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      標(biāo)簽　>　導(dǎo)通電阻

      導(dǎo)通電阻

      +關(guān)注0人關(guān)注

      　　導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比，是二極管的重要參數(shù)。

      文章：151個 瀏覽：20172次 帖子：3個

      導(dǎo)通電阻資訊

      Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級，RDS(ON)和FOM達(dá)到業(yè)界出色水平，提高功率密度和效率

      節(jié)省空間的器件采用小型PowerPAIR? 3x3S封裝，最大RDS（ON）導(dǎo)通電阻降至8.05 m，Qg為6.5 nC

      2020-11-04 標(biāo)簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 1337 0

      東芝推出新款采用PWM控制的雙H橋直流有刷電機(jī)驅(qū)動IC，推薦應(yīng)用為移動設(shè)備和家用電器

      東芝的新一代DMOS工藝讓TC78H660FNG能夠在最大額定值為18V／2.0A［1］時實(shí)現(xiàn)低至0.48Ω的導(dǎo)通電阻，較東芝的現(xiàn)有產(chǎn)品發(fā)熱更低。

      2020-10-22 標(biāo)簽：東芝導(dǎo)通電阻驅(qū)動IC 1302 0

      Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源

      TrenchFETa器件典型RDS（ON）為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

      2020-09-23 標(biāo)簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 1478 0

      Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

      日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。

      2020-08-17 標(biāo)簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 1069 0

      IGSS對柵極驅(qū)動漏電流的影響

      dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力，越大越好。對系統(tǒng)來說，過高的dv/dt必然會帶來高的電壓尖峰，較差的EMI特性，不過該變化速率通過系統(tǒng)電路...

      2020-06-05 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻 2.0萬 0

      Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

      PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。

      2020-04-23 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻Nexperia 1049 0

      Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的超小尺寸20V芯片級MOSFET

      MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V

      2015-06-19 標(biāo)簽：Vishay封裝導(dǎo)通電阻 1286 0

      Vishay推出最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN

      日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在...

      2012-11-28 標(biāo)簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 1701 0

      Vishay Siliconix采用P溝道TrenchFET Gen III技術(shù)的12V和30V MOSFET具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? ...

      2012-10-09 標(biāo)簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 1118 0

      Vishay新款N溝道TrenchFET功率MOSFET再度刷新導(dǎo)通電阻的最低記錄

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET--...

      2012-06-28 標(biāo)簽：Vishay導(dǎo)通電阻功率MOSFET 1365 0

      MAX14634超低導(dǎo)通電阻和緊湊型雙向電池開關(guān)

      MAX14634超低導(dǎo)通電阻和緊湊型雙向電池開關(guān)

      MAX14634雙向電池開關(guān)功能的反向阻斷能力，從系統(tǒng)中隔離電池， 該設(shè)備是在一個超小型的12焊球(1.3毫米x1.7毫米，0.4mm間距)WLP封裝。

      2012-06-25 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻MAX14634雙向電池開關(guān) 2154 0

      Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低記錄

      Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---...

      2012-05-08 標(biāo)簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 934 0

      最小導(dǎo)通電阻！瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET

      瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。

      2012-04-13 標(biāo)簽：MOSFET瑞薩導(dǎo)通電阻 1586 0

      Vishay發(fā)布新款E系列MOSFET器件

      日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET-...

      2011-10-13 標(biāo)簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 1468 0

      飛兆半導(dǎo)體推出低導(dǎo)通電阻MOSFET

      　　飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ ...

      2010-12-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻MOSFE 1731 0

      導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?

      導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么? 傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號傳輸，如果將不同VI

      2010-03-23 標(biāo)簽：電阻導(dǎo)通電阻導(dǎo)通 5521 0

      TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)

      TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān) 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m...

      2009-12-18 標(biāo)簽：負(fù)載TI導(dǎo)通電阻 876 0

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        28nm
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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        TI公司
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        TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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        提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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        Cortex-A
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        Mobileye
        +關(guān)注
        Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告 （FCW）、車距監(jiān)測 （HMW）、行人探測、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識別 （TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
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        CC2541
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        超級本
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        超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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