富實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。
2025-08-25 09:53:25
919 在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn),為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:46
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在追求高效率和高質(zhì)量的電子制造領(lǐng)域,選擇性焊接工藝對(duì)確保最終產(chǎn)品可靠性至關(guān)重要。AST埃斯特推出的SEL-32D選擇性焊接機(jī),憑借其創(chuàng)新的在線(xiàn)式設(shè)計(jì)、精密的分段焊接控制以及穩(wěn)定的性能參數(shù),已成為滿(mǎn)足現(xiàn)代SMT后段焊接需求的理想工業(yè)設(shè)備。
2025-08-20 16:52:04
666 AST ASEL-450是一款高性能的離線(xiàn)式選擇性波峰焊設(shè)備,專(zhuān)為中小批量、多品種的PCB焊接需求設(shè)計(jì)。該機(jī)型采用一體化集成設(shè)計(jì),將噴霧、預(yù)熱和焊接功能融為一體,不僅節(jié)省空間,還顯著降低能耗,是電子制造企業(yè)中理想的選擇性焊接設(shè)備。
2025-08-20 16:49:42
648 澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(jī)(EBL)是一款高性能、高精度的光刻設(shè)備,專(zhuān)為半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨率光刻需求設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用先進(jìn)的場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)Y(jié)合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng),確保光刻質(zhì)量?jī)?yōu)異且
2025-08-15 15:14:01
電子束光刻(EBL)是一種無(wú)需掩模的直接寫(xiě)入式光刻技術(shù),其工作原理是通過(guò)聚焦電子束在電子敏感光刻膠表面進(jìn)行納米級(jí)圖案直寫(xiě)。
2025-08-14 10:07:21
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惡劣環(huán)境 防水防潮:光纖暴露在雨雪、潮濕環(huán)境中易導(dǎo)致性能下降或損壞,套管(如金屬軟管、PVC管)可有效隔絕水分。 防紫外線(xiàn):長(zhǎng)期紫外線(xiàn)照射會(huì)加速光纖外護(hù)套老化,套管(如黑色PE管)能提供紫外線(xiàn)防護(hù)。 防機(jī)械損傷:在道路、施
2025-08-07 09:45:21
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光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟,其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下,光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí),傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿(mǎn)足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43
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線(xiàn)(UV),同時(shí)透過(guò) 500-600nm 的黃色安全光波段,在避免紫外線(xiàn)危害的同時(shí),滿(mǎn)足特定場(chǎng)景的照明需求。?在光刻車(chē)間、半導(dǎo)體工廠(chǎng)、實(shí)驗(yàn)室等對(duì)紫外線(xiàn)敏感的場(chǎng)所,紫
2025-08-04 20:52:27
光纖布線(xiàn)已成為現(xiàn)代網(wǎng)絡(luò)的骨干,提供高帶寬、低延遲和長(zhǎng)距離傳輸能力。但升級(jí)總是合適的時(shí)機(jī)嗎?本光纖布線(xiàn)選擇指南可幫助您根據(jù)三個(gè)關(guān)鍵因素判斷現(xiàn)在是否是購(gòu)買(mǎi)光纖布線(xiàn)的最佳時(shí)機(jī):項(xiàng)目階段(新建 vs. 改造
2025-07-30 10:53:53
391 極紫外光刻(EUVL)技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝制程的關(guān)鍵路徑,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當(dāng)前,LPP-EUV 光源是極紫外光刻機(jī)所采用的主流光源,其工作原理是利用波長(zhǎng)為 10.6um 的紅外
2025-07-22 17:20:36
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應(yīng)用。傳統(tǒng)光伏模塊(如晶硅電池)雖效率高,但完全遮擋光線(xiàn),導(dǎo)致室內(nèi)熱增益增加。因此,光譜選擇性設(shè)計(jì)成為解決這一問(wèn)題的有效途徑。本研究開(kāi)發(fā)了一種柔性PDMS/ITO/PET
2025-07-22 09:51:27
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晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟,分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹:一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移:將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面
2025-07-15 15:00:22
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光刻膠,又稱(chēng)光致抗蝕劑,是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線(xiàn)等的照射或輻射下,溶解度會(huì)發(fā)生變化,主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。由于
2025-07-11 15:53:24
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CPO模塊面臨的挑戰(zhàn)與光纖微裂紋的風(fēng)險(xiǎn)高密度集成:CPO將光引擎與計(jì)算芯片(如ASIC、GPU、CPU)緊密封裝在同一個(gè)基板或插槽上,空間極其緊湊。高頻彎曲與應(yīng)力集中:為了在狹小空間內(nèi)布線(xiàn),光纖跳線(xiàn)
2025-07-11 09:08:45
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什么是PID光離子化傳感器? 光離子傳感器(PID)是一種利用 高能量紫外光 將檢測(cè)物從分子狀態(tài)離子化成離子和電子的傳感器,用于 檢測(cè)低濃度的揮發(fā)性有機(jī)物(VOC)和少量的氣態(tài)無(wú)機(jī)物質(zhì) 。光離子化
2025-07-10 10:29:47
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選擇正確的光纖尾纖取決于應(yīng)用、距離和設(shè)備。以下是需要考慮的因素: 1. 選擇正確的光纖類(lèi)型:?jiǎn)文_€是多模 單模光纖尾纖(OS2)專(zhuān)為城域網(wǎng)、骨干鏈路或5G前傳等長(zhǎng)距離傳輸而設(shè)計(jì)。它們具有低插入損耗
2025-07-09 09:54:28
668 本文主要介紹了光的分類(lèi)和紫外線(xiàn)的定義,以及紫外線(xiàn)的特性、應(yīng)用和固化原理。
2025-06-30 17:27:51
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的應(yīng)用。 改善光刻圖形線(xiàn)寬變化的方法 優(yōu)化曝光工藝參數(shù) 曝光是決定光刻圖形線(xiàn)寬的關(guān)鍵步驟。精確控制曝光劑量,可避免因曝光過(guò)度導(dǎo)致光刻膠過(guò)度反應(yīng),使線(xiàn)寬變寬;或曝光不足造成線(xiàn)寬變窄。采用先進(jìn)的曝光設(shè)備,如極紫外(EUV)光刻機(jī)
2025-06-30 15:24:55
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聯(lián)網(wǎng)終端需應(yīng)對(duì)碎片化訂單,傳統(tǒng)大批量流水線(xiàn)遭遇致命挑戰(zhàn):換線(xiàn)成本高、治具開(kāi)發(fā)周期長(zhǎng)、小批量生產(chǎn)虧損。當(dāng)“柔性響應(yīng)能力”成為制造企業(yè)生死線(xiàn),選擇性波峰焊正成為破局關(guān)鍵。
傳統(tǒng)焊接:柔性生產(chǎn)鏈條上
2025-06-30 14:54:24
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻圖形的垂直度對(duì)器件的電學(xué)性能、集成密度以及可靠性有著重要影響。精準(zhǔn)控制光刻圖形垂直度是保障先進(jìn)制程工藝精度的關(guān)鍵。本文將系統(tǒng)介紹改善光刻圖形垂直度的方法,并
2025-06-30 09:59:13
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是 ASML 在極紫外光刻(EUV)技術(shù)基礎(chǔ)上的革命性升級(jí)。通過(guò)將光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)從 0.33 提升至 0.55,其分辨率從 13.5nm(半節(jié)距)躍升至 8nm(半節(jié)
2025-06-29 06:39:00
1916 在 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))制造領(lǐng)域,光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計(jì)圖案對(duì)準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻 Overlay 指的是芯片制造過(guò)程中,前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對(duì)準(zhǔn)精度。
2025-06-18 11:30:49
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在現(xiàn)代科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用中,離子選擇性電極和pH測(cè)量扮演著至關(guān)重要的角色。這些技術(shù)廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、食品工業(yè)、醫(yī)藥研究以及化學(xué)分析等領(lǐng)域。Keithley 6517B靜電計(jì)作為一種高精度、高靈敏度
2025-06-18 10:52:34
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聲波振蕩、等離子體處理和超臨界干燥,確保掩膜板圖案的完整性與光刻精度。該設(shè)備適用于EUV(極紫外光刻)、ArF(氟化氬光刻)及傳統(tǒng)光刻工藝,支持6寸至30寸掩膜板的
2025-06-17 11:06:03
通過(guò)使用光掩膜和光刻膠在基板上復(fù)制流體圖案的過(guò)程?;鍖⑼扛补瓒趸瘜咏^緣層和光刻膠。光刻膠在被紫外光照射后可以容易地用顯影劑溶解,然后在腐蝕后,流體圖案將留在基板上。無(wú)塵室(Cleanroom)排除掉空間范圍內(nèi)空氣中的微
2025-06-16 14:36:25
1070 干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 ? 減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法 ? 優(yōu)化光刻膠材料選擇 ? 選擇與半導(dǎo)體襯底兼容性良好的光刻膠材料,可增強(qiáng)光刻膠與襯底的粘附力,減少剝離時(shí)對(duì)襯底的損傷風(fēng)險(xiǎn)。例如,針對(duì)特定的硅基襯
2025-06-14 09:42:56
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LC并非特指某一種光纖,而是一種小型化、模塊化的光纖連接器類(lèi)型,廣泛應(yīng)用于光通信領(lǐng)域,用于實(shí)現(xiàn)光纖與設(shè)備或光纖與光纖之間的低損耗、高可靠性連接。以下是對(duì)LC光纖連接器的詳細(xì)介紹: 一、LC光纖連接器
2025-06-12 09:46:57
1435 網(wǎng)絡(luò)性能下降甚至故障的隱形"殺手"。傳統(tǒng)檢測(cè)手段精度不足、效率低下,如何快速定位隱患,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)維護(hù)?武漢昊衡科技OLI光纖微裂紋檢測(cè)儀,以革新科技為光纖安全保駕護(hù)航!技術(shù)原理:白光相干
2025-06-11 17:29:39
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的隱形"殺手"。傳統(tǒng)檢測(cè)手段精度不足、效率低下,如何快速定位隱患,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)維護(hù)?武漢昊衡科技 OLI光纖微裂紋檢測(cè)儀 ,以革新科技為光纖安全保駕護(hù)航! 技術(shù)原理:白光相干技術(shù)賦能,科學(xué)定位隱患 OLI光纖微裂紋檢測(cè)儀基于 白光相干技
2025-06-11 11:41:29
620 光纖配線(xiàn)架的環(huán)境適配性主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 溫度與濕度適應(yīng)性:光纖配線(xiàn)架應(yīng)能在特定的溫度和濕度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。一般來(lái)說(shuō),其工作溫度范圍較寬,如-40℃至+85℃,相對(duì)濕度也有明確限制,以確保在
2025-06-11 10:31:06
434 選擇光纖配線(xiàn)架時(shí),需綜合考慮技術(shù)參數(shù)、環(huán)境適配性、管理需求、成本與擴(kuò)展性等多方面因素。以下是具體分析框架和關(guān)鍵考量點(diǎn): 一、核心參數(shù)匹配 光纖芯數(shù)與端口密度 需求匹配:根據(jù)當(dāng)前光纖芯數(shù)(如24芯
2025-06-11 10:13:53
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在材料研發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量控制領(lǐng)域,紫外老化試驗(yàn)箱扮演著至關(guān)重要的角色。它能模擬自然環(huán)境中的紫外輻射、溫度、濕度等條件,加速材料老化過(guò)程,幫助科研人員和生產(chǎn)者快速評(píng)估材料的耐候性與使用壽命。?上海和晟HS
2025-06-11 10:02:57
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,推出OLI光纖微裂紋檢測(cè)儀,以秒級(jí)檢測(cè)、微米級(jí)定位、分布式回?fù)p分析為核心優(yōu)勢(shì),為行業(yè)樹(shù)立了高精度分布式檢測(cè)的新標(biāo)桿。四大技術(shù)突破,重塑檢測(cè)效率與精度1秒級(jí)測(cè)量,
2025-06-05 17:31:44
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,是指通過(guò)紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線(xiàn)等光照或輻射,溶解度會(huì)發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料,是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來(lái)說(shuō),光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)當(dāng)中的制造環(huán)節(jié),是芯片制造過(guò)程里光刻工
2025-06-04 13:22:51
992 在芯片制造中,光刻技術(shù)在硅片上刻出納米級(jí)的電路圖案。然而,當(dāng)制程進(jìn)入7納米以下,傳統(tǒng)光刻的分辨率已逼近物理極限。這時(shí), 自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案化(SADP) 的技術(shù)登上舞臺(tái), 氧化物間隔層切割掩膜 ,確保數(shù)十億晶體管的精確成型。
2025-05-28 16:45:03
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路徑避開(kāi)強(qiáng)電或干擾源,以減少信號(hào)干擾。 準(zhǔn)備材料和工具: 光纖線(xiàn)纜:根據(jù)傳輸距離和帶寬需求選擇合適的光纖類(lèi)型(如單?;蚨嗄?。 連接器:如LC、SC、MPO等,需與設(shè)備接口匹配。 配線(xiàn)架或ODF:用于光纖端接和管理,建議采用模塊化
2025-05-16 10:47:40
1093 隨著極紫外光刻(EUV)技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線(xiàn)光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì),在特定領(lǐng)域正形成差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。
2025-05-09 10:08:49
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一定的局限性。在大型工業(yè)生產(chǎn)環(huán)境中,設(shè)備分布廣泛,長(zhǎng)距離傳輸信號(hào)時(shí),信號(hào)衰減和電磁干擾問(wèn)題會(huì)嚴(yán)重影響通信的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。而光纖通信具有傳輸距離遠(yuǎn)、抗電磁干擾能力強(qiáng)、傳輸速率高等顯著優(yōu)勢(shì)。將 VING
2025-05-08 10:22:31
一站式PCBA加工廠(chǎng)家今天為大家講講PCBA加工選擇性波峰焊與傳統(tǒng)波峰焊有什么區(qū)別?選擇性波峰焊與傳統(tǒng)波峰焊的區(qū)別及應(yīng)用。在PCBA加工中,DIP插件焊接是確保產(chǎn)品連接可靠性的重要工序。而在實(shí)現(xiàn)
2025-05-08 09:21:48
1289 選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點(diǎn)平面CMOS中首次引入了SEG技術(shù),用于pMOS源/漏(S/D
2025-05-03 12:51:00
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光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進(jìn)行掩模版加工制造,在掩膜加工領(lǐng)域或者無(wú)掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺,在業(yè)內(nèi)也被稱(chēng)為矢量圖形光柵化軟件
2025-05-02 12:42:10
在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的測(cè)試與測(cè)量領(lǐng)域,選擇正確的互連解決方案對(duì)于確保準(zhǔn)確、可靠和高速的數(shù)據(jù)傳輸至關(guān)重要。光纖和同軸電纜是行業(yè)的主流選擇,在不同的應(yīng)用場(chǎng)景中,它們各自擁有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)與局限性。本文探討了光纖與同軸互連的主要差異,并為高速測(cè)試環(huán)境下的理想解決方案選擇提供了指導(dǎo)。
2025-04-29 14:06:12
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光刻膠類(lèi)型及特性光刻膠(Photoresist),又稱(chēng)光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類(lèi)型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:33
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IBC太陽(yáng)能電池因其背面全電極設(shè)計(jì),可消除前表面金屬遮擋損失,成為硅基光伏技術(shù)的效率標(biāo)桿。然而,傳統(tǒng)圖案化技術(shù)(如光刻、激光燒蝕)存在工藝復(fù)雜或硅基損傷等問(wèn)題。本研究創(chuàng)新性地結(jié)合激光摻雜與濕法氧化
2025-04-23 09:03:43
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,效率顯著提升,實(shí)現(xiàn)“一加一大于二”的效果。
適用場(chǎng)景:多光纖并行處理,適合大規(guī)模生產(chǎn)。
雙路注膠系統(tǒng)光纖涂覆機(jī)
特點(diǎn):出口級(jí)產(chǎn)品,具備雙系統(tǒng)備份和固態(tài)封裝設(shè)計(jì),可10年免維護(hù),可靠性。
適用
2025-04-03 09:13:01
的應(yīng)用需要解決一系列多芯光纖連接、多芯光纖與傳統(tǒng)光纖的連接等問(wèn)題,需要開(kāi)發(fā)MCF光纖連接器、實(shí)現(xiàn)MCF-SCF轉(zhuǎn)換的扇入扇出器件等周邊相關(guān)組件產(chǎn)品,并考慮與現(xiàn)有技術(shù)和商用技術(shù)的兼容性和通用性。
多芯
2025-04-01 11:33:40
滿(mǎn)足硬度和曲度的增減轉(zhuǎn)換,適應(yīng)不同需求
實(shí)施效果 :
? 適配傳感光纖/通信光纖差異化需求
? 客戶(hù)定制化響應(yīng)周期縮短80%
? 特殊場(chǎng)景訂單量增長(zhǎng)200%
金標(biāo)準(zhǔn)⑥ 高效均勻固化技術(shù)
技術(shù)突破
2025-03-28 11:45:04
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié),對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn),對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升,光刻技術(shù)也將不斷演化,支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。
2025-03-27 09:21:33
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紫外線(xiàn)對(duì)產(chǎn)品的危害紫外線(xiàn),作為電磁波譜中紫光之外的不可見(jiàn)光,其對(duì)產(chǎn)品的破壞性不容忽視。在眾多外界因素中,紫外線(xiàn)是導(dǎo)致材料性能劣變的關(guān)鍵因素之一。材料或產(chǎn)品在加工、貯存或使用過(guò)程中,會(huì)受到熱、光、氧
2025-03-26 15:34:44
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膠(或其他感光材料)上時(shí),光子能量被光刻膠分子吸收,使分子內(nèi)部能量升高并引發(fā)化學(xué)反應(yīng),通常為化學(xué)鍵的斷裂或者交聯(lián)等反應(yīng)。然后通過(guò)顯影過(guò)程選擇性去除特定區(qū)域的光刻膠形成期望的圖形。不同類(lèi)型和波長(zhǎng)的激光可以
2025-03-25 17:42:21
選擇光纖線(xiàn)的好壞需綜合考慮以下關(guān)鍵因素,以確保性能、成本和需求的平衡: 1. 確定應(yīng)用場(chǎng)景與需求 傳輸距離: 短距離(≤500米):多模光纖(MMF)更經(jīng)濟(jì),適合數(shù)據(jù)中心、局域網(wǎng)。 長(zhǎng)距離(≥500
2025-03-19 10:06:30
1278 體。在光刻工藝過(guò)程中,用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí),若采用適當(dāng)?shù)挠?b class="flag-6" style="color: red">選擇性的光刻膠,可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類(lèi)有正性、負(fù)性兩大類(lèi)
2025-03-18 13:59:53
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不同材料的刻蝕速率比,達(dá)到?>5:1?甚至更高的選擇比標(biāo)準(zhǔn)?。 一、核心價(jià)值與定義 l?精準(zhǔn)材料去除? 高選擇性蝕刻通過(guò)調(diào)整反應(yīng)條件,使目標(biāo)材料(如多晶硅、氮化硅)的刻蝕速率遠(yuǎn)高于掩膜或底層材料(如氧化硅、光刻膠),實(shí)現(xiàn)
2025-03-12 17:02:49
809 之間的電氣連接方式和性能。焊點(diǎn)圖案設(shè)計(jì)不僅需要考慮電氣性能和可靠性,還需要兼顧散熱、制造工藝和成本控制。
2025-03-06 16:44:18
1603 隨著全球能源需求的增長(zhǎng),開(kāi)發(fā)高效率太陽(yáng)能電池變得尤為重要。本文旨在開(kāi)發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝,用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽(yáng)能電池,并通過(guò)優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
2025-03-03 09:02:29
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光刻中得到了常規(guī)應(yīng)用。
利用快速物理光學(xué)建模和設(shè)計(jì)軟件VirtualLab Fusion的場(chǎng)跟蹤技術(shù),可以充分研究這種效應(yīng)及其應(yīng)用。請(qǐng)看下面的例子,在這些例子中,我們用線(xiàn)性和交叉圖案演示Talbot效應(yīng)
2025-02-26 08:49:53
紫外光通信的應(yīng)用場(chǎng)景十分廣泛,它正逐漸滲透到我們生活的各個(gè)角落。在軍事領(lǐng)域,紫外光通信可用于戰(zhàn)場(chǎng)短距離保密通信。在戰(zhàn)場(chǎng)上,士兵們可以利用紫外光通信設(shè)備,在不暴露自身位置的情況下,安全地傳遞情報(bào)和指令
2025-02-21 13:32:51
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在芯片制造的復(fù)雜流程中,光刻工藝是決定晶體管圖案能否精確“印刷”到硅片上的核心環(huán)節(jié)。而光刻Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機(jī)將不同層電路圖案對(duì)準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),它就像建造摩天大樓
2025-02-17 14:09:25
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正性光刻對(duì)掩膜版的要求主要包括以下幾個(gè)方面: 基板材料:掩膜版的基板材料需要具有良好的透光性、穩(wěn)定性以及表面平整度。石英是常用的基板材料,因?yàn)樗哂休^低的熱膨脹系數(shù),能夠在溫度變化時(shí)保持尺寸穩(wěn)定
2025-02-17 11:42:17
855 在現(xiàn)代制造業(yè)中,紫外光固化技術(shù)已成為一種高效、環(huán)保的固化方式,廣泛應(yīng)用于涂料、油墨、膠水等多個(gè)領(lǐng)域。紫外點(diǎn)光源固化燈,尤其是365nm波長(zhǎng)的紫外燈,因其獨(dú)特的光學(xué)性能和應(yīng)用優(yōu)勢(shì),成為高精度固化過(guò)程中
2025-02-13 15:44:39
2484 光刻技術(shù)對(duì)芯片制造至關(guān)重要,但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制,摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸,下一代光刻(NGL)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。本文將介紹納米壓印技術(shù)(NIL)的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備,并探討其在半導(dǎo)體制造中
2025-02-13 10:03:50
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密度。其中,軟金屬在電化學(xué)過(guò)程中通過(guò)晶粒選擇性生長(zhǎng)形成的紋理是一個(gè)影響功率和安全性的關(guān)鍵因素。 在此,美國(guó)芝加哥大學(xué)Ying Shirley Meng(孟穎)教授和美國(guó)密西根大學(xué)陳磊教授等人制定了一個(gè)通用的熱力學(xué)理論和相場(chǎng)模型來(lái)研究軟金屬的晶粒選擇性生長(zhǎng),研究重點(diǎn)
2025-02-12 13:54:13
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Poly-SEs技術(shù)通過(guò)在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層,有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻,同時(shí)提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽(yáng)能電池中,Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
2025-02-06 13:59:42
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光刻是芯片制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步,它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案,并且要求極高的精度。以下是光刻過(guò)程的詳細(xì)介紹,包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻
2025-01-28 16:36:00
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近來(lái),為提高IC芯片性能,倒裝芯片鍵合被廣泛采用。要實(shí)現(xiàn)倒裝芯片鍵合,需要大量的通孔。因此,硅通孔(TSV)被應(yīng)用。然而,硅有幾個(gè)缺點(diǎn),例如其價(jià)格相對(duì)較高以及在高射頻下會(huì)產(chǎn)生電噪聲。另一方面,玻璃具有適合用作中介層材料的獨(dú)特性質(zhì),即低介電常數(shù)、高透明度和可調(diào)節(jié)的熱膨脹系數(shù)。由于其介電常數(shù)低,可避免信號(hào)噪聲;由于其透明度,可輕松實(shí)現(xiàn)三維對(duì)準(zhǔn);由于其熱膨脹可與Si晶片匹配,可防止翹曲。因此,玻璃通孔(TGV )正成為
2025-01-23 11:11:15
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采用氧化局限技術(shù)制作面射型雷射元件最關(guān)鍵的差異在于磊晶成長(zhǎng)時(shí)就必須在活性層附近成長(zhǎng)鋁含量莫耳分率高于95%的砷化鋁鎵層,依據(jù)眾多研究團(tuán)隊(duì)經(jīng)驗(yàn)顯示,最佳的鋁含量比例為98%,主要原因在于這個(gè)比例的氧化速率適中,而且氧化后較不容易因?yàn)闊釕?yīng)力造成上反射鏡磊晶結(jié)構(gòu)破裂剝離。砷化鋁(AlAs)材料氧化機(jī)制普遍認(rèn)為相對(duì)復(fù)雜,可能的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程可能包含下列幾項(xiàng): 通常在室溫環(huán)境下鋁金屬表面自然形成的氧化鋁是一層致密的薄膜,可以
2025-01-23 11:02:33
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選擇合適的光纖傳感器需要考慮多個(gè)因素,以下是一些關(guān)鍵的步驟和要點(diǎn): 一、明確測(cè)量需求 測(cè)量點(diǎn)數(shù) : 根據(jù)需要測(cè)量的點(diǎn)數(shù)來(lái)確定采用“分布式”還是“單點(diǎn)式”傳感器。通常測(cè)量點(diǎn)少于20個(gè)時(shí),采用“單點(diǎn)式
2025-01-18 10:27:47
1255 本文主要介紹光刻機(jī)的分類(lèi)與原理。 ? 光刻機(jī)分類(lèi) 光刻機(jī)的分類(lèi)方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類(lèi),光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片光刻機(jī)和面板光刻機(jī)。面板光刻機(jī)的工作原理和芯片光刻機(jī)相似
2025-01-16 09:29:45
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太陽(yáng)能電池,如直接破壞Si-H鍵、產(chǎn)生熱載流子等。美能復(fù)合紫外老化試驗(yàn)箱進(jìn)行加速老化測(cè)試,該試驗(yàn)箱能夠提供280至400nm范圍內(nèi)的紫外光譜,模擬太陽(yáng)光中的紫外部分,同時(shí)
2025-01-10 09:03:31
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,使打印出的成品在視覺(jué)和觸覺(jué)上更加貼近設(shè)計(jì)意圖,為后續(xù)改進(jìn)提供了便利性。那什么是SLA立體光固化成型技術(shù)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)SLA技術(shù))呢?其實(shí),它的核心原理就是利用一定波長(zhǎng)和強(qiáng)度的紫外光(如波長(zhǎng)325nm
2025-01-09 18:57:50
芯片制造、價(jià)值1.5億美元的極紫外(EUV,https://spectrum.ieee.org/tag/euv)光刻掃描
2025-01-09 11:31:18
1280 ? 本文介紹了組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)。 光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟,其重要性不言而喻。光刻機(jī)是實(shí)現(xiàn)這一工藝的核心設(shè)備,它的工作原理類(lèi)似于傳統(tǒng)攝影中的曝光過(guò)程,但精度要求極高,能夠達(dá)到
2025-01-07 10:02:30
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評(píng)論