日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域為中心的、輸入電壓24V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2012-08-08 09:18:23
1517 英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產(chǎn)品系列，專為提升系統(tǒng)效率及易于使用所設(shè)計，補足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強調(diào)使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術(shù)區(qū)間。
2012-11-13 08:54:332178 飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產(chǎn)品可幫助設(shè)計人員在汽車動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:041314 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿，不僅通態(tài)電阻（RDS（on））降低，還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛，包括馬達(dá)驅(qū)動、SMPS（包括服務(wù)器、電信和
2020-02-18 17:50:082025 英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:001789 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:371997 【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361578 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:432171 
，進(jìn)一步補充其OptiMOS? 5 系列60V至120V 車用MOSFET 產(chǎn)品組合。這些產(chǎn)品能以小巧外形提供出色的熱性
2023-10-13 13:57:362179 
：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:371464 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:445848 
組合，在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動
2024-06-18 17:51:281177 
看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來源：英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品，產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間，主打一個高性能和高性價比。OptiMOS系列的特點包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度，適合于較高開關(guān)頻率的應(yīng)用，像通信應(yīng)
2025-02-27 00:58:002676 
，繼續(xù)朝著成為GaN技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的目標(biāo)邁進(jìn)，并進(jìn)一步鞏固了其全球汽車半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。 ? ? 英飛凌CoolGaN? 100V G1車規(guī)級晶體管 ? 英飛凌正式推出CoolGaN? 100V G1
2025-11-05 14:31:0559498 
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
40V的SL3061，內(nèi)置MOS，電流能力2.5A，可以替代芯龍XL1509系列
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)也在不斷發(fā)展。在電力電子領(lǐng)域中，功率MOS管是一種非常重要的元器件。它具有高頻率
2023-11-13 15:24:19
型號，我們公司有對應(yīng)的工程部門負(fù)責(zé)，所售產(chǎn)品負(fù)責(zé)售后服務(wù)，不像柜臺、貿(mào)易商只會銷售沒有售后，我們原廠能提供更穩(wěn)定的貨源，避免耽誤客戶交期，在質(zhì)量能給到好的保證，40V降壓恒壓IC用SL3036D車充IC
2019-04-22 15:31:53
的設(shè)計而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
，英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術(shù)直接比較，結(jié)果表明，新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on)，還可大幅改進(jìn)開關(guān)特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
保證電子產(chǎn)品能在車上（如溫濕度，發(fā)動機(jī)周邊溫度-40℃-150℃；震動沖擊等等）穩(wěn)定、可靠的工作，必然對電子元器件有著幾乎苛刻的要求；優(yōu)恩半導(dǎo)體新推出符合AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級TVS管TPSMAJ
2018-07-30 09:27:08
本帖最后由 yy5230 于 2023-12-29 12:02 編輯
AGM Micro發(fā)布兼容STM32的MCU產(chǎn)品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產(chǎn)品系列。AGM的FPGA
2023-12-29 10:52:29
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足
2012-04-28 10:21:32
。
SL3061 40V/2.5A開關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
新的功率密度和能效標(biāo)準(zhǔn)。 極低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導(dǎo)通電阻使得New OptiMOS成為服務(wù)器，數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調(diào)節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
概述SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全保護(hù)
2022-06-10 15:16:08
無刷電機(jī)。圖示1-大聯(lián)大品佳代理的英飛凌TLE987x驅(qū)動和控制解決方案開發(fā)板照片大聯(lián)大品佳此次推出的英飛凌的該系列芯片集成Cortex?-M3內(nèi)核MCU、NMOS驅(qū)動(帶Chargpump)、PWM
2018-12-12 09:48:42
想用運放實現(xiàn)1~-40V的脈沖電源，1到-40V的時間為2us，計算SR至少要求63V/us，看了下幾款車規(guī)級高壓運放，請問下使用LT1010可以實現(xiàn)嗎？能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型？
謝謝！
2023-11-13 14:20:54
達(dá)100A的電流處理能力等特性，使該系列產(chǎn)品在40至80V電壓等級的低電阻MOSFET應(yīng)用方面樹立了全新的標(biāo)準(zhǔn)。OptiMOS 3產(chǎn)品用于要求高效率和高功率密度的功率轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng)，應(yīng)用范圍廣泛
2018-12-07 10:23:12
2023年2月20日，國民技術(shù)在深圳正式推出兼具通用性、硬件安全性和車規(guī)級高可靠性等優(yōu)勢特性的N32A455系列車規(guī)級MCU并宣布量產(chǎn)。這是繼N32S032車規(guī)級EAL5+安全芯片之后，國民技術(shù)發(fā)布
2023-02-20 17:44:27
英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44728 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:571239 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:471056 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)近日宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的40V至100V汽車專用MOSFET組合。新系列MOSFET適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)(ICE)平臺以及微型混合動
2010-12-24 09:20:501312 凌華科技(ADLINK)新推出工規(guī)等級的 ASD 固態(tài)硬盤(SSD)產(chǎn)品系列，具備可靠、強固與工業(yè)等級寬溫等特色
2011-03-28 11:37:501813 40V電動車充電器電路主要由3042和LM324N構(gòu)成。
2011-04-25 10:47:25
459 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16897 英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41898 4月11日下午， OFweek光電新聞網(wǎng) （以下簡稱OFweek）和OFweek電子工程網(wǎng)在深圳聯(lián)合主辦了2013電子行業(yè)年度評選活動，英飛凌科技公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY，以下簡稱英飛凌）產(chǎn)品40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲了技術(shù)創(chuàng)新獎。
2013-04-12 09:37:161221 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381775 2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族，它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081666 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C，非常適合在高溫環(huán)境下工作。
2016-03-23 11:41:391350 全球領(lǐng)先的電路保護(hù)、電源控制和傳感技術(shù)制造商Littelfuse， Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：LFUS）今日宣布推出新的250V電信PPTC產(chǎn)品系列，該產(chǎn)品系列旨在提升電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的可靠性。
2019-11-01 08:48:433746 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 什么樣的MOSFET才適合儲能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲能系統(tǒng)輕松實現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計。
2020-08-21 14:01:251416 
LTC3646-1 Project - 1A, 40V Monolithic Buck Regulator (7-40V to 5V @ 1A)
2021-02-22 12:25:220 LTC3646-1 Project - 1A, 40V Monolithic Buck Regulator (7-40V to 5V @ 1A)
2021-02-22 12:33:224 40V轉(zhuǎn)24V 20V；40V轉(zhuǎn)15V 12V 9V降壓電源芯片(電源技術(shù)應(yīng)用期刊)-40V轉(zhuǎn)24V,20V；40V轉(zhuǎn)15V,12V,9V降壓電源芯片
2021-09-15 12:54:2832 40V轉(zhuǎn)5V 40V轉(zhuǎn)3.3V 40V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO芯片(通信電源技術(shù) 官網(wǎng))-40V轉(zhuǎn)24V，40V轉(zhuǎn)20V，40V轉(zhuǎn)15V ，40V轉(zhuǎn)12V，40V轉(zhuǎn)9V，40V轉(zhuǎn)5V，40V轉(zhuǎn)3.3V，40V轉(zhuǎn)3V，40V轉(zhuǎn)1.8V，40V轉(zhuǎn)1.2V.
2021-09-15 12:56:2716 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計理念， 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。
2021-12-03 10:50:381562 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382670 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:162199 
NP3P06MR(40V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:232635 
OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo)，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:056088 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計
2022-12-29 10:02:531669 
采用 NextPower-S3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、6.7 mΩ、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN6R7-40MSD
2023-02-20 19:28:050 采用 NextPower-S3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、6.7 mΩ、邏輯電平 MOSFET-PSMN6R7-40MLD
2023-02-20 19:42:460 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y1R7-40H
2023-02-21 19:28:180 雙 N 溝道 40 V、19 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K18-40E
2023-02-21 19:42:570 雙 N 溝道 40 V、8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K8R7-40E
2023-02-22 18:43:410 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D25-40E
2023-02-23 19:06:150 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:101596 
納芯微推出首款車規(guī)級40V/單通道90mΩ智能低邊開關(guān)NSE11409系列
納芯微全新推出首款業(yè)界領(lǐng)先的NSE11409系列智能低邊開關(guān)芯片，該款芯片是專門針對驅(qū)動高可靠性負(fù)載應(yīng)用而設(shè)計的，廣泛應(yīng)用于驅(qū)動汽車和工業(yè)場景中的繼電器、執(zhí)行閥、照明和加熱電阻絲等負(fù)載元件。
2022-10-27 13:42:501860 
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測試。
2023-09-06 17:48:451376 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:121705 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:522610 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:243320 
英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:451256 
英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-27 13:55:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-03 15:08:221 全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù)，專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對熱效率和空間利用有嚴(yán)苛要求的場合設(shè)計。
2024-04-15 15:49:331566 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。
2024-04-17 14:02:491619 
英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC? MOSFET，針對圖騰柱
2024-04-19 14:45:26788 
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 強茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級MOSFET，此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計提供優(yōu)異性能和效率。
2024-05-23 11:42:492165 
產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實現(xiàn)了具有高成本效益的硅
2024-06-26 18:12:00939 
英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 硅基MOSFET技術(shù)，旨在取代現(xiàn)有的高/低功率開關(guān)電源（SMPS）的CoolMOS7產(chǎn)品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGa
2024-09-03 08:02:39930 
1.4V到40V輸入，低壓差線性穩(wěn)壓器LDO系列產(chǎn)品
2024-09-06 09:58:201729 
意法半導(dǎo)體近期推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應(yīng)用場
2024-12-11 14:27:00971 意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。
2025-01-16 13:28:271025 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQJ 40V互補增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:58:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQ 40V互補增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 16:32:210 這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18511KCS 40V N 溝道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11774 
mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號 ?：CSD18513Q5A ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點 ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端
2025-04-16 10:54:00758 
，構(gòu)建全場景解決方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列憑借革命性的性能升級，為消費級、工業(yè)級以及車規(guī)級應(yīng)用領(lǐng)域樹立新標(biāo)桿。
2025-06-11 08:59:592502 
引言隨著汽車電子技術(shù)的飛速發(fā)展，捷捷微電推出了第二代車規(guī)MOSFET產(chǎn)品，致力于為汽車電源、電機(jī)驅(qū)動、鋰電池管理等領(lǐng)域提供高性能解決方案。本文將帶您深入了解捷捷微電車規(guī)MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢、產(chǎn)品系列
2025-06-11 14:20:15831 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計。
2025-09-12 09:38:45630 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在其支持多種供電線路保護(hù)功能的電子保險絲／熔斷器（eFuse IC）產(chǎn)品線中新增五款40V“TCKE6系列”產(chǎn)品——“TCKE601RA
2025-12-15 15:52:14323 
? 7優(yōu)化40V功率MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 英飛凌的OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET系列，采用了最新的電機(jī)驅(qū)動優(yōu)化技術(shù)。該系列產(chǎn)品主要面
2025-12-18 14:30:06188 。今天就來詳細(xì)聊聊英飛凌的OptiMOS? 5 Linear FET 2，也就是型號為IPT017N10NM5LF2的這款100V MOSFET，看看它有哪些特性和優(yōu)勢。 文件下載： Infineon
2025-12-19 09:35:06504 75V-100V車用MOSFET.pdf 產(chǎn)品概述 IAUTN08S5N012L 是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET，屬于 N 溝道增強模式、正常電平類型。它不僅通過了 AEC - Q101 認(rèn)證，還進(jìn)行了額外的擴(kuò)展鑒
2025-12-19 10:20:16207 英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關(guān)板：技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03232 ，近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術(shù)，為我們帶來了諸多驚喜。今天，我們就來深入探討這一技術(shù)及其在三相功率逆變器板上的應(yīng)用。 文件下載： Infineon
2025-12-20 10:35:06518
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