優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• ±4000 V人體模型(HBM) ESD
• 保護(hù)高共模電壓范圍：
  工作范圍：-2 V 至 +65 V
  耐壓范圍：-5 V 至 +68 V
• 緩沖輸出電壓
• 5 mA輸出驅(qū)動(dòng)能力
• 寬工作溫度范圍：
  ?40至+125
• 比率半量程輸出失調(diào)
• 出色的交流與直流性能
  失調(diào)漂移：1μV/°C （典型值）
  增益漂移：10 ppm/°C（典型值）
  共模抑制比：120 dB（典型值，DC）
  100kHz共模抑制比：80dB（典型值）
• 采用8引腳SOIC封裝

產(chǎn)品詳情

AD8210采用SOIC封裝，工作溫度范圍是?40°C至+125°C。

相對(duì)于溫度的出色交流和直流性能使測(cè)量環(huán)路誤差保持最小。失調(diào)漂移和增益漂移的保證最大值分別為8 μV/°C和20 ppm/。

利用5 V電源和V_REF1和V_REF2引腳時(shí)，輸出失調(diào)可在0.05 V至4.9 V范圍內(nèi)調(diào)整。當(dāng)V_REF1引腳與V+引腳相連、V_REF2引腳與GND引腳相連時(shí)，輸出設(shè)置為半量程。將V_REF1和V_REF2與GND相連可提供從地電壓附近開(kāi)始的單極性輸出。將V_REF1和V_REF2與V+相連可提供從V+附近開(kāi)始的單極性輸出。通過(guò)向V_REF1和V_REF2施加外部電壓，可獲得其他失調(diào)。

應(yīng)用

• 電流檢測(cè)

方框圖