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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>飛兆半導(dǎo)體推出型號為FDB9403的40V PowerTrench MOSFET

飛兆半導(dǎo)體推出型號為FDB9403的40V PowerTrench MOSFET

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2025-07-15 14:21:34

現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42

40V耐壓降壓芯片SL3061 支持9-36V降壓5V2.5A直流有刷電機(jī)供電電源IC

開關(guān)穩(wěn)壓器是深圳市森利威爾電子有限公司推出的一款高性能產(chǎn)品。它能夠在6V40V的寬輸入電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,提供最大2.5A的輸出電流,并保持著高效率。這一特性使其能夠輕松應(yīng)對各種復(fù)雜的電源環(huán)境,確保
2025-07-09 17:14:01

Analog Devices Inc. LTC4451 40V 7A理想二極管數(shù)據(jù)手冊

Analog Devices Inc. LTC4451 40V 7A理想二極管使用集成N溝道功率MOSFET替代高性能肖特基二極管。該器件可輕松將OR電源結(jié)合在一起,以提高系統(tǒng)可靠性并防止反向?qū)ā?/div>
2025-06-24 11:46:08679

LMR14030 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 40V、3.5A、2.2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

LMR14030 是一款 40V、3.5A 降壓型穩(wěn)壓器,集成了高側(cè) MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì),用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。穩(wěn)壓器在
2025-06-23 16:43:30812

LMR14020 SIMPLE 開關(guān)穩(wěn)壓器、4V40V、2A 2.2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

LMR14020 是一款 40V、2A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高側(cè) MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì),用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。穩(wěn)壓器在休眠模式
2025-06-23 15:30:37673

LMR14050 具有 40μA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 40V、5A、2.2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

LMR14050 是一款 40V、5A 降壓型穩(wěn)壓器,集成了高側(cè) MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì),用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。穩(wěn)壓器在休眠
2025-06-23 15:24:48855

LV14340 40V、3.5A、2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

LV14340 是一款 40V、3.5A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì),用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。寬可調(diào)
2025-06-23 13:55:06587

LV14240 40V、2A SIMPLE SWITCHER、? 2.2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

LV14240 是一款 40V、2A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高側(cè) MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì),用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。寬可調(diào)開關(guān)頻率范圍
2025-06-23 13:43:27566

LV14540 40V 5A 2.2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

LV14540 是一款 40V、5A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高側(cè) MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì),用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。寬可調(diào)開關(guān)頻率范圍
2025-06-23 11:01:11580

40V DCDC 輸出可調(diào) 降壓恒壓電源芯片 SL3061

高效可靠的 40V 降壓恒壓電源芯片 SL3061,重新定義工業(yè)與消費(fèi)電子電源解決方案在工業(yè)自動(dòng)化、汽車電子及智能家居等領(lǐng)域,對寬輸入電壓、高精度輸出的電源管理芯片需求日益增長。森利威爾推出
2025-06-20 17:26:07

LMR14020-Q1 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 汽車級 40V、2A、2.2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

LMR14020-Q1 是一款 40V、2A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì),用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。擴(kuò)展系列
2025-06-20 13:53:54666

LMR14050-Q1 SIMPLE SWITCHER? 汽車級 40V、5A、2.2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

LMR14050-Q1 是一款 40V、5A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì),用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。擴(kuò)展系列
2025-06-20 11:43:48644

LMR14030-Q1 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 汽車級 40V、3.5A、2.2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

LMR14030-Q1 是一款 40V、3.5A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業(yè)到汽車的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì),用于非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。擴(kuò)展
2025-06-20 11:25:32824

類比半導(dǎo)體推出支持-0.3V-40V共模的車規(guī)級雙向通用電流檢測放大器

類比半導(dǎo)體(AnalogySemi)推出支持高側(cè)或者低側(cè)通用電流檢測放大器,其通常用于優(yōu)化系統(tǒng)精密電流測量或者電流環(huán)路控制電路。該系列產(chǎn)品供電電壓范圍2.7V-5.5V,-0.3V-40V輸入共模
2025-06-13 10:36:101771

辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及新能源領(lǐng)域,MOSFET的導(dǎo)通損耗與動(dòng)態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結(jié)合屏蔽柵技術(shù),突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力,在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。
2025-06-11 09:37:31754

新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592500

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù),為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

華太半導(dǎo)體推出60V轉(zhuǎn)5V0.5A降壓IC-HT2459

華太半導(dǎo)體(Hottek-semi)最新推出輸入電壓范圍:4.5V-60V,頻率:150KHz/1.2MHz,SOT23-6封裝,高耐壓DC-DC降壓芯片,HT2459(異步),HT2481
2025-05-19 17:49:43

納微半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn),以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET,搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝,實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離,可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341

圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971

基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列,面向光伏、儲能等
2025-05-09 11:45:401018

40V耐壓降壓芯片SL3061 支持9-36V降壓5V2.5A直流有刷電機(jī)供電電源IC

,符合工業(yè)級設(shè)備標(biāo)準(zhǔn) 特點(diǎn) ● 最大2.5A輸出電流 ● 6V40V寬工作電壓范圍 ● 內(nèi)置功率MOSFET ● 140KHZ-500KHZ頻率可調(diào) ● 過溫保護(hù) ● 逐周期過流保護(hù) ● >90%的效率 ● 低功耗 ● 輸出電壓可調(diào) ● 采用SOP8封裝
2025-04-30 16:27:51

CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET
2025-04-16 10:54:00755

CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

產(chǎn)品概述 ? 型號 ?:CSD18512Q5B ? 類型 ?:40V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?:SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?:低導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端子鍍
2025-04-16 10:20:33784

CSD18510KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET,單 TO-220,1.7mOhm數(shù)據(jù)手冊

這款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18510KCS 40V N 溝道 NexFETTM 功率
2025-04-16 10:13:57763

CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07663

CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18511KCS 40V N 溝道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11772

TLV9352 雙通道、40V、3.5MHz、低功耗運(yùn)算放大器技術(shù)手冊

TLV935x 系列(TLV9351、TLV9352 和 TLV9354)是 40V 成本優(yōu)化型運(yùn)算放大器系列。
2025-04-11 10:20:03843

TLV9351 單通道、40V、3.5MHz、低功耗運(yùn)算放大器技術(shù)手冊

TLV935x 系列(TLV9351、TLV9352 和 TLV9354)是 40V 成本優(yōu)化型運(yùn)算放大器系列。
2025-04-09 15:31:25902

易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作 高算力MCU+第三代功率半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案

? ? ? 今日,易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作!雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,通過將易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢整合,打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443885

Nexperia推出12通道40V高邊LED驅(qū)動(dòng)器

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出一款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的12通道、40 V高邊LED驅(qū)動(dòng)器 (IC)。該產(chǎn)品達(dá)到功能安全ASIL-B等級,適用于要求功能安全的汽車照明系統(tǒng),可廣泛
2025-03-28 09:23:36926

Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945

MOSFET與IGBT的區(qū)別

半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 (屬于SMPS2系列)和MOSFET器件 FCP11N60(屬于SuperFET 產(chǎn)品族)。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC,代表了功率
2025-03-25 13:43:17

MOSFET在AI中的應(yīng)用 #MOSFET #半導(dǎo)體 #電子 #人工智能

半導(dǎo)體
微碧半導(dǎo)體VBsemi發(fā)布于 2025-03-21 17:32:06

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232

TLV1812-EP 具有推挽輸出的40V雙通道比較器技術(shù)手冊

TLV1812-EP 和 TLV1822-EP 是具有多個(gè)輸出選項(xiàng)的 40V 雙通道比較器。該系列提供軌到軌輸入以及推挽或開漏輸出選項(xiàng)。這些器件具有出色的速度功率組合,傳播延遲為 420ns,整個(gè)電源電壓范圍為 2.4V40V,每個(gè)通道的靜態(tài)電源電流僅為 5μA。
2025-03-19 10:27:09956

TLV1864 具有開漏輸出和反向電池保護(hù)功能的40V毫微功耗四通道比較器技術(shù)手冊

TLV185x 和 TLV186x 是 40V 毫微功耗比較器系列,具有單通道、雙通道和四通道選項(xiàng)。該系列提供具有推挽和開漏輸出選項(xiàng)的失效防護(hù) (FS) 輸入。這些特性與在 1.8V40V
2025-03-18 11:42:15861

TLV1854 具有推挽輸出和反向電池保護(hù)功能的40V毫微功耗四通道比較器技術(shù)手冊

TLV185x 和 TLV186x 是 40V 毫微功耗比較器系列,具有單通道、雙通道和四通道選項(xiàng)。該系列提供具有推挽和開漏輸出選項(xiàng)的失效防護(hù) (FS) 輸入。這些特性與在 1.8V40V
2025-03-18 11:37:11879

TLV1862 具有開漏輸出和反向電池保護(hù)功能的40V毫微功耗雙通道比較器技術(shù)手冊

TLV185x 和 TLV186x 是 40V 毫微功耗比較器系列,具有單通道、雙通道和四通道選項(xiàng)。該系列提供具有推挽和開漏輸出選項(xiàng)的失效防護(hù) (FS) 輸入。這些特性與在 1.8V40V
2025-03-18 11:14:53847

TLV1852 具有推挽輸出和反向電池保護(hù)功能的40V毫微功耗雙通道比較器技術(shù)手冊

TLV185x 和 TLV186x 是 40V 毫微功耗比較器系列,具有單通道、雙通道和四通道選項(xiàng)。該系列提供具有推挽和開漏輸出選項(xiàng)的失效防護(hù) (FS) 輸入。這些特性與在 1.8V40V
2025-03-18 11:09:06913

AP6G04BLI 風(fēng)扇燈專用MOS 6A 40V SOT23-6L

AP6G04BLI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的rds (ON),低柵極電荷和工作電壓低至4.5V。這該裝置適合作為電池保護(hù)裝置使用或其它開關(guān)應(yīng)用。一般特征V ds = 40v I d = 6.3aR
2025-03-14 09:17:411

陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管,產(chǎn)品型號為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901

LTH004SQJ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQJ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:58:540

LTH004SQ-X 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQ-X 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:34:440

LTH004SQ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 16:32:210

LTH004SQ-Z 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQ-Z 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 16:30:510

LTH004SR-4L-X 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SR-4L-X 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 15:36:330

LTH004SRU-4L 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)劃書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SRU-4L 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)劃書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 15:35:350

BUK9M8R5-40HN溝道40V、8.5mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK9M8R5-40HN溝道40V、8.5mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:16:000

BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 11:31:090

LED芯片巨頭馳,全面進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體!

▍全球最大數(shù)字智能化LED芯片廠加碼化合物半導(dǎo)體 來源:LEDinside等網(wǎng)絡(luò)資料 近日,馳集團(tuán)二十周年盛典暨全球戰(zhàn)略合作伙伴生態(tài)峰會在江西隆重召開,在盛典上,馳集團(tuán)明確了未來10到20年
2025-01-23 11:49:081624

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

意法半導(dǎo)體推出全新40V MOSFET晶體管

意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。
2025-01-16 13:28:271022

砹德曼半導(dǎo)體 PD車充應(yīng)用 MOSFET 可選型與推薦 支持樣品與技術(shù)

(VGS=10V) AD40N70D5: 40V/N/PDFN5*6/4.7mohm Typ.(VGS=10V) ◆VBUS 用MOSFET AD30N25D3: 30V/N/PDFN3*3
2025-01-10 17:45:43

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