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電子發(fā)燒友網(wǎng)>市場(chǎng)分析>多晶硅“雙反”有利于產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展

多晶硅“雙反”有利于產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展

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多晶 SA5T-200亮點(diǎn)前瞻 國(guó)產(chǎn)FPGA顛覆性新品

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衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)密集組網(wǎng) 商業(yè)航天發(fā)展有望提速

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12寸晶圓的制造工藝是什么

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2025-11-17 11:50:20328

新型碳排放計(jì)量表,助力實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰與碳中和目標(biāo)

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江智機(jī)器人參與第七屆大健康高質(zhì)量發(fā)展大會(huì)/暨2025大健康產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖論壇

協(xié)辦的【第七屆大侃康高質(zhì)量發(fā)展大會(huì)/暨2025大健康產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖論壇】于2025年10月16日-18日在山東泰安隆重舉辦。我深圳市江智工業(yè)技術(shù)有限公司接受大會(huì)主辦方邀請(qǐng)
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再生晶圓和普通晶圓的區(qū)別

再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色,二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來(lái)源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析:定義與來(lái)源差異普通晶圓:指全新生產(chǎn)的基材料,由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55773

小華半導(dǎo)體MCU芯片助力汽車(chē)行業(yè)健康發(fā)展

此前,8月28日—29日,2025智能汽車(chē)基礎(chǔ)軟件生態(tài)大會(huì)暨第四屆中國(guó)汽車(chē)芯片大會(huì)在重慶召開(kāi)。作為2025世界智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)系列活動(dòng),大會(huì)以“開(kāi)源拓界 眾行致遠(yuǎn)”為主題,來(lái)自政、產(chǎn)、學(xué)、研、用等領(lǐng)域的500多位專(zhuān)家、學(xué)者和企業(yè)代表共同探討開(kāi)源共建模式的深化應(yīng)用、生態(tài)可持續(xù)性與產(chǎn)業(yè)生態(tài)協(xié)同機(jī)制等重要話題。
2025-09-22 14:35:583091

一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

天然沙子里富含二氧化硅(SiO?),人們能夠從沙子中提取高純度單晶,以此制造集成電路。單晶對(duì)純度要求極高,需達(dá)到99.9999999%(即9個(gè)9)以上,且原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時(shí),就能形成單晶;若晶面取向不同,則會(huì)形成多晶硅(Polysilicon)。
2025-09-17 16:13:57987

多晶亮相2025中國(guó)光博會(huì)

第二十六屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)(CIOE)在深圳圓滿(mǎn)落幕,匯聚全球光電產(chǎn)業(yè)精英。西安智多晶微電子有限公司積極融入這一行業(yè)盛會(huì),與業(yè)界同仁共話發(fā)展新機(jī)遇。
2025-09-15 10:10:15645

如何在智多晶FPGA上使用MIPI接口

大家好呀!今天我們來(lái)聊聊一個(gè)非常實(shí)用的話題——如何在智多晶FPGA上使用MIPI接口。不管是做攝像頭圖像采集還是屏幕顯示控制,MIPI都是非常常見(jiàn)的接口標(biāo)準(zhǔn)。掌握了它,你的視頻項(xiàng)目開(kāi)發(fā)效率將大大提升!
2025-09-11 09:37:25897

多晶亮相elexcon 2025深圳國(guó)際電子展

近日,在深圳(福田)會(huì)展中心舉辦的ELEXCON 2025深圳國(guó)際電子展,吸引了全球400多家頂尖技術(shù)企業(yè)齊聚一堂,共同呈現(xiàn)全球電子產(chǎn)業(yè)的最新動(dòng)態(tài)與未來(lái)技術(shù)走向。在這場(chǎng)科技盛宴中,智多晶憑借其出色的產(chǎn)品品質(zhì)與創(chuàng)新能力,成為展會(huì)焦點(diǎn),吸引了眾多專(zhuān)業(yè)觀眾駐足交流。
2025-09-02 15:12:25973

廣電計(jì)量打造適航取證與試驗(yàn)驗(yàn)證新高地

2025 年政府工作報(bào)告明確提出,“開(kāi)展新技術(shù)新產(chǎn)品新場(chǎng)景大規(guī)模應(yīng)用示范行動(dòng),推動(dòng)商業(yè)航天、低空裝備等新興產(chǎn)業(yè)安全健康發(fā)展”。作為新質(zhì)生產(chǎn)力的典型代表,低空產(chǎn)業(yè)連續(xù)兩年被寫(xiě)入政府工作報(bào)告,從 “積極打造” 到 “推動(dòng)應(yīng)用落地”,低空產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入規(guī)?;?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)展的關(guān)鍵窗口期。
2025-09-01 16:27:501523

IPD80R1K4CE-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

能力和7A的漏極電流承受能力,采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,提供可靠的開(kāi)關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻為770mΩ @ VGS=10V,適用于各種需要高電壓
2025-08-27 14:43:06

IPD65R950C6-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

極耐壓能力和7A的漏極電流能力,適合在嚴(yán)苛的高電壓環(huán)境中使用。其基于SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為750mΩ @
2025-08-27 14:01:53

IPD60R380P6-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

和11A的漏極電流能力,專(zhuān)為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為370mΩ @ VGS=10
2025-08-27 11:13:21

理工雷科亮相2025廣州養(yǎng)老健康產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)

2025 年 8 月 22 日,第九屆中國(guó)(廣州)國(guó)際養(yǎng)老健康產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在廣交會(huì)展館啟幕,展會(huì)以 “銀發(fā)經(jīng)濟(jì):新賽道、新科技、新消費(fèi)” 為主題,緊扣老齡化社會(huì)下的產(chǎn)業(yè)發(fā)展核心。作為 “無(wú)感守護(hù)智慧康養(yǎng)” 創(chuàng)新企業(yè),理工雷科攜智慧養(yǎng)老產(chǎn)品亮相此次盛會(huì)。
2025-08-26 17:12:091659

多晶LLCR技術(shù)的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景

工程師朋友們注意啦!今天要給大家安利一項(xiàng)FPGA領(lǐng)域的黑科技——西安智多晶微電子推出的LLCR(LVDS Local Clock Receiving)技術(shù),使用本地PLL產(chǎn)生高速時(shí)鐘,通過(guò)相位跟蹤,對(duì)接收的LVDS信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)跟蹤,實(shí)現(xiàn)LVDS數(shù)據(jù)接收。
2025-08-25 09:17:21658

Aigtek電壓放大器:助力電池超聲導(dǎo)波掃描實(shí)驗(yàn)的高效與精準(zhǔn)

,電池的容量會(huì)發(fā)生衰減,不當(dāng)使用以及在惡劣環(huán)境中工作等情況,電池發(fā)生故障的幾率也會(huì)增加。容易引發(fā)安全事故。因此使用超聲波技術(shù)對(duì)電池狀態(tài)進(jìn)行探測(cè)、可以及時(shí)地發(fā)現(xiàn)電池內(nèi)存在故障有利于保障電池工作的安全。保證汽車(chē)
2025-08-19 10:49:21423

多晶SerDes 2.0 IP介紹

為了滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)SerDes日益增漲和多樣化的要求。智多晶SerDes IP推出了2.0版本的升級(jí),本次升級(jí)相比1.0版本主要帶來(lái)了以下的變化。
2025-08-16 15:32:401115

中興通訊聯(lián)合發(fā)布低空安防融合感知技術(shù)應(yīng)用藍(lán)皮書(shū)

近日,中興通訊聯(lián)合中國(guó)信息通信研究院攜手五大產(chǎn)業(yè)伙伴重磅發(fā)布《低空安防融合感知技術(shù)應(yīng)用藍(lán)皮書(shū)》,作為首部行業(yè)級(jí)“低空安全防護(hù)實(shí)戰(zhàn)手冊(cè)”,它聚焦低空重點(diǎn)管制區(qū)域典型場(chǎng)景安防,積極響應(yīng)“低空經(jīng)濟(jì)安全健康發(fā)展”號(hào)召。
2025-08-15 16:54:351342

多晶AXI視頻通訊DEMO方案介紹

在圖像與視頻處理領(lǐng)域,靈活、高效、低延遲的解決方案一直是行業(yè)追求的目標(biāo)。西安智多晶微電子有限公司推出的AXI視頻通訊DEMO方案,基于智多晶SA5Z-30-D1-8U213C FPGA器件,通過(guò)
2025-08-07 13:57:535648

國(guó)星光電NPV服務(wù)助力LED產(chǎn)業(yè)生態(tài)發(fā)展

今年3月,國(guó)星光電全面升級(jí)產(chǎn)品免費(fèi)鑒定服務(wù)體系,創(chuàng)新推出NATIONSTAR Product Verification服務(wù)品牌(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“NPV服務(wù)”)。依托專(zhuān)業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)與尖端檢測(cè)設(shè)備,該服務(wù)已精準(zhǔn)識(shí)別多起假冒事件,為行業(yè)健康發(fā)展提供有力保障。
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無(wú)線充電通過(guò)電感耦合傳輸能量,雖效率略低,但智能調(diào)控可減緩電池?fù)p耗,有利于電池健康
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在柔性混合電子(FHE)系統(tǒng)中,柔性實(shí)現(xiàn)的難點(diǎn)在于異質(zhì)材料的協(xié)同工作。基芯片、金屬互連、聚合物基板等組件的彈性模量差異巨大,的脆性與金屬的延展性形成鮮明對(duì)比,而聚合物的低模量雖有利于彎曲,卻可能因黏彈性導(dǎo)致性能衰減。
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2025-07-18 18:34:59

電阻元件\電感元件\電容元件知識(shí)大全

方法。我們希望通過(guò)本課的學(xué)習(xí),大家能對(duì)五花八門(mén)的電阻、電容和電感元件有一個(gè)概括性的了解,有利于今后的學(xué)習(xí)和工作。?
2025-07-17 15:37:1210

PECVD硼發(fā)射極與poly-Si鈍化接觸共退火,實(shí)現(xiàn)高效TOPCon電池

TOPCon電池憑借背面超薄SiO?/多晶硅疊層的優(yōu)異鈍化性能,成為n型電池主流工藝。然而傳統(tǒng)硼擴(kuò)散工藝成本較高。本研究提出創(chuàng)新解決方案:PECVD單側(cè)沉積+同步退火集成工藝,正面:PECVD沉積
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CES Asia 2025蓄勢(shì)待發(fā),聚焦低空經(jīng)濟(jì)與AI,引領(lǐng)未來(lái)產(chǎn)業(yè)新變革

。 低空經(jīng)濟(jì),作為新興的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè),正處于蓬勃發(fā)展的黃金時(shí)期。隨著相關(guān)技術(shù)的不斷突破,低空經(jīng)濟(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景得到了極大拓展。新型的載人飛行器不斷涌現(xiàn),其設(shè)計(jì)更加人性化、功能更加多元化,為未來(lái)的低空出行提供了更多
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多晶硅在芯片制造中的作用

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2025-07-08 09:48:112965

2025智多晶FPGA技術(shù)研討會(huì)成功舉辦

近日,“2025智多晶FPGA技術(shù)研討會(huì)”在武漢成功舉辦。本次交流會(huì)以“智繪新篇 晶質(zhì)領(lǐng)航”為主題,智多晶專(zhuān)業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)在會(huì)上揭曉了公司匠心打造的多款FPGA芯片新產(chǎn)品、多項(xiàng)新應(yīng)用方案。
2025-07-01 18:21:072534

激變換器的變壓器

主要內(nèi)容 磁性元件對(duì)功率變換器發(fā)展的重要性 激式變壓器的設(shè)計(jì)考慮 激式變壓器雜散參數(shù)的效應(yīng) 激式變壓器的磁(場(chǎng))特性-感性效應(yīng) 激式變壓器的電(場(chǎng))特性-容性效應(yīng) 獲取完整文檔資料可下載附件哦 如果內(nèi)容有幫助可以關(guān)注、點(diǎn)贊、評(píng)論支持一下哦~
2025-07-01 15:32:20

TOPCon電池poly-Si層的沉積摻雜工序提效優(yōu)化

TOPCon技術(shù)通過(guò)超薄SiO?和磷摻雜多晶硅(n?-poly-Si)層實(shí)現(xiàn)載流子選擇性傳輸,理論效率可達(dá)28.7%。然而,poly-Si層厚度存在矛盾:過(guò)厚層(>100nm)增加寄生吸收損失,過(guò)薄層(
2025-06-27 09:02:152880

無(wú)刷饋電機(jī)專(zhuān)利技術(shù)發(fā)展

機(jī)的發(fā)展進(jìn)行了全面的統(tǒng)計(jì)分析,總結(jié)了與無(wú)刷饋電機(jī)相關(guān)的國(guó)內(nèi)和國(guó)外專(zhuān)利的申請(qǐng)趨勢(shì)、主要中請(qǐng)人分布以及其轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)的發(fā)展路線做了一定的分析,并從中得到一定的規(guī)律。 純分享帖,點(diǎn)擊下方附件免費(fèi)獲取完整資料
2025-06-25 13:10:51

基于厚度梯度設(shè)計(jì)的TOPCon多晶硅指狀結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)25.28%量產(chǎn)效率突破

隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)作為當(dāng)前太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能,在工業(yè)生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而,多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性,導(dǎo)致其在
2025-06-23 09:03:08946

TOPCon電池鋁觸點(diǎn)工藝:接觸電阻率優(yōu)化實(shí)現(xiàn)23.7%效率

隨著TOPCon太陽(yáng)能電池市占率突破50%,其雙面銀漿消耗量(12–15mg/W)導(dǎo)致生產(chǎn)成本激增。本研究提出以鋁漿替代背面銀觸點(diǎn),通過(guò)材料配方革新與工藝優(yōu)化,解決鋁/多晶硅界面過(guò)度合金化問(wèn)題。研究
2025-06-18 09:02:591144

多晶PLL使用注意事項(xiàng)

在FPGA設(shè)計(jì)中,PLL(鎖相環(huán))模塊作為核心時(shí)鐘管理單元,通過(guò)靈活的倍頻、分頻和相位調(diào)整功能,為系統(tǒng)提供多路高精度時(shí)鐘信號(hào)。它不僅解決了時(shí)序同步問(wèn)題,還能有效消除時(shí)鐘偏移,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。本文將深入探討智多晶PLL在實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵注意事項(xiàng),幫助工程師規(guī)避常見(jiàn)設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。
2025-06-13 16:37:441354

SEMI-e國(guó)際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展9月深圳舉辦 龍頭云集覆蓋產(chǎn)業(yè)全鏈條

,展示最新科技成果,促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)可持續(xù)健康發(fā)展,由 中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“CIOE中國(guó)光博會(huì))與集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟主辦, 愛(ài)集微與深圳市中新材會(huì)展有限公司共同承辦的“SEMI-e深圳國(guó)際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展
2025-06-10 11:25:092444

多晶入選西安高新區(qū)2025年首批“硬科技創(chuàng)新人才”名單

近日,西安高新區(qū)正式公示2025年第一批"硬科技創(chuàng)新人才"入選名單。西安智多晶微電子有限公司董事長(zhǎng)賈弘翊、副總經(jīng)理王黎明憑借在國(guó)產(chǎn)FPGA芯片領(lǐng)域的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化貢獻(xiàn),雙雙榮登榜單。此次兩位人才同時(shí)入選,充分體現(xiàn)了智多晶在硬科技創(chuàng)新領(lǐng)域的深厚積累與領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2025-06-10 10:07:261930

東風(fēng)汽車(chē)積極推動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

東風(fēng)汽車(chē)作為汽車(chē)央企,將繼續(xù)堅(jiān)持長(zhǎng)期主義,堅(jiān)守用戶(hù)價(jià)值,筑牢安全底線,拒絕“內(nèi)卷式”競(jìng)爭(zhēng),摒棄短期主義和功利思維,為用戶(hù)打造高品質(zhì)汽車(chē),以自身的高質(zhì)量發(fā)展推動(dòng)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展,推動(dòng)汽車(chē)強(qiáng)國(guó)建設(shè)。
2025-06-10 10:01:45847

物聯(lián)網(wǎng)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)如何?

、降低成本,并推動(dòng)工業(yè)產(chǎn)業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型。同時(shí),它還將促進(jìn)供應(yīng)鏈的優(yōu)化和信息的共享,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展。 智慧城市:隨著城市化進(jìn)程的加速,智慧城市將成為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的重要發(fā)展方向。通過(guò)將城市中的各種設(shè)施
2025-06-09 15:25:17

多晶FPGA設(shè)計(jì)工具HqFpga接入DeepSeek大模型

在 AI 賦能工程設(shè)計(jì)的時(shí)代浪潮中,智多晶率先邁出關(guān)鍵一步——智多晶正式宣布旗下 FPGA 設(shè)計(jì)工具 HqFpga 接入 DeepSeek 大模型,并推出 FPGA 設(shè)計(jì)專(zhuān)屬 AI 助手——晶小助!這是 FPGA 領(lǐng)域首次引入大模型 AI 助手,為 FPGA 工程師提供前所未有的智能交互體驗(yàn)。
2025-06-06 17:06:391284

快充電源IC U8609產(chǎn)品概述

GaN FET支持MHz級(jí)開(kāi)關(guān)頻率,顯著高于傳統(tǒng)基器件,通過(guò)減小無(wú)源元件體積實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化,使開(kāi)關(guān)損耗降低20%-30%。深圳銀聯(lián)寶快充電源ic U8609合封第三代半導(dǎo)體GaN FET,最高工作頻率130kHz,采用原邊反饋控制,可節(jié)省光耦和TL431,簡(jiǎn)化電源BOM,有利于降低電源尺寸!
2025-05-30 15:43:48798

自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝詳解

源漏區(qū)的單晶和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率,自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時(shí)減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻,降低接觸電阻,并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外,它避免了
2025-05-28 17:30:042349

接近開(kāi)關(guān)的工作電壓和功耗如何

接近開(kāi)關(guān)的功耗相對(duì)較小,通常每只開(kāi)關(guān)的功耗可以按0.1W估算。這使得接近開(kāi)關(guān)在長(zhǎng)時(shí)間工作時(shí)不會(huì)消耗過(guò)多的電能,有利于節(jié)能降耗。具體功耗水平可能因接近開(kāi)關(guān)的類(lèi)型、制造商及應(yīng)用場(chǎng)景的不同而有所差異。
2025-05-26 11:56:091541

使用共聚焦拉曼顯微鏡進(jìn)行多晶硅太陽(yáng)能電池檢測(cè)

圖1.多晶硅太陽(yáng)能電池的顯微鏡光學(xué)圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的。 可再生能源,例如太陽(yáng)能,預(yù)計(jì)將在不久的將來(lái)發(fā)揮重要作用。為了將太陽(yáng)光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能,太陽(yáng)能電池(晶體或多晶
2025-05-26 08:28:41601

AnyWay變頻功率分析儀同步源來(lái)自電壓還是電流信號(hào)?

小于電壓信號(hào)的諧波含量。因此,一般認(rèn)為,采用電流信號(hào)為功率分析儀同步源有利于正確捕獲信號(hào)基波頻率,有利于實(shí)現(xiàn)采樣頻率與基波頻率的同步。 二、AnyWay變頻功率分析儀同步源選擇 AnyWay變頻功率分析儀同時(shí)檢測(cè)電壓信號(hào)和電流信
2025-05-19 10:13:09564

UCC5390-Q1 汽車(chē)級(jí) 17-A 5kv RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 為基準(zhǔn),這有利于極電源并優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開(kāi)關(guān)行為和穩(wěn)健性。
2025-05-17 11:36:49897

石墨化驗(yàn)設(shè)備知識(shí) 增碳劑檢測(cè)儀器操作

有機(jī)玻璃制成,容積約400毫升,在上蓋固定有一對(duì)鉑電解電極和一對(duì)鉑指示電極。 5、磁力攪拌器:由一轉(zhuǎn)速可調(diào)節(jié)的電機(jī),帶動(dòng)電解池內(nèi)用塑料封裝的鐵芯攪拌棒,攪拌馬達(dá)轉(zhuǎn)速約為500轉(zhuǎn)/分,攪拌速度較快,有利于分析
2025-05-15 10:50:06

硅單晶片電阻率均勻性的影響因素

直拉硅單晶生長(zhǎng)的過(guò)程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長(zhǎng)為固態(tài)的單晶的過(guò)程,沒(méi)有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高,幾乎不會(huì)導(dǎo)電,沒(méi)有市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值,因此通過(guò)人為的摻雜進(jìn)行雜質(zhì)引入,我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:541253

風(fēng)光互補(bǔ)太陽(yáng)能路燈桿硬件組成全解析:科技與匠心的深度融合

源互補(bǔ),能量永續(xù) 1.太陽(yáng)能板(光伏組件) 核心作用:將光能轉(zhuǎn)化為電能,是主要供能單元。 主流配置:材質(zhì):多晶硅 / 單晶(轉(zhuǎn)換效率 18%-22%,單晶更高),表面覆蓋低鐵超白鋼化玻璃(透光率>91.5%),抗沖擊強(qiáng)度達(dá) 24mm 冰雹
2025-04-28 09:57:281740

多晶LPC_Controller IP介紹

在FPGA設(shè)計(jì)領(lǐng)域,西安智多晶微電子有限公司推出的LPC_Controller IP正逐漸嶄露頭角,為工程師們提供了強(qiáng)大的工具,助力他們?cè)跀?shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域大展身手。今天,就讓我們一同揭開(kāi)LPC_Controller IP的神秘面紗,探尋其獨(dú)特魅力。
2025-04-18 11:52:441667

多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來(lái)源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來(lái)源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
2025-04-15 10:27:431311

LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶、多晶硅與非晶三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開(kāi)介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材料性能的影響,幫助讀者深入理解材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:531994

基于智能穿戴的智慧校園運(yùn)動(dòng)健康解決方案NRF52832

方案概述: 隨著現(xiàn)代社會(huì)的發(fā)展,青少年學(xué)生面臨著越來(lái)越多的學(xué)業(yè)壓力和生活習(xí)慣不良的問(wèn)題,對(duì)他們的身體健康和運(yùn)動(dòng)需求提出了更高的要求。物聯(lián)網(wǎng)走進(jìn)校園成為必然趨勢(shì),同時(shí)基于智能穿戴的智慧校園運(yùn)動(dòng)健康
2025-04-09 15:37:34

芯片制造中的多晶硅介紹

多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱(chēng)Poly)是由無(wú)數(shù)微小晶粒組成的非單晶材料。與單晶(如襯底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453607

晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364

TPS51285A 具有 3.2ms 軟啟動(dòng)的 5V 至 24V、同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

,這有利于在系統(tǒng)待機(jī)模式下延長(zhǎng)電池壽命。提供 256kHz VCLK 輸出以驅(qū)動(dòng)外部電荷泵,在主轉(zhuǎn)換器中以最小的功耗為負(fù)載開(kāi)關(guān)產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)電壓。該器件采用自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP? 模式控制,無(wú)需外部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)即可實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。
2025-03-26 11:29:02696

東軟與華為簽署醫(yī)療健康領(lǐng)域全面合作協(xié)議 發(fā)力醫(yī)療健康人工智能等領(lǐng)域

雙方商業(yè)價(jià)值在醫(yī)療健康領(lǐng)域的增量與躍遷,賦能產(chǎn)業(yè)智能化升級(jí)與轉(zhuǎn)型,助力醫(yī)療健康領(lǐng)域高質(zhì)量發(fā)展。 ? 華為公共事業(yè)軍團(tuán)COO夏尊,華為教育醫(yī)療系統(tǒng)部部長(zhǎng)盧永平,華為教育醫(yī)療系統(tǒng)部副部長(zhǎng)、醫(yī)療系統(tǒng)部總經(jīng)理郭忠光,華為公共事業(yè)軍團(tuán)副
2025-03-21 19:48:141799

天合光能定義水與光伏共生之道

今年,隨著《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2024年本)》的推行,光伏行業(yè)在水資源管理方面迎來(lái)了更加明確且嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn):多晶硅項(xiàng)目的水重復(fù)利用率需不低于98%,新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目的水耗低于360噸/MWp且再生水使用率高于40%。
2025-03-21 11:08:56840

深入解讀智多晶FIR IP

在數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域,F(xiàn)IR 濾波器憑借其穩(wěn)定性強(qiáng)、線性相位等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用于各類(lèi)信號(hào)處理場(chǎng)景。今天,就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司推出的FIR IP。
2025-03-20 17:08:011010

TPS7H5001-SP 具有同步整流功能的抗輻射 QMLV 和 QMLP 2MHz 輸出 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H500x-SP 系列高速抗輻射保證 PWM 控制器。控制器提供了許多有利于太空應(yīng)用 DC-DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)湓O(shè)計(jì)的功能??刂破骶哂?0.613V +0.7%/–1% 的精度內(nèi)部基準(zhǔn)和高達(dá) 2MHz 的可配置開(kāi)關(guān)頻率。每個(gè)器件都提供可編程斜率補(bǔ)償和軟啟動(dòng)。
2025-03-20 15:23:07780

TPS7H5004-SP 抗輻射 QMLV 和 QMLP、2MHz 輸出 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H500x-SP 系列高速抗輻射保證 PWM 控制器。控制器提供了許多有利于太空應(yīng)用 DC-DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)湓O(shè)計(jì)的功能??刂破骶哂?0.613V +0.7%/–1% 的精度內(nèi)部基準(zhǔn)和高達(dá) 2MHz 的可配置開(kāi)關(guān)頻率。每個(gè)器件都提供可編程斜率補(bǔ)償和軟啟動(dòng)。
2025-03-20 09:41:12789

多晶硅錠定向凝固生長(zhǎng)方法

鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來(lái),為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率,通過(guò)控制模具中熔體凝固過(guò)程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:121126

激小結(jié)

隔離路輸出的激變換器設(shè)計(jì)為例,主控芯片采用NCP1015。 圖 1 基于NCP1015 的激變換器1.1 概述基本的激變換器原理圖如圖 1 所示,在需要對(duì)輸入輸出進(jìn)行電氣隔離的低功率(1W
2025-03-12 14:47:20

光電感知賦能智能未來(lái) 靈途科技護(hù)航新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展

經(jīng)濟(jì)等新興產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)安全健康發(fā)展。 未來(lái)產(chǎn)業(yè) :培育生物制造、量子科技、具身智能、6G 等未來(lái)產(chǎn)業(yè)。 制造業(yè)轉(zhuǎn)型 :加快制造業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型進(jìn)程,大力發(fā)展智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車(chē)、人工智能手機(jī)和電腦、智能機(jī)器人等新一代智能終端以及智能
2025-03-11 17:10:18959

22.0%效率的突破:前多晶硅選擇性發(fā)射極雙面TOPCon電池的制備與優(yōu)化

隨著全球能源需求的增長(zhǎng),開(kāi)發(fā)高效率太陽(yáng)能電池變得尤為重要。本文旨在開(kāi)發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝,用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽(yáng)能電池,并通過(guò)優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
2025-03-03 09:02:291205

晶圓的標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝流程

硅片,作為制造半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ),源自高純度的材料。這一過(guò)程中,多晶硅被熔融并摻入特定的晶體種子,隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶棒。經(jīng)過(guò)精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟,這些棒被轉(zhuǎn)化為硅片,業(yè)界通常稱(chēng)之為晶圓,其中8英寸和12英寸規(guī)格在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:511239

光通信技術(shù)的原理和基本結(jié)構(gòu)

本文介紹了光芯片的發(fā)展歷史,詳細(xì)介紹了光通信技術(shù)的原理和幾個(gè)基本結(jié)構(gòu)單元。
2025-02-26 17:31:391982

紅外熱成像為光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展保駕護(hù)航

隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮牟粩嘣黾?,太?yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)得到了快速發(fā)展。然而,光伏系統(tǒng)的運(yùn)行和維護(hù)也面臨著一系列挑戰(zhàn),其中熱斑問(wèn)題和設(shè)備故障是較為突出的難題。紅外熱成像技術(shù)作為一種高效、非接觸式的檢測(cè)方法,在光伏檢測(cè)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。
2025-02-26 11:05:01840

應(yīng)用方案 大尺寸液晶顯示器配套芯片解決方案

背部燈管構(gòu)成畫(huà)面,它具有以下四個(gè)特點(diǎn): ?機(jī)身薄,節(jié)省空間; 省電,不產(chǎn)生高溫,它屬于低耗電產(chǎn)品; 無(wú)輻射,有利于身體健康,液晶顯示器完全無(wú)輻射; 畫(huà)面柔和不傷眼,可以減少顯示器對(duì)眼睛的傷害,眼睛不容易疲勞。 大尺寸液晶顯示器在家庭娛樂(lè)、辦公和公
2025-02-25 17:30:431017

安森美EliteSiC MOSFET技術(shù)解析

,有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)、減少散熱、提高能效,并減輕電源轉(zhuǎn)換器的重量。其獨(dú)特的材料特性可以減少開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。與 Si MOSFET 相比,SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu),有利于開(kāi)發(fā)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。
2025-02-20 10:08:051343

超聲波焊接有利于解決固態(tài)電池的枝晶問(wèn)題

://www.huisheng-sonic.com/news_details.html?newsid=3005237&_t=1739594692 超聲波焊接有利于解決固態(tài)電池的枝晶問(wèn)題 超聲波輥焊
2025-02-15 15:08:47

基于國(guó)產(chǎn)PWM控制器和SiC MOSFET的激輔助電源設(shè)計(jì)

傾佳電子楊茜提供基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國(guó)產(chǎn)BTP2843DR與B2M600170H的1000V直流輸入激輔助電源設(shè)計(jì)(激驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電壓限制,無(wú)法最大化碳化硅MOSFET能力的情況下),取代老舊的平面高壓MOSFET方案。
2025-02-15 07:17:581274

電源管理IC U6018的主要特征

DIP-8 封裝的電源管理ic引腳布局相對(duì)簡(jiǎn)單,信號(hào)傳輸路徑較為直接,有利于減少信號(hào)傳輸過(guò)程中的干擾和延遲,適合于一些對(duì)電氣性能要求不是特別苛刻的低頻、低功率電路應(yīng)用。電源管理ic U6018采用
2025-02-12 15:57:53973

單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì),它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來(lái)的顯著益處之一,便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場(chǎng)的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132

為什么采用多晶硅作為柵極材料

本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開(kāi)始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
2025-02-08 11:22:461299

革新突破:高性能多晶金剛石散熱片引領(lǐng)科技新潮流

,如何實(shí)現(xiàn)高效又經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)? 多晶金剛石散熱片的制備工藝 哈爾濱工業(yè)大學(xué)團(tuán)隊(duì)采用 MPCVD技術(shù),在真空環(huán)境中通過(guò)微波激發(fā)氣體(氫氣、甲烷、氮?dú)猓?,讓碳原子?b class="flag-6" style="color: red">硅襯底上“生長(zhǎng)”成金剛石。 關(guān)鍵突破: 甲烷濃度:降低甲烷比例(從
2025-02-07 10:47:441892

先進(jìn)陶瓷產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀剖析與發(fā)展建議

? 先進(jìn)陶瓷作為新材料產(chǎn)業(yè)的代表、也作為國(guó)家大力發(fā)展的重要分支,近年來(lái)發(fā)展比較迅速,結(jié)構(gòu)陶瓷、功能陶瓷、電子陶瓷、半導(dǎo)體陶瓷、稀土陶瓷等技術(shù)、市場(chǎng)都在快速和高質(zhì)量的發(fā)展。但是國(guó)內(nèi)先進(jìn)陶瓷粉體的整體
2025-02-07 09:26:251789

Poly-SE選擇性多晶硅鈍化觸點(diǎn)在n-TOPCon電池中的應(yīng)用

Poly-SEs技術(shù)通過(guò)在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層,有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻,同時(shí)提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽(yáng)能電池中,Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
2025-02-06 13:59:421200

多晶DDR Controller使用注意事項(xiàng)

最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時(shí)的注意事項(xiàng)。
2025-01-24 11:14:141479

光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程:從萌芽到蓬勃發(fā)展

光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程充滿(mǎn)了挑戰(zhàn)與機(jī)遇,見(jiàn)證了人類(lèi)對(duì)清潔能源的不懈追求。其起源可追溯到 20 世紀(jì) 50 年代,貝爾實(shí)驗(yàn)室成功研制出第一塊實(shí)用的基太陽(yáng)能電池,雖然當(dāng)時(shí)的轉(zhuǎn)換效率僅為 6%,但這一突破性
2025-01-23 14:29:481606

光伏技術(shù):開(kāi)啟清潔能源新時(shí)代

上時(shí),光子與半導(dǎo)體材料中的電子相互作用,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),這些電子和空穴在電場(chǎng)的作用下定向移動(dòng),從而形成電流。 ? ?光伏電池的主要材料是,根據(jù)材料的不同,可分為單晶、多晶硅和非晶光伏電池。單晶光伏電池具有
2025-01-23 14:22:001143

多晶DDR Controller介紹

本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內(nèi)容。
2025-01-23 10:29:541268

多晶2024年度大事記回顧

過(guò)去一年中,智多晶人攜手拼搏、攻堅(jiān)克難,共同促進(jìn)產(chǎn)品升級(jí)推廣。在合作伙伴和業(yè)界同仁們的關(guān)注與支持中,我們?cè)诟鼜V闊的舞臺(tái)上展示智多晶的FPGA技術(shù)。這一年,智多晶的業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)了良好增長(zhǎng),
2025-01-21 17:15:431152

NVIDIA攜手行業(yè)巨頭,共促醫(yī)療健康產(chǎn)業(yè)變革

式和生成式AI技術(shù)開(kāi)創(chuàng)先進(jìn)的醫(yī)療服務(wù)。 醫(yī)療健康與生命科學(xué)產(chǎn)業(yè)是一個(gè)規(guī)模高達(dá)10萬(wàn)億美元的龐大市場(chǎng),蘊(yùn)含著巨大的創(chuàng)新潛力和發(fā)展空間。NVIDIA作為GPU和AI技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,一直致力于通過(guò)高性能計(jì)算和深度學(xué)習(xí)技術(shù)推動(dòng)該產(chǎn)業(yè)的革新。 此次合作,NVIDIA將
2025-01-20 14:02:49926

NVIDIA攜手多家機(jī)構(gòu)推動(dòng)醫(yī)療健康產(chǎn)業(yè)變革

NVIDIA近日宣布與IQVIA、Illumina、妙佑醫(yī)療國(guó)際和Arc研究所等頂尖機(jī)構(gòu)建立新的合作伙伴關(guān)系,共同致力于通過(guò)前沿的AI和加速計(jì)算技術(shù),推動(dòng)醫(yī)療健康與生命科學(xué)產(chǎn)業(yè)發(fā)生深刻變革。 此次
2025-01-14 14:28:441592

NVIDIA 攜手行業(yè)領(lǐng)先機(jī)構(gòu)推動(dòng)基因組學(xué)、藥物發(fā)現(xiàn)及醫(yī)療健康行業(yè)發(fā)展

IQVIA、Illumina、妙佑醫(yī)療國(guó)際和 Arc 研究所借助 NVIDIA AI 和加速計(jì)算技術(shù),推動(dòng)規(guī)模達(dá) 10 萬(wàn)億美元的醫(yī)療健康與生命科學(xué)產(chǎn)業(yè)的變革 ? ? ? 摩根大通醫(yī)療健康大會(huì)
2025-01-14 13:39:27615

PS2-185/NF帶狀線2路電源分配器

通常在1.70:1左右,這有利于確保信號(hào)的穩(wěn)定傳輸。物理特性連接器類(lèi)型:PS2-185/NF選用SMA母頭作為連接器,有利于與其它射頻微波器件進(jìn)行連接。結(jié)構(gòu)形式:PS2-185/NF帶狀線2路電源分配器
2025-01-08 09:23:35

電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)裝置為何是單晶棒光伏產(chǎn)業(yè)基地的電能智慧管家

健康發(fā)展的關(guān)鍵因素。其中,電壓波動(dòng)、諧波污染、頻率偏差等問(wèn)題尤為常見(jiàn),這些問(wèn)題不僅影響了設(shè)備的正常運(yùn)行,還可能對(duì)生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量造成負(fù)面影響。電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)裝置作為電力監(jiān)測(cè)工具,能夠?qū)崟r(shí)、準(zhǔn)確地監(jiān)測(cè)電網(wǎng)中的電能質(zhì)量指標(biāo),為企
2025-01-07 09:59:45622

單晶棒光伏產(chǎn)業(yè)基地的 “電能智慧管家”—— 電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)裝置的應(yīng)用

摘要:太陽(yáng)能光伏作為可再生能源領(lǐng)域的重要支柱,正迎來(lái)快速發(fā)展。大量電力電子設(shè)備應(yīng)用雖然推動(dòng)了太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域的發(fā)展,但同時(shí)也帶來(lái)了諸多電能質(zhì)量問(wèn)題,成為制約其健康發(fā)展的關(guān)鍵因素。其中,電壓波動(dòng)、諧波
2025-01-05 14:38:59843

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