式電源?(SMPS)。 ? 首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度
2022-05-19 10:50:42
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Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-10 14:04:347768 
Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:005406 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 節(jié)省空間的器件采用小型PowerPAIR? 3x3S封裝，最大RDS（ON）導(dǎo)通電阻降至8.05 m，Qg為6.5 nC
2020-11-04 16:03:001091 日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低，峰值效率達(dá)98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211425 汽車級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競(jìng)品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時(shí)增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:071562 Vishay宣布，推出新型模塊化面板電位計(jì)--- P11H，轉(zhuǎn)矩達(dá)到業(yè)內(nèi)高水平的8 Ncm——比緊隨其后的競(jìng)品器件高200%——適用于越野、航空和工業(yè)應(yīng)用。
2021-11-01 14:34:231321 
Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù)，離不開(kāi)高性能的開(kāi)關(guān)器件。近日，豪威集團(tuán)全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道
2022-06-28 11:01:01750 
），基本原則就是在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。小到選N型還是P型、封裝類型，大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，工程師在選擇
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
800V，且 RDS(on) 在 10V VGS 時(shí)僅 0.15Ω ，在 4.5V 時(shí)僅 0.20Ω。威世硅尼克斯的 SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 也不含鹵素（按照 IEC
2019-07-09 17:30:39
汽車級(jí)電阻，節(jié)省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴(kuò)充其TNPV e3系列汽車級(jí)高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
通電阻RDS（ON）限制的斜率，來(lái)計(jì)算導(dǎo)通電阻：RDS（ON） = (1-0.1）/(30-3) = 0.033Ohm（2）最右邊的垂直邊界是功率MOSFET的額定電壓，200V。（3）最上面的電流水平
2016-10-31 13:39:12
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
MOSFET和開(kāi)關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導(dǎo)通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過(guò)厚的低
2016-10-10 10:58:30
e圖2：空穴和電子的遷移率遷移率和tc成正比，由于空穴的有效質(zhì)量比較大，因此在同樣的摻雜濃度下，空穴的遷移率遠(yuǎn)小于電子，這意味著：同樣的晶元面積，P溝道的功率MOSFET的導(dǎo)通電阻也遠(yuǎn)大于N溝道的功率
2016-12-07 11:36:11
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
,with ESDFTH23N25R250230.120.14TO-3PSingle N-ch 器件廣泛應(yīng)用于高效開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、低電源適配器/充電器、有源功率因數(shù)校正以及低功率鎮(zhèn)流器等領(lǐng)域。250V MOS管由于具有開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、短路
2011-04-15 11:51:00
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡(jiǎn)稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
Voltage100V最大漏極電流Id Drain Current170mA/0.17A源漏極導(dǎo)通電阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.4
2019-11-13 11:00:58
的推出，為業(yè)界提供了最佳功率密度和低傳導(dǎo)損耗。FDMC8010采用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench技術(shù)，非常適合要求在小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)最低RDS(ON)的應(yīng)用，包括：高性能DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
DirectFET2功率環(huán)保封裝 由于采用COOLiRFET硅技術(shù), 40V AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比，導(dǎo)通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導(dǎo)損耗降到最低。雙面冷卻的中罐式
2018-09-28 15:57:04
`Nexperia 200V超快恢復(fù)整流器擁有高功率密度，同時(shí)最大限度地減少了反向恢復(fù)時(shí)間和損耗。這些器件是大功率密度、超快恢復(fù)整流器，采用高效平面技術(shù)，采用小型扁平引線SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開(kāi)關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道
2018-03-03 13:58:23
一般說(shuō)明PW2202是硅N溝增強(qiáng)型vdmosfet，采用自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)，降低了傳導(dǎo)損耗，改善了開(kāi)關(guān)性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于系統(tǒng)的各種功率開(kāi)關(guān)電路中特征 VDS=200V，ID=2A RDS（開(kāi)）
2020-12-11 16:37:57
電壓。導(dǎo)通電阻表示功率MOSFET完全開(kāi)后的電阻，和上述的線性區(qū)工作狀態(tài)并不相同。功率MOSFET的內(nèi)部二極管導(dǎo)通的反向工作狀態(tài)，因?yàn)槠銼、D極的電壓為二極管的壓降，因此并沒(méi)有線性區(qū)的過(guò)程，也就
2017-04-06 14:57:20
圖1 RDS(on)在最高工作溫度的30%～150%這個(gè)范圍內(nèi)隨溫度增加而增加導(dǎo)通電阻對(duì)N溝道和P溝道MOSFET都是十分重要的。在開(kāi)關(guān)電源中，Qg是用在開(kāi)關(guān)電源里的N溝道MOSFET的關(guān)鍵選擇標(biāo)準(zhǔn)
2019-09-04 07:00:00
通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)入垂直的N+區(qū)，中和N+區(qū)的正電荷空穴，從而恢復(fù)被耗盡的N+型特性，因此導(dǎo)電溝道形成，垂直N+區(qū)摻雜濃度高，具有較低的電阻率，因此導(dǎo)通電阻低。比較平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以
2017-08-09 17:45:55
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，它代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說(shuō)，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。”
2019-08-06 07:20:51
的電子通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)入被耗盡的垂直的N區(qū)中和正電荷，從而恢復(fù)被耗盡的N型特性，因此導(dǎo)電溝道形成。由于垂直N區(qū)具有較低的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOS管將明顯降低?！ ⊥ㄟ^(guò)以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)
2018-11-01 15:01:12
晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 2000 V Id-連續(xù)漏極電流: 6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V Vgs th-
2020-03-09 15:36:41
: SOT-227-4 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V Id-連續(xù)漏極電流: 660 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 850 uOhms
2020-03-14 18:16:31
記得作者2002年做研發(fā)的時(shí)候，在熱插撥的應(yīng)用中就開(kāi)始關(guān)注到這個(gè)問(wèn)題，那時(shí)候很難找到相關(guān)的資料，最后在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中根據(jù)相關(guān)的圖表找到導(dǎo)通電阻RDS(ON)的這個(gè)違背常理的特性，然后
2016-09-26 15:28:01
%和39%。改善導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積（優(yōu)值系數(shù)，F(xiàn)OM），不僅能夠提高總體的系統(tǒng)效率，還能夠使DC/DC轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更高的開(kāi)關(guān)頻率。為驗(yàn)證從TrenchFET III到TrenchFET
2013-12-31 11:45:20
在不降低性能的情況下節(jié)省能源成本。TI 電源封裝解決方案提供多種封裝形式，例如高級(jí)版本的 SOIC （針對(duì) LBC7HV 等工藝技術(shù)），而且，目前我們正在為我們的客戶提供高電壓（和中低功耗）封裝技術(shù)
2018-09-14 14:40:23
并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
散熱器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等貼片封裝，從而大幅簡(jiǎn)化熱管理。 因此，可以提高開(kāi)關(guān)電源的功率密度，同時(shí)降低系統(tǒng)成本。 繼去年發(fā)布展示有巨大優(yōu)勢(shì)的全新30V硅技術(shù)產(chǎn)品之后
2018-12-06 09:46:29
等級(jí)，同時(shí)，在器件導(dǎo)通時(shí)，形成一個(gè)高摻雜N+區(qū)，作為功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開(kāi)，分別設(shè)計(jì)在不同的區(qū)域，就可以實(shí)現(xiàn)上述的要求。基于超結(jié)
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是
2011-08-17 14:18:59
型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻
2012-10-30 21:45:40
型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻
2012-10-31 21:27:48
PN結(jié)轉(zhuǎn)化為掩埋PN結(jié)，在相同的N-摻雜濃度時(shí)，阻斷電壓還可進(jìn)一步提高?！ ?nèi)建橫向電場(chǎng)MOSFET的主要特性 1、 導(dǎo)通電阻的降低 INFINEON的內(nèi)建橫向電場(chǎng)的MOSFET，耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)，功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn)，對(duì)各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來(lái)了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過(guò)一個(gè)單極里的多個(gè)放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54676 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻--- WSK0612。該電阻是業(yè)內(nèi)首個(gè)4接頭、1W的檢流電阻，采用小尺寸的0612封裝，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:07846 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達(dá)3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過(guò)最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對(duì)稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 ---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個(gè)小尺寸封裝里，導(dǎo)通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節(jié)省空間，并簡(jiǎn)化高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
2014-02-10 15:16:51890 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 轉(zhuǎn)換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進(jìn)小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L雙片不對(duì)稱封裝里，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171004 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出功率等級(jí)達(dá)到3W，采用1216外形尺寸的新表面貼裝Power Metal Strip?檢流電阻
2016-11-23 16:48:111697 了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) （FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積），該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。
2017-02-10 15:10:111667 電阻---RCWH，電阻的功率等級(jí)達(dá)到0.33W，外形尺寸為0805。Vishay Dale RCWH系列電阻的功率密度是相同占位的標(biāo)準(zhǔn)電阻的2.5倍以上，在通信、計(jì)算機(jī)、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用中能夠節(jié)省空間，并減少元器件數(shù)量。
2017-05-24 10:48:45983 關(guān)鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用
2019-01-01 16:29:01380 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強(qiáng)型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件，10
2021-12-05 10:21:11
5 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級(jí)可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 N 溝道器件實(shí)現(xiàn)高功率密度，降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，提高能效 ? 賓夕法尼亞、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
RDS(ON) 達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，提高功率密度、能效和熱性能
2024-03-08 09:12:15146 
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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