導通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
3811 
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021660 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:083396 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211630 瑞薩電子開發(fā)第三代車載SJ-MOSFET，計劃1～2年內(nèi)開始量產(chǎn)。該器件降低了導通電阻和EMI（電磁噪聲）...
2013-05-31 09:22:201804 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關
2019-03-08 15:06:392742 由于具有最低的導通電阻（RDS（on）），這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外，通管殼（Junction to Case （RthJC）） 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來更低的滿載運作溫度。
2019-07-15 16:37:412189 基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標桿，不僅通態(tài)電阻（RDS（on））降低，還具有業(yè)內(nèi)領先的熱性能指標。該產(chǎn)品適合的應用非常廣泛，包括馬達驅動、SMPS（包括服務器、電信和
2020-02-18 17:50:082025 日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:371997 【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361578 
：IFNNY）順應系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率
2023-12-12 18:04:371464 
，在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來的48 V汽車應用進行了優(yōu)化，包括電動
2024-06-18 17:51:281177 
看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來源：英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領域的產(chǎn)品，產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間，主打一個高性能和高性價比。OptiMOS系列的特點包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度，適合于較高開關頻率的應用，像通信應
2025-02-27 00:58:002676 
【 2025 年 7 月 1 日 , 德國慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC
2025-07-02 15:00:301604 
。7N80的柵源電壓(VGS)為±30V，導通電阻RDS(on)為1.9Ω。7N80的電性參數(shù)是：連續(xù)二極管正向電流(IS)為7A，漏源電壓(VDSS)為800V，源-漏二極管壓降(VSD)為1.4V
2021-12-01 16:42:02
（1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數(shù)，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
，英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術直接比較，結果表明，新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on)，還可大幅改進開關特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
DirectFET2功率環(huán)保封裝 由于采用COOLiRFET硅技術, 40V AUIRF8736M2與上一代設備相比，導通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導損耗降到最低。雙面冷卻的中罐式
2018-09-28 15:57:04
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
新的功率密度和能效標準?！O低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導通電阻使得New OptiMOS成為服務器，數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
非常先進的技術能力才能實現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
大聯(lián)大控股(WPG Holding)旗下品佳推出英飛凌汽車LED大燈驅動解決方案，不同于傳統(tǒng)白熾燈需要恒定直流電源供電，而且需要一系列保護功能和狀態(tài)回饋，LED將讓汽車照明更有效率且具有更多優(yōu)勢
2018-12-12 09:50:04
”這個參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉換器的傳遞函數(shù)導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉換器為基礎，按照同樣步驟來推導。右側電路圖在上次給出的升降壓轉換器簡圖上標出了作為開關的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
銳駿半導體本周正式發(fā)布兩款全新超低導 通電阻MOSFET產(chǎn)品，型號分別為RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。這兩款產(chǎn)品均采用DFN5060封裝，憑借先進
2024-10-14 09:40:16
500V類似于COOLMOS的內(nèi)部結構，使500V，12A的MOSFET 可封裝在TO-220管殼內(nèi)，導通電阻為0.35Ω，低于IRFP450的0.4Ω，電流額定值與IRFP450相近。IXYS也有
2023-02-27 11:52:38
。本篇將以ROHM的產(chǎn)品陣容及其特征作為SJ-MOSFET的具體案例來進行說明。SJ-MOSFET的種類以ROHM為例，SJ-MOSFET是根據(jù)噪聲、導通電阻、高速性及獨有結構等進行分類的。首先
2018-12-03 14:27:05
Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:061007 TI發(fā)布具備更低導通電阻的集成負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標準導通電阻 (RON) 比同類競爭產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:571239 英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:471055 IR智能電源開關為24V汽車應用提供超低導通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側智能電源開關。該產(chǎn)品具有超低的導
2010-03-19 09:14:551514 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:262309 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16897 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41898 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451485 日本知名半導體制造商羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” （500V/50A/typ，34mΩmax45mΩ）。
2012-05-04 11:53:101749 
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401003 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應用，還適用于電機驅動器和開關穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:301152 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。
2015-01-22 15:33:263434 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統(tǒng)解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381775 2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族，它們是采用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081666 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V
2015-06-19 17:07:561374 Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171295 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負載開關低90%，同時，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負載開關的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361795 高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) （FOM 即柵極電荷與導通電阻乘積），該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉換應用的關鍵指標。
2017-02-10 15:10:112189 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 關鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節(jié)省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01728 英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一，在導通電阻的開關系統(tǒng)設計中，能經(jīng)受極高的質量考驗以滿足高性能的需求；加入增強模式，可根據(jù)不同應用場景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513853 
安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:404976 對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:121262 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 對于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到?jīng)Q定作用。
2021-05-01 17:26:0020570 
OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設計理念， 具有更低的導通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。
2021-12-03 10:50:381561 導通電阻是二極管的重要參數(shù)，它是指二極管導通后兩段電壓與導通電流之比。生活中常用的測量導通電阻的方法有測量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬用表測量法、接地搖表測量法以及專用儀器測量法。
2022-01-29 15:49:0029359 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382669 
在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:056085 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設計
2022-12-29 10:02:531669 
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:071710 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系
2023-05-17 13:35:021476 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
采用OptiMOS 7 技術的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:121765 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:121705 ROHM 推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V)， 這些產(chǎn)品非常適合驅動以24V 、36V 、48V
2023-11-20 01:30:561060 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經(jīng)過系統(tǒng)和應用優(yōu)化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 全球半導體行業(yè)的領導者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進的OptiMOS? MOSFET技術，專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對熱效率和空間利用有嚴苛要求的場合設計。
2024-04-15 15:49:331564 
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應用需求。
2024-05-11 10:15:441889 
近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產(chǎn)品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務器和AI服務器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數(shù)對系統(tǒng)性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調試或可
2025-11-12 11:02:47339 
在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設計中，MOSFET作為開關元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)
2025-12-16 11:01:13198 
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機驅動的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機驅動系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06188 探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領域，功率 MOSFET 扮演著至關重要的角色。今天，我們將深入探討英飛凌（Infineon
2025-12-19 10:20:16207 英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關板：技術解析與應用前景 在現(xiàn)代電力電子領域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）是不可或缺的關鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03232 ，近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術，為我們帶來了諸多驚喜。今天，我們就來深入探討這一技術及其在三相功率逆變器板上的應用。 文件下載： Infineon
2025-12-20 10:35:06518
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論