以電阻系數(shù)標(biāo)示電導(dǎo)率時(shí)，半導(dǎo)體的電阻系數(shù)介于10-4至108Ωcm區(qū)間，導(dǎo)體的電阻系數(shù)位于10-8至10-4Ωcm區(qū)間，絕緣體的電阻系數(shù)橫跨108至1018Ωcm范圍。
2024-03-19 11:33:03
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JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時(shí)序的要求。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個(gè)
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低25毫歐電阻單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含n溝道MOSFET，可以提供6A的最大連續(xù)電流。JW7106可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 在
2024-03-18 14:30:27
臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
意法半導(dǎo)體新推出的八路高邊開(kāi)關(guān)兼?zhèn)渲悄芄δ芎驮O(shè)計(jì)靈活性，每條通道導(dǎo)通電阻RDS(on)(典型值)僅為110mΩ，保護(hù)系統(tǒng)能效，體積緊湊，節(jié)省 PCB 空間。
2024-03-12 11:41:49250 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）近日發(fā)布了兩款八路高邊開(kāi)關(guān)——0.7A IPS8200HQ和1.0A IPS8200HQ-1，這兩款開(kāi)關(guān)不僅具備出色的智能功能，還在設(shè)計(jì)上展現(xiàn)出極高
2024-03-12 10:47:42227 想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
如何區(qū)別普通電阻和保險(xiǎn)電阻？如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻好壞？ 普通電阻和保險(xiǎn)電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細(xì)介紹如何區(qū)分普通電阻和保險(xiǎn)電阻，并說(shuō)明如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險(xiǎn)電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
半導(dǎo)體應(yīng)變片和電阻絲應(yīng)變片有什么不同？ 半導(dǎo)體應(yīng)變片和電阻絲應(yīng)變片是常用的兩種測(cè)量應(yīng)變的傳感器。它們?cè)跍y(cè)量應(yīng)變的原理、結(jié)構(gòu)、性能等方面存在一些不同點(diǎn)。 首先，半導(dǎo)體應(yīng)變片是利用半導(dǎo)體材料的特性來(lái)測(cè)量
2024-02-04 15:07:22438 安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價(jià)低，在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07136 
安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過(guò)獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價(jià)比高。
2024-01-20 17:54:00916 
主要用于對(duì)電路中的浪涌電流進(jìn)行限制和抑制，以保護(hù)其他電子元件不受到電流過(guò)大的損害。普通電阻則主要用于電路分壓、限流、衰減等基本電阻功能。 2. 結(jié)構(gòu)區(qū)別: 抗浪涌電阻通常由金屬氧化物電阻體、導(dǎo)體引線和封裝材料組成。金屬氧化
2024-01-18 16:16:58557 半導(dǎo)體放電管是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開(kāi)關(guān)特性。當(dāng)浪涌電壓超過(guò)轉(zhuǎn)折的電壓VBO時(shí)，器件被導(dǎo)通，這時(shí)它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 1兆歐的電阻在半導(dǎo)體裝配中的主要作用是什么？ 1兆歐的電阻在半導(dǎo)體裝配中有著重要的作用。電阻是一個(gè)被設(shè)計(jì)為在電路中產(chǎn)生電壓降的元件，通過(guò)限制電流流過(guò)的能力來(lái)改變電路的特性。在半導(dǎo)體裝配中，電阻主要
2023-12-20 14:04:03220 用萬(wàn)用表如何檢測(cè)普通電阻器？ 萬(wàn)用表是一種多功能測(cè)量工具，用于測(cè)量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測(cè)各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬(wàn)用表來(lái)檢測(cè)普通電阻器的詳細(xì)步驟
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通電橋測(cè)電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測(cè)量工具，廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說(shuō)明其測(cè)量電阻的優(yōu)勢(shì)和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 11月27日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:56189 MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過(guò)導(dǎo)通電阻而造成；開(kāi)關(guān)損耗則發(fā)生在MOSFET 開(kāi)關(guān)期間，因?yàn)?MOSFET 沒(méi)有即時(shí)開(kāi)關(guān)而產(chǎn)生。這些都是由 MOSFET 內(nèi)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:33167 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10459 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開(kāi)始。
2023-11-08 16:22:22319 美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個(gè)常見(jiàn)的元件，它被用來(lái)控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個(gè)主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹
2023-10-29 11:21:55933 “半導(dǎo)體”是一種特性介于“導(dǎo)體”和“絕緣體”之間的物質(zhì)，前者像金屬一樣導(dǎo)電，后者幾乎不導(dǎo)電。電流流動(dòng)的容易程度與物質(zhì)電阻的大小有關(guān)。如果電阻高，電流很難流動(dòng);如果電阻低，電流容易流動(dòng)。
2023-10-27 14:18:281011 
羅姆半導(dǎo)體推出了雙 MOSFET，該器件在單個(gè)封裝中集成了兩個(gè) 100V 芯片，使其適用于驅(qū)動(dòng)通信基站和工業(yè)設(shè)備中的風(fēng)扇電機(jī)。這五款新型號(hào)已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch
2023-10-23 15:44:02482 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對(duì)運(yùn)放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
一、磁場(chǎng)對(duì)通電直導(dǎo)體的作用 通電導(dǎo)體周圍存在磁場(chǎng)，將通電導(dǎo)體放入磁場(chǎng)中，根據(jù)磁體間的相互作用，它會(huì)受到磁場(chǎng)的磁力作用。 1、通電直導(dǎo)體受到均勻磁場(chǎng)作用力的方向，可用左手定則來(lái)判斷。 2、通電直導(dǎo)體
2023-10-07 15:35:20957 
? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
導(dǎo)通電阻測(cè)試就是用來(lái)檢測(cè)導(dǎo)線或連線情況是否正常的一種方法，是指兩個(gè)導(dǎo)體間在一定電壓下通過(guò)的電流所引起的電壓降之比，通俗的說(shuō)就是導(dǎo)線通電后的電阻值。芯片引腳導(dǎo)通性測(cè)試是一個(gè)必要的步驟，用于驗(yàn)證和檢測(cè)芯片引腳之間的連接是否正確，以確保芯片的正常工作。
2023-09-28 14:52:341152 
PTC 是 Positive Temperature Coefficient 的縮寫,意思是正的溫度系數(shù),泛指正溫度系數(shù)很大的半導(dǎo)體材料或元器件.通常我們提到的 PTC 是指正溫度系數(shù)熱敏電阻,簡(jiǎn)稱
2023-09-28 06:52:22
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 07:55:12
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
什么是PN結(jié)的導(dǎo)通電壓？? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最常見(jiàn)的元器件之一，它將p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的材料在一起，通過(guò)電場(chǎng)使它們連接在一起，并形成一個(gè)電子流的管道。在其中，導(dǎo)通電壓是PN結(jié)的一個(gè)重要參數(shù)
2023-09-13 15:09:292818 半導(dǎo)體熱敏電阻包括哪些 半導(dǎo)體熱敏電阻是一種基于半導(dǎo)體材料的電阻，其電阻隨著溫度的變化而變化。它的應(yīng)用十分廣泛，涵蓋了所有需要測(cè)量或控制溫度的領(lǐng)域，如電子設(shè)備、醫(yī)藥、汽車工業(yè)和航空航天等。 半導(dǎo)體熱敏電阻
2023-09-08 10:39:471077 意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:45474 穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)?，雷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，射頻技術(shù)在越來(lái)越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 的特性，其中一些包括： 1. 非線性電阻性能：半導(dǎo)體的電阻隨著電壓的變化而變化，而且不是線性的。這是由于在半導(dǎo)體材料內(nèi)部存在多種電子軌道和能級(jí)，電子在能級(jí)間躍遷時(shí)會(huì)產(chǎn)生電流，從而導(dǎo)致電阻的變化。 2. 電子和空穴的導(dǎo)電
2023-08-29 16:28:581807 和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時(shí)
2023-08-28 15:45:311140 ，減少人力資源消耗，為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動(dòng)影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測(cè)量、圖像拼接、環(huán)光獨(dú)立升降、圖像匹配、無(wú)接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測(cè)量需求，解決各行業(yè)尺寸測(cè)量難題。
2023-08-21 13:38:06
電子電路必須具有過(guò)流保護(hù)，以防止大電流造成損害。由于開(kāi)關(guān)時(shí)間快且導(dǎo)通電阻低，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）可用作過(guò)流保護(hù)電路中的開(kāi)關(guān)。在本文中，我們將討論基于 MOSFET 的過(guò)流預(yù)防的簡(jiǎn)單原理圖電路圖。
2023-08-18 17:32:582352 
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要
2023-08-18 08:32:56513 
1.串聯(lián)電阻R與半導(dǎo)體ESD電露布線與防浪涌關(guān)系串聯(lián)電阻R與半導(dǎo)體ESD電路布線中，哪個(gè)應(yīng)放置靠近被保護(hù)IC?在信號(hào)線防浪涌保護(hù)中，信號(hào)線時(shí)常會(huì)串一顆小阻值的電阻作為保護(hù)器件來(lái)抑制浪涌電流，起到限流
2023-08-17 09:24:31538 先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET新品上市,RSF60R070F、RSF60R026W型號(hào),打破行業(yè)常規(guī)?(TO-220F封裝70mΩ）,業(yè)內(nèi)優(yōu)勢(shì)導(dǎo)通電阻（典型值20mΩ）,國(guó)內(nèi)少有產(chǎn)品型號(hào)?技術(shù)領(lǐng)航
2023-08-08 11:04:05489 
瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET新品上市,RSF60R070F、RSF60R026W型號(hào),打破行業(yè)常規(guī)?(TO-220F封裝70mΩ）,業(yè)內(nèi)優(yōu)勢(shì)導(dǎo)通電阻（典型值20mΩ）,國(guó)內(nèi)少有產(chǎn)品型號(hào)?技術(shù)領(lǐng)航
2023-08-08 10:27:09304 
，由金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。MOSFET是一種主要用于控制電流的無(wú)源器件，它具有高頻特性和高電阻特性。MOSFET可用于各種應(yīng)用，包括電源管理、模擬電路和數(shù)字電路中的開(kāi)關(guān)和放大器。
2023-08-04 15:24:152047 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
優(yōu)恩半導(dǎo)體05D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過(guò)提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。最大峰值浪涌電流可達(dá)0.8 ka (8/20 μs脈沖)，可防止間接雷擊干擾、系統(tǒng)
2023-07-12 17:33:26
優(yōu)恩半導(dǎo)體10D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過(guò)提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。最大峰值浪涌電流可達(dá)3.5ka (8/20 μs脈沖)，以防止高峰值浪涌，包括間接
2023-07-12 15:29:27
優(yōu)恩半導(dǎo)體14D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過(guò)提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。最大峰值浪涌電流可達(dá)6ka (8/20 μs脈沖)，以防止高峰值浪涌，包括間接雷擊
2023-07-12 14:41:14
優(yōu)恩半導(dǎo)體14DSC系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過(guò)提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。最大峰值浪涌電流可達(dá)6ka (8/20 μs脈沖)，以防止高峰值浪涌，包括間接
2023-07-12 14:31:06
優(yōu)恩半導(dǎo)體20D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案，在這種小圓盤中提供比以往更高的浪涌額定值，極限峰值浪涌電流額定值可達(dá)10ka (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接
2023-07-12 14:19:50
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來(lái)的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
鎵器件大約在2015年推出市場(chǎng)，與具有相同導(dǎo)通電阻和額定電壓的硅功率MOSFET相比，其價(jià)格更低 。從那時(shí)起，產(chǎn)量繼續(xù)提升、氮化鎵器件的價(jià)格持續(xù)下降、氮化鎵技術(shù)不斷改進(jìn)和芯片進(jìn)一步更小化。下圖顯示了
2023-06-25 14:17:47
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
目錄 ⊙擊穿電壓 ⊙導(dǎo)通電阻 ⊙跨導(dǎo) ⊙閾值電壓 ⊙二極管正向電壓 ⊙功率耗散 ⊙動(dòng)態(tài)特性 ⊙柵極電荷 ⊙dv/dt 能力 盡管分立式功率MOSFET的幾何結(jié)構(gòu)，電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路
2023-06-17 14:24:52591 
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。面對(duì)當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
優(yōu)恩半導(dǎo)體20DYC系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過(guò)提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。極限峰值浪涌電流額定值可達(dá)10KA (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接雷擊
2023-06-14 11:34:37
優(yōu)恩半導(dǎo)體32D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過(guò)提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。極限峰值浪涌電流額定值可達(dá)30ka (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接雷擊干擾
2023-06-14 10:52:47
優(yōu)恩半導(dǎo)體40D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過(guò)提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。極限 峰值浪涌電流額定值可達(dá)30ka (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接雷擊干擾
2023-06-14 10:39:23
廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動(dòng)汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級(jí)結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
光伏與儲(chǔ)能是能源電力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)利用的有效途徑，在推動(dòng)碳達(dá)峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用，碳化硅憑借導(dǎo)通電阻低開(kāi)關(guān)損耗小的優(yōu)勢(shì)，可有效助力光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)，節(jié)約能源，推薦使用國(guó)產(chǎn)基本半導(dǎo)體芯片
2023-06-12 14:58:36337 瑞森半導(dǎo)體在高速吹風(fēng)機(jī)產(chǎn)品上主推平面高壓MOS，開(kāi)關(guān)頻率高，控制方式簡(jiǎn)單，響應(yīng)速度快，導(dǎo)通電阻小，可靠性高
2023-06-09 15:01:59413 
瑞森半導(dǎo)體在高速吹風(fēng)機(jī)產(chǎn)品上主推平面高壓MOS，開(kāi)關(guān)頻率高，控制方式簡(jiǎn)單，響應(yīng)速度快，導(dǎo)通電阻小，可靠性高
2023-06-09 11:51:05370 
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 光伏與儲(chǔ)能是能源電力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)利用的有效途徑，在推動(dòng)碳達(dá)峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用，碳化硅憑借導(dǎo)通電阻低開(kāi)關(guān)損耗小的優(yōu)勢(shì)，可有效助力光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)，節(jié)約能源，推薦使用國(guó)產(chǎn)基本半導(dǎo)體芯片
2023-05-29 10:16:48
場(chǎng)效應(yīng)管是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，也稱為單極型晶體管。它是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有噪聲小、功耗低、開(kāi)關(guān)速度快、不存在二次擊穿問(wèn)題，主要具有信號(hào)放大、電子開(kāi)關(guān)、功率控制等功能，廣泛應(yīng)用
2023-05-26 14:24:29
? 2023 年 5 月 24 日，中國(guó) —— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM
2023-05-26 14:11:20701 
中國(guó)—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開(kāi)通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的？
2023-04-23 11:27:04
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動(dòng)以及國(guó)家推出的支持政策，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展通道。目前，我國(guó)已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
2023-04-14 16:00:28
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動(dòng)以及國(guó)家推出的支持政策，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展通道。目前，我國(guó)已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
2023-04-14 13:46:39
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
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