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開工率不足20% 我國多晶硅產(chǎn)業(yè)面臨三重壓力

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多晶硅在芯片制造中的作用

在芯片的納米世界中,多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly-Si) 。這種由無數(shù)微小晶粒組成的材料,憑借其可調(diào)的電學(xué)性能與卓越的工藝兼容性,成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的“多面手”。
2025-07-08 09:48:112964

施耐德電氣SmartCool 2.0磅升級

在算力需求激增與低碳轉(zhuǎn)型的雙重壓力下,數(shù)據(jù)中心制冷能耗占比居高不下,能效提升已成為行業(yè)可持續(xù)發(fā)展必答題。
2025-07-02 09:55:39980

鯤云科技推出智慧船舶AI視頻分析解決方案

我國船舶行業(yè)快速發(fā)展,船舶監(jiān)管正面臨規(guī)模擴(kuò)張與安全、環(huán)保、效率三重挑戰(zhàn)交織,傳統(tǒng)依賴人工巡航和定點(diǎn)巡查的監(jiān)管模式受限于海況、天氣等因素,監(jiān)管頻次與效能嚴(yán)重不足,亟需引入新技術(shù)破解治理瓶頸。
2025-07-01 14:40:14857

TOPCon電池poly-Si層的沉積摻雜工序提效優(yōu)化

TOPCon技術(shù)通過超薄SiO?和磷摻雜多晶硅(n?-poly-Si)層實(shí)現(xiàn)載流子選擇性傳輸,理論效率可達(dá)28.7%。然而,poly-Si層厚度存在矛盾:過厚層(>100nm)增加寄生吸收損失,過薄層(
2025-06-27 09:02:152880

用于 GSM / GPRS(824-915 MHz 和 1710-1910 MHz)的 Tx 四頻 / Rx 雙頻 BiFET iPAC? FEM,帶三重 WCDMA TRx 開關(guān) skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于 GSM / GPRS(824-915 MHz 和 1710-1910 MHz)的 Tx 四頻 / Rx 雙頻 BiFET iPAC? FEM,帶三重 WCDMA TRx
2025-06-24 18:32:54

基于厚度梯度設(shè)計(jì)的TOPCon多晶硅指狀結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)25.28%量產(chǎn)效率突破

TOPCon結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生顯著的寄生吸收損失,而減小多晶硅厚度又會(huì)引發(fā)金屬漿料燒穿和接觸電阻增加的問題。為精準(zhǔn)量化多晶硅的光學(xué)特性(如消光系數(shù)k、折射n),本研究采用美能全光
2025-06-23 09:03:08943

MAX13253ATB+T 1A、擴(kuò)頻、推挽式變壓器驅(qū)動(dòng)器,用于隔離電源

? 通過三重技術(shù)革新解決隔離電源設(shè)計(jì)痛點(diǎn): EMI與集成度平衡 :擴(kuò)頻+擺控制實(shí)現(xiàn)Class B級EMI性能,同時(shí)保持3mm2占板面積; 安全性與可靠性 :固定占空比設(shè)計(jì)從源頭杜絕變壓器飽和,三重保護(hù)應(yīng)對
2025-06-18 11:56:19

TOPCon電池鋁觸點(diǎn)工藝:接觸電阻優(yōu)化實(shí)現(xiàn)23.7%效率

隨著TOPCon太陽能電池市占突破50%,其雙面銀漿消耗量(12–15mg/W)導(dǎo)致生產(chǎn)成本激增。本研究提出以鋁漿替代背面銀觸點(diǎn),通過材料配方革新與工藝優(yōu)化,解決鋁/多晶硅界面過度合金化問題。研究
2025-06-18 09:02:591144

DCDC40V耐壓 20A電流國產(chǎn)同步降壓芯片SL3065替換RT2949

效率偏低,長時(shí)間 20A 輸出易導(dǎo)致芯片過熱,需額外散熱設(shè)計(jì),增加系統(tǒng)成本。 保護(hù)功能單一:僅基礎(chǔ)過流保護(hù),面對短路、過壓、過熱等復(fù)雜故障缺乏全面防護(hù),系統(tǒng)故障較高。 供貨與成本壓力:進(jìn)口芯片供貨
2025-06-13 17:21:01

管道浮力平衡壓袋(配重壓袋)工作原理

管道浮力平衡壓袋(配重壓袋)工作原理
2025-06-12 15:09:400

UL、CE、MID三重認(rèn)證,精準(zhǔn)掌控能源脈搏:安科瑞ADL400N-CT系列儲(chǔ)能計(jì)量表助力綠色能源管理升級

在“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動(dòng)下,工商業(yè)分布式光伏與儲(chǔ)能市場迎來爆發(fā)式增長。然而,如何高效管理光儲(chǔ)系統(tǒng)的能量流動(dòng)、實(shí)現(xiàn)峰谷套利與電網(wǎng)安全平衡,成為行業(yè)核心挑戰(zhàn)。安科瑞電氣推出的ADL400N-CT系列儲(chǔ)能計(jì)量表,憑借UL、CE、MID三重認(rèn)證與毫秒級響應(yīng)能力,正成為新能源系統(tǒng)的“智慧心臟”。
2025-06-11 15:32:30544

多晶FPGA/CPLD芯片通過工信部自主可控等級評定

SA5T-100-D0-7F676CI、SA5Z-30-D1-8U213C 等 8 款型號(hào),廣泛應(yīng)用于圖像處理、工業(yè)控制、通信、汽車電子、智慧醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心等多個(gè)關(guān)鍵場景,標(biāo)志著智多晶在核心芯片技術(shù)自主化道路上取得了又一要里程碑。
2025-06-06 09:30:201347

中天淮安攜手匯川技術(shù)推動(dòng)制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

當(dāng)鋼簾線產(chǎn)業(yè)面臨雙碳轉(zhuǎn)型、全球化競爭與柔性制造三重壓力,一場由5G-A+虛擬控制器規(guī)?;瘧?yīng)用引發(fā)的智控革命正在淮安落地——近日,中天淮安公司新型工業(yè)網(wǎng)絡(luò)及智能控制系統(tǒng)建設(shè)項(xiàng)目正式啟動(dòng)。
2025-06-05 11:14:13917

行業(yè)破局者故事2:德賽西威攜手IBM咨詢進(jìn)行"技術(shù)+產(chǎn)品+經(jīng)營"三重創(chuàng)新

北京?2025年6月4日?/美通社/ -- 人工智能正以前所未有的速度和深度重塑全球產(chǎn)業(yè)格局。特別是過去一年,雖然汽車行業(yè)在外部壓力增大、內(nèi)部挑戰(zhàn)增多的情況下攻堅(jiān)克難,取得一系列成績,但也要清醒
2025-06-04 16:16:11381

破局!中天淮安攜手匯川技術(shù)啟動(dòng)新型工業(yè)網(wǎng)絡(luò)及智能控制系統(tǒng)建設(shè)項(xiàng)目

當(dāng)鋼簾線產(chǎn)業(yè)面臨雙碳轉(zhuǎn)型、全球化競爭與柔性制造三重壓力,一場由5G-A+虛擬控制器規(guī)?;瘧?yīng)用引發(fā)的智控革命正在淮安落地——近日,中天淮安公司新型工業(yè)網(wǎng)絡(luò)及智能控制系統(tǒng)建設(shè)項(xiàng)目正式啟動(dòng)。匯川技術(shù)聯(lián)合
2025-06-03 16:33:38814

國產(chǎn)濾波器,如何破局!

國產(chǎn)濾波器突圍戰(zhàn): 三重挑戰(zhàn)下的產(chǎn)業(yè)進(jìn)階之路 隨著 5G 網(wǎng)絡(luò)的規(guī)?;逃?、RedCap 技術(shù)的加速部署、車載V2X的逐步覆蓋以及衛(wèi)星直連通信的落地,移動(dòng)終端對射頻前端(RFFE)的性能要求與數(shù)量
2025-06-03 12:36:58532

自對準(zhǔn)硅化物工藝詳解

源漏區(qū)的單晶和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻,自對準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時(shí)減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻,降低接觸電阻,并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外,它避免了
2025-05-28 17:30:042349

使用共聚焦拉曼顯微鏡進(jìn)行多晶硅太陽能電池檢測

圖1.多晶硅太陽能電池的顯微鏡光學(xué)圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的。 可再生能源,例如太陽能,預(yù)計(jì)將在不久的將來發(fā)揮重要作用。為了將太陽光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能,太陽能電池(晶體或多晶
2025-05-26 08:28:41601

奧松電子擴(kuò)散壓力變送器的優(yōu)勢

在快速發(fā)展的工業(yè)領(lǐng)域,精準(zhǔn)的壓力測量與控制是保障生產(chǎn)安全、提升產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。奧松電子傾力打造的擴(kuò)散壓力變送器,憑借優(yōu)良的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了眾多工業(yè)企業(yè)的信賴之選。這款變送器擁有APT與APU兩大系列,分別采用不同的接口設(shè)計(jì),以滿足各種工業(yè)場景的安裝需求。
2025-05-20 14:42:12763

硅單晶片電阻均勻性的影響因素

直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長為固態(tài)的單晶的過程,沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻很高,幾乎不會(huì)導(dǎo)電,沒有市場應(yīng)用價(jià)值,因此通過人為的摻雜進(jìn)行雜質(zhì)引入,我們可以改變、控制硅單晶的電阻
2025-05-09 13:58:541253

鈣鈦礦/疊層電池效率達(dá)30.74%,梯度折射IZrO/IZO多層透明電極的應(yīng)用突破

氧化銦)和IZrO(鋯摻雜氧化銦)存在晶化度低、載流子遷移不足等問題。本研究通過設(shè)計(jì)IZrO/IZO多層薄膜,結(jié)合梯度折射抗反射策略,并借助美能鈣鈦礦膜厚測試
2025-05-07 09:03:422791

憶聯(lián)如何以技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)變革

在AI算力爆發(fā)式增長驅(qū)動(dòng)千行百業(yè)智能升級的進(jìn)程中,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)體系正面臨性能、容量與能效的三重考驗(yàn)。在今年3月舉辦的2025中國閃存市場峰會(huì)(CFMS)上,行業(yè)專家和各大廠商進(jìn)一步對存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新和未來
2025-04-29 13:54:37940

當(dāng)LED顯示屏遇見光傳輸:漢源高科LED大屏光纖收發(fā)器如何突破距離、控制系統(tǒng)兼容、應(yīng)用環(huán)境三重極限?

在數(shù)字視覺爆發(fā)的黃金時(shí)代,LED大屏正面臨傳輸技術(shù)的終極考驗(yàn):如何讓海量像素?zé)o損穿越千米距離?如何讓不同品牌設(shè)備無縫對話?如何在極端環(huán)境下堅(jiān)守穩(wěn)定?漢源高科以多通道全能通用款LED大屏光纖收發(fā)器給出
2025-04-28 15:45:46

星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良

一般的 10% 起點(diǎn),也好于此前同制程產(chǎn)品的不足 20%。 一位半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士解釋道,“初始測試生產(chǎn)良達(dá)到40%是一個(gè)不錯(cuò)的數(shù)字,我們可以立即開展業(yè)務(wù)”,并補(bǔ)充道,“通常,(代工流程良)從10
2025-04-18 10:52:53

正弦波經(jīng)運(yùn)放后變成角波是什么原因?不像是壓擺的問題

=0.006V/us,但是我用的運(yùn)放壓擺都在1V/us以上,還有沒有其他的原因。 (但是當(dāng)我的輸入頻率和幅值很小時(shí),確實(shí)能正常輸出,再大就變角波了,這又很符合壓擺不足的特點(diǎn))
2025-04-17 20:29:12

RAKsmart智能算力架構(gòu):異構(gòu)計(jì)算+低時(shí)延網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動(dòng)企業(yè)AI訓(xùn)練范式升級

在AI大模型參數(shù)量突破萬億、多模態(tài)應(yīng)用爆發(fā)的今天,企業(yè)AI訓(xùn)練正面臨算力效率與成本的雙重挑戰(zhàn)。RAKsmart推出的智能算力架構(gòu),以異構(gòu)計(jì)算資源池化與超低時(shí)延網(wǎng)絡(luò)為核心,重構(gòu)AI訓(xùn)練基礎(chǔ)設(shè)施,助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)訓(xùn)練速度提升、硬件成本下降與算法迭代加速的三重突破。
2025-04-17 09:29:13653

AI賦能,健康無界:WT2605C語音芯片智能血壓計(jì)的個(gè)性化設(shè)計(jì)方案

:數(shù)據(jù)如何解讀?異常如何干預(yù)?風(fēng)險(xiǎn)如何預(yù)防?WT2605C芯片方案的誕生,通過“AI對話+云端互聯(lián)+個(gè)性化服務(wù)”三重技術(shù)突破,重新定義了血壓計(jì)的價(jià)值邊界——它不僅是一
2025-04-16 08:57:18607

多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
2025-04-15 10:27:431311

LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶、多晶硅與非晶種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對材料性能的影響,幫助讀者深入理解材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:531994

芯片制造中的多晶硅介紹

多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數(shù)微小晶粒組成的非單晶材料。與單晶(如襯底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453607

愛立信如何攻克通信網(wǎng)絡(luò)“高”挑戰(zhàn)

在5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)快速發(fā)展的今天,全球通信網(wǎng)絡(luò)正面臨重壓力——場景不斷膨脹、數(shù)據(jù)爆炸式增長、設(shè)備數(shù)量激增,而用戶對低時(shí)延、高安全和極致體驗(yàn)的要求,正驅(qū)動(dòng)網(wǎng)絡(luò)向智能化、高可靠方向加速演進(jìn)。
2025-04-07 14:57:5115201

晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364

2025設(shè)備管理新范式:生成式AI在故障知識(shí)庫中的創(chuàng)新應(yīng)用

生成式 AI 提供了全新的解決方案,引領(lǐng)設(shè)備管理進(jìn)入“健康治理”新紀(jì)元。傳統(tǒng)設(shè)備管理深陷知識(shí)困局,知識(shí)沉淀遭遇“三重斷點(diǎn)”,而生成式 AI 面臨多模態(tài)數(shù)據(jù)融合與語義推理引擎技術(shù)突破,實(shí)現(xiàn)設(shè)備故障診斷和管理的全面提升。
2025-03-31 10:44:591047

福田汽車攜Beacon氫燃料卡亮相2025中關(guān)村論壇

近日,中關(guān)村論壇盛大啟幕,福田汽車攜全球首款工程化落地的液氫卡——Beacon氫燃料卡驚艷亮相中關(guān)村論壇成就展。福田液氫卡的問世,標(biāo)志著我國在液氫燃料卡領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從關(guān)鍵部件到整車系統(tǒng)的全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控,為全球氫能商業(yè)化應(yīng)用貢獻(xiàn)了中國智慧。
2025-03-28 15:37:57924

天合光能定義水與光伏共生之道

今年,隨著《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2024年本)》的推行,光伏行業(yè)在水資源管理方面迎來了更加明確且嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn):多晶硅項(xiàng)目的水重復(fù)利用率需不低于98%,新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目的水耗低于360噸/MWp且再生水使用率高于40%。
2025-03-21 11:08:56840

吸塵器“心臟”革命!仁懋TOLL技術(shù)重塑吸塵器動(dòng)力

%。傳統(tǒng)封裝器件在高速無刷電機(jī)場景下面臨三重枷鎖:-電流暴力沖擊:電機(jī)啟動(dòng)瞬間電流超150A,鍵合線熔斷風(fēng)險(xiǎn)激增;-散熱空間困局:MOS占PCB面積超20%,制約
2025-03-14 16:52:191093

多晶硅錠定向凝固生長方法

鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來,為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率,通過控制模具中熔體凝固過程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:121126

博爾森冗余磁致伸縮位移傳感器:三重防護(hù)筑牢工業(yè)安全防線

本文主要講述了博爾森磁致伸縮位移傳感器的技術(shù)突破、核心產(chǎn)品和應(yīng)用價(jià)值,以及方案優(yōu)勢。該傳感器采用三重冗余架構(gòu),能抗惡劣環(huán)境,同時(shí)具有微米級精度和高可靠性的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于鋼鐵冶金、能源電力等行業(yè),對提高生產(chǎn)效率和降低維護(hù)成本具有重要作用。
2025-03-09 11:53:48670

22.0%效率的突破:前多晶硅選擇性發(fā)射極雙面TOPCon電池的制備與優(yōu)化

隨著全球能源需求的增長,開發(fā)高效率太陽能電池變得尤為重要。本文旨在開發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝,用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽能電池,并通過優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
2025-03-03 09:02:291199

晶圓的標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝流程

硅片,作為制造半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ),源自高純度的材料。這一過程中,多晶硅被熔融并摻入特定的晶體種子,隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶棒。經(jīng)過精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟,這些棒被轉(zhuǎn)化為硅片,業(yè)界通常稱之為晶圓,其中8英寸和12英寸規(guī)格在國內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:511239

安科瑞EMS2.0:紡織工廠的“能效革命”—高耗能困局破壁,合理規(guī)劃每一度電

紡織廠電費(fèi)吞噬40%利潤?如何用一套系統(tǒng)讓空調(diào)、電機(jī)、生產(chǎn)線“精準(zhǔn)控能”? 在“雙碳”政策與成本倒逼下,紡織行業(yè)面臨電費(fèi)飆升、設(shè)備老化、品控不穩(wěn)三重壓力。安科瑞EMS2.0能效管理平臺(tái),以**數(shù)據(jù)
2025-02-20 15:46:55939

午芯芯科技國產(chǎn)電容式MEMS壓力傳感器芯片突破卡脖子技術(shù)

項(xiàng)芯片架構(gòu)專利,壓阻式和電容式壓力芯片均已流片成功,其中電容式壓力芯片是國際首創(chuàng)結(jié)構(gòu),達(dá)到國際領(lǐng)先水平。與國外產(chǎn)品對比優(yōu)勢:1.高精度、高分辨、低功耗、溫度特性優(yōu)良,在極端溫度下,絕對精度不變。2.
2025-02-19 12:19:20

大研智造激光焊錫機(jī),為何是微小高精度擴(kuò)散芯片壓力傳感器焊接首選?

地位。然而,這類傳感器因其微小尺寸和高精度要求,在焊接過程中面臨諸多挑戰(zhàn)。大研智造激光焊錫機(jī)以其先進(jìn)的技術(shù)和獨(dú)特優(yōu)勢,為擴(kuò)散芯片壓力傳感器的焊接提供了理想解決方案。
2025-02-14 09:49:44878

74LVC3G16三重緩沖器規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74LVC3G16三重緩沖器規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 14:33:200

總投資190億元,浙江星柯二期項(xiàng)目MLED開工

萬套MLED(第代顯示)芯片、5.5萬平方米MLED新型顯示模組、1000萬片柔性顯示器件和2200萬平方米超寬幅載板玻璃。項(xiàng)目建成后,將突破光電顯示領(lǐng)域核心“卡脖子”技術(shù),實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代,推動(dòng)我國顯示產(chǎn)業(yè)彎道超車。 星柯項(xiàng)目總投資310億元。一期高性能載板
2025-02-12 10:52:08925

單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢,它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一,便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132

74LV4053三重單刀雙擲模擬開關(guān)規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74LV4053三重單刀雙擲模擬開關(guān)規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:46:190

為什么采用多晶硅作為柵極材料

本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
2025-02-08 11:22:461299

Poly-SE選擇性多晶硅鈍化觸點(diǎn)在n-TOPCon電池中的應(yīng)用

Poly-SEs技術(shù)通過在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層,有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻,同時(shí)提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽能電池中,Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
2025-02-06 13:59:421200

星 Galaxy S25 系列引入最新HOP3.0

星Galaxy S25系列手機(jī)近日引發(fā)了科技界的廣泛關(guān)注,其一大亮點(diǎn)是首發(fā)HOP 3.0顯示技術(shù)。 HOP 3.0即混合氧化物和多晶硅技術(shù),是星自研LTPO技術(shù)的升級版。它支持1Hz至120Hz
2025-01-24 15:52:052095

多晶DDR Controller使用注意事項(xiàng)

最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時(shí)的注意事項(xiàng)。
2025-01-24 11:14:141479

多晶DDR Controller介紹

本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見應(yīng)用領(lǐng)域、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內(nèi)容。
2025-01-23 10:29:541268

多晶2024年度大事記回顧

過去一年中,智多晶人攜手拼搏、攻堅(jiān)克難,共同促進(jìn)產(chǎn)品升級推廣。在合作伙伴和業(yè)界同仁們的關(guān)注與支持中,我們在更廣闊的舞臺(tái)上展示智多晶的FPGA技術(shù)。這一年,智多晶的業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)了良好增長,
2025-01-21 17:15:431152

中國2025年新材料產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)估達(dá)10萬億元

2012年約1萬億元增加到2022年的6.8萬億元,總規(guī)模增長近6倍,年復(fù)合增長超過20%。2025年我國新材料產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值有望達(dá)到10萬億元。新材料行業(yè)概覽新材料是指新
2025-01-21 07:21:451419

高電壓大電流直流充電樁,使用安全嗎?

不用過分擔(dān)心,因?yàn)槌潆姌队?b class="flag-6" style="color: red">三重安全保護(hù)機(jī)制。
2025-01-08 09:58:43927

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