在9月初SemiconTaiwan舉辦的“450mm供應(yīng)鏈”研討會(huì)中,臺(tái)積電和G450C(全球450聯(lián)盟)明確揭示了18寸晶圓預(yù)計(jì)于2018年投入量產(chǎn)的發(fā)展時(shí)程。相對(duì)于臺(tái)積電的信心滿滿,包括TEL(東京威力科創(chuàng))、LamResearch、應(yīng)用材料和KLA-Tencor等設(shè)備制造商,卻都異口同聲地談到,設(shè)備業(yè)者所面臨的嚴(yán)峻開發(fā)成本與風(fēng)險(xiǎn)挑戰(zhàn)。
G450C的18寸晶圓量產(chǎn)時(shí)程
G450C(Global450Consortium)是由英特爾、三星、臺(tái)積電、IBM和GlobalFoundries五家龍頭業(yè)者于去年共組的18寸晶圓研發(fā)聯(lián)盟,在這些業(yè)者的積極推動(dòng)下,18寸晶圓的發(fā)展藍(lán)圖也越來(lái)越為明確。
臺(tái)積電派駐于G450C的林進(jìn)祥博士表示,一年來(lái)18寸晶圓的技術(shù)開發(fā)與業(yè)者的參與程度都有顯著進(jìn)展。G450C的目標(biāo)是從今年起展開14奈米的技術(shù)展示,到2015~2016年進(jìn)入10奈米試產(chǎn)。
而就制造設(shè)備的成熟度來(lái)看,大部分設(shè)備到2014年都能完成試驗(yàn)機(jī)臺(tái)的開發(fā),但最重要的蝕刻技術(shù),則預(yù)計(jì)要到2016年完成初步試驗(yàn)機(jī)臺(tái),2018年完成量產(chǎn)機(jī)臺(tái)開發(fā)。
目前,G450C是采用壓印(imprint)技術(shù)作為過(guò)渡時(shí)期的蝕刻方案,未來(lái)將朝193i(浸潤(rùn)式193nm)與EUV發(fā)展。G450C的無(wú)塵室預(yù)定于2012年12月就緒,這將會(huì)是全球第一座18寸晶圓廠。
臺(tái)積電450mm計(jì)劃資深總監(jiān)游秋山博士則是提到了公司內(nèi)部對(duì)18寸晶圓設(shè)備設(shè)定的目標(biāo),希望與12寸設(shè)備相比,整體設(shè)備效率能于2018年達(dá)到1.1倍、2020年提升至1.8倍。此外,設(shè)備價(jià)格小于1.4倍、尺寸小于1.5倍、缺陷密度小于0.4倍,以及平均每片晶圓能維持相同的水電消耗。
這個(gè)數(shù)據(jù)一提出,當(dāng)場(chǎng)就有設(shè)備業(yè)者問(wèn)到,若晶片制造商希望設(shè)備效率提高1.8倍,但卻僅希望付出1.4倍的價(jià)格,這樣如何說(shuō)服設(shè)備業(yè)者投入龐大資金開發(fā)新的18寸晶圓設(shè)備?
這個(gè)問(wèn)題,的確觸及到眾多設(shè)備制造商的痛處?;叵氘?dāng)初移轉(zhuǎn)至12寸晶圓的慘痛教訓(xùn),現(xiàn)在18寸晶圓的大餅更是不這么好吃。
推動(dòng)18寸晶圓量產(chǎn),主要的考量在于取得成本效益,希望能延續(xù)過(guò)去從6寸移轉(zhuǎn)至8寸、12寸的發(fā)展軌跡,透過(guò)更高的每片晶圓產(chǎn)出,讓晶片成本能持續(xù)下降。然而,這套過(guò)去適用的摩爾定律,隨著制程微縮趨近極限,以及18寸晶圓的龐大機(jī)臺(tái)投資,能否再和過(guò)去一樣帶來(lái)同樣的成本效益,實(shí)在令人懷疑。
此外,全球經(jīng)濟(jì)前景的不確定性,以及未來(lái)幾有少數(shù)幾家制造業(yè)者有能力買單,投資報(bào)酬率有限,種種因素,都讓設(shè)備業(yè)者對(duì)此議題顯得裹足不前,進(jìn)退兩難。
設(shè)備廠商痛苦跟隨
TEL副總裁暨企業(yè)行銷總經(jīng)理關(guān)口章九甚至說(shuō),如果業(yè)界沒(méi)有充分的事先討論,共同開發(fā)機(jī)臺(tái),450mm將會(huì)是一場(chǎng)災(zāi)難。而且,漫長(zhǎng)的450mm市場(chǎng)成熟期會(huì)讓設(shè)備商的財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)增加。
LamResearch公司450mm計(jì)劃副總裁MarkFissel也以12寸晶圓移轉(zhuǎn)為例指出,從1995年試驗(yàn)機(jī)臺(tái)首度完成開發(fā),由于歷經(jīng)網(wǎng)路泡沫等經(jīng)濟(jì)因素,一直到2004年,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整整花了9年的時(shí)間,才使得12寸晶圓出貨量超過(guò)8寸晶圓。
而18寸晶圓即使能于2018年投入量產(chǎn),可能需要更長(zhǎng)的時(shí)間才能成為主流,面對(duì)既有12寸晶圓先進(jìn)制程持續(xù)投資與18寸晶圓開發(fā)的雙重壓力,設(shè)備業(yè)者若沒(méi)有強(qiáng)大的財(cái)務(wù)支援,很有可能無(wú)以為繼。
游秋山也坦承,移轉(zhuǎn)至18寸晶圓還有許多挑戰(zhàn)有待克服。首先,業(yè)界有沒(méi)有辦法在2015年前就10奈米制程蝕刻技術(shù)取得重大突破?同時(shí),合理的設(shè)備成本、顯著的生產(chǎn)力提升、全自動(dòng)化無(wú)人生產(chǎn)線、環(huán)保工廠等議題都需要獲得全面性的解決,才有可能讓18寸晶圓量產(chǎn)得到預(yù)期的成本效益。
游秋山指出,當(dāng)初業(yè)界朝12寸晶圓移轉(zhuǎn)時(shí),也曾面臨許多質(zhì)疑。但事實(shí)證明,透過(guò)多項(xiàng)的技術(shù)創(chuàng)新與突破,仍然克服了種種挑戰(zhàn),因此他樂(lè)觀認(rèn)為,18寸晶圓量產(chǎn)目標(biāo)終將能夠成功。
不過(guò),不管是從晶片制造商和設(shè)備商的角度來(lái)看,18寸晶圓都已成為少數(shù)幾家業(yè)者才能玩得起的游戲,這是與業(yè)界朝12寸晶圓移轉(zhuǎn)時(shí),完全不同的產(chǎn)業(yè)環(huán)境與需求。?口章九表示,即使幾家重量級(jí)制造商已經(jīng)訂出了量產(chǎn)時(shí)程目標(biāo),但高昂的進(jìn)入成本,將是不利于創(chuàng)新的。
ASML的聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃
盡管困難重重,但臺(tái)積電、英特爾、三星這些龍頭業(yè)者,為了延續(xù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、持續(xù)保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),并建立更高的競(jìng)爭(zhēng)障礙,勢(shì)必得在朝18寸晶圓移轉(zhuǎn)的這項(xiàng)行動(dòng)中奮力前進(jìn)。
對(duì)此議題,應(yīng)用材料矽晶系統(tǒng)部門副總裁KirkHasserjian總結(jié)了順利移轉(zhuǎn)至18寸晶圓世代的六項(xiàng)關(guān)鍵因素,分別是:業(yè)界同步的移轉(zhuǎn)時(shí)程、蝕刻技術(shù)成熟度、成本分?jǐn)?、協(xié)同合作、創(chuàng)新、以及供應(yīng)鏈的就緒。
成本分?jǐn)?、合作?chuàng)新在18寸晶圓世代將顯得重要。林進(jìn)祥也鼓勵(lì)設(shè)備業(yè)者說(shuō),現(xiàn)在共同承擔(dān)風(fēng)險(xiǎn),未來(lái)終將能共同分享利益。
提到成本與風(fēng)險(xiǎn)分?jǐn)?,微影設(shè)備大廠ASML日前提出的聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃便是一個(gè)極佳的范例。微影技術(shù)能否就緒,攸關(guān)18寸晶圓量產(chǎn)目標(biāo)的實(shí)現(xiàn),而ASML的動(dòng)作更是扮演了舉足輕重的角色。
ASML在今年7月提出了客戶聯(lián)合投資計(jì)劃,在英特爾首先表態(tài)以41億美元收購(gòu)ASML的15%股權(quán)后、臺(tái)積電和三星也分別跟進(jìn),各取得5%和3%的股權(quán),將共同研發(fā)下一代微影技術(shù)。
臺(tái)積電、英特爾、三星是未來(lái)半導(dǎo)體制造的三大勢(shì)力,盡管彼此間的角力激烈,但從G450C的合作,到ASML的共同入主,卻又不得不共同分?jǐn)傁乱淮?8寸晶圓制造的龐大研發(fā)成本。它們之間的競(jìng)合關(guān)系是未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)注重點(diǎn),也是18寸量產(chǎn)目標(biāo)能否成真的重要關(guān)鍵。
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18寸晶圓2018年量產(chǎn) 是否過(guò)度樂(lè)觀的目標(biāo)
- 英特爾(179659)
- 三星電子(182956)
- 臺(tái)積電(175230)
- 晶圓代工(49712)
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晶圓清洗機(jī)怎么做晶圓夾持
晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過(guò)程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式: 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸(如2英寸到12英寸)和工藝需求,夾持
2025-07-23 14:25:43
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928不同晶圓尺寸清洗的區(qū)別
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異,主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場(chǎng)景的不同。以下是針對(duì)不同晶圓尺寸(如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等)的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點(diǎn):一、晶圓
2025-07-22 16:51:19
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晶圓制造中的WAT測(cè)試介紹
Wafer Acceptance Test (WAT) 是晶圓制造中確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵步驟。它通過(guò)對(duì)晶圓上關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量和分析,幫助識(shí)別工藝中的問(wèn)題,并為良率提升提供數(shù)據(jù)支持。在芯片項(xiàng)目的量產(chǎn)管理中,WAT是您保持產(chǎn)線穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量的重要工具。
2025-07-17 11:43:31
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2774晶圓厚度THK幾何量測(cè)系統(tǒng)
WD4000晶圓厚度THK幾何量測(cè)系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,TTV
2025-07-10 13:42:33
超薄晶圓切割:振動(dòng)控制與厚度均勻性保障
超薄晶圓因其厚度極薄,在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā),探討針對(duì)性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓(
2025-07-09 09:52:03
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瑞樂(lè)半導(dǎo)體——多點(diǎn)TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)熱電偶測(cè)溫#晶圓測(cè)溫 #晶圓制造過(guò)程 #晶圓檢測(cè)
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-07-03 09:39:03


On Wafer WLS無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)
On Wafer WLS無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成,實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:37:30
瑞樂(lè)半導(dǎo)體——定制新品絕緣 TC Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)#晶圓制造過(guò)程 #晶圓測(cè)溫 #晶圓檢測(cè)
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-06-25 21:26:06


晶圓載具清洗機(jī) 確保晶圓純凈度
在半導(dǎo)體制造的精密流程中,晶圓載具清洗機(jī)是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵設(shè)備。它專門用于清潔承載晶圓的載具(如載具、花籃、托盤等),避免污染物通過(guò)載具轉(zhuǎn)移至晶圓表面,從而保障芯片制造的潔凈度與穩(wěn)定性。本文
2025-06-25 10:47:33
晶圓厚度測(cè)量設(shè)備
WD4000晶圓厚度測(cè)量設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,TTV,BOW
2025-06-18 15:40:06
2025世界半導(dǎo)體博覽會(huì)#晶圓制造過(guò)程 #晶圓檢測(cè) #晶圓測(cè)溫 #半導(dǎo)體博覽會(huì)
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-06-15 11:11:25


晶圓邊緣 TTV 測(cè)量的意義和影響
摘要:本文探討晶圓邊緣 TTV 測(cè)量在半導(dǎo)體制造中的重要意義,分析其對(duì)芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響,同時(shí)研究測(cè)量方法、測(cè)量設(shè)備精度等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的作用,為提升半導(dǎo)體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
2025-06-14 09:42:58
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瑞樂(lè)半導(dǎo)體——4寸5點(diǎn)TCWafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)#晶圓測(cè)溫 #晶圓測(cè)試 #晶圓檢測(cè) #晶圓制造過(guò)程
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-06-12 16:50:51


Wafer Shaped Auto Teaching Sensor晶圓型中心校準(zhǔn)片#晶圓檢測(cè) #晶圓測(cè)溫
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-06-12 16:49:25


瑞樂(lè)半導(dǎo)體都有什么產(chǎn)品呢?#晶圓制造過(guò)程 #晶圓檢測(cè) #晶圓測(cè)溫
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-06-12 16:48:05


什么是晶圓貼膜
貼膜是指將一片經(jīng)過(guò)減薄處理的晶圓(Wafer)固定在一層特殊的膠膜上,這層膜通常為藍(lán)色,業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割(劃片)工藝做準(zhǔn)備。
2025-06-03 18:20:59
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瑞樂(lè)半導(dǎo)體——高真空CF饋通TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng) #晶圓檢測(cè) #晶圓測(cè)溫 #晶圓制造過(guò)程
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-05-30 11:36:10


晶圓減薄工藝分為哪幾步
“減薄”,也叫 Back Grinding(BG),是將晶圓(Wafer)背面研磨至目標(biāo)厚度的工藝步驟。這個(gè)過(guò)程通常發(fā)生在芯片完成前端電路制造、被切割前(即晶圓仍然整體時(shí)),是連接芯片制造和封裝之間的橋梁。
2025-05-30 10:38:52
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1656瑞樂(lè)半導(dǎo)體——專業(yè)品質(zhì)值得信賴#晶圓測(cè)溫 #晶圓制造過(guò)程 #半導(dǎo)體? #晶圓檢測(cè)
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-05-28 19:45:40


瑞樂(lè)半導(dǎo)體——ALS 晶圓型水平校準(zhǔn)片測(cè)量?jī)A斜度參數(shù)#晶圓制造過(guò)程 #晶圓檢測(cè) #晶圓測(cè)溫
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-05-28 19:43:11


瑞樂(lè)半導(dǎo)體——AMS晶圓型多功能測(cè)試片測(cè)量加速度、振動(dòng)、水平角度、濕度溫度等#晶圓檢測(cè) #晶圓測(cè)溫 #晶圓
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-05-28 19:32:10


wafer晶圓厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)測(cè)量的設(shè)備
晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基材,所有集成電路(IC)均構(gòu)建于晶圓之上,其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性,是摩爾定律持續(xù)推進(jìn)的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中晶圓的厚度(THK)、翹曲度(Warp) 和彎曲度(Bow
2025-05-28 16:12:46
提高鍵合晶圓 TTV 質(zhì)量的方法
關(guān)鍵詞:鍵合晶圓;TTV 質(zhì)量;晶圓預(yù)處理;鍵合工藝;檢測(cè)機(jī)制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而,鍵合過(guò)程中諸多因素會(huì)導(dǎo)致晶圓總厚度偏差(TTV
2025-05-26 09:24:36
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防震基座在半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備拋光機(jī)詳細(xì)應(yīng)用案例-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓拋光作為關(guān)鍵工序,對(duì)設(shè)備穩(wěn)定性要求近乎苛刻。哪怕極其細(xì)微的振動(dòng),都可能對(duì)晶圓表面質(zhì)量產(chǎn)生嚴(yán)重影響,進(jìn)而左右芯片制造的成敗。以下為您呈現(xiàn)一個(gè)防震基座在半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備拋光機(jī)上的經(jīng)典應(yīng)用案例。
2025-05-22 14:58:29
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優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控
摘要:本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差(TTV)的管控問(wèn)題,探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手,提出一系列優(yōu)化方法,以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV,提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57
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瑞樂(lè)半導(dǎo)體——12寸TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)#晶圓測(cè)溫 #晶圓檢測(cè) #晶圓測(cè)試 #晶圓制造
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-05-20 21:42:05


臺(tái)積電上調(diào)先進(jìn)制程晶圓價(jià),2nm工藝晶圓漲價(jià)10%#臺(tái)積電 #晶圓 #2nm晶圓 #晶揚(yáng)電子
晶圓
jf_15747056發(fā)布于 2025-05-20 17:59:22


降低晶圓 TTV 的磨片加工方法
摘要:本文聚焦于降低晶圓 TTV(總厚度偏差)的磨片加工方法,通過(guò)對(duì)磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進(jìn),有效控制晶圓 TTV 值,提升晶圓質(zhì)量,為半導(dǎo)體制造提供實(shí)用技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞:晶
2025-05-20 17:51:39
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晶圓Warp翹曲度量測(cè)系統(tǒng)
WD4000晶圓Warp翹曲度量測(cè)系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-05-20 14:02:17
減薄對(duì)后續(xù)晶圓劃切的影響
前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中,晶圓需要具備足夠的厚度,以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍,但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行,直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:44
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瑞樂(lè)半導(dǎo)體——TC Wafer和RTD Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)多彩云圖#晶圓制造過(guò)程 #晶圓測(cè)溫 #晶圓檢測(cè)
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-05-12 22:20:13


#半導(dǎo)體晶圓 #半導(dǎo)體設(shè)備 WD4000晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)高精度測(cè)量復(fù)雜結(jié)構(gòu)晶圓
晶圓
中圖儀器發(fā)布于 2025-05-09 17:03:36


WD4000晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng):半導(dǎo)體晶圓復(fù)雜結(jié)構(gòu)的量測(cè) #半導(dǎo)體設(shè)備 #晶圓檢測(cè)
晶圓
中圖儀器發(fā)布于 2025-05-09 17:02:24


簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)晶圓減薄技術(shù)
在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度,以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形,并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異:4英寸晶圓厚度約為520微米,6
2025-05-09 13:55:51
1975
1975晶圓級(jí)封裝技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢(shì)
圓片級(jí)封裝(WLP),也稱為晶圓級(jí)封裝,是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序,再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問(wèn)世以來(lái),已逐漸成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù),深刻改變了傳統(tǒng)封裝的流程與模式。
2025-05-08 15:09:36
2066
2066
提供半導(dǎo)體工藝可靠性測(cè)試-WLR晶圓可靠性測(cè)試
隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過(guò)直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
瑞樂(lè)半導(dǎo)體——On Wafer無(wú)線測(cè)溫系統(tǒng)在刻蝕設(shè)備測(cè)溫突破140度 #晶圓測(cè)溫 #晶圓測(cè)試 #晶圓檢測(cè)
晶圓
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-05-06 21:18:23


瑞樂(lè)半導(dǎo)體wafersense——TCWafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)維修服務(wù)降本增效 #晶圓檢測(cè) #晶圓測(cè)溫
晶圓測(cè)試
瑞樂(lè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2025-04-23 12:16:40


半導(dǎo)體晶圓制造流程介紹
本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:37
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晶圓浸泡式清洗方法
晶圓浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的一種重要清洗技術(shù),它旨在通過(guò)將晶圓浸泡在特定的化學(xué)溶液中,去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和污染物,以確保晶圓的清潔度和后續(xù)加工的質(zhì)量。以下是對(duì)晶圓浸泡式清洗方法的詳細(xì)
2025-04-14 15:18:54
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765在晶圓制造領(lǐng)域,Chiller溫度控制能夠確保晶圓加工過(guò)程中的質(zhì)量和產(chǎn)量,有助于提高晶圓制造過(guò)程的質(zhì)量#
晶圓
冠亞恒溫發(fā)布于 2025-04-01 16:38:53


中微公司推出12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo Halona
在SEMICON China 2025展會(huì)期間,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微公司”,股票代碼“688012.SH”)宣布其自主研發(fā)的12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo
2025-03-28 09:21:19
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1191EV集團(tuán)推出面向300毫米晶圓的下一代GEMINI?全自動(dòng)生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng),推動(dòng)MEMS制造升級(jí)
全新強(qiáng)力鍵合腔室設(shè)計(jì),賦能更大尺寸晶圓高均勻性鍵合與量產(chǎn)良率提升 2025年3月18日,奧地利圣弗洛里安 —全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體創(chuàng)新工藝解決方案和專業(yè)知識(shí)提供商,為前沿和未來(lái)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和芯片集成
2025-03-20 09:07:58
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高精度晶圓劃片機(jī)切割解決方案
通過(guò)獨(dú)立雙軸運(yùn)行,適配12寸晶圓,切割效率較單軸提升50%以上,定位精度達(dá)±1μm?。采用進(jìn)口直線電機(jī)與光柵尺閉環(huán)系統(tǒng),結(jié)合實(shí)時(shí)反饋算法,確保切割路徑的納米級(jí)重復(fù)精
2025-03-11 17:27:52
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芯片制造的畫布:晶圓的奧秘與使命
芯片制造的畫布 芯片制造的畫布:晶圓的奧秘與使命 在芯片制造的宏大舞臺(tái)上,晶圓(Wafer)扮演著至關(guān)重要的角色。它如同一張潔白的畫布,承載著無(wú)數(shù)工程師的智慧與夢(mèng)想,見(jiàn)證著從砂礫到智能的奇跡之旅。晶
2025-03-10 17:04:25
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1542晶圓的標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝流程
硅片,作為制造硅半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ),源自高純度的硅材料。這一過(guò)程中,多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子,隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶硅棒。經(jīng)過(guò)精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟,這些硅棒被轉(zhuǎn)化為硅片,業(yè)界通常稱之為晶圓,其中8英寸和12英寸規(guī)格在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:51
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日本Sumco宮崎工廠硅晶圓計(jì)劃停產(chǎn)
日本硅晶圓制造商Sumco宣布,將在2026年底前停止宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。 Sumco報(bào)告稱,主要用于消費(fèi)、工業(yè)和汽車應(yīng)用的小直徑晶圓需求仍然疲軟。具體而言,隨著客戶要么轉(zhuǎn)向200毫米晶圓,要么在
2025-02-20 16:36:31
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815全球硅晶圓市場(chǎng)2024年末迎來(lái)復(fù)蘇
根據(jù)SEMI SMG在其硅晶圓行業(yè)年終分析報(bào)告中的最新數(shù)據(jù),全球硅晶圓市場(chǎng)在經(jīng)歷了一段時(shí)間的行業(yè)下行周期后,于2024年下半年開始呈現(xiàn)復(fù)蘇跡象。 報(bào)告指出,盡管2024年全球硅晶圓出貨量同比
2025-02-17 10:44:17
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840Sumco計(jì)劃2026年底前停止宮崎工廠硅晶圓生產(chǎn)
近日,日本知名硅晶圓制造商Sumco宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略決策,計(jì)劃于2026年底前停止其宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。這一舉措是Sumco為優(yōu)化產(chǎn)品組合、提高盈利能力而采取的關(guān)鍵步驟。
2025-02-13 16:46:52
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1215尋求6寸8寸晶圓打包發(fā)貨紙箱廠家
大家元宵節(jié)快樂(lè)!
半導(dǎo)體新人,想尋求一家紙箱供應(yīng)商。
用于我司成品晶圓發(fā)貨,主要是6寸和8寸晶圓。
我司成立尚短,采購(gòu)供應(yīng)商庫(kù)里沒(méi)有合適的廠家,因此來(lái)求助發(fā)燒友們。
我們的需求是:
瓦楞紙箱(質(zhì)量
2025-02-12 18:04:36
2024年全球硅晶圓出貨量同比下降2.7%
據(jù)SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))近日發(fā)布的硅片行業(yè)年終分析報(bào)告顯示,2024年全球硅晶圓出貨量預(yù)計(jì)將出現(xiàn)2.7%的同比下降,總量達(dá)到122.66億平方英寸(MSI)。與此同時(shí),硅晶圓的銷售額也呈現(xiàn)出下滑趨勢(shì),同比下降6.5%,預(yù)計(jì)總額約為115億美元。
2025-02-12 17:16:27
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890晶圓切割的定義和功能
Dicing 是指將制造完成的晶圓(Wafer)切割成單個(gè) Die 的工藝步驟,是從晶圓到獨(dú)立芯片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)之一。每個(gè) Die 都是一個(gè)功能單元,Dicing 的精準(zhǔn)性直接影響芯片的良率和性能。
2025-02-11 14:28:49
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29432024年晶圓代工市場(chǎng)年增率高達(dá)22%
2024年,全球晶圓代工市場(chǎng)迎來(lái)了強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭,年增長(zhǎng)率高達(dá)22%。這一顯著增長(zhǎng)主要得益于人工智能(AI)技術(shù)的快速發(fā)展和半導(dǎo)體需求的持續(xù)復(fù)蘇。 在過(guò)去的一年里,全球代工行業(yè)經(jīng)歷了強(qiáng)勁的復(fù)蘇和擴(kuò)張
2025-02-11 09:43:15
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9102024年晶圓代工市場(chǎng)年增長(zhǎng)22%,臺(tái)積電2025年持續(xù)維持領(lǐng)頭羊地位
根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查及研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research的最新報(bào)告顯示,2024年全球晶圓代工市場(chǎng)以22%的年增長(zhǎng)率結(jié)束,展現(xiàn)出2023年之后的強(qiáng)勁復(fù)蘇與擴(kuò)張動(dòng)能。 報(bào)告表示,此增長(zhǎng)主要
2025-02-07 17:58:44
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920詳解晶圓的劃片工藝流程
在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中,晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后,劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié),為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性,因此需匹配不同的切割工藝,以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:00
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三星大幅削減2025年晶圓代工投資
近日,三星電子宣布了一項(xiàng)重大決策,將大幅削減其晶圓代工部門在2025年的設(shè)施投資。據(jù)透露,與上一年相比,此次削減幅度將超過(guò)一半。 具體來(lái)說(shuō),三星晶圓代工已將2025年的設(shè)施投資預(yù)算定為約5萬(wàn)億韓元
2025-01-23 14:36:19
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859特氟龍夾具的晶圓夾持方式,相比真空吸附方式,對(duì)測(cè)量晶圓 BOW 的影響
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材,其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對(duì) BOW(彎曲度)的精確測(cè)量。而在測(cè)量過(guò)程中,特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性,這些差異深刻影響
2025-01-21 09:36:24
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功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試介紹
AP-200,中間為晶體管檢測(cè)儀IWATSU CS-10105C,右邊為控制用計(jì)算機(jī)。三部分組成了一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)。 下圖所示為探針臺(tái),主要對(duì)晶圓進(jìn)行電學(xué)檢測(cè),分為載物臺(tái)、探卡、絕緣氣體供應(yīng)設(shè)備這幾部分,載物臺(tái)用于晶圓的放置,可以兼容4~8寸的晶圓,上面有
2025-01-14 09:29:13
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全自動(dòng)晶圓清洗機(jī)是如何工作的
都說(shuō)晶圓清洗機(jī)是用于晶圓清洗的,既然說(shuō)是全自動(dòng)的。我們更加好奇的點(diǎn)一定是如何自動(dòng)實(shí)現(xiàn)晶圓清洗呢?效果怎么樣呢?好多疑問(wèn)。我們先來(lái)給大家介紹這個(gè)根本問(wèn)題,就是全自動(dòng)晶圓清洗機(jī)的工作是如何實(shí)現(xiàn)
2025-01-10 10:09:19
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1113晶圓的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量晶圓 BOW/WARP 的影響
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要,其中對(duì)晶圓 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)的精確測(cè)量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測(cè)量過(guò)程中,而晶圓的環(huán)吸方案因其獨(dú)特
2025-01-09 17:00:10
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晶圓制造及直拉法知識(shí)介紹
晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料,超過(guò)90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力,直接關(guān)乎集成電路的整體性能和競(jìng)爭(zhēng)力。今天我們將詳細(xì)介紹
2025-01-09 09:59:26
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8寸晶圓的清洗工藝有哪些
8寸晶圓的清洗工藝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié),它直接關(guān)系到芯片的良率和性能。那么直接揭曉關(guān)于8寸晶圓的清洗工藝介紹吧! 顆粒去除清洗 目的與方法:此步驟旨在去除晶圓表面的微小顆粒物,這些顆粒
2025-01-07 16:12:00
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8138寸晶圓清洗槽尺寸是多少
如果你想知道8寸晶圓清洗槽尺寸,那么這個(gè)問(wèn)題還是需要研究一下才能做出答案的。畢竟,我們知道一個(gè)慣例就是8寸晶圓清洗槽的尺寸取決于具體的設(shè)備型號(hào)和制造商的設(shè)計(jì)。 那么到底哪些因素會(huì)影響清洗槽的尺寸呢
2025-01-07 16:08:37
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