本文提供了來自英飛凌的兩個(gè)文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin,其中在OptiMOS_n.sin這個(gè)單個(gè)模板中文件中包含了286個(gè)模型。
2023-12-06 11:32:46
2458 
本應(yīng)用筆記介紹了通過利用英飛凌OptiMOS?3解決方案的優(yōu)化表幫助選擇最佳MOSFET的方法。
2011-12-06 11:33:28
8967 
基于該封裝概念的功率MOSFET,它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿,不僅通態(tài)電阻(RDS(on))降低,還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛,包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、SMPS(包括服務(wù)器、電信和
2020-02-18 17:50:08
2025 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本:標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:37
1997 【 2023 年 5 月 12 日,德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:36
1578 
。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容,此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案,在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:43
2171 
:IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì),推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37
1464 
? 【 2024 年 4 月 15 日 , 德國(guó)慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:44
5848 
,在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件,并且推出了80 V和100 V型號(hào)的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對(duì)各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,包括電動(dòng)
2024-06-18 17:51:28
1177 
看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來源:英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品,產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間,主打一個(gè)高性能和高性價(jià)比。OptiMOS系列的特點(diǎn)包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度,適合于較高開關(guān)頻率的應(yīng)用,像通信應(yīng)
2025-02-27 00:58:00
2676 
3~25V與10安3~15V電壓可調(diào)電壓電路原理圖詳解
2020-04-16 20:47:01
散熱性能。結(jié)論通過推出適用于200 V和250 V電壓級(jí)的OptiMOS 3器件,如今,英飛凌科技的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋從25V至250V的整個(gè)電壓范圍。無論任何電壓等級(jí),OptiMOS 3都具備一流的靜態(tài)
2018-12-07 10:21:41
,英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術(shù)直接比較,結(jié)果表明,新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on),還可大幅改進(jìn)開關(guān)特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
/DC開關(guān)電源的設(shè)計(jì)開發(fā)。2009年加入英飛凌科技(中國(guó))有限公司。任系統(tǒng)應(yīng)用工程師,負(fù)責(zé)英飛凌功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和方案推廣。演講內(nèi)容介紹:英飛凌新的OptiMOS產(chǎn)品為MOSFET分離器件設(shè)立了一個(gè)
2012-07-13 10:50:22
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動(dòng)器
2018-09-01 09:53:17
低成本可調(diào)數(shù)顯穩(wěn)壓電源(1.3V~25V)proteus仿真資料
2012-08-20 11:10:08
供電為9V電池,是否可以通過兩個(gè)MAX668實(shí)現(xiàn)正、負(fù)25V電源系統(tǒng)?或者還有其它解決方案?
2015-12-02 14:49:46
求幫忙推薦一款升壓電路芯片,要求輸入不超過15V,輸出7V~25V可調(diào),謝謝!
2017-09-25 15:53:04
要求輸入9V輸出25V,電流能達(dá)到2A以上,最好能恒壓和恒流之間可以切換
2014-10-06 22:30:10
手頭有一個(gè)項(xiàng)目汽車上用的12V系統(tǒng),在選擇電源端電解電容的時(shí)候懵逼了,因?yàn)楫a(chǎn)品尺寸的限制和電容容量的要求1000uf 只找到25V 1000UF 12.5*20 的電解電容,但是我看公司里的產(chǎn)品
2019-10-17 08:50:14
大家好:
我的板子里現(xiàn)在需要一個(gè)±25V和±15V電源,且噪聲要求5mV以下,做精密測(cè)量噪聲越小越好。我現(xiàn)在的方案是利用DC POWER SUPPLY DF1731SL3A提供±25V,然后按(圖一
2024-01-08 11:26:17
輸入12V,輸出25V,6A的開關(guān)電源電路
2019-05-09 11:31:13
輸入12V,輸出25V,10A的開關(guān)電源電路
2019-05-10 08:24:16
2.5V至25V可調(diào)穩(wěn)壓輸出電源電路
2008-12-07 16:34:50
2469 
10A,25V直流固體繼電器電路圖
2009-04-13 09:00:35
2052 
MAX9959 25V Span, 800mA Device Power Supply (DPS)
The MAX9959 provides all the key features of a
2009-07-02 09:27:18
1116 
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57
1239 英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件,壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣
2010年1月21日,德國(guó)Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近
2010-01-26 09:25:27
1386 新功率器件讓服務(wù)器能效達(dá)到93%
為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效,英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示會(huì)上,推出OptiMOS 25V器件
2010-03-01 11:45:37
672 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù),OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22
748 Vishay宣布,推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:14
1737 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿,從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16
897 英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41
898 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:45
1485 Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。
2012-01-11 09:12:44
2610 Maxim Integrated Products推出±25V超擺幅模擬復(fù)用器(MAX14778)和模擬開關(guān)(MAX14759–MAX14764),能夠在3V至5.5V電源供電條件下切換/復(fù)用較寬范圍的信號(hào)。
2012-03-26 14:58:00
1326 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品,進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:38
1775 2015年3月24日,德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族,它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:08
1666 低成本可調(diào)數(shù)顯穩(wěn)壓電源(1.3V~25V)proteus仿真資料,有興趣的同學(xué)可以下載學(xué)習(xí)
2016-04-28 17:05:24
71 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:00
4336 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是25v電壓表的驅(qū)動(dòng)程序免費(fèi)下載。
2019-05-06 11:42:45
7 英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一,在導(dǎo)通電阻的開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗(yàn)以滿足高性能的需求;加入增強(qiáng)模式,可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:51
3853 
SuperSO8封裝:OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝,堪稱封裝界的best-in-class級(jí)別,相比于TO-220封裝,SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進(jìn)一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:17
6007 
電容25V指的是該電容最高耐壓25V,使用該電容時(shí),加在電容兩端的電壓不允許超過25V。
2019-12-08 10:37:50
22372 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:50
5544 LT8391 Demo Circuit - High Efficiency 50W Buck-Boost LED Driver (4-60V to 25V LED @ 2A)
2021-02-20 15:54:33
12 LTC1859 - 16 位、8 通道 ADC 具有可編程輸入范圍和高達(dá) ±25V 的故障保護(hù)
2021-03-20 20:04:33
0 LT1913演示電路-3.5A、25V、2.4 Mhz降壓穩(wěn)壓器(12V至5V@3.5A)
2021-04-13 08:29:32
4 LT1076HV演示電路-降壓開關(guān)穩(wěn)壓器(25V至5V@1.5A)
2021-04-13 16:09:50
10 LT1938:25V、2.2A、2.8 MHz降壓開關(guān)穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表
2021-04-28 14:23:13
0 LT1913:25V、3.5A、2.4 Mhz降壓開關(guān)穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 16:38:41
0 LT8391演示電路-高效50W降壓升壓LED驅(qū)動(dòng)器(4-60V至25V LED@2A)
2021-05-30 19:25:30
20 LT1913演示電路-3.5A、25V、2.4 Mhz降壓穩(wěn)壓器(12V至5V@3.5A)
2021-06-16 16:54:17
4 LT1076HV演示電路-降壓開關(guān)穩(wěn)壓器(25V至5V@1.5A)
2021-06-16 18:40:17
28 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計(jì)理念, 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) (FOM)。
2021-12-03 10:50:38
1561 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡(jiǎn)稱SD)功率MOSFET,為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:38
2669 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:16
2199 
OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo),有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費(fèi)類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率位居全球第一,特別是在汽車
2022-08-19 15:05:05
6085 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
2022-12-29 10:02:53
1669 
未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn),以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì),英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET,電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22
1708 25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN7R7-25QL
2023-02-17 19:14:34
0 25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R2-25QL
2023-02-17 19:14:59
0 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.7 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR60-25YLH
2023-02-20 19:33:11
0 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56E 中的 N 溝道 25 V、0.57 mΩ、380 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR51-25YLH
2023-02-20 19:33:22
0 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、4.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R0-25YLC
2023-02-22 18:48:32
0 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、2.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25MLD
2023-02-22 18:52:47
0 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、3.72 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R5-25MLD
2023-02-22 18:53:18
0 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、5.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R3-25MLD
2023-02-22 18:54:38
0 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、5.69 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD
2023-02-22 18:54:57
0 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、6.75 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD
2023-02-22 18:55:17
0 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、6.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-25MLD
2023-02-22 18:55:32
0 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-25YLC
2023-02-22 18:58:22
0 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLB
2023-02-22 18:58:53
0 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、3.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R9-25YLC
2023-02-22 19:01:28
0 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R2-25YLC
2023-02-22 19:01:59
0 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLC
2023-02-22 19:03:14
0 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R1-25YLC
2023-02-22 19:03:25
0 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、0.99 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLC
2023-02-22 19:03:39
0 本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。
2023-06-14 14:25:17
4338 
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12
1765 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12
1705 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49
1820 
英飛凌科技股份公司,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29
1466 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《25V N溝道 NexFET? 功率MOSFET CSD16321Q5數(shù)據(jù)表 .pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:43:01
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《25V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:46:30
0 全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC,該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù),專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對(duì)熱效率和空間利用有嚴(yán)苛要求的場(chǎng)合設(shè)計(jì)。
2024-04-15 15:49:33
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英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度,還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:07
1440 英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價(jià)比,在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:45
1266 近日,英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET 135V,并配備了D2PAK 7引腳封裝,是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺(tái)的功率部分。
2024-10-23 17:27:10
1205 新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V,D2PAK7引腳封裝,是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺(tái)的功率部分。它是一個(gè)帶功率
2024-10-24 08:03:52
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TPS61287 是一款高功率密度、同步升壓轉(zhuǎn)換器,集成了高壓側(cè)同步整流器 MOSFET,并使用外部低壓側(cè) MOSFET 提供高效率和小尺寸解決方案。TPS61287具有 2.0V 至 23V 的寬輸入電壓范圍,輸出電壓覆蓋高達(dá) 25V,具有 20A 開關(guān)谷電流能力。
2025-05-29 10:06:14
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可支持 20A 開關(guān)電流,VHIGH 電壓支持高達(dá) 25V 的電壓。最小 VLOW 電壓由 VLOW/VHIGH 比率和頻率決定,例如,在 VHIGH = 15V 條件下,VLOW 電壓可以支持低至 0.5V 的電壓。該器件在效率、散熱和解決方案尺寸之間實(shí)現(xiàn)了出色的平衡,適用于高功率雙向轉(zhuǎn)換。
2025-06-04 11:47:04
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探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中,為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06
188 。今天就來詳細(xì)聊聊英飛凌的OptiMOS? 5 Linear FET 2,也就是型號(hào)為IPT017N10NM5LF2的這款100V MOSFET,看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)。 文件下載: Infineon
2025-12-19 09:35:06
504 探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領(lǐng)域,功率 MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們將深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-19 10:20:16
207 英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關(guān)板:技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03
232 ,近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術(shù),為我們帶來了諸多驚喜。今天,我們就來深入探討這一技術(shù)及其在三相功率逆變器板上的應(yīng)用。 文件下載: Infineon
2025-12-20 10:35:06
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評(píng)論