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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源新聞>英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS

英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS

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2023-09-06 14:18:432171

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英飛凌40V和60V MOSFET

,英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術(shù)直接比較,結(jié)果表明,新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on),還可大幅改進(jìn)開關(guān)特性。 阻斷電壓為
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【在線研討會(huì)】英飛凌OptiMOS 全面提升不同負(fù)載效率

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英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
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2022-08-19 15:05:056085

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
2022-12-29 10:02:531669

英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn),以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì),英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET,電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:221708

25V,N 溝道溝槽 MOSFET-PXN7R7-25QL

25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN7R7-25QL
2023-02-17 19:14:340

25V,N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R2-25QL

25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R2-25QL
2023-02-17 19:14:590

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56中的N溝道 25V,0.7 mΩ、300A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR60-25YLH

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.7 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR60-25YLH
2023-02-20 19:33:110

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56E中的N溝道 25V,0.57 mΩ、380A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR51-25YLH

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56E 中的 N 溝道 25 V、0.57 mΩ、380 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR51-25YLH
2023-02-20 19:33:220

LFPAK中的N溝道 25V,4.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R0-25YLC

LFPAK 中的 N 溝道 25 V、4.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R0-25YLC
2023-02-22 18:48:320

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33中的N溝道 25V,2.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25MLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、2.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25MLD
2023-02-22 18:52:470

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33中的N溝道 25V,3.72mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R5-25MLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、3.72 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R5-25MLD
2023-02-22 18:53:180

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33中的N溝道 25V,5.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R3-25MLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、5.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R3-25MLD
2023-02-22 18:54:380

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56中的N溝道 25V,5.69 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、5.69 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD
2023-02-22 18:54:570

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56中的N溝道 25V,6.75 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、6.75 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD
2023-02-22 18:55:170

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33中的N溝道 25V,6.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-25MLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、6.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-25MLD
2023-02-22 18:55:320

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-25YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-25YLC
2023-02-22 18:58:220

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,6.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLB

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLB
2023-02-22 18:58:530

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,3.15mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R9-25YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、3.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R9-25YLC
2023-02-22 19:01:280

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R2-25YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R2-25YLC
2023-02-22 19:01:590

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLC
2023-02-22 19:03:140

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,1.15mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R1-25YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R1-25YLC
2023-02-22 19:03:250

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,0.99 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、0.99 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLC
2023-02-22 19:03:390

單片驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。
2023-06-14 14:25:174338

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:121765

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:121705

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

英飛凌科技股份公司,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466

25V N溝道 NexFET? 功率MOSFET CSD16321Q5數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《25V N溝道 NexFET? 功率MOSFET CSD16321Q5數(shù)據(jù)表 .pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:43:010

25V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《25V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:46:300

英飛凌推出新一代OptiMOS? MOSFET技術(shù)封裝

全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC,該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù),專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對(duì)熱效率和空間利用有嚴(yán)苛要求的場(chǎng)合設(shè)計(jì)。
2024-04-15 15:49:331564

英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度,還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440

英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價(jià)比,在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266

英飛凌發(fā)布新型模塊化半橋功率板

近日,英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET 135V,并配備了D2PAK 7引腳封裝,是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺(tái)的功率部分。
2024-10-23 17:27:101205

新品 | 采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板

新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V,D2PAK7引腳封裝,是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺(tái)的功率部分。它是一個(gè)帶功率
2024-10-24 08:03:521298

TPS61287 23V VIN、25V VOUT、20A 同步升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS61287 是一款高功率密度、同步升壓轉(zhuǎn)換器,集成了高壓側(cè)同步整流器 MOSFET,并使用外部低壓側(cè) MOSFET 提供高效率和小尺寸解決方案。TPS61287具有 2.0V 至 23V 的寬輸入電壓范圍,輸出電壓覆蓋高達(dá) 25V,具有 20A 開關(guān)谷電流能力。
2025-05-29 10:06:14772

TPS61289 25V 20A 雙向升降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

可支持 20A 開關(guān)電流,VHIGH 電壓支持高達(dá) 25V 的電壓。最小 VLOW 電壓由 VLOW/VHIGH 比率和頻率決定,例如,在 VHIGH = 15V 條件下,VLOW 電壓可以支持低至 0.5V 的電壓。該器件在效率、散熱和解決方案尺寸之間實(shí)現(xiàn)了出色的平衡,適用于高功率雙向轉(zhuǎn)換。
2025-06-04 11:47:04658

探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破

探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中,為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06188

OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析

。今天就來詳細(xì)聊聊英飛凌OptiMOS? 5 Linear FET 2,也就是型號(hào)為IPT017N10NM5LF2的這款100V MOSFET,看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)。 文件下載: Infineon
2025-12-19 09:35:06504

探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能

探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領(lǐng)域,功率 MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們將深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-19 10:20:16207

英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關(guān)板:技術(shù)解析與應(yīng)用前景

英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關(guān)板:技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03232

探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù):從原理到應(yīng)用

,近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術(shù),為我們帶來了諸多驚喜。今天,我們就來深入探討這一技術(shù)及其在三相功率逆變器板上的應(yīng)用。 文件下載: Infineon
2025-12-20 10:35:06518

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