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電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車電子>電動出行的未來在于智能化和寬禁帶功率器件

電動出行的未來在于智能化和寬禁帶功率器件

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行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是提高產(chǎn)品能效的關(guān)鍵推動因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是材料,提供下一代功率器件的基礎(chǔ),具有比硅更佳的特性和性能。
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我國功率半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀如何?未來又將如何發(fā)展?

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毋庸置疑,以智能化、網(wǎng)聯(lián)、電動、共享化為代表的汽車四,已成為汽車行業(yè)發(fā)展不可避免的趨勢。而智能化電動汽車未來發(fā)展方向,要從電動汽車走向智能汽車,從智能汽車走向智能交通,從智能交通走向智慧城市。除了把握好電動汽車的“電池、電機(jī)、電控”基礎(chǔ),未來聚焦的,是信息、網(wǎng)聯(lián)、智能化。
2018-10-08 14:22:006234

濟(jì)南將建設(shè)半導(dǎo)體小鎮(zhèn) 多項(xiàng)政策支持加快打造百億級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群

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濟(jì)南半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)開工 將著力打造具有國際影響力的半導(dǎo)體研發(fā)基地和產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)

5月16日上午,濟(jì)南半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項(xiàng)目開工活動在濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)舉行。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)位于濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的,緊鄰西客站片區(qū)和濟(jì)南國際醫(yī)學(xué)中心,是濟(jì)南實(shí)施北跨發(fā)展和新舊動能轉(zhuǎn)換
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利用SiC功率器件設(shè)計(jì)寬帶高功率放大器的流程概述

擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、化學(xué)性能穩(wěn)定以及抗輻射等優(yōu)點(diǎn), 特別適合制造高溫、高頻、高功率和抗輻射的功率器件。用半導(dǎo)體制成的高溫、高頻和大功率微波器件可以明顯改善雷達(dá)、電子對抗系統(tǒng)以及通信系統(tǒng)等
2020-01-19 17:22:002205

器件和仿真環(huán)境介紹

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2020-05-28 09:58:592018

英諾賽科半導(dǎo)體項(xiàng)目完成

資料顯示,英諾賽科半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣,注冊資本20億元,占地368.6畝,主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì),驅(qū)動IC設(shè)計(jì)開發(fā),材料制造,器件制備,后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈
2020-07-06 08:54:551214

為第三代制造工藝提供支持,泰克新推S530系列參數(shù)測試系統(tǒng)

基于新興GaN和SiC技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品,有望實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度,更寬的溫度范圍,更好的功率效率,以及其他更多增強(qiáng)功能。
2020-10-23 11:03:261297

如何優(yōu)化材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計(jì)

現(xiàn)代功率器件(SiC, GaN)上的開關(guān)晶體管速度越來越快,使得測量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn),在某些情況下幾乎不可能實(shí)現(xiàn)。隔離探測技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面,通過這一技術(shù),設(shè)計(jì)人員終于能夠放心
2020-12-14 23:36:0022

Cree Wolfspeed攜手泰克,共迎半導(dǎo)體器件發(fā)展契機(jī)與挑戰(zhàn)

Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn),共同促進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
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半導(dǎo)體SiC功率器件有什么樣的發(fā)展現(xiàn)狀和展望說明

先進(jìn)研究計(jì)劃局DARPA的高功率電子器件應(yīng)用技術(shù)HPE項(xiàng)目的發(fā)展,介紹了SiC功率器件的最新進(jìn)展及其面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展前景。同時(shí)對我國半導(dǎo)體SiC器件的研究現(xiàn)狀及未來的發(fā)展方向做了概述與展望.
2021-02-01 11:28:4629

功率MOSFET半導(dǎo)體器件的研究進(jìn)展詳細(xì)資料說明

器件性能的限制被認(rèn)識得越來越清晰。實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場,也就是選擇的半導(dǎo)體材料。
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作為2021年技術(shù)熱詞,總會在各大技術(shù)熱文中被提起,我們在以往的文章中也笑稱,半導(dǎo)體是電動汽車的“寵兒”,但也有些朋友會問我們,半導(dǎo)體為什么總是要和汽車一起提起呢? 說到這里,我們
2021-08-26 15:20:283018

駕馭狼的速度,泰克與忱芯強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手解決半導(dǎo)體測試難題

泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟,雙方將深度整合資源,優(yōu)勢互補(bǔ),圍繞功率半導(dǎo)體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作,為客戶解決半導(dǎo)體測試挑戰(zhàn)。
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第16屆“中國芯”-半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會成功舉辦

大會同期舉辦了面向半導(dǎo)體領(lǐng)域的“半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會”。峰會以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、蘇州晶湛半導(dǎo)體
2021-12-23 14:06:342831

電動智能化解決方案:破解兩輪出行行業(yè)智能化難題

2022年3月起,全國多地出臺電動車新規(guī)。 隨著新國標(biāo)電動車和電池充電不進(jìn)樓不入戶等政策落地,兩輪出行行業(yè)智能化變革迫在眉睫。如何破解難題促進(jìn)行業(yè)正向發(fā)展? 利爾達(dá)芯智行電動智能化解決方案或許是
2022-02-28 17:16:024878

汽車新四電動智能化、網(wǎng)聯(lián)、共享)的正確發(fā)展邏輯是什么?

汽車“新四”(電動、智能化、網(wǎng)聯(lián)、共享)概念的提出,給汽車未來的發(fā)展指明了方向,電動是指汽車向著以動力電池作為驅(qū)動能源的發(fā)展模式;智能化是指在汽車上加裝毫米波雷達(dá)、車載攝像頭、激光雷達(dá)等
2022-05-05 15:38:328847

淺談半導(dǎo)體行業(yè)概況

對于半導(dǎo)體行業(yè)目前概況,呂凌志博士直言,半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段,由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣,要想做好這個(gè)行業(yè)的MES軟件,就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點(diǎn)。
2022-07-05 12:44:534545

半導(dǎo)體發(fā)展迅猛 碳化硅MOSFET未來可期

在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161771

定寸芯,勝蒼穹,半導(dǎo)體助力實(shí)現(xiàn)雙碳目標(biāo)

金秋10月,Bodo's半導(dǎo)體論壇驚艷亮相深圳ESSHOW 2021年,特斯拉創(chuàng)紀(jì)錄出貨量助碳化硅達(dá)到了10億美元市場規(guī)模;比亞迪“漢”和現(xiàn)代Ioniq-5也都因搭載高性能碳化硅模塊受益于快速
2022-07-29 15:49:291210

材料測試

材料是指帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來越多,SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121581

用于電動汽車的半導(dǎo)體

承受更高工作溫度和電壓的能力。 為了使電動汽車能夠更快地充電,汽車電力電子設(shè)計(jì)人員需要 GaN 和 SiC 器件以及能夠滿足電動汽車效率和功率密度要求的新型動力總成架構(gòu)。為了在給定電池容量的情況下獲得最大行駛里程,整個(gè)電源轉(zhuǎn)換鏈必須盡可能
2022-08-05 17:10:021203

硅基器件器件的區(qū)別

固體中電子的能量分布是離散的,電子都分布在不連續(xù)的能帶(Energy Band)上,價(jià)電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為帶寬度(Energy Gap),帶寬度反映了被束縛價(jià)電子要成為自由電子所必須獲得的額外能量。
2022-10-17 14:15:452686

對話|成本下降對半導(dǎo)體應(yīng)用多重要?

隨著半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降,其應(yīng)用情況將會發(fā)生明顯變化。 編者按: 近年來,以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的半導(dǎo)體,展示出高頻、高壓、高溫等獨(dú)特的性能優(yōu)勢,迎來新的發(fā)展機(jī)遇
2022-10-28 11:04:341761

力科解答功率半導(dǎo)體測試探頭難題!

2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析功率半導(dǎo)體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業(yè)、工程師積極報(bào)名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料,它們具有
2022-12-09 14:29:421622

半導(dǎo)體概述 碳化硅壽命面臨什么挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體,指的是價(jià)帶和導(dǎo)之間的能量偏差(隙)大,決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)所需要的能量。更寬的隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種功率器件,受到人們越來越多的關(guān)注。
2023-01-17 10:31:441400

半導(dǎo)體是什么?

半導(dǎo)體泛指室溫下隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的帶寬度越大,對應(yīng)電子躍遷導(dǎo)能量越大,從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810875

半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域

 第三代半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域,包括電力電子、新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说谝淮偷诙雽?dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸,受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757

什么是半導(dǎo)體?

)為主的半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-05-05 17:46:2211803

揚(yáng)杰科技與東南大學(xué)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議:共建功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心

2023年6月6日,東南大學(xué)迎來了建校121周年紀(jì)念日。當(dāng)天下午,東南大學(xué)集成電路學(xué)院揭牌儀式在南京舉辦。 揭牌儀式上,“ 東南大學(xué)—揚(yáng)杰科技功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”共建合作協(xié)議正式簽署
2023-06-08 20:05:022678

智能化、年輕 傳統(tǒng)電動車如何向智能化突圍

智能化、年輕已經(jīng)成為了當(dāng)前兩輪電動車行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵詞,眾多傳統(tǒng)兩輪車車廠開始逐步向智能化轉(zhuǎn)型升級,
2023-01-03 11:31:171280

什么是半導(dǎo)體?

第95期什么是半導(dǎo)體?半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466549

搶占席位|2023英飛凌應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇

為代表的功率半導(dǎo)體在光伏風(fēng)能發(fā)電、儲能、大數(shù)據(jù)、5G通信、新能源汽車等領(lǐng)域或?qū)⒂瓉砬八从械狞S金發(fā)展期。如何促進(jìn)半導(dǎo)體在集成電路領(lǐng)域的融合創(chuàng)新?如何提
2023-06-30 10:08:301329

泰克示波器MSO58B在、雙脈沖測試中的解決方案

根據(jù)用戶在、雙脈沖測試遇到的種種問題,安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù),加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗(yàn)證。 通過以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能: 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361263

汽車芯片的智能化電動趨勢

汽車的智能化電動趨勢,勢必帶動車用半導(dǎo)體的價(jià)值量提升,其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機(jī)。
2023-07-18 10:18:06910

共創(chuàng)半導(dǎo)體未來,看碳化硅技術(shù)如何推動下一代直流快充樁發(fā)展

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 半導(dǎo)體是指具有能隙的半導(dǎo)體材料,例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性,因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù),
2023-10-08 19:15:02967

半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

碳化硅襯底是新近發(fā)展的半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828

智能化電動雙輪驅(qū)動.zip

智能化電動雙輪驅(qū)動
2023-01-13 09:07:142

直播回顧 | 半導(dǎo)體材料及功率半導(dǎo)體器件測試

半導(dǎo)體材料。 半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件,正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料,在半導(dǎo)體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
2023-11-03 12:10:021785

矽力杰獲批功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心

股份有限公司共建的功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心成功獲批。矽力杰創(chuàng)芯驅(qū)動模擬未來功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心圍繞功率半導(dǎo)體的器件與電源管理
2023-11-15 08:19:401566

“四兩撥千斤”,技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

能源轉(zhuǎn)換鏈中,半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。技術(shù)將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場景中為能效提升作出
2023-12-07 10:45:021168

“四兩撥千斤”,技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

技術(shù)將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。材料讓
2023-12-16 08:30:341285

碳化硅(SiC)功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)

SiC器件的核心優(yōu)勢在于、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說,SiC的帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能;其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上,有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:152812

理解半導(dǎo)體的重要性和挑戰(zhàn)

功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色,尤其是在可再生能源和電動交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求,我們需充分認(rèn)識并保證(WBG)半導(dǎo)體(如碳化硅(SiC)和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311650

注冊開放,搶占坐席 | 英飛凌論壇全日程首發(fā)

當(dāng)今,氣候變化與如何應(yīng)對持續(xù)增長的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn),而半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求,并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻(xiàn)。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的
2024-06-18 08:14:18789

2024英飛凌論壇倒計(jì)時(shí)丨多款創(chuàng)新產(chǎn)品首次亮相

英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的(WBG)半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品,偕同英飛凌智能家居方案,以及電動交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:311371

功率半導(dǎo)體和半導(dǎo)體的區(qū)別

功率半導(dǎo)體和半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們在電子器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別: 材料類型:功率半導(dǎo)體通常由硅(Si)或硅碳化物(SiC)等材料制成,而
2024-07-31 09:07:121518

半導(dǎo)體材料有哪些

的角色。它們是構(gòu)成電子器件和光電子器件的基礎(chǔ)。根據(jù)帶寬度的不同,半導(dǎo)體材料可以分為窄、中材料。半導(dǎo)體材料因其獨(dú)特的電子和光學(xué)特性,在高功率、高頻、高溫和高亮度應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。 半導(dǎo)
2024-07-31 09:09:063202

第三代半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

? 第三代功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的帶化合物半導(dǎo)體
2024-12-05 09:37:102785

白皮書導(dǎo)讀 | 電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中的帶開關(guān)器件

樣品活動進(jìn)行中,掃碼了解詳情近年來,電動汽車的興起帶動了器件的應(yīng)用,并逐漸滲透到各個(gè)市場。目前,工業(yè)電機(jī)主要使用逆變器來提高能效等級,這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開關(guān)
2024-12-25 17:30:32866

第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用

本文介紹第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動汽車的核心部件中,車用功率模塊(當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT)占據(jù)著舉足輕重的地位,它不僅決定了電驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵性能,還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571151

第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:301613

技術(shù)如何提升功率轉(zhuǎn)換效率

目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動力,而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統(tǒng)硅器件相比,技術(shù),如碳化硅(SiC)和氮化鎵( GaN)等仍是促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評估他們的驗(yàn)證和測試方法,以應(yīng)對當(dāng)今電氣化的挑戰(zhàn)。
2025-02-19 09:37:10869

碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢。
2025-04-09 18:02:041276

浮思特 | 從硅基到:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

主導(dǎo)著逆變器設(shè)計(jì)領(lǐng)域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關(guān)頻率和更
2025-04-25 11:34:35801

2025新能源汽車領(lǐng)域發(fā)生哪些“變革”?

:在剛剛過去的英飛凌2025年帶開發(fā)論壇上,英飛凌與匯川等企業(yè)展示了半導(dǎo)體技術(shù)的最新進(jìn)展。從SiC與GaN技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用到融合Si與SiC逆變器概念,再
2025-07-24 06:20:481459

比亞迪持續(xù)深耕電動智能化領(lǐng)域

近日,比亞迪在深圳總部舉行媒體深度交流會,圍繞 “電動智能化” 領(lǐng)域的技術(shù)突破與未來規(guī)劃展開分享。比亞迪集團(tuán)高級副總裁、汽車新技術(shù)研究院院長楊冬生,副院長韓冰,智能化軟件開發(fā)中心主任李鋒,電動
2025-07-31 13:51:06633

2025IEEE亞洲功率器件及應(yīng)用研討會落幕

2025 年 8 月 15 日至 17 日,2025 IEEE 亞洲功率器件及應(yīng)用研討會(WiPDA Asia 2025)在北京國際會議中心成功舉辦。 本次功率器件研討會由 IEEE 電力
2025-08-28 16:00:57604

博世引領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)革新

隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動智能化邁進(jìn),半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動力。特別是半導(dǎo)體材料,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),因其卓越的電氣性能,正在掀起一場深刻的技術(shù)革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680

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