?

　　隨著目前平面化的芯片開始出現(xiàn)多層式結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)將在未來幾年發(fā)生轉(zhuǎn)變。在全球主要的半導(dǎo)體工程領(lǐng)域花費近十年的時間致力于使得這種結(jié)構(gòu)實現(xiàn)可制造化之后，立體的三維芯片(3DIC)終于可望在明年開始商用化──但這其實也已經(jīng)遠(yuǎn)落后于先前規(guī)劃的時程多年了。

　　過去幾年來，芯片制造商們一直在努力地使與3DIC互連的TSV技術(shù)更加完善?，F(xiàn)在，TSV已經(jīng)可針對2D作業(yè)實現(xiàn)最佳化了，例如從平面芯片的正面?zhèn)魉蛿?shù)據(jù)到背面的微凸塊，采用堆棧芯片的3DIC時代即將來臨。

　　去年冬天所舉行的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上所探討的主題幾乎都是3D芯片，例如三星(Samsung)公司大肆宣傳其1Gb行動DRAM，并計劃在2013年前量產(chǎn)4Gbit芯片。透過三星的2.5D技術(shù)，可使采用TSV的堆棧DRAM與系統(tǒng)級封裝(SiP)上的微凸塊密切配合。

　　預(yù)計今年秋天就能看到在2.5D技術(shù)方面的重大成就──賽靈思(Xilinx)公司將提供一種多級FPGA解決方案，它透過封裝技術(shù)而使四個平行排列的Virtex-7FPGA與硅晶內(nèi)插器上的微凸塊實現(xiàn)互連。***集成電路制造公司(TSMC)正在制造這種可為FPGA重新分配互連的硅晶內(nèi)插器──采用一種以‘塌陷高度控制芯片連接’(C4)技術(shù)接合基板封裝上銅球的TSV技術(shù)。臺積電承諾可望在明年為其代工客戶提供這種突破性的2.5D至3D過渡技術(shù)。

　　然而，2011年所發(fā)布最令人驚喜的3DIC消息來自于IBM公司。該公司最近透露已經(jīng)秘密地大規(guī)模生產(chǎn)可用于大量行動消費電子設(shè)備的成熟3DIC，不過使用的仍是低密度的TSV技術(shù)。由于累積了相當(dāng)?shù)募夹g(shù)經(jīng)驗，IBM聲稱目前已掌握了3D的其它工程障礙，并預(yù)計能在2012年時克服這些挑戰(zhàn)。

　　“憑借一招半式闖天涯的時代已經(jīng)結(jié)束了，”IBM公司研究副總裁BernardMeyerson指出，“如果只想依賴于某種材料、芯片架構(gòu)、網(wǎng)絡(luò)、軟件或整合，就無法在3D性能戰(zhàn)中取得勝算。為了要在3D戰(zhàn)場上致勝，就必須盡可能地同時使用所有的資源?！?/p>

　　IBM在今年九月宣布已經(jīng)與3M公司商討共同創(chuàng)造一種新的設(shè)計材料──這種材料可望解決3DIC最后剩余的工程障礙：過熱問題。3M公司的任務(wù)在于創(chuàng)造一種適合于堆棧芯片之間的填充材料，也是一種類似電介質(zhì)的電絕緣體，但比硅晶的導(dǎo)熱性更佳。3M承諾可在兩年內(nèi)使這種神奇的材料商用化。

　　“現(xiàn)在，我們一直在進(jìn)行試驗，希望能在2013年以前發(fā)展出一個可行的方案，以實現(xiàn)廣泛的商用化，”3M公司電子市場材料部門的技術(shù)總監(jiān)程明說。

　　然而，對于IBM-3M共同開發(fā)的努力能否使雙方公司處于3DIC競賽的領(lǐng)先位置，一些分析師們對此仍存疑。

　　“3M正在制造一種可為3D堆棧解決散熱問題的填充材料，”MEMSInvestorJournal先進(jìn)封裝技術(shù)的首席分析師FrancoisevonTrapp說。“雖然這絕對是在3DIC量產(chǎn)前必需解決的挑戰(zhàn)之一，但我認(rèn)為它不見得就是解決3D堆棧其余問題的最后關(guān)鍵?！?/p>

　　3D無處不在

　　即使IBM公司聲稱已在3DIC生產(chǎn)方面領(lǐng)先，但市場上也不乏其它競爭廠商。事實上，美國TezzaronSemiconductor已經(jīng)為其鎢TSV制程提供3DIC設(shè)計服務(wù)多年了。Tezzaron的FaStack制程可從厚度僅12亳米晶圓的異質(zhì)芯片中制造出3D芯片。它能以每平方毫米1百萬TSV深次微米互連的密度為堆棧DRAM提供WideI/O。

　　連續(xù)創(chuàng)業(yè)的企業(yè)家ZviOr-Bach指出，3DIC設(shè)計的焦點必須跳脫TSV至超高密度的單片式3D。Or-Bach會這么說，一點都不令人意外，因為他最近還成為了IP開發(fā)公司MonolithIC3DInc.的總裁兼CEO。另一家新創(chuàng)的BeSang公司也聲稱即將制造出不必使用TSV技術(shù)的單片式3D內(nèi)存原型芯片，可望在2012年首次亮相。

　　然而，當(dāng)今最先進(jìn)的技術(shù)還是采用TSV的3D芯片堆棧，幾乎每一家主要的半導(dǎo)體公司都專注于這項技術(shù)的研發(fā)?！癐BM公司更挑戰(zhàn)該技術(shù)極限，透過與3M公司的合作以尋求超越當(dāng)前架構(gòu)的其它可能性。然而，IBM在3D方面取得的每項進(jìn)展也將激起像三星(Samsung)、英特爾(Intel)與臺積電等競爭廠商的創(chuàng)造力，這些廠商們都已在3DIC方面各自展開相關(guān)開發(fā)工作，”市場觀察公司TheEnvisioneeringGroup總監(jiān)RichardDoherty表示。

　　用于制造3DIC的技術(shù)并不是最近才開發(fā)的，而當(dāng)今的工作重點在進(jìn)于一步提升這些技術(shù)。例如，目前許多CMOS成像器以TSV將畫素數(shù)據(jù)從基板前面?zhèn)髦帘趁?，而芯片堆棧的概念可追溯?a target="_blank">晶體管先驅(qū)WilliamShockley早在1958年時的專利。此后，堆棧芯片的配置常常被加以利用──例如在ASIC上堆棧MEMS傳感器，或在處理器核心上堆棧一個小型DRAM--但通常是使用焊線接合的方式來實現(xiàn)互連。

　　從焊線接合過渡到TSV的方式，使得互連更為密集。它還讓設(shè)計者們免于嚴(yán)格的矩形布局要求，讓他們能像設(shè)計電路板一樣地進(jìn)行芯片設(shè)計。缺乏電路的地區(qū)則可用于其它結(jié)構(gòu)，如垂直互連總線或甚至是制冷劑氣體的煙囪等。異質(zhì)的3D堆棧芯片還提高了整合度，讓整個系統(tǒng)可組合成一個單一的硅晶塊。

　　“3DIC最重要的是帶來一個擺脫農(nóng)場般架構(gòu)的機會，每個芯片分割為毗鄰的矩形區(qū)域，”Doherty說。“3D芯片設(shè)者所使用的方式并不是試圖使用芯片上的所有空間，而是開始從芯片上切割出正方形、三角形和圓形以實現(xiàn)垂直互連，并使其得以散熱。

　　“3D技術(shù)啟發(fā)了更多的芯片設(shè)計新思維。設(shè)計人員們現(xiàn)在能以創(chuàng)新的方式來結(jié)合CPU、內(nèi)存與I/O功能，使他們必須采取不同的思考方式來進(jìn)行設(shè)計。這在過去一切都得并排設(shè)計的傳統(tǒng)方式是無法實現(xiàn)的。”

　　全球主要的的半導(dǎo)體組織都為3D技術(shù)展開各種標(biāo)準(zhǔn)建立工作。國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)成立了四個致力于3DIC標(biāo)準(zhǔn)制定的工作小組。此外，其3DS-IC標(biāo)準(zhǔn)委員會包括SEMI會員Globalfoundries、HP、IBM、英特爾、三星與聯(lián)華電子(UMC)，以及Amkor、ASE、歐洲的IMEC、***工研院(ITRI)、Olympus、高通(Qualcomm)、Semilab、TokyoElectron與賽靈思等公司。

　　半導(dǎo)體制造聯(lián)盟(Sematech)已經(jīng)成立了一個3D芯片設(shè)計中心。參與成員包括Altera、ADI、LSI、安森美半導(dǎo)體(Semiconductor)和高通等公司。Sematech聯(lián)盟還在紐約州立大學(xué)阿爾巴尼分?？茖W(xué)與工程院設(shè)置一條300毫米的3DIC試產(chǎn)線。

　　比利時微子研究中心(IMEC)與CascadeMicrotech公司合作為3DIC進(jìn)行測試與特征化。德國研究機構(gòu)FraunhoferIZM表示可望在2014年以前將處理器、內(nèi)存、邏輯、模擬、MEMS和RF芯片整合于單片式3DIC中。

　　***工研院贊助成立了一個3DIC聯(lián)盟，目前已有超過20家成員聯(lián)盟。聯(lián)盟中的許多廠商們均可望從明年初開始提供端至端的3DIC代工服務(wù)。

　　今年九月，在國際半導(dǎo)體展(Semicon)的3DIC技術(shù)論壇中，英特爾表示正致力于堆棧3DIC的開發(fā)工作(但這并不是指其FinFET三閘晶體管)。此外，在Semicon上，爾必達(dá)(Elpida)據(jù)稱其與力成科技(PowertechTechnology)和聯(lián)電在2GbitDRAM的共同研發(fā)上己取得了進(jìn)展，該合作團(tuán)隊采用了以高密度TSV連結(jié)的堆棧DDR3芯片。

　　聯(lián)合電子裝置工程協(xié)會(JEDEC)可望在今年底前率先為3DIC開發(fā)出WideI/O標(biāo)準(zhǔn)。JEDEC規(guī)格將支持512位寬的接口。

　　法國半導(dǎo)體研究機構(gòu)CEA-LETI與意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)和硅晶內(nèi)插器制造商ShinkoElectricIndustriesCo.共同合作，以推動2.5D至3DIC的順利過渡。該合作小組現(xiàn)于一座300毫米晶圓制造廠生產(chǎn)原型組件，預(yù)計最早在2012年推出商用化設(shè)計。

　　歐洲CMOSAIC項目則展開更長程的計劃，期望在2013年以前找到冷卻單片式3DIC堆棧的創(chuàng)新辦法。這項四年期的計劃還包括了蘇黎世IBM公司、巴黎高等洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EcolePolytechniqueFederaledeLausanne)以及蘇黎世瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院(theSwissFederalInstituteofTechnologyZurich)等組織的共同參與。